Transistores de Potencia

Transistor BJT
Transistor MOSFET
 EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El transistor bipolar de potencia EMISOR BASE

SÍMBOLO

NPN PNP
COLECTOR COLECTOR 10µm N+ EM. EMISOR EMISOR
5-20µm
P BASE 1016 át/cm2
iC iC
50-200µm
iB iB N- COLECTOR 1014 át/cm2
BASE uCE BASE uCE
250µm
N+ COLECTOR
1019 át/cm2
uBE iE uBE iE

EMISOR EMISOR COLECTOR

DISEÑO: Especificar DOPADOS y ESPESORES (p.ej.: el espesor de la capa N- determina la tensión de

ruptura)

Base de pequeño espesor → aumenta β montaje darlington

Base de pequeño espesor → menor tensión de ruptura
Estructura vertical → maximiza el área de conducción → minimiza res. óhmica y térmica

Presentan varias bases y emisores entrelazados, para evitar la concentración de corriente.

EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El transistor bipolar de potencia: Características estáticas

ic ibMAX

Ic
PMAX

SATURACIÓN
ib2
Vce0
ZONA ACTIVA ib1
ib=0
uce
CORTE

VCE0: uCE de ruptura con la base abierta (IB=0)

IC: Corriente máxima de colector
PMAX: máxima potencia capaz de ser disipada por el transistor.
Las zonas de avalancha deben evitarse.
 EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El transistor bipolar de potencia: Características estáticas

Avalancha secundaria

• La corriente de base provoca caídas de tensión BASE EMISOR

interna en la zona de base que se suman a la tensión
externa entre emisor y colector.

• Esta tensión es mayor cuanto menor sea β N+

P - --- - - -- -- -- --
- - -
• La concentración de corrientes provoca
sobrecalentamientos localizados que desembocan en N-
avalancha secundaria cuando IC es grande. Para
minimizar este fenómeno los transistores de
potencia tienen varias bases y emisores N+
entrelazados.

COLECTOR
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El transistor bipolar de potencia: Características estáticas

Avalancha secundaria

• La corriente de base provoca caídas de tensión BASE EMISOR

interna en la zona de base que se suman a la tensión
externa entre emisor y colector.

• Esta tensión es mayor cuanto menor sea β N+

----- - -- - -
P - - - -- --
• La concentración de corrientes provoca
sobrecalentamientos localizados que desembocan en N-
avalancha secundaria cuando IC es grande. Para
minimizar este fenómeno los transistores de
potencia tienen varias bases y emisores N+
entrelazados.

COLECTOR
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El transistor bipolar de potencia: Características estáticas

ic
100us

100us
IcMAX-DC continua
PMAX

Zona de
avalancha
S.O.A.R. secundaria

Vce0
uce

SOAR: Zona de trabajo seguro. Depende de la frecuencia de trabajo.

EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El transistor bipolar de potencia: SOAR
 EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El transistor bipolar de potencia: Características estáticas
Circuitos equivalentes estáticos. uB

RCARGA uce
VCC
ic

+ uce ic
uB SATURA- SATURA-
CORTE
CIÓN CIÓN

Circuito equivalente en saturación

Para estimar la potencia disipada en el bipolar:
RCARGA
VCC VBE  0,7 V
RB VCE SAT  0,3 V
uB VBE VCE-SAT V  0,7
PEst SAT  VCE SAT·IC  VBE·IB  0,3·IC  0,7· B
RB
 EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El transistor bipolar de potencia: Características estáticas
Circuito equivalente en corte

RCARGA
VCC
RB
uB VCE
 EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El transistor bipolar de potencia: Características dinámicas
Encendido con carga resistiva. uB

RCARGA uce
VCC
ic

+ uce ic
uB 90%

10%
tdON trise
tON
• La gran cantidad de carga espacial necesita tiempo para ser creada y destruida. El paso de corte a
saturación, y viceversa, es lento. Cuanta menos carga espacial más rápida será la conmutación pero
también mayores serán las pérdidas estáticas.

• Con el fin de acelerar la conmutación y disminuir sus pérdidas, puede suministrarse una IB negativa
para pasar de saturación a corte.
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El transistor bipolar de potencia: Características dinámicas
Apagado con carga resistiva. uB

RCARGA uce
VCC
ic

+ uce ic
uB 90%

10%

tst tfall
tOFF
tst: Tiempo de almacenamiento: el proceso de conducción continúa a costa de los portadores
almacenados en la base.

Las pérdidas en conmutación en el apagado son MAYORES que las del encendido (debido al tiempo de
bajada)
 EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El transistor bipolar de potencia: Características dinámicas
Cálculo de la potencia disipada en la conmutación: APAGADO

Durante tfall: VCC

uce
VCC t t
uCE ( t )  ·t iC ( t )  iC MAX· fall
t fall t fall

t  t fall ic iC MAX
EOFF   iC ( t )·uCE ( t )·dt
t 0

iC MAX·VCC ·t fall
EOFF  tfall
6
Para calcular la potencia (W) basta multiplicar por la frecuencia.
Para el caso de la potencia en el ENCENDIDO, se actúa de manera análoga.
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El transistor bipolar de potencia: Características dinámicas
Apagado con carga inductiva:
uce
VCC
L
VCC
ic ic i
C MAX
uB
uce
t1 t2
toff

(Mientras exista circulación de corriente por el

t
En t1: uCE ( t )  VCC · diodo, soporta tensión nula).
t1

t2  t t  t OFF
En t2: iC ( t )  IC MAX  EOFF   iC ( t )·uCE ( t )·dt
t2 t 0

iC MAX·VCC ·t off
EOFF 
2
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El transistor bipolar de potencia: Características dinámicas
Encendido con carga inductiva:
uce
VCC
L
VCC
ic ic iRR
iC MAX
uB
uce
t1 t2
ton

En t1: uCE ( t )  VCC

t
iC ( t )  iC MAX  iRR  
t1 t  t on
EON   iC ( t )·uCE ( t )·dt
t 0
En t2: t2  t  t 
uCE ( t )  VCC  iRR ·VCC · t on  1 
t2 iC MAX·VCC ·t on  2
EON  
t t 2 3
iC ( t )  iC MAX  iRR · 2
t2
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El transistor bipolar de potencia: Montaje Darlington

Características
• Aumento de : TOT= 1*2+1+2.
• La conmutación es aún más lenta. Diodo externo para aplicaciones de
medio puente y puente completo.

COLECTOR iC
iB

BASE

iE EMISOR

Diodo externo para aumentar la

velocidad de conmutación.
 EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Estructura
PUERTA FUENTE
SÍMBOLO
ÓXIDO

CANAL N CANAL P
DRENADOR DRENADOR N N N N N N
iD iD P P P

iG iG N- SUS
PUERTA uDS PUERTA uDS
N
uGS iS uGS iS

FUENTE DRENADOR
FUENTE

Dispositivo fundamental como interruptor controlado por tensión. Suele usarse casi exclusivamente
los de canal N.
Siempre de ACUMULACIÓN; no tienen el canal formado. El sustrato está siempre conectado a la
fuente.

Compuesto por muchas células de enriquecimiento conectadas en paralelo.

Alta impedancia de entrada (CGS).

EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: características estáticas

ID MAX
iD

SATURACIÓN uGS2>uGS1 PMAX

ZONA
uGS=uGS1 VDS MAX
ACTIVA

uGS<uGS TH
uDS
CORTE

Si uGS es menor que el valor umbral, uGS TH, el MOSFET está abierto (en corte). Un valor típico de
uGS TH es 3V. uGS suele tener un límite de ±20V. Suele proporcionarse entre 12 y 15 V para
minimizar la caída de tensión VDS.
VDS MAX: Tensión de ruptura máxima entre drenador y fuente.
ID MAX: Corriente de drenador máxima (DC).
RDS ON: Resistencia de encendido entre drenador y fuente.
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: características estáticas
Zona limitada
iD por RDS ON

PMAX

100us
S.O.A.R.

uDS
SOAR: Zona de trabajo seguro. Depende de la frecuencia de trabajo.
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: S.O.A.R.
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Características estáticas
Circuitos equivalentes estáticos. uGS

RCARGA uDS
iD VCC

+ uDS iD
uGS SATURA- SATURA-
CORTE
CIÓN CIÓN

Circuito equivalente en corte Circuito equivalente en saturación

RCARGA RCARGA
VCC VCC

uDS uGS RDS ON

EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Características estáticas
MOSFET en corte (uDS>0)
PUERTA FUENTE
ÓXIDO

N N N N N N
uDS P P P
Zona de transición:
La zona P-N- es un diodo N- SUS
polarizado inversamente.

DRENADOR

• La unión PN- está inversamente polarizada.

• La tensión drenador-fuente está concentrada en la unión PN-.
• La región N- está poco dopada para alcanzar el valor requerido de tensión soportada (rated
voltage).
• Tensiones de ruptura grandes requieren zonas N poco dopadas de gran extensión.
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Características estáticas
MOSFET saturado (iDS>0)
Con suficiente uGS se forma un canal bajo la puerta uGS
que permite la conducción bidireccional.
PUERTA FUENTE
Aparece una resistencia RDS ON, entre drenador y ÓXIDO
fuente, que es suma de resistencias: canal, contactos
de fuente y drenador, región N-...
N N N N N N
P P P
Cuando la tensión de ruptura aumenta, la región N-
domina en el valor de RDS ON. N- SUS

En una zona poco dopada no hay muchos

portadores, por lo que RDS ON aumenta rápidamente N
si la tensión de ruptura se quiere hacer de varios
centenares de voltios. DRENADOR

Un MOSFET es el interruptor preferido para tensiones menores o iguales a 500V. Más allá es preferible,
en general, un IGBT.

El MOSFET es capaz de conducir corrientes de pico bastante superiores a su valor medio máximo (rated
current).
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Características estáticas
Diodo parásito entre drenador y fuente.
DRENADOR
• El diodo se polariza directamente cuando VDS es negativa.
iD
• Es capaz de conducir la misma corriente que el MOSFET.
PUERTA
• La mayoría son lentos. Esto provoca picos de corriente de iG
recuperación inversa que pueden destruir el dispositivo. uDS

Puede anularse o sustituirse el diodo parásito mediante diodos uGS iS

externos rápidos. FUENTE

Anulación Sustitución
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Características dinámicas
Parámetros parásitos
• Los tiempos de conmutación del MOSFET se deben
CGD LD principalmente a sus capacidades e inductancias parásitas, así
como a la resistencia interna de la fuente de puerta.

Parámetros parásitos.

CDS CISS: CGS + CGD Capacidad de entrada Se mide con la salida en

cortocircuito.
CGS CRSS: CGD Capacidad Miller o de transferencia inversa.
LS COSS: CDS + CGD Capacidad de salida; se mide con la entrada
cortocircuitada
LD: Inductancia de drenador
LS: Inductancia de fuente.
CGD

CGS: Grande, constante

CGD: pequeña, no lineal
CDS CDS: moderada, no lineal
CGS
 EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Características dinámicas
Conmutaciones con carga resistiva pura
VA
VDD
uGS
CGD RD
uGS-TH

iD
90%
RG 90%
CDS 10% 10%
tdelay trise tdisch tfall
uDS
t1 t2 ton toff

CGS
VA
pMOS
 EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Características dinámicas
EFECTO MILLER
UF
UF  UI  UO UO  AU·UI
ZF
UF  UI  AU·UI  1 AU ·UI
UI Au UO
EFECTO MILLER EN LA ENTRADA

IF 
UF
 UI·
1  AU 
ZF ZF

 UO   1  AU ·UO
UO
UF 
AU  A 
 U 
ZF ZF
UI Au ·AU UO
EFECTO MILLER EN LA SALIDA
1  AU 1  AU

 1  AU 
 
IF  F  UO ·
U AU 
ZF ZF
 EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Características dinámicas
Conmutaciones con carga resistiva pura
VA
VDD
uGS
CGD RD uGS-TH

iD 90%
RG 90%
CDS 10% 10%
tdelay trise tdisch tfall
uDS ton toff
t1 t2
CGS
VA
pMOS
 EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Características dinámicas
Conmutaciones con carga inductiva
VA
LD VDD
uGS
CGD uGS-TH

iD IRR
RG
CDS
t1 t2 t3 t4
uDS
t1 t2 ton toff

CGS
VA
pMOS
 EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Cálculo de pérdidas
Cálculo de la potencia disipada en la conmutación: APAGADO con carga resistiva

Durante tfall: VDD

uDS
VDD t t
uDS ( t )  ·t iD ( t )  iD MAX· fall
t fall t fall

t  t fall iD iD MAX
EOFF   iD ( t )·uDS ( t )·dt
t 0

iD MAX·VDD ·t fall
EOFF  tfall
6
Para calcular la potencia (W) basta multiplicar por la frecuencia.
Para el caso de la potencia en el ENCENDIDO, se actúa de manera análoga.
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Cálculo de pérdidas
EJEMPLO:
Evalúense las pérdidas en el MOSFET de RDS iD
ON=0,55 W para el caso de que su tensión y
5A
corriente sean las de la figura. Hágase el
cálculo cuando d=0,3 y con frecuencias de
10kHz y 150 kHz.
uDS
150V

Puesto que T>>100ns, puede aproximarse d·T (1-d)·T

2
 
P1  RDS ON·IDrms  0,55· 52·d  4,125 W
100 ns 100 ns

iD MAX·VDD ·t fall 5·150·100·109

EOFF  EON    12,5J
6 6
PMOS ( f )  2·EON ( f )  P1 PMOS (10kHz)  0,25W  4,125W  4,38W
PMOS (150kHz)  37,5W  4,125 W  41,6W
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Cálculo de pérdidas
Apagado con carga inductiva:

uDS
t VDD
En t1: uDS ( t )  VDD ·
t1

t2  t
En t2: iD ( t )  ID MAX  iD i
D MAX
t2
t1 t2
toff

(Mientras exista circulación de corriente por el

diodo, soporta tensión nula).
t  t OFF
EOFF   iD ( t )·uDS ( t )·dt
t 0

iD MAX·VDD ·t off
EOFF 
2
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Cálculo de pérdidas
Encendido con carga inductiva:

En t1: uDS ( t )  VDD uDS

VDD
t
iD ( t )  iD MAX  iRR  
t1
iD iRR
En t2: t t iD MAX
uDS ( t )  VDD  2
t2
t t t1 t2
iD ( t )  iD MAX  iRR · 2 ton
t2

t  t on
EON   iD ( t )·uDS ( t )·dt
t 0

 t 
iRR ·VDD · t on  1 
EON 
iD MAX·VDD ·t on
  2
2 3
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Circuitos de gobierno de puerta (drivers)
Sin aislamiento

+VCC CGD

R r
CDS

VGG
CGS

1.- Circuito para disminuir el efecto Miller.

2.- Los transistores de puerta son de señal y por tanto más rápidos.
3.- La resistencia de puerta, r, es muy pequeña (<10W) y se coloca para proteger la puerta
de posibles picos de tensión.
4.- Las capacidades se cargan linealmente, con corriente constante.
5.- La potencia que maneja el circuito de gobierno es muy pequeña.
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Circuitos de gobierno de puerta (drivers)
Con aislamiento

1.- Siempre hay un interruptor cerrado generándose una

D
onda cuadrada sobre R.
G
S 500V 2.- Cuando cierra el interruptor de abajo, en G y en S debe
haber 0V.
3.- Cuando es el MOSFET quien se cierra, en su fuente
INT aparecen 500V.
R
4.- En ese momento, para mantener el MOSFET cerrado, en
puerta debe haber 515V.
5.- En general, en equipos de potencia todas las fuentes de
tensión deben estar referidas a masa, pues provienen de VG.
6.- Se necesita una tensión superior a la propia VG.
7.- En la resolución de este problema, los circuitos de bomba
de carga se han impuesto a los transformadores de
impulsos.
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Circuitos de gobierno de puerta (drivers)
BOOTSTRAP

1.- Al cerrarse el interruptor inferior, CBOOT se

carga a 15V en un solo ciclo.
2.- Cuando en S hay 500V el diodo DBOOT
impide que CBOOT se descargue; dicho diodo
debe ser capaz de bloquear toda la tensión del
D
circuito. CBOOT G
4.- Con dos transistores auxiliares se aplica la S 500V
tensión de CBOOT a la puerta del MOSFET de
potencia. DBOOT
5.- CBOOT debe tener una capacidad muy INT R
superior a la de puerta para que apenas se VCC
descargue.

QG: carga de puerta

QG VCC: 15V
CBOOT 
VCC  1,5V  12V 1,5V: caídas de tensión en los transistores auxiliares
12V: tensión mínima de puerta
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Características reales
Algunos MOSFET de potencia

Referencia VDS,MAX ID,MAX RON QG (típica) tc (típico)

SMM70N06 60V 70A 0,018 W 120nC 120ns

IRF510 100V 5,6A 0,54 W 5nC 47ns

IRF540N 100V 27A 0,052 W 71nC 74ns

APT10M25BVR 100V 75A 0,025 W 150nC 50ns

IRF740 400V 10A 0,55 W 35nC 40ns

APT4012BVR 400V 37A 0,12 W 195nC 67ns

APT5017BVR 500V 30A 0,17 W 200nC 66ns

MTW10N100E 1000V 10A 1,3 W 100nC 290ns

EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Encapsulados

Semitop 2 Semitrans 1 Semitrans 2

TO220 TO247 TO3

EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N
EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El MOSFET de potencia: Caso real: IRF540N