Redes de Polarización del BJT y del

EMOSFET
Jairo Duran Burgos, Keven Steven Reyes.
UNIVERSIDAD PEDAGÓGICA Y TECNOLÓGICA DE COLOMBIA SEDE SECCIONAL
SOGAMOSO ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA ELECTRÓNICA II.
Correo Jairo:
Keven.reyes@uptc.edu.co.
Resumen— En este documento está contenido el diseño
de diferentes disposiciones de redes que contienen
transistores BJT y EMOSFET, esto a partir de
caracteristicas requeridas para el diseño de circuitos. Se
aplicarán conceptos fundamentales en el análisis de
redes no lineales, para este caso, redes que contiene
transistores partiendo de disposiciones de circuitos y
generalidades en las caracteristicas de los transistores, 2. Desarrollo.
para dicho diseño se utilizaran herramientas de software
como: Pspice Orcad, esto con el fin de dar precisión al 2.1 Definición ganancia del transistor: de acuerdo con
momento de mostrar el comportamiento de dichas redes lo anterior mencionado en la ecuacion, se concluye que
no lineales. el transistor se encuentra en la región activa.

1. Introducción. El proceso para determinar la ganancia del transistor;

consiste en hacer un barrido de corriente (cd), el cual
Transistor BJT: Los transistores bipolares son presenta curvas caracteristicas del transistor, definiendo
componentes semiconductores activos (se el valor de tensión VCE de acuerdo al designado ya
presenta esta característica importante, debido a anteriormente, se generará la curva de IC vs IB. Ya que se
su ganancia de corriente). Estos tienen dos tiene el valor de corriente de colector, a partir de la
junturas PN y, por lo tanto, tres capas grafica se determina corriente de base y así definir el
consecutivas de materiales semiconductores valor de la ganancia del transistor, fundamental para el
dopados, es decir los materiales de igual manera análisis de la red.
que los diodos son de tipo extrínseco. Según la
secuencia de capas, los transistores bipolares se
dividen en dos estructuras básicas: transistores
de tipo NPN (portador mayoritario son
Q 2
electrones). PNP (portador mayoritario son los VC E
6Vdc
huecos). I
Q 2N 3904
Las tres regiones se llaman emisor, base y 0Adc I1
colector.

0
VEC 6.0V
Qdc    0.5. Fig. 1 Representación de red, necesaria para determinar ganancia en corriente
VCE (corte) 12.0V del transistor, a partir del punto de trabajo.

58.7mA

De acuerdo con las caracteristicas del punto de

trabajo, y teniendo en cuenta que: (IB=266.587u,IC=40.003m)
40.0mA

 Si QDC se encuentra entre 0,85 y 1, el

transistor está en corte (VCE = VCE
(corte)). 20.0mA

 Si QDC está entre 0 y 0.25, el transistor

se encuentra en saturación (VCE ≈ 0). 0A
0A
IC(Q2)
50uA 100uA 150uA 200uA 250uA 300uA 350uA 400uA 450uA 500uA
I_I1

 Si QDC está entre 0.25 y 0.85, el Fig. 2 Curva característica del transistor Q2N3904, donde se define
transistor está en la región activa puntualmente los valores de corrientes de base y colector.
directa.
2.2 Análisis de conexión fija a partir del transistor NPN.

IC
 dc  ; donde,  IC: corriente de colector.
IB Debido a que se conocen los parametros:
 IB: corriente de base. VCE: 6.V.
IC 40mA IC = 40mA.
 dc    150, 049.
IB 266.579  A IB = 266,579 A.
De acuerdo con el análisis anterior, y teniendo en cuenta IC 40mA
los valores obtenidos en la curva característica del
f    150, 049.
IB 266.579  A
diodo, se puede llegar a determinar la ganancia en cd del
transistor.
 Aplicando LVK (Ic)
Vcc  IcRc  6  0. Ec.1
2.2 Análisis matemático para determinar cada
parámetro: IcRc  Vcc  6
Vcc  6.V 12.V  6.V
Rc  
40mA 40mA
Rc  150.
_ IE  IB  IC Ec.2: ecuacion derivada del LCK al transistor.
IE  266,579 A+40mA.
IE=40,26665.
_ VCB  VCE  VBE Ec.3.
VCB  6.V - 0.65.V
VCB =5,35.V.
 Aplicando LVK ( IB)
IB * RB  VCB  RC * IC  0
IB * RB  VCB  RC * IC
IB * RB  11,35.V
RB  42,5764 K .
A partir del analisis anterior, se obtiene:
RB  42,5764 K .
Rc  150.
 1 2 .0 0 V 1 2 .0 0 V -35mA

(IC=43.91mA , 55°C)

4 3 .9 1 m A
2 6 4 .5 u A

R B R C
4 2 .5 7 6 4 k 150 1 2 .0 0 V (IC=43.141mA , 50°C)

-40mA
(IC=42.376mA , 45°C)

(IC=41.610mA , 40°C)

5 .4 1 4 V (IC=40.841mA , 35°C)

(IC=39.609mA ,27 °C)

Q 1 VC C
4 3 .9 1 m A (IC=35.420mA , 0°C)

12Vdc
7 3 7 .8 m V 2 6 4 .5 u A -45mA
0s 0.1s 0.2s 0.3s 0.4s 0.5s 0.6s 0.7s 0.8s 0.9s 1.0s
Q 2N 3904 I(RC)
Time
-4 4 .1 7 m A 4 4 .1 7 m A Fig. 3 Representación de cambios de corriente de acuerdo a la temperatura del
transistor.
0V 0V
Representación de tensión, de acuerdo a la variación de la
temperatura.
0 0

Fig. 3 Representación de valores que describen el comportamiento del

1 2 .0 0 V 1 2 .0 0 V
circuito.

Representación de corriente, de acuerdo a la variación de la

temperatura. R B R C
4 2 .5 7 6 4 k 150 1 2 .0 0 V

4 3 .9 1 m A 5 .4 1 4 V
2 6 4 .5 u A Q 1 VC C
R B R C V+
12Vdc
4 2 .5 7 6 4 k 150 7 3 7 .8 m V
Q 2N 3904

I
V-
Q 1 0V 0V
4 3 .9 1 m A VC C
12Vdc
2 6 4 .5 u A
Q 2N 3904
-4 4 .1 7 m A 4 4 .1 7 m A
0 0

Fig. 3 Representación de valores de tensión.

0 0 6.8V

(VCE= 6.6871V, 55°C)

Fig. 3 Representación de valores de corriente.

6.4V

(VCE= 6.0587V, 50°C)

6.0V
(VCE= 5.8738V, 45°C)

(VCE=5.7586V, 40°C)

(VCE= 5.6435V, 35°C)

5.6V (VCE= 5.5288V, 27°C)

(VCE= 5.4143V, 0°C)

5.2V
0s 0.1s 0.2s 0.3s 0.4s 0.5s 0.6s 0.7s 0.8s 0.9s 1.0s
V(Q1:c,Q1:e)
Time

Fig. 4 Representación de cambios de tensión, de acuerdo a la temperatura del

transistor.
 Tabla 1.
2.2 Análisis matemático para determinar cada
T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7
parámetro definido en la red de la figura 3:
°C 0 27 35 40 45 50 55

VCE(V) 5.4143 5.528 5.6435 5.758 5.873 6.0587 6.6871

8 6 8

IC (mA) 35.420 39.60 40.841 41.61 42.37 43.141 43.91

9 0 6

Qdc 0.45 0.460 0.4702 0.479 0.489 0.5048 0.5572

7 8 4 5

2.3 Análisis de conexión de polarización por división

de tensión a partir del transistor NPN.

4 2 .1 4 m A 3 6 .9 5 m A
R 1 R C
240 120 1 2 .0 0 V

7 .5 6 6 V
Q 1 VC C
3 6 .9 5 m A
12Vdc
1 .8 8 6 V 2 4 0 .9 u A
Q 2N 3904
-3 7 .1 9 m A 7 9 .0 9 m A

1 .1 1 6 V

4 1 .9 0 m A 3 7 .1 9 m A
R 2 R E
45 30

0V
0

Fig. 3 Representación de valores que describen el comportamiento del

circuito.
 Representación de corriente, de acuerdo a la variación de la
temperatura.
Debido a que se conocen los parametros (teniendo en cuenta el punto Qdc):
VCE= 6 V.
VCC= 12 V.
VE  0,1*VCC; Se debe establecer que la tensión de emisor sea
4 2 .1 4 m A 3 6 .9 5 m A
aproximadamente igual a la décima parte de la tensión de alimentación. R 1 R C
VE  1, 2V . 240 120
IC = 40mA.
IC 40mA I
f   150; De acuerdo al datasheet,
IB 266.579 A
Q 1 VC C
la ganacia se debe de mantener en valores definidos por: 100 o 300. 3 6 .9 5 m A
12Vdc
IC  IE. 2 4 0 .9 u A
Q 2N 3904
VE
-De acuerdo a la ley de Ohm: RE  ; de acuedo a:IC  IE. -3 7 .1 9 m A 7 9 .0 9 m A
IE
1.2V
RE  =30.
40mA 4 1 .9 0 m A 3 7 .1 9 m A
- RC  4* RE;  1 Dado que el punto Q tiene que estar aproximadamente R 2 R E
45 30
en el punto medio de la recta de carga de continua,
una tensión de unos 0,5 VCC aparece en los terminales de colector  emisor.
Los restantes 0, 4 VCC caen en la resistencia de colector.
RC  4*(30) 0
RC  120.
 RTH  0, 01 * dc *RE;esto debido a la división de tensión. Fig. 3 Representación de valores de corriente.
R2  0, 01 * dc *RE;cada valor esta definido ya, anteriormete.
40mA
R2  0, 01 *(150)*(30)
R2  45
R2=45.
V1
R1= * R 2; este valor se deriva a partir del divisor de tensión.
V2 (IC=38.272mA ,55 °C)

 Aplicando LVK (V 2, VBE , VE y V2) (IC=38.035mA , 50 °C)

38mA (IC=37.799mA , 45°C)
V 2  VBE  VE  0 (IC=37.563mA , 40 °C)

V 2  VBE  VE ; VBE  0, 7(este valor se utilizo en este analisis de acuerdo (IC=37.327mA , 35 °C)

al valor de datasheet de FAIRCHILD ). (IC=36.949mA , 27°C)

V 2  0,7V  1.2V
V 2  1,9V .
 Aplicando LVK (V1, V2, VCC y V1) 36mA
(IC=35.675mA , 0°C)
V 1  V 2  12V  0
V 1  12V  V 2
V 1  12V  1,9V 35mA
0s 0.1s 0.2s 0.3s 0.4s 0.5s 0.6s 0.7s 0.8s 0.9s 1.0s
IC(Q1)
V 1  10,1V . Time

V1 Fig. 3 Representación de cambios de corriente de acuerdo a la temperatura del

 Dado que: R1= * R 2.
V2 transistor.
V1
R1= * R2
V2
10,1V
R1= *(45)
1,9 V
R1  239,5105
R1  240
 A partir del analisis anterior, se pueden obtener los siguientes valores:
- R1  240.
-R2=45.
- RC  120.
-RE = 30
 R 1 R C
240 120 1 2 .0 0 V

7 .5 6 6 V
Q 1 VC C
V+
12Vdc
1 .8 8 6 V
Q 2N 3904

V-
1 .1 1 6 V

R 2 R E
45 30

0V
0

Fig. 3 Representación de valores de tensión.

6.8V

(VCE=6.6408 V, 55°C)

6.6V

(VCE=6.4505V, 50°C)

(VCE=6.3940V, 45°C)
6.4V
(VCE=6.3587V, 40°C)
(VCE=6.3233V, 35°C)
(VCE=6.2880V, 27°C)

(VCE=6.2526 V, 0°C)

6.2V
0s 0.1s 0.2s 0.3s 0.4s 0.5s 0.6s 0.7s 0.8s 0.9s 1.0s
V(Q1:c,Q1:e)
Time

Fig. 3 Representación de cambios de tensión (VCE) de acuerdo a la

temperatura del transistor.

Tabla 2.
T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7

°C 0 27 35 40 45 50 55

VCE(V) 6.2526 6.288 6.3233 6.358 6.394 6.4505 6.6408

0 7 0

IC (mA) 35.675 36.96 37.341 37.56 37.80 38.035 38.272

1 3 6

Qdc 0.5210 0.524 0.5269 0.529 0.532 0.5375 0.5534

8 8