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T E O R DE

~ .LOS DIODOS 89

te 0. El segundo proviene de la hoja de caractensticas (3-4) Mixima disipaci6n de potencia:


a conientes altas donde se especifica una tensi6n y una
coniente.

Secci6n 3-9. Resistencia en continua de un diodo (3-6) Ignorar resistencia interna:


La resistencia en continua es igual a la tensi6n del dio-
.do dividida por la comente en alglin punto de la curva
de funcionamiento. Esta resistencia es la que mediri
un 6hmetro..La resistencia en continua tiene limitadas
aplicaciones, aparte de comentar que es pequeiia en
polarizaci6n directa y grande eq inversa.

Secci6n 3-10. Rectas de carga


La corriente y la tensi6n en un circuit0 con un diodo (3-3) Disipaci6n de potencia del diodo:
tendrh que satisfacer tanto la curva del diodo como.la
ley de Ohm para la resistencia de cqga. Estos son dos
requisitos diferentes que grificamente se traducen en
la intersecci6n de la curva de! diodo con la recta de
carga. (3-5) Tercera aproximaci6n:

(3-1) kensi6n umbra1 del silicio:


(3-7) Resistencia interna:

(3-2) Resistencia interna:

CUESTIONES b) Lineal
c) No lineal
. l . Cuando la representaci6n de la comente en fun- d) Unipolar
ci6n de la tensidn es una linea recta, el dispositi- 4. iC6m0 estA polarizado un diodo que no con-
vo se conoce como duce?
a) Activo a) Directamente
b) Lineal b) A1 revts
c) No lineal c) Insuficientemente
d) Pasivo d) Inversamente
2. ~ Q u Cclase de dispositivo es una resistencia?
a) Unilateral 5. Cuando la comente por el diodo es grande, la
b) Lineal polarizaci6n es
C) NO lineal a) Directa
d) Bipolar' b) A1 rev&
3. ~ Q u Bclase de dispositivo es un diodo? c) Escasa
a) Bilateral d) Inversamente
90 PRINCIPIOS DE ELECTR~NICA

La tensi6n umbral de un diodo es aproximada- 16. iC;Ihl es la comente en el circuito dk la Figu-


mente igual a ra 3-19 si el diodo es ideal?
a) La tensi6n aplicada a) 0 c) 15 mA
b) La barrera de potencial b) 14,3 rnA d) 50mA
c) La tensi6n de ruptura
d) La tensidn con polarizaci6n directa
La comente inversa consiste en la comente de
portadores minoritarios y
a) La comente de avalancha
b) La comente con polarizaci6n directa
c) La comente superficial de fugas
d) La comente Zener
En la segunda aproximaci6n, iquC tensi6n hay en . . Figura 3-19
un diodo de silicio polarizado en directo?
.a) OV 17. iCuil es la comente en el circuito de la Figu- .
b) 0,3 V ra 3-19 si se emplea la segunda aproximacibn?
c) 0,7 V a) 0 c) 15 mA
d) 1 V b) 14,3 mA d) 50mA
En la segunda aproximaci6n, iquC comente hay 18. ~ C U Qes la comente por la resistencia de carga
en un diodo de silicio polarizado en inversa? en la Figura 3-19 si se emplea la tercera aproxi-
a) 0 macibn?
b) 1 m A a) 0 c) 15 mA
c) 300 mA b) 14,3 mA d) 50 mA
d) Ninguna de las anteriores 19. Si el diodo esti abierto en la Figura 3-19, la ten-
En la aproximaci6n ideal, jcuil es la tensidn en si6n en la carga es
el diodo polarizado en directa? a) 0 C) 20 v
a) 0 V b) 14,3 V d) -15 V
b) 0,7 V 20. Si la resistencia de la Figura 3-19 no estuviese
c) Mayor que 0,7 V puesta a masa, la tensidn medida entre la parte
d) 1 v superior de la resistencia y la masa sena de
La resistencia interna de un 1N4001 es a) OV c) 20 V
b) 14,3 V d) -15 V
C) i o n .
,

a) 0 21. La tensidn en la carga es cero en la Figura 3-19.


b) 0,23 52 d) 1 k!2
El problema puede deberse a
Si la resistencia intema es nula, la curva por en- a) Un diodo en cortocircuito
cima de la tensi6n umbral es b) Un diodo abierto
a) Horizontal
b) Vertical c) Una resistencia de carga abierta
c) Inclinada 45" d) Demasiada tension de la fuente de alimenta-
ci6n
d) Ninguna de las anteriores
El diodo ideal es generalmente adecuado para
a) Deteccidn de averias PREGUNTAS DE ENTREVISTA
b) Hacer cilculos precisos
c) Cuando la tensidn de la fuente es pequeiia
DE TRABAJO
d) Cuando la resistencia de carga es pequeiia
Para las siguientes preguntas, siempre que sea posible
La segunda aproximaci6n funciona bien para dibuje circuitos, grificas o cualquier figura que pueda
a) Detecci6n de averias ayudarle a ilustrar sus respuestas. Si usted puede com-
b) Cuando la resistencia de carga es grande binar las respuestas y dibujos en su explicacibn, es mis
c) Cuando la tensidn de la fuente es grande probable que haya entendido de quC esti hablando.
d) Todas las anteriores TarnbiCn, si esti en privado, simule que esti en una
La iinica ocasi6n en la que es necesario utilizar la entrevista de trabajo y hable en alto. Esta prictica faci-
tercera aproximaci6n es cuando litari las cosas cuando la entrevista sea real.
a) La resistencia de carga es pequeiia
b) La tensi6n de la fuente es muy grande 1. iHa oido usted hablar alguna vez de un diodo
C) Se detectan aven'as ideal? Si es asi, digame qut es y cuhndo se puede
d) Ninguna de las anteriores . usar.