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Mandujano Anita Diseño Amplificador Comunicaciones Celulares Parametros S
Mandujano Anita Diseño Amplificador Comunicaciones Celulares Parametros S
Descripción y Objetivos
radioeléctrica, sobre todo en las zonas cuya lejanía impide el buen funcionamiento de esta
tecnología y zonas que se hallan saturadas de usuarios. Una alternativa para paliar la baja
Los amplificadores RF han ido evolucionando en el tiempo, de tal manera que su tecnología
no solo es aplicable a nivel de comunicación celular, sino también en televisión digital y
telecomunicaciones en general. En este contexto, los dispositivos HEMT y HBT constituyen
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< una base fiable para el desarrollo de este tipo de circuitos debido a sus excelentes
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\r€, características.
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Por 1o tanlo, el objetivo del presente asunto de estudio es el diseño de un amplicador RF para
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comunicaciones celulares que sirva para contrarrestar labaja cobertura radioeléctrica en zona
6
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rural ylo lugares saturados de usuarios, donde son necesarios equipos sencillos y de
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-s* funcionalidad práctica. La banda de operación del amplificador RF' va de 824 }i4Hz a 849
MHzy de 864 MHz a 894 l|rff.llz, con una ganancia mínima de 13 dB, y figura de ruido menor
a5dB.
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FACULTAD DE PONTIFICIA
CIENCIAS E uHt.YñR§l§Jr§
INGENIERíA c§r§LrtA
SEL FERU
Indice
Introducción
Conclusiones
Recomendaciones
Bibliografia
Anexos
u Áxmo-..-*-.-..*-,* Pá§ilt§
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ÍNDICE
INTRODUCCIÓN 1
CONCLUSIONES 53
RECOMENDACIONES 54
BIBLIOGRAFÍA 55
ANEXOS 57
INTRODUCCIÓN
1
CAPÍTULO 1:
2
Las comunicaciones en telefonía móvil se establecen entre dos terminales móviles
o entre un terminal móvil y un terminal fijo. Para garantizar la calidad de la
comunicación se debe asegurar una transmisión aceptable tanto en el tramo de
acceso radio (móvil) como en el tramo de transmisión por red fija [2]. La
comunicación en telefonía móvil se ve afectada principalmente en el tramo de
acceso radio en la cual se tienen efecto de pérdida:
Los sistemas celulares pueden ser afectados por la interferencia provocada por el
propio sistema, esto quiere decir que la calidad de la comunicación está dada por la
relación de potencias entre la señal útil y la señal interferente dentro del sistema.
Las interferencias en los sistemas celulares pueden ser de dos formas [3]:
3
1.2 LA BAJA COBERTURA RADIOELÉCTRICA Y MODOS DE
MITIGARLA
4
FIGURA1.2 Sistemas de comunicaciones
Fuente: http://www.uib.es/depart/dfs/GTE/education/telematica/sis_ele_comunicacio/Apuntes/Capitulo%201.pdf
Como se muestra en la FIG 1.3, en el emisor destacan tres elementos para este
asunto de estudio, los cuales tienen equipos respectivos: pre amplificador o
amplificador de bajo ruido, amplificador de potencia y antena. En el receptor
tenemos del mismo modo, amplificadores y antenas. De manera similar, en la FIG
1.4 se exponen los elementos del receptor:
5
incrementa el rango dinámico del receptor, lo que se aprecia en la FIG 1.5. Se
desprende así la distinción entre el término amplificador RF como un equipo
completo conocido también como signal booster o repetidor y el amplificador RF
propiamente dicho inmerso como base del equipo mencionado.
1.2.3 FEMTOCELDAS
Las femtoceldas son pequeñas estaciones base que sirven para conectar
terminales móviles convencionales a las redes de las operadoras utilizando
conexiones residenciales de Banda Ancha como ADSL, Cable, o Fibra Óptica y
manteniendo la tecnología de red móvil existente (por ejemplo 3G o LTE) lo que
produce un incremento en el costo para usuarios comunes al tener que mantener
una estación convencional y la de femtoceldas debido al poco arraigo del uso de las
mismas actualmente, su principal ventaja radica en que es un medio económico de
incrementar la cobertura radioeléctrica en zonas muy alejadas pues requiere de
poco mantenimiento y abastece más usuarios por estación que las estaciones
convencionales y su desventaja es que depende de una conexión a Internet y de un
operador en un contexto como el nuestro. [6]
6
FIGURA 1.6 Esquema de conexión de Femtoceldas
Fuente: http://www.coit.es/publicaciones/bit/bit170/50-52.pdf
1.3 PROCESO
7
FIGURA1.7 Variables internas
8
1.3.2 ANÁLISIS DEL PROCESO
N° PROBLEMAS EXPLICACIÓN
9
1.5 OBJETIVO GENERAL
10
CAPÍTULO 2:
Los HEMT resultan del deseo de obtener una respuesta rápida ante el ingreso de
una señal en el transistor, rasgo crucial en radiofrecuencia debido a que la
frecuencia es inversamente proporcional a la longitud de onda. Por ello los HEMT,
tienen como principal rasgo la gran velocidad con que se desplazan los electrones
en lo que se conoce como el superlátice de heteroestructura, creado por la unión de
materiales de diferente banda prohibida que forman una fuente en la banda de
conducción, en la que los electrones pueden moverse sin colisionar con ninguna
impureza porque la banda de conducción no está dopada y además no pueden salir
de dicha banda. Producto de ello, se tiene una capa muy delgada de alta movilidad
de electrones con gran concentración obteniéndose de ese modo un canal de baja
resistividad. Al principio se empleaban los compuestos AlGaAs/GaAs para fabricar
estos componentes, pero en 1986, se hizo una renovación de materiales en pro de
11
incrementar la velocidad de los electrones, aumentar la frecuencia de operación y
disminuir la figura de ruido, la nueva interfaz se denominó Psudomórfico
(pseudomorphic) HEMT o pHEMT, con esto en los noventas se consiguió operar
este transistor hasta en 94GHz, con una figura de ruido 2.1dB y una ganancia de
6.3dB. Por esto, se puede afirmar que la tecnología pseudomórfica es ya madura y
los MMIC basados en este material son recomendables por su buena performance
en las bandas de frecuencia de comunicaciones celulares. [8].
Tecnología basada
Tecnología basada en GaAs
en Si
12
2.1.2 AMPLIFICADORES COMO SOLUCIONES COMPLETAS
13
TABLA 2.2 Características amplificadores comerciales LIANSTAR
Fuente: http://www.lianstar.com/es/amplificador-celular-gsm850-cdma800.php
Artículo A B
Frecuencia de Uplink 824~849MHz
trabajo
(personalizable) Downlink 869~894MHz
10 dBm 23 dBm
Potencia de salida
(0.01W) (0.2 W)
Ganancia automática 35dB
Figura de Ruido ≤ 5dB
GANANCIA FIGURA DE
MODELO FUENTE RUIDO (dB)
(dB)
Los precios de los signal boosters oscilan desde los 150 hasta los 400 dólares
americanos. [15]
14
interferencias existentes. Por lo tanto debe tener ganancia en potencia elevada y
figura de ruido baja, un ancho de banda adecuado, sus impedancias de entrada y
salida deben estar adaptadas a la antena y a la siguiente etapa, respectivamente.
No todas estas características se pueden conseguir a la vez, por lo que se debe
llegar a un compromiso de diseño aceptable [16].
AVAGO TECHNOLOGIES
15
TABLA 2.4 Cuadro comparativo LNA de Avago
Elaboración propia en base a hojas de datos varias del fabricante
Corriente
Figura Potencia
de
de Ganancia de
Modelo drenaje Costo ($) Tecnología
ruido (dB) disipación
máxima
(dB) (mW)
(mA)
ATF-34143 0.5 17.5 145 2.93 PHEMT 725
ATF-54143 0.5 16.6 120 3.53 EPHEMT 720
ATF-541M4 0.5 17.5 120 3.53 EPHEMT 360
VMMK-1225 1 11 50 6.1 EPHEMT 250
ATF-33143 0.5 15 305 3.43 PHEMT 600
ATF-53189 0.85 15.5 300 4.23 EPHEMT 1000
MITSUBISHI ELECTRIC
16
Para el caso de un LNA, Mitsubishi cuenta con tecnología HEMT, con la serie MGF,
estos transistores tienen las siguientes características.
TRIQUINT
17
2.4 PARÁMETROS S Y CONCEPTOS DERIVADOS
(2.4.1.a)
(2.4.1.b)
Del mismo modo, en la FIG 2.4 se tienen los parámetros a estudiar en la red de dos
puertos, variables correspondientes a los coeficientes de reflexión vistas por carga y
fuente ( L y S ) y por el dispositivo bajo prueba tanto en entrada como en salida (
18
FIGURA 2.4 Parámetros en una red de dos puertos
Fuente: http://epubl.ltu.se/1402-1617/2008/230/LTU-EX-08230-SE.pdf
S11 es el coeficiente de reflexión a la entrada, con la salida terminada en carga
adaptada, es decir, Z L = Z O la impedancia de carga es igual a la impedancia
característica de la línea).
19
En circuitos de alta frecuencia, la corriente, voltaje o potencia que es entregada por
una fuente de impedancia Z S y que es entregada a una carga Z L se considera
Z IN Z O S S
IN S11 12 21 L (2.4.1.c)
Z IN Z O 1 L S 22
Z OUT Z O S S
OUT S 22 12 21 S (2.4.1.d)
Z OUT Z O 1 S S11
2.4.2 GANANCIA
Ganancia de potencia:
S 21 (1 L )
2 2
G (2.4.2.a)
(1 IN ) 1 S 22L
2 2
Ganancia disponible:
S 22 (1 s )
2 2
GA (2.4.2.b)
1 S11S (1 OUT )
2 2
20
Ganancia de transducción:
S 21 (1 s )(1 L )
2 2 2
GT (2.4.2.c)
1 IN S 1 S 22L
2 2
G S 21
2
cuando ocurre reflexión nula ( L S ), lo cual se conoce como
SNRIN
NF 10 log( F ) 10 log (2.4.3.a)
SNROUT
PSEÑAL
SNR (2.4.3.b)
PRUIDO
2.4.4 LINEALIDAD
21
La operación lineal es crucial en un LNA en especial cuando la señal de entrada es
débil en relación al ruido cercano que pueda presentarse. El parámetro IP3
consecuencia de las no linealidades. Por otro lado, se conoce como IIP3 Y OIP3 a
los valores de IP3 en la entrada y salida del LNA respectivamente. El valor de IP3
se puede cuantificar por la relación (2.4.4.a). [22]
2.4.5 ESTABILIDAD
1 s11 s 22
2 2 2
k (2.4.5.a)
2 s12 s 21
22
estabilidad de salida (carga), Mu prima es esa misma distancia, pero respecto al
círculo de entrada (fuente). Las cuales se definen:
1 S11
2
(2.4.5.c)
S 22 S 11* S12 S 21
1 S 22
2
´ (2.4.5.d)
S11 S *22 S12 S 21
Cuando la señal viaja a través de microcintas, parte de ella existe en el aire por ello
una característica importante en estas es la constante dieléctrica (o permitividad
relativa r ), sin embargo, la constante efectiva viene dada en función de las
dimensiones mencionadas anteriormente. Así:
23
FIGURA 2.5 Características de las microcintas
Fuente: http://proyectequip1.files.wordpress.com/2012/04/imagen-microcinta2.png
1
2
Cuando W 1 r 1 W 2
W
1: e r 1 12 0.041
H 2 2 H H
1
r 1 r 1 W 2
Cuando W
1: e 1 12
H 2 2 H
24
2.6 REDES DE ADAPTACIÓN
25
RF/Microwave Circuit Design Software. - Microwave Office® sirve para
diseño electrónico de todo tipo y circuitos de microondas, es el software que
tiene la interfaz más amigable. Es la herramienta más completa e
innovadora en cuanto al diseño en alta frecuencia. [25]
AnSoft DesignerRF.- DesignerRF™ es el software ideal para el diseño de
circuitos integrados y dispositivos de RF. También sirve para hacer
simulaciones. Costoso y compatible solo con archivos de ADS y Microwave
Office. [26]
Agilent Genesys.- De interfaz amigable y basada en Windows, tiene ciertas
limitantes en comparación a paquetes más completos como ADS (ambas
son software de Agilent), su ventaja radica en la precisión que brinda
respecto a sus paquetes hermanos. [27]
Advanced Design System (ADS).- Es el líder mundial en herramientas de
diseño en RF, microondas y aplicaciones digitales de gran velocidad, Sin
embargo su interfaz no es amigable y requiere de mucho entrenamiento y
práctica. [28]
En la FIG 2.7 se aprecian de forma conjunta todas las ideas vertidas a lo largo del
capítulo 2, las que conducirán a la puesta en marcha del diseño del amplificador
RF. El mapa mental describe el proceso de elección de las tecnologías y técnicas a
emplear en el diseño y desemboca en delimitar los aspectos que debe considerar el
diseño, esto es: rangos de frecuencia, estabilidad, figura de ruido, ganancia, etc.
26
FIGURA 2.7 Mapa mental
Fuente: Elaboración propia
27
CAPÍTULO 3
3.1 INTRODUCCIÓN
28
La metodología a emplear involucra el uso de los parámetros S y conceptos
derivados en base a estos. Además, para el diseño de empleará la técnica de
adaptación de impedancias por emparejamiento reflectante con parámetros
distribuidos en microcintas. De ese modo, el siguiente diagrama de bloques en la
FIG 3.2 muestra las partes que tendrá el diseño a efectuar.
29
solamente la ganancia del diseño sobre prototipos puesto que no se cuenta con un
generador de ruido disponible.
30
.
FIGURA 3.3 Modelado como FET y diagrama de encapsulado del ATF-34143
Fuente: Fuente: http://www.avagotech.com/docs/AV02-1283EN
31
Figura de ruido
mínima (Fmín) y
Ganancia asociada
(Ga) vs. Frecuencia y
temperatura a
VDS=4V, IDS=60mA
De la FIG 3.5 se observa que entre 824MHz y 894MHz se obtiene una ganancia de
entre 20 y 25 dB con una figura de ruido de hasta 0.5Db dependiendo de la
temperatura del sistema. Con estas consideraciones iniciales se procederá a
evaluar el comportamiento del transistor elegido mediante la elaboración de un
módulo de evaluación.
32
vías más anchas con respecto a las de polarización para una buena difusión de la
señal generada en el VNA. Además este diseño considera la variabilidad de los
voltajes para VGS y VDS. Se trabajó además con conectores SMA hembra de
3.5mm para circuito impreso.
33
principalmente que el transistor puede alcanzar una ganancia entre 10dB a 20dB
para todo el rango de frecuencia deseada entre 824 y 894MHz. Además de ello:
34
3.4 DISEÑO EN ADS
35
FIGURA 3.11 Circuito de polarización
Se consiguió para las bandas dadas los siguientes valores mostrados en la TABLA
3.4 en las respectivas frecuencias centrales. Para usos del ADS, k se reconoce
como StabFact, como StabMeas, como Mu y ´ como Muprime.
36
De los anteriores valores se desprende que para la polarización planteada el diseño
se mantendrá suficientemente alejado de oscilación.
valor de E, tal que el valor de IN y OUT se equipare al valor de S11 para cada
caso.
37
TABLA 3.6 Longitudes eléctricas
Frecuencia E de red de entrada E de red de salida
central TLIN TLOC TLIN TLOC
Haciendo uso de los valores de longitud eléctrica y la herramienta LineCalc del ADS
se logró determinar los valores de longitud en milímetros de las líneas de
transmisión de las redes de adaptación para ambas bandas. Se emplean os
componentes MLIN y MLOC del software con la configuración de circuito mostrada
en la FIG 3.13.
En la TABLA 3.7 figuran los valores de las características físicas del sustrato fibra
de vidrio FR4 los cuales se deben configurar en la herramienta LineCalc.
TABLA 3.7 Características físicas del sustrato
Parámetro Valor
Er 4.4
Mur 1
H 1.5mm
Hu 3.9e34mil
T 20um
Zo 50Ω
TanD 0
En la TABLA 3.8 figuran los resultados finales para los valores de MLIN y MLOC
cuyos subíndices 1 y 2 correspondes a la red de adaptación de la entrada y a la
red de adaptación de salida respectivamente.
38
TABLA 3.8 Longitudes finales de las líneas de transmisión
Longitudes de línea de transmisión (mm)
[mm]
MLIN1 MLOC1 MLIN2 MLOC2
BANDA 1
31.814100 85.466400 16.748800 14.357500
W=2.841150
BANDA 2
26.272000 83.976100 34.077400 81.331100
W=2.841080
FIGURA 3.14 Layout sugerido por el fabricante para empaque SOT 343 y modelo
elaborado en el ADS
Fuente: Hojas de datos del fabricante y elaboración propia
39
TABLA 3.9 Tamaño de layouts preliminares
40
TABLA 3.11 Vista panorámica de layouts finales
Elaboración propia
Banda 1 Banda 2
Banda 1 Banda 2
41
3.6.1 ELABORACIÓN MANUAL
42
3.6.2 ELABORACIÓN POR SERIGRAFÍA
43
CAPÍTULO 4:
4.1 INTRODUCCIÓN
De la TABLA 3.6 son conocidos los valores de longitud eléctrica tanto para entrada
y salida en cada banda, por lo que siguiendo la configuración de circuito de la FIG
3.11 se procede a añadirle los componentes TLIN y TLOC para simular la ganancia
tal como se muestra en la FIG 4.1.
44
4.2.2 ESQUEMÁTICO DE LAYOUTS PRELIMINARES
45
4.2.3 ESQUEMÁTICOS DE LAYOUTS FINALES
La FIG 3.18 que muestra los layouts finales tienen por esquemático
correspondiente las FIG 4.4 y FIG 4.5 para primera y segunda banda
respectivamente.
46
4.3 EVALUACIÓN DE GANANCIA EN EL ADS
47
4.3 EVALUACIÓN DE FIGURA DE RUIDO EN ADS
En la tabla 4.2 se presentan los gráficos de figura de ruido mínima y figura de ruido
en la salida de la red bipuerto para primeras y segundas bandas respectivamente
correspondientes a las tres configuraciones esquemáticas. Para la primera banda
se concluye que la mínima figura de ruido alcanzada es 0.28dB y un máximo de
1.6dB, mientras que para la segunda banda se observa una mínima figura de ruido
de 0.25dB y un máximo de 1.5dB.
48
4.5 EVALUACIÓN EN PROTOTIPO
Los prototipos fueron implementados casi en su totalidad con los componentes con
los cuales se efectuaron las simulaciones en ADS. Se realizó la implementación con
el transistor ATF-34143 y las bobinas de la simulación. Sin embargo, no se
emplearon los productos de marca de la simulación para los condensadores de
bloqueo ni la resistencia de estabilidad debido a una dilación en la importación. En
su lugar se emplearon los mismos dispositivos en cuanto a valores, esto es
condensadores de 22uF y la resistencia de 15 , pero no de marca y no se puede
conocer el comportamiento en la frecuencia deseada de los capacitores porque no
se consiguió su hoja de datos. Dichos productos fueron del mercado local.
49
FIGURA 4.7 Magnitud de S21 en el VNA
Por otro lado, del archivo a2.DAT generado por el VNA para el ensayo se
procesaron los valores de S21 para generar la imagen de la ganancia plasmada en
la FIG 4.8 donde se puede apreciar el traslado en frecuencia y la conservación de
un ancho de banda de 24.875MHz (el ancho de banda esperado era 849-
824=25MHz), en tanto que el conservado resulta de la diferencia de 1194.05-
1169.175=24.875MHz con una ganancia promedio de 20.27dB.
25
20
Magnitud S21 (dB)
15
10 Series1
0
1170 1180 1190 1200 1210
Frecuencia (MHz)
50
4.5.2 EVALUACIÓN DE GANANCIA EN SEGUNDOS PROTOTIPOS
17.5
17
16.5
Magnitud S21 (dB)
16
15.5
15
Series1
14.5
14
13.5
13
800 850 900 950
Frecuencia (MHz)
51
Para el prototipo correspondiente a la segunda banda, en la FIG 4.11 se puede ver
un incremento mucho mayor en la región que tiene una ganancia estable, va de los
800MHz hasta los 1400MHz con ganancia promedio de 10.9dB, restringiendo el
arreglo del archivo AMP122.DAT mostrado en la FIG 4.12 se tiene para la segunda
banda únicamente una ganancia entre 10.86dB y 10.95dB.
11.5
11
Magnitud S21 (dB)
10.5
10 Series1
9.5
9
850 860 870 880 890 900 910
Frecuencia (MHz)
52
CONCLUSIONES
53
RECOMENDACIONES
4. Contar con todos los componentes necesarios antes diseñar las microcintas
resulta crucial en este caso para evitar dilaciones.
54
BIBLIOGRAFÍA
[2] C. Sotelo. (2010) Sistemas de comunicaciones móviles [Biblioteca PUCP]. Fondo Editorial de la
Universidad de San Martín de Porres (USMP).
[3] M. Gorricho, J. Gorricho. (2004) Comunicaciones móviles [Biblioteca PUCP]. Ediciones UPC.
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http://www.osiptel.gob.pe/WebSiteAjax/WebFormGeneral/sector/VerIndCalidadCP.aspx
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http://www.coit.es/publicaciones/bit/bit170/50-52.pdf
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Minerals, Saudi Arabia. 2008. [WEB]
http://faculty.kfupm.edu.sa/EE/sheikhsi/EE_407_Microwave_Engineering/EE407_lec_27_28_1.pdf
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[WEB] http://www.lianstar.com/es/amplificador-celular.php?gclid=CIr5nKeKja8CFcWP7QodxVggxw
55
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[24] R. Jenkins et all. “Comparison of software tools for the design of microwave components,”
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56
ANEXOS
57