República Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Educación Universitaria Ciencia y

Tecnología
Universidad Politécnica Territorial del Zulia (UPTZ)
Cabimas 10.09.2021
 
 
 
 
 
 

TRABAJO # 3
MÓDULO II: ELECTRÓNICA ANALÓGICA II

Integrante: Robert Mora

C.I: 32.363.496
Asignatura: Electrónica II
Sección: E-4
Profesor: Luis Trespalacios
 OTROS DISPOSITIVOS

 Conmutador Controlado de Silicio (SCS).

El interruptor controlado de silicio (SCS) es un tiristor con una compuerta

adicional. Puede usarse como un tiristor, pero que se dispara con pulsos
positivos o negativos en cualquiera de las compuertas. Sin embargo,
también puede pasar al estado de no conducción aplicando pulsos a las
compuertas.

Un interruptor de silicio controlado consiste en una estructura de cuatro

capas cuyas cuatro regiones semiconductoras son accesibles. El dispositivo
puede ser considerado como un circuito integrado con sendos transistores
NPN y PNP conectados como un par de realimentación positiva. Siendo
accesibles las cuatro regiones, la realimentación positiva es fácilmente
controlada, y el dispositivo puede ser accionado como un amplificador lineal.

El SCS es semejante en construcción al SCR. Sin embargo, el SCS tiene

dos terminales de compuerta, como se muestra en la figura, la compuerta
del cátodo y la compuerta del ánodo. El SCS puede encenderse y apagarse
usando cualquiera de sus terminales de compuerta. El SCR puede
encenderse usando sólo su terminal de compuerta. Normalmente el SCS se
encuentra disponible sólo en rangos de potencia menores que las del SCR.
La operación básica del SCS puede comprenderse refiriéndose al
equivalente con transistores. Se supone que ambos T1 y T2 están apagados
y que, por lo tanto, el SCS no conduce. Un pulso positivo en la compuerta
cátodo lleva al T2 hacia la conducción y proporciona así una trayectoria para
la corriente de base al T1. Cuando éste se enciende, su corriente de colector
proporciona excitación de base al T2, manteniendo así el estado encendido
del dispositivo. Esta acción regenerativa es la misma en que el proceso de
encendido del SCR

El interruptor transistorizado reduce la IA debajo de IH y apaga al SCS.

Aplicaciones.

Los SCS y SCR se utilizan en aplicaciones semejantes. El SCS tiene la

ventaja de apagado más rápido con pulsos en cualquiera de sus terminales
de compuerta; sin embargo, es más limitado en términos de los rangos de
corriente y voltaje máximos. Además, el SCS se usa algunas veces en
aplicaciones digitales, tales como contadores, registradores y circuitos de
sincronización.

La figura muestra las zonas dopadas de un interruptor controlado de silicio

(SCS, en ingles Silicon Controlled Switch). Ahora un terminal externo se
conecta a cada zona dopada. Imaginemos el dispositivo separado en dos
secciones (b). Resulta equivalente a un latch con acceso a ambas bases. Un
disparo de polarización directa en cualquiera de las bases cerrará el SCS.
De la misma manera, un pulso de polarización inversa en cualquiera de las
bases abrirá el dispositivo.
  DIAC.

El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor

doble de dos conexiones. Es un diodo bidireccional autodisparable que
conduce la corriente sólo tras haberse superado su tensión de disparo
alternativa, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor triple de
voltios característico para ese dispositivo. El comportamiento es variable
para ambas direcciones de la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una
tensión de disparo doble variable de alrededor de 30 V. En este sentido, su
comportamiento es similar a una lámpara de neón.

Los DIAC son una denominación de tiristor, y se usan normalmente para

autocompletar el ritmo variado del disparo de un triac, otra clase de tiristor.

Es un dispositivo semiconductor de dos terminales al menos, ánodo 1 y

ánodo 2. Actúa como una llave semicircular interruptora bidireccional la cual
se activa cuando el voltaje entre sus terminales variables alcanza el voltaje
de quema o accionado, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts según
la potencia del proceso de fabricación.

Diac

Tipo Semiconductor

Símbolo electrónico

Terminales A1, A2 (intercambiables)

Existen dos tipos de DIAC:

DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base
y con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El
dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensión de
avalancha en la unión del colector. Esto inyecta corriente en la base que
vuelve el transistor conductor, produciéndose un efecto regenerativo. Al ser
un dispositivo simétrico, funciona igual en ambas polaridades,
intercambiando el emisor y colector sus funciones.
DIAC de cuatro capas: Consiste en dos diodos Shockley conectados
en antiparalelo, lo que le da la característica bidireccional.

Aplicaciones.

Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la

corriente del triac, de forma que solo se aplica tensión a la carga durante
una fracción de ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control
de iluminación con intensidad variable, calefacción eléctrica con regulación
de temperatura y algunos controles de velocidad de motores.

La forma más simple de utilizar estos controles es empleando el circuito

representado en la Figura, en que la resistencia variable R carga
el condensador C hasta que se alcanza la tensión de disparo del DIAC,
produciéndose a través de él la descarga de C, cuya corriente alcanza la
puerta del TRIAC y le pone en conducción. Este mecanismo se produce una
vez en el semiciclo positivo y otra en el negativo. El momento del disparo
podrá ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo
de conducción del TRIAC y, por tanto, el valor de la tensión media aplicada
a la carga, obteniéndose un simple pero eficaz control de potencia.
 El Varistor.
 .
¿Qué es un Varistor?

Un varistor es un componente electrónico que modifica su resistencia

eléctrica en función de la tensión que se aplica en sus extremos o patillas.

También se suele llamar por su

abreviatura VDR (Voltaje Dependent Resistor).

El tipo más común de varistor es el de oxido metálico llamado MOV.

Un MOV contiene una masa cerámica de granos de óxido de zinc, en una

matriz de otros óxidos metálicos (como pequeñas cantidades de bismuto,
cobalto, manganeso) intercalados entre dos placas de metal (los electrodos).

Características del Varistor.

Algunas de las especificaciones claves de un varistor se enumeran a

continuación:

- Tensión nominal: esta tensión, ya sea declarada como CA o CC, es la

tensión máxima a la que se puede utilizar el dispositivo.
Normalmente, es mejor tener un buen margen entre la tensión nominal y la
tensión de funcionamiento.

- Corriente máxima: esta es la corriente máxima que el dispositivo puede

utilizar.

Puede expresarse como una intensidad por un tiempo dado.

Si se sobrepasa el varistor se quema.

- Energía de pulso máxima: esta es la energía máxima de un pulso,

expresada en julios, que el dispositivo puede disipar.

- Tensión de sujeción: es la tensión a la que el varistor comienza a mostrar

una conducción significativa.

- Tiempo de respuesta: Este es el momento para que el varistor comience

la conducción después de aplicar el pulso.

En muchos casos esto no es un problema.

Los valores típicos son inferiores a 100nS.

- Corriente en espera: la corriente en espera es el nivel de corriente que es

dibujado por el varistor cuando está operando por debajo del voltaje de
sujeción.

Normalmente, esta corriente se especificará en un voltaje de operación dado

a través del dispositivo.

Funcionamiento del Varistor.

Inicialmente, en su funcionamiento normal, la resistencia del varistor es muy

alta, por eso es un elemento que dentro de un circuito y para tensiones
inferiores a la nominal, se comporta prácticamente como un interruptor
abierto.

Resistencia muy alta = aislante =interruptor abierto

Cuando el varistor se ve sometido a una tensión mayor a la nominal,
rápidamente baja su resistencia hasta un valor muy
bajo, comportándose como un elemento dentro del circuito en cortocircuito
(interruptor cerrado).

Toda la corriente del circuito pasa prácticamente por el varistor al no tener

casi resistencia y evita que pase por el resto de componentes del circuito
que podrían dañarse por la sobretensión.

Los varistores protegen de sobretensiones.

Si tenemos un circuito que trabaja a una tensión de 9V, el varistor debe

proteger a los elementos del circuito cuando por algún motivo se sobrepase
esta tensión.

Lógicamente la tensión nominal del varistor debe ser un poco superior a los
9V.

Cada vez que el varistor actúa, se ve sometido a una corriente elevada, esto
hace que después de actuar para proteger unas cuantas veces (pocas), se
suela estropear.

Por este motivo siempre es recomendable que trabaje dentro de un circuito

en serie con un fusible.

En caso de que el varistor se estropee, saltará el fusible si hay una

sobretensión.

Muchas veces un fusible fundido es porque detrás de el hay un varistor

quemado. Habrá que cambiar los dos.

 Conmutador Bloqueado por Puerta (GTO).

Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del inglés Gate Turn-Off Thyristor) es

un dispositivo de electrónica de potencia que puede ser encendido por un
solo pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que
el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de
corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de
encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en
la puerta (G).

El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las características de

apagado son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a
través de las terminales puerta (G) y cátodo (C o K), la corriente en la puerta
(ig), crece. Cuando la corriente en la puerta (G) alcanza su máximo valor,
IGR, la corriente de ánodo comienza a caer y el voltaje a través del
dispositivo (VAK), comienza a crecer.

El tiempo de caída de la corriente de ánodo (IA) es abrupta, típicamente

menor a 1 us. Después de esto, la corriente de ánodo varía lentamente y
ésta porción de la corriente de ánodo es conocido como corriente de cola.

La razón (IA/IGR) de la corriente de ánodo IA a la máxima corriente negativa

en la puerta (IGR) requerida para el voltaje es baja, comúnmente entre 3 y 5.
Por ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO
normalmente requiere una corriente negativa de pico en la puerta de 250 A
para el apagado.

Estructura y funcionamiento.

La estructura del GTO es esencialmente la de un tiristor convencional.

Existen 4 capas de silicio (PNPN), 3 uniones (P-N, N-P y P-N) y tres
terminales: ánodo (A), cátodo (C o K) y puerta (G). La diferencia en la
operación radica en que una señal negativa en la puerta (G) puede apagar
el GTO.

Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en la puerta, el

dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el ánodo, pero una
corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO
se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En
este punto existe un proceso dinámico de encendido., VAK = 3V y la
corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la
aplicación de un voltaje en inversa, solo una pequeña corriente de fuga (IA
leak) existe. Una polarización en inversa VAK puede ser alcanzada cuando
ocurra un corte. El valor del voltaje de ruptura inverso depende del método
de fabricación para la creación de una regeneración interna para facilitar el
proceso de apagado.

Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de

corriente positiva es aplicada a la puerta G (gate), el GTO se enciende y
permanece de esa forma.
Para ésta condición, existen 2 formas de apagarlo.
Una forma es reduciendo la corriente de ánodo IA por medios externos
hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la acción
regenerativa interna no es efectiva. L

a segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es

el método más recomendable porque proporciona un mejor control. Como el
GTO tiene una conducción de corriente unidireccional, y puede ser apagado

en cualquier instante, éste se aplica en circuitos chopper (conversiones de

dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en
los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados.

A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutación rápida son

preferibles. En la conversión de AC - DC, los GTO's, son útiles porque las
estrategias de conmutación que posee, pueden ser usadas para regular la
potencia, como el factor de potencia.
Aplicaciones.

Como el GTO tiene una conducción de corriente unidireccional, y puede ser

apagado en cualquier instante, éste se aplica en circuitos chopper
(conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a
niveles de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser
utilizados.

A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutación rápida son

preferibles. En la conversión de AC - DC, los GTO's, son útiles porque las
estrategias de conmutación que posee, pueden ser usadas para regular la
potencia, como el factor de potencia.

A nivel industrial algunos usos son:

 Troceadores y convertidores. 

 Control de motores asíncronos. 

 Inversores. 

 Caldeo inductivo. 

 Rectificadores. 

 Soldadura al arco. 

 Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI).

 Control de motores. 

 Tracción eléctrica.

 Transistor de Puerta Aislada (IGBT).

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT,
del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es
un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en
circuitos de electrónica de potencia.

Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de

los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo
voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta
aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como
el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como
las del BJT.

Estructura.

El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan

(PNPN) que son controlados por un metal-óxido-semiconductor (MOS),
estructura de la puerta sin una acción regenerativa. Un transistor bipolar de
puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera similar a un MOSFET
de canal n vertical de poder de la construcción, excepto la n se sustituye con
un drenaje + p + capa de colector, formando una línea vertical del transistor
de unión bipolar de PNP.

Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los

transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje
de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para
la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las características de conducción son como las del BJT. En la
figura II se observa la estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con
tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C)
Funcionamiento.

Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende

inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se
va desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el
tiempo de encendido en que la señal en la puerta es aplicada. Para encender
el IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la
terminal E. La señal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado
a la puerta G.

Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15

volts, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de
lo cual la corriente de colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida
como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene así por una
señal de voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la
disipación de potencia en la puerta es muy baja.

El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la

terminal G. La transición del estado de conducción al estado de bloqueo
puede tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de
conmutación puede estar en el rango de los 50 kHz.

EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado de cambio de

encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este
valor el voltaje VCE cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de
estado de encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba de
15 V, y la corriente IC se autolimita.

Principales Características del Transistor IGBT

El principio de funcionamiento de los transistores y sus características

dependerán directamente del tipo de dispositivo y su diseño; siempre ver sus
datos técnicos del fabricante. A continuación una lista de los principales
parámetros de estos semiconductores que hay que tener en cuenta:

 Corriente máxima permitida.

 Indicador de la tensión de control.

 Resistencia interna.

 Plazo de retardo de conexión y desconexión.

 Inductancia parásita.

 Capacitancia de entrada(Input) y salida(Output).

 Voltaje de saturación en emisor(E) y colector(C).

 Corriente de corte del emisor(E).

 Tensión de ruptura de colector(C) y emisor(E).

Los transistores IGBT potentes se utilizan ampliamente en la actualidad; los

cuales se utilizan en fuentes de alimentación como inversores. Estos
dispositivos combinan simultáneamente potencia, alta precisión y mínima
inductancia parásita. Los IGBT pueden soportar voltajes de hasta 6,5 kV y
operar a una frecuencia de conmutación de 2 kHz a 50 kHz; logrando
garantizar una mayor precisión posible en los equipos.

Aplicaciones.

Hoy en día, los transistores IGBT se utilizan en redes con una tensión
nominal de hasta 6,5 kW; al tiempo que garantizan el funcionamiento seguro
y fiable de los equipos eléctricos. Es posible utilizar un inversor, variadores
de frecuencia, máquinas de soldar y reguladores de corriente de pulso.

Las variedades de IGBT de servicio pesado se utilizan en potentes

accionamientos de control para trolebuses y locomotoras eléctricas. Su uso
permite incrementar la eficiencia, asegurando la máxima suavidad posible del
funcionamiento del equipo; controlando puntualmente la salida de los
motores eléctricos a su máxima potencia. Estos transistores de potencia se
utilizan en circuitos de alto voltaje. Se utilizan en los circuitos de aires
acondicionados, lavavajillas, fuentes de alimentación en equipos de
telecomunicaciones y en el encendido de automóviles.
Conclusión