UNIDAD II: TRANSISTORES.

CONTENIDOS:

 TRANSISTORES.
 CONCEPTO DE AMPLIFICACIÓN.
 CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR.
 EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN.
 TRANSISTORES

Los transistores son fundamentales en la mayoría de los circuitos

electrónicos que realizan la función de amplificación, control, estabilización
de control, etc. Los dispositivos que generan señales de control,
producen señales eléctricas muy débiles, que en la mayoría de las
aplicaciones, hay que aumentar para conseguir alimentar a dispositivos o
receptores, que necesitan de un aporte mayor de energía para su
funcionamiento.

Antes de inventarse el transistor, los circuitos electrónicos estaban

construidos a base de válvulas de vacío, las cuales eran voluminosas y
necesitaban para su funcionamiento de una resistencia de caldeo, que
provocaba un consumo de energía excesivo y acortaba la vida de ellas.

Con la invención del transistor (SCHOCKLEY, 1950), se dio paso a

una nueva era. A partir de entonces se han ido desarrollando otros
tipos de transistores, que por sus características les hace ideales para
el tratamiento de señales de radio frecuencias y en el diseño de
circuitos digitales. Con ellos también se han desarrollado los circuitos
integrados ( chips ), que reúnen en un solo componente gran cantidad de
elementos como transistores, diodos, resistencias, etc, consiguiendo
minimizar y simplificar los circuitos. Los circuitos integrados consiguen
realizar múltiples funciones con un solo componente, como las que
realiza el microprocesador en un computador.
 TRANSISTOR BIPOLAR

Similar a los diodos, los transistores bipolares se construyen

debido a la unión de cristales semiconductores tipo N y tipo P.

El transistor es un componente que se identifica por los tres

terminales que salen de el, a través de su cuerpo, los cuales pueden
estar dispuestos en línea o según los vértices de un triangulo
imaginario, como se ve en la figura.

Cada uno de estos terminales esta unido a un cristal

semiconductor de tipo P o tipo N. De esta forma, nos encontramos
con el terminal emisor, el terminal base y el terminal colector.

En la fabricación de un transistor NPN, el cristal semiconductor

correspondiente a la base esta muy contaminado, por lo que contendrá
un exceso de portadores de carga; su tarea consistirá en enviar o emitir
estos portadores de carga ( electrones ) a la base. El cristal
semiconductor de la base es extremadamente delgado y con un grado
tenue de contaminación; los electrones emitidos por el emisor atraviesan,
prácticamente en su totalidad, a este cristal, para dirigirse al colector. La
función de la base consiste en controlar dicho flujo de electrones. El
cristal semiconductor del colector se fabrica con un grado de
contaminación intermedio y recibe este nombre porque recoge los
electrones enviados por el emisor.

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR

Los siguientes circuitos nos ayudaran a estudiar el funcionamiento

del transistor.

Al conectar el polo positivo de la pila a la base ( P ) y el negativo

al emisor ( N ), la unión queda polarizada directamente y, por tanto,
circulara una elevada corriente a través del cristal, como si se tratara
de un diodo, haciendo que el LED se encienda.

Si se polariza inversamente la unión emisor-base, como lo indica

la figura, la corriente a través del cristal será prácticamente nula y por
tanto el LED no se encenderá.

Si conectamos los terminales de base y colector, como se indica

en la figura, explica lo que ocurre.
 Ahora, de acuerdo con la siguiente figura, explica lo que ocurre.

IDENTIFICACIÓN DE TRANSISTORES

La mejor forma de identificar un transistor es anotar su referencia

y, posteriormente, consultar sus características en las hojas de
especificaciones técnicas del fabricante, o en algún manual técnico de
transistores.

Mediante un método muy sencillo se puede determinar si un

transistor desconocido es PNP o NPN. Este método consiste en tomar
varias medidas de las resistencias que aparecen entre los diferentes
terminales del transistor, con el tester en el rango x100.

Toma el transistor desconocido y averigua de que tipo es, así

como la disposición de sus terminales.

Primero determinamos cual de los terminales corresponde a la

base.

Esto se consigue midiendo la resistencia con el ohmetro entre los

diferentes terminales. En un transistor en buen estado, la resistencia
entre el colector y el emisor es siempre muy alta, cualquiera sea la
polaridad aplicada por el ohmetro; cuando se haga esta verificación, el
otro terminal corresponderá a la base.
 Una vez localizada la base, conectamos la sonda positiva en la
misma y la negativa en cualquiera de los otros dos terminales del
transistor: Si la resistencia obtenida es muy baja se trata de un
transistor tipo NPN; si es una resistencia muy alta se trata de un
transistor PNP.

PNP NPN
SONDA ROJA SONDA NEGRA MEDIDA DEL MEDIDA DEL
OHMETRO OHMETRO
COLECTOR EMISOR ALTA RESISTENCIA ALTA RESISTENCIA
EMISOR COLECTOR ALTA RESISTENCIA ALTA RESISTENCIA
EMISOR BASE BAJA RESISTENCIA ALTA RESISTENCIA
BASE EMISOR ALTA RESISTENCIA BAJA RESISTENCIA
BASE COLECTOR ALTA RESISTENCIA BAJA RESISTENCIA
COLECTOR BASE BAJA RESISTENCIA ALTA RESISTENCIA

Por este procedimiento también se puede llegar a averiguar cual

de los terminales corresponde al emisor y cual al colector, teniendo en
cuenta que:

La resistencia y tensión de barrera de la unión base-colector es

algo menor que la correspondiente a la unión base-emisor. Esta
diferencia es mas apreciable si medimos la tensión de barrera con un
tester digital.

COMPROBACIÓN DEL ESTADO DEL TRANSISTOR

Para comprobar si un transistor esta en buen estado utilizaremos

el ohmetro. Con el verificaremos la resistencia entre los terminales del
transistor con las diferentes posibilidades de polarización, teniendo en
cuenta que:
  Con cualquier polaridad, la resistencia obtenida al aplicar el
ohmetro entre el colector y el emisor es siempre muy alta.

 Al polarizar directamente cualquiera de las uniones entre base-

colector y base-emisor la resistencia obtenida para un transistor
en buen estado debe ser baja.

Además, los multitester modernos suelen estar equipados con un

dispositivo, llamado transistómetro, para conectar el transistor y así poder
determinar su ganancia, disponiendo de las conexiones necesarias para
transistores NPN y PNP.

Con este dispositivo podemos medir la ganancia de un transistor

una vez conectado en el lugar correspondiente y en el orden correcto,
verificando así el estado de un transistor, ya que si esta en buen
estado tendrá que medirse una ganancia aceptable. Con este sistema
también es posible comprobar la disposición de los terminales, ya que
hasta que no este conectado adecuadamente el transistómetro no mide
ganancia alguna.

INTENSIDADES DE CORRIENTE DE UN TRANSISTOR

De acuerdo con la figura y como esta polarizado el transistor, el

diodo formado por la unión del emisor y la base queda polarizado
directamente con la tensión V BE. Para que esto ocurra, será suficiente
con una tensión mínima, superior a la umbral, que en el caso del silicio
es del orden de los 0,6v a 0,7v. Este fenómeno de polarización directa
hace que la resistencia base-emisor ( R BE ) disminuya a un valor muy
reducido ( 100 ohm ).
Por otro lado, el diodo formado por la unión de la base y el
colector aparece polarizado inversamente por la tensión V CB, que es de
un valor mucho mas alto que V BE. De aquí, se deduce que la
resistencia entre el colector y la base ( R CB ) será de un valor elevado
( 10 kΩ ).

Sin embargo, la corriente es capaz de atravesar tanto la unión

polarizada directamente como la polarizada inversamente. iE se acerca
bastante a la del colector ic, siendo la corriente que sale de la base
muy pequeña.

Efectivamente, la región que ocupa la base del transistor es muy

reducida y esta mínimamente impurificada, por lo que posee muy pocos
huecos. De esta manera, los electrones que emiten el emisor superan
sin dificultad la unión emisor-base, por estar polarizada directamente.
Pero es probable que uno de estos electrones encuentre en la base un
hueco libre con el cual combinarse. Por ello, la corriente de base será
muy débil. Sin embargo, estos electrones, una vez que superan la
barrera de emisor-base, se sienten fuertemente atraídos por el potencial
eléctrico positivo del colector, estableciéndose un valor considerable de
corriente de colector ic.

Lo normal es que el 99 % de la corriente del emisor se dirija

directamente al colector y que el 1 % restante lo haga a la base,
estableciéndose una ecuación que relaciona estas tres corrientes:

iE = ic + iB
A pesar de que la corriente de base es muy débil, esta es muy
valiosa, ya que puede gobernar la corriente que aparece en el colector,
de tal manera que si la corriente de base fuese nula, no habría
corriente de colector.

Se debe tener presente que al desaparecer la tensión de

polarización de la unión emisor-base los electrones del emisor no pueden
superar esta barrera.

PARÁMETRO ALFA DE UN TRANSISTOR

Indica la relación de semejanza que se produce en la corriente

de colector y las variaciones de corriente del emisor.

Dado que la corriente de base suele ser muy pequeña, en la

mayor parte de los transistores el valor del parámetro alfa se acerca a
la unidad.
 PARÁMETRO BETA DE UN TRANSISTOR

La circunstancia de que una pequeña corriente de base controle

las corrientes de emisor y colector mucho mas elevadas, indica la
capacidad que posee un transistor para conseguir una gran ganancia de
corriente. Así, la ganancia de corriente de un transistor es la relación
que existe entre la variación o incremento de la corriente de colector y
la variación de la corriente de base.

Los valores normales de este parámetro se encuentran entre 50

y 300. En las tablas de los fabricantes, este parámetro se indica como
hfe.
RELACIÓN ENTRE LOS PARÁMETROS ALFA Y BETA

Combinando las expresiones de los parámetros alfa y beta, y

teniendo en cuenta la relación existente entre las diferentes corrientes
que se dan en el transistor I E = IC + IB, se pueden encontrar
expresiones matemáticas que relacionen ambos parámetros:

TENSIONES DE RUPTURA

Al igual que en los diodos, cuando se polariza inversamente

cualquiera de las uniones de un transistor aparecen pequeñas corrientes
inversas, que no provocaran la ruptura de dichas uniones si la tensión
que se aplica no supera los valores máximos fijados en las hojas de
especificaciones técnicas.

TENSIÓN INVERSA COLECTOR – BASE CON EMISOR ABIERTO

En la siguiente figura se observa como la unión formada por la

base y el colector están polarizadas inversamente con la tensión Vc B.
Como ocurría con los diodos, esto provoca la circulación de una
pequeña corriente de fuga ( icBo ) que no será peligrosa hasta que no
se alcance la tensión de ruptura de la unión, cuyo valor normalmente es
del orden de los 20v a 300v, y aparece indicada con las siglas Vc Bo.
 TENSIÓN INVERSA COLECTOR – EMISOR CON BASE ABIERTA

En este caso, se ha abierto la base y, por tanto, se aplica una

tensión entre el colector y el emisor que es igual a la suma de las
tensiones de las dos fuentes, como lo indica la figura.

Esta fuerte diferencia de potencial provoca un pequeño flujo de

electrones que emite el emisor y que se sienten fuertemente atraídos
por el potencial positivo de la fuente. El resultado es una pequeña
corriente de fuga de emisor a colector icEo. El valor de esta corriente
esta determinado por la tensión colector – emisor (Vc Eo) aplicada. En las
especificaciones técnicas aparece la tensión máxima de funcionamiento
(VcEo) que en ningún caso debe ser superada, para evitar la destrucción
del semiconductor.

CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Las curvas características del transistor relacionan entre si todas

las magnitudes de tensión e intensidad de corriente que se dan en el,
como son: la tensión colector – emisor (Vc E), la tensión base – emisor
(VBE), la tensión colector – base (Vc B), la corriente de base ( iB), la
corriente de colector (ic) y la corriente de emisor ( iE). De esta forma,
conociendo las curvas características se puede entender el
funcionamiento del transistor, así como determinar la mayor parte de los
aspectos que definen al mismo, como pueden ser: parámetros alfa y
beta, resistencia de entrada, de salida, ganancia de tensión,
determinación del punto de funcionamiento de un transistor y otras mas.
 CONFIGURACIONES CIRCUITALES DEL TRANSISTOR

Los siguientes circuitos nos muestran las configuraciones que se

pueden realizar con un transistor, siendo la mas usada la de emisor
común.

En la configuración con emisor común, la base hace de electrodo

de entrada y el colector de electrodo de salida.

El funcionamiento del transistor en este circuito es similar al de la

configuración base común. Cuando la tensión de polarización directa
VBE del diodo emisor – base supera los 0,7v, los electrones libres, que
provienen del emisor, traspasan la delgada capa de la base, en dirección
al colector, empujados por el fuerte potencial eléctrico causado por la
polarización inversa VcE.

CARACTERÍSTICAS IC = F ( VCE ) PARA IB = CTE

Estas características también son conocidas como familia de

colector, ya que son las correspondientes a la tensión e intensidad del
colector. En la siguiente figura se muestra una familia de curvas de
colector para diferentes valores constantes de la corriente de base.
 Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de
funcionamiento del transistor. Se puede ver que para una tensión
constante de colector – emisor, si se producen pequeñas variaciones de
la corriente de base, del orden de los uA, esto origina unas pequeñas
variaciones en la corriente del colector mucho mas elevadas, del orden
de los mA, dando a conocer la capacidad del transistor de amplificar.

En conclusión, para conseguir que el transistor trabaje como

amplificador de corriente, la tensión de polarización inversa Vc E debe
mantenerse por encima de 0,7 v y por debajo de la tensión de
ruptura.

RESISTENCIA DE SALIDA

La resistencia de salida de un transistor es la que presenta en los

bornes de salida. Para un montaje en emisor común, la tensión en la
salida es VcE y la corriente de salida es ic, el valor de esta resistencia
se calcula aplicando la ley de ohm:

Mediante las curvas de colector será fácil determinar la resistencia

de salida del transistor, ya que estas relacionan los valores de Vc E con
ic. Esta resistencia adquiere valores diferentes para cada una de las
corrientes de base.
 CARACTERÍSTICA IB = F (VBE) PARA VCE = CTE

Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen

las variaciones de la tensión de polarización V BE sobre la corriente de
base iB. Estas graficas reciben el nombre de curvas características de
transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un
diodo cuando se le polariza directamente, existiendo una diferencia entre
un transistor de germanio y uno de silicio. el de germanio comienza a
conducir cerca de los 0,2 v y el silicio a los 0,6 v aproximadamente.
Estas tensiones permanecen prácticamente constantes, por lo que son de
gran ayuda para localizar averías en circuitos con transistores.

RESISTENCIA DE ENTRADA

Se podría decir que la resistencia de entrada de un transistor es

la que presenta en los bornes de entrada.

CURVA DE POTENCIA DE UN TRANSISTOR

Una de las aplicaciones de las curvas características de un

transistor, es que, a partir de ellas se pueden determinar sus limites de
funcionamiento. Estos limites están determinados por la potencia máxima
que puede desarrollar un transistor sin provocar su destrucción.
 Esta potencia se calcula realizando el producto de la tensión V CE,
aplicada entre el colector y el emisor, por la intensidad de colector ic.

Como esta potencia se transforma íntegramente en calor, provoca

un aumento de la temperatura en el transistor que, en el caso de
salirse de los limites admisibles, provocara la destrucción del mismo. La
potencia máxima de trabajo de un transistor es un dato que
proporcionan los fabricantes en las hojas de especificaciones técnicas.

La potencia máxima que puede disipar, en forma de calor, un

transistor depende de la temperatura máxima permitida en la unión del
colector tj, la cual nunca debe ser superada, ya que a partir de ella el
transistor se puede destruir.

La potencia máxima a que puede trabajar un transistor también

depende de la temperatura ambiente. Teniendo presente que el calor
producido por las uniones se conduce a través del encapsulado.
Cuanto mayor sea la temperatura ambiente, peor será la ventilación del
transistor, y menor será la potencia que se le puede exigir, como se ve
en la siguiente grafica.

En el caso que se desee aumentar la potencia de un transistor,

se le puede acoplar un disipador de calor, consiguiendo que el calor se
evacue con mayor facilidad hacia el exterior.
 RECTA DE CARGA DE UN TRANSISTOR

Mediante las curvas características del transistor hemos visto su

comportamiento, pero como se comportaría en el caso de que trabaje
con una determinada resistencia de carga R L.

La siguiente figura nos muestra un transistor NPN en emisor

común. Para determinar la corriente que circula por el colector, podemos
aplicar la ley de ohm entre los extremos de la resistencia de carga R L.

La tensión aplicada a esta resistencia se corresponderá con la

tensión total aplicada por la fuente Vcc, menos la caída de tensión que
se produce entre el colector y el emisor Vc E. De esta manera
obtendremos la siguiente expresión, que se corresponderá con la
ecuación de la recta de carga:

ic = ( Vcc – VcE )/ RL

Para dibujar esta recta sobre la curva característica, lo primero

que se debe hacer es encontrar sus extremos, haciendo ic = 0 y VcE
= 0.

Para VcE = 0, ic = (Vcc – 0) / RL entonces ic = Vcc/ RL

Para ic = 0, 0 = (Vcc – VcE) / RL entonces VcE = Vcc

Llevando estos valores a la curva característica de colector,
obtenemos la recta de carga, para una determinada resistencia de carga
RL y una tensión de fuente Vcc. A lo largo de esta recta se
pueden distinguir tres partes fundamentales: punto de corte, punto de
saturación, punto de trabajo.

El punto de corte es donde la línea de carga corta a la curva

correspondiente a la corriente de base igual a cero ( iB = 0 ). Dada la
escasa polarización directa a que queda sometido el diodo emisor de
base, la corriente que aparece por el colector es prácticamente nula (solo
circula una pequeña corriente de fuga icEo). Haciendo una aproximación,
se puede decir que el punto de corte se da en la intersección de la
recta de carga con el eje horizontal, es decir:
 VcEcorte = Vcc

El punto de saturación aparece donde la línea de carga corta a

la intensidad de base de saturación. En este punto, la corriente de
colector es la máxima que se puede dar para la operación del
transistor, dentro de los limites de la recta de carga. Se puede decir
que el punto de saturación aparece en la intersección de la recta de
carga con el eje vertical, cuando:

icsaturación = Vcc / RL
Para corrientes de base superiores a la de saturación se produce
también el efecto de saturación del transistor.

El punto de trabajo es aquel donde el transistor trabaja de una

forma normal y que, normalmente se encuentra entre la zona de corte y
saturación. Para determinar el punto de trabajo ( q ) del transistor para
una determinada corriente de base ( iB ), se busca el punto de
intersección de la recta de carga con la curva correspondiente a dicha
corriente de base.

POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR

Para conseguir que un transistor funcione adecuadamente, dentro

de los limites indicados en el diseño, es preciso polarizarlo
correctamente. Polarizar un transistor consiste en suministrar las
tensiones adecuadas de alimentación y conectar resistencias en el
circuito con los valores oportunos, de manera que la señal introducida a
la entrada del circuito no resulte deformada a la salida.
 POLARIZACIÓN CON DOS FUENTES

La tensión VBB polariza la unión base – emisor a través de la

resistencia de polarización R B. La fuente Vcc proporciona una tensión
inversa al colector a través de la resistencia de carga R C. El objetivo es
determinar los valores de R C y RB para que la polarización del
transistor sea la correcta, es decir para que la señal de salida no sea
deformada.

El condensador C1 sirve para acoplar la entrada del transistor,

eliminando la componente continua que puede aparecer en la señal de
entrada.

RB se elige de forma que la corriente de base sea pequeña y

de un valor determinado. R C hace posible que entre colector y emisor
aparezca una tensión variable en la salida. Para determinar los puntos
de intersección de la recta de carga con los ejes de coordenadas de
VcE e ic de las curvas características de colector se aplica la ecuación
de la recta de carga:

Para ic = 0, entonces VcEmáx = Vcc (punto de corte)

Para VcE = 0 entonces icmáx = Vcc / RC (punto de

saturación)

Para nuestro circuito, el punto de corte de la recta de carga nos

da:

VcE = Vcc = 4v