Sesión S2B2

“Diseño y Construcción de Cavidades

Resonantes para Láseres de Pulsos
Ultracortos de Ti:Zafiro y Cr:LiSAF ”

Héctor Castillo-Matadamas*,§
Rafael Quintero-Torres*

§ Centro Nacional de Metrología, CENAM

División de Metrología Dimensional
Dimensional.
* Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada
Universidad Nacional Autónoma de México, UNAM
Programa de la Presentación
Introducción: Láseres de pulsos
ultracortos en peines de frecuencia
frecuencia.

Constituyentes
C tit t d de un láser
lá para pulsos
l
ultracortos de estado sólido.

Elementos y criterios de diseño

Resultados de los láseres de pulsos

ultracortos desarrollados
 Incertidumbre
Reloj Atómico al Cesio relativa

Peine de frecuencias 2 5 x 10-13

± 2,5 13 s

BIPM
Láser estabilizado en ± 2,5
, x 10-11 m
frecuencia al Yodo
CENAM
Láser estabilizado en ± 1,0 x 10-9 m
f i
frecuencia
4,5 x 10-7 m
00
k Bloques patrón de
referencia
1,1 x 10-6 m
Laboratorios 0

Secundarios Bloques patrón de 2,1 x 10-6 m

1 2 calibración 4,0 x 10-6 m

2,0 x 10-5 m
Laboratorio
L b i de
d Z
Instrumentos de
medición
X

Metrología Y

Medición de piezas
producto 3,0 x 10-4 m
Producción
Bombeo del medio de ganancia
ganancia, Medio de ganancia,
ganancia con
alto voltaje, corriente eléctrica, absorción selectiva del
otro láser. bombeo.
Cavidad de láser
á de estado sólido
ó

Láser de
bombeo

Elementos de sujeción que

Cavidad resonante con al
g
aseguren la alineación óptica
p y
menos un semiespejo.
semiespejo
estabilidad mecánica de los
elementos del láser.
 Para láseres de basados en Cr: LiSAF podemos hacer:
1. Bombeo directo con diodos Láser
x0 x1

Cr:LiSAF
Modelos
A
basados en Diodo Laser C L-f200 L-f75
L f75 M
matrices ABCD 1 Watt 275mm 65mm 27mm

waist of "V" cavity + waist of pump beam

Vertical fuera de eje 0.2

h
0.15

0.1

A B

w [mm]
0.05

0
C D
-0.05
0 05

-0.1

v Vertical en el eje 638 640 642 644 646 648 650 652 654 656
Z axis [mm]
2. Bombeo con cavidad bombeada por diodos Láser
Diode pump solid state laser
laser, (DPSS)
 Haz
waist of de
"V"bombeo
cavity + ywaist
haz intracavidad
of pump beam
50
0.2
100

150
30 um diametro
0.15
200

250

0.1 300

350
mm]

0.05 400
w [m

450

100 200 300 400 500 600

0

-0.05 Posición del

Cristal
-0.1
01

638 640 642 644 646 648 650 652 654 656
Z axis [mm]
 100% de energía acoplada al
modo fundamental

Modos delde
Eficiencia tipo
acoplamiento
p
∫∫ E
2
∗
alm = 4ε
µ lm
alm
( x, y )ηE=pump ( x, y ) dx dy
lm
∑a
2
Hermite-Gauss lm' '

l 'm '
 Cristales Vibrónicos con emisión de amplio espectro

Sistema láser Relajación

Niveles
de 4 niveles en la red
excitados
Cr:LiSAF
Ti:Za
a

Bombeo Emisión
óptico p
de amplio
espectro

Relajación al
estado base
 Ti- Za

Emisión – Absorción para Absorción Emisión

cristales Cr:LiSAF y Ti- Za

arbitrarias
s
arbitrarias
s

nidades a
Un
nidades a

Absorción

Emisión
Un

Longitud de onda (nm) L

Longitud
it d de
d onda
d (nm)
( )

Fuente: W. Koechner, Solid-State Laser engineering,

 Láser de onda continua CW sin control de modos
+π
mplitud

ι(ν)

mplitud
I( t )

ase
Am

Am

Fa
-π

Frecuencia Tiempo Frecuencia

Láser pulsado en régimen “mode locking”

-π I( t )
Ampllitud

Amplittud
ι(ν)
Fase
e

∆ν
0 ∆tp

+π
Frecuencia Frecuencia Tiempo
W. Koechner, Solid-State Laser engineering,
Cavidades lineales y de anillo

Espejo de acoplamiento Cavidad de anillo de 4

Cavidad Lineal de 4 espejos
p j
espejos

Espejos de alta reflexión

 Espejos para Cr:LiSAF,
Transmision de Espejos de la cavidad
alta reflexión y ancho espectro
100
90
80
on %

70
60
nsmisio

0,20
0,18
50
0,16 40
Tran
mitancia (%)

0,14
0,12
30
0,10 20
10
Transm

0 08
0,08
0,06
0,04 0
0,02
,
0,00 500 700 900 1100
750 800 850 900 950
Lomgitud de onda (nm)Longitud de Onda (nm)
 Espejos para Ti-Za, alta reflexión y ancho espectro
0,05
0 05
0,05 100
0,04
0,04 90
nsmitancia ((%)

0,03 80
a (%)

0,03
0,02
70
mitancia

0,02 60
Tran

0,01
0,01
50
Transm

0,00 40
640 740 840 940
30 Longitud de onda (nm)
20
10
0
640 740 840 940
Longitud de onda (nm)
 Acoplador CVI de 98%

3,00%
2 50%
2,50%
cia (%)

Ti : Za
2,00%
smitanc

1,50%
1 00%
1,00%
Trans

Cr:LiSAF
0,50%
0,00%
750 800 850 900 950
Longitud de onda (nm)
 La longitud de la cavidad resonante
determina la frecuencia de repetición
de los pulsos cortos

L
b M2
M3 a
Cr:LiSAF
c
Cavidad Lineal f repetición =
2l
c
X2
X5
Cavidad Anillo f repetición =
X6
l
M4
M1
 segunda derivada dk/dw
260

segundo orden [ffs2/cm]

240 Dispersion de segundo

En
E ell cristal
i t l los
l modosd de
d
orden para Cr:LiSAF
Cristal 220

longitud de onda corta 200

Dispersion de s
180

(azules)P y deM longitud de onda

M
M
160
P
larga (rojos) se mueven a 140
0.8 0.85 0.9
Longitud de onda [um]
0.95 1

calculo con 8mm TiZa

M t i l
Material
diferente velocida
velocida, lo que da
i di a 850 nm
indice angulo
l de
d Brewster
B
TB=artan(n)
t
apice (grados)
a 795 nm, 5 mm prisma
i

origeng a la dispersion
p de
Fused Silica 1,4525 55,45 69,09 59,66
BK7 1,5098 56,48 67,04
LAKL21 1 6326
1,6326 58 51
58,51 62 98
62,98 30 72
30,72
K5
F2
SF11
segundo orden
1,51507
1,6067
1,7650
56,57
58,10
60,47
66,85
63,80
59,07 11,66
ZnSe
S 2 10
2,5107 68 28
68,28 43 43
43,43
Cr:LiSAF 1,40 54,41
Ti:Za 1,76 60,40
 L
b M2
M3 a
Configuración de anillo , X2 =x5= 300 Cr:LiSAF

mm, Frep
F = 250 MHz
MH
X5
X2
X6 M4
M1
p -4
x 10
 1 ∂ω   ω − ω L  −1 100.7
δ =   ≈  NL  p N 0
 ω ∂p N  p =0  ω L  100.68

100.66

100.64 -1

100 62
100.62
b [mm]

Con esta expresión 100.6 -2

podemos localizar la 100.58
posición
i ió del
d l cristal
i l 100.56
-3
dentro de la cavidad 100.54

100 52
100.52
-4
100.5
42 44 46 48 50 52
a [mm]
 Elementos de diseño para un láser de pulsos
ultracortos con aplicación
p en metrología
g
Acoplamiento del haz de bombeo
Cavidad resonante corta al modo fundamental del láser
(alta frecuencia de i
intracavidad
id d y en la
l posición
i ió del
d l
repetición). cristal

Diseño de
cavidad

Compensación de la
Localización de la posición del
dispersión chirped
dispersión,
Cristal de acuerdo a la saturación de
mirror o prismas de corta
ganancia y a la sensibilidad del Kerr
longitud, n ??
Lens
 Barrido
espectral

50

100

150

200

250

300

350

400

450

100 200 300 400 500 600

Pulsos cortos
en láser
lá d
de Ti Z
Za
Pulsos cortos
en láser
lá d
de
Cr:LiSAF
1. Construcción de cavidades de anillo de corta longitud y alta
frecuencia de repetición (mayor a 500 MHz) usando cristales
cortos de TiZa.

2 C
2. Caracterizar
t i l pulsos
los l obtenidos
bt id por medio di de
d la
l construcción
t ió de
d
un autocorrelador con detector de diodo emisor de luz, LED.

3. Verificar la máxima estabilidad de los pulsos en láser de Cr:LiSAF

usando un láser de bombeo DPSS.

4. Posible incorporación de un medio no lineal dentro de la cavidad a

fin de realizar el Kerr lens en una posición diferente al del medio
de ganancia.

5. Una vez caracterizados los pulsos se iniciará la incorporación de

fibra micro estructurada a fin de obtener la expansión del espectro.
espectro
1. El bombeo por ambos extremos del cristal de Cr:LiSAF, causa
saturación de la ganancia, sobre todo cuando el acoplamiento no
es óptimo como en el caso del bombeo con DL’s.

2. Para el caso del Cr:LiSAF es adecuada la incorporación

p de un
medio no lineal dentro de la cavidad a fin de realizar el Kerr lens
en una posición diferente al del medio de ganancia.

3. La longitud de onda de emisión de Cr:LiSAF es ideal para espejos

de penetración variable comerciales (chirp mirrors) por lo que se
deberan confirmar anchos de pulsos menores de 100 fs usando
chirp mirrors.

4. Las cavidades de alta frecuencia de repetición con Ti:Za y chirp

mirrors ha probado ser robustas siempre que sean usados
cristales cortos (∼3 mm) y de alta absorción (5 cm-11)
GRACIAS POR SU
ATENCIÓN