Transistor

Transistor

El tamaño de un transistor guarda relación con la potencia que es capaz de manejar.

Tipo Semiconductor

Invención John Bardeen, Walter Houser Brattain y William

Bradford Shockley (1947)

Símbolo electrónico

Configuración Emisor, base y colector

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 El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de
salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción
eninglés de transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentra
prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras,lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque casi
siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Índice
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 1Historia
 2Funcionamiento
 3Tipos de transistor
o 3.1Transistor de contacto puntual
o 3.2Transistor de unión bipolar
o 3.3Transistor de efecto de campo
o 3.4Fototransistor
 4Transistores y electrónica de potencia
 5Construcción
o 5.1Material semiconductor
 6El transistor bipolar como amplificador
o 6.1Emisor común
o 6.2Base común
o 6.3Colector común
 7El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica
 8Véase también
 9Referencias
 10Enlaces externos

Historia[editar]
Artículo principal: Historia del transistor
Réplica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent Technologies.

El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19251 una patente

para lo que él denominó "un método y un aparato para controlar corrientes eléctricas" y que se
considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo, ya que estaba destinado
a ser un reemplazo de estado sólido del triodo. Lilienfeld también solicitó patentes en los
Estados Unidos en los años 19262 y 1928. 3 4 Sin embargo, Lilienfeld no publicó ningún
artículo de investigación sobre sus dispositivos ni sus patentes citan algún ejemplo específico
de un prototipo de trabajo. Debido a que la producción de materiales semiconductores de alta
calidad aún no estaba disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de
estado sólido no encontraron un uso práctico en los años 1920 y 1930, aunque un dispositivo
de este tipo ya se había construido.5
En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña6 un dispositivo
similar. Cuatro años después, los también alemanes Robert Pohl y Rudolf Hilsch efectuaron
experimentos en la Universidad de Göttingen, con cristales de bromuro de potasio, usando
tres electrodos, con los cuales lograron la amplificación de señales de 1 Hz, pero sus
investigaciones no condujeron a usos prácticos. 7 Mientras tanto, la experimentación en
los Laboratorios Bell con rectificadores a base de óxido de cobre y las explicaciones sobre
rectificadores a base de semiconductores por parte del alemán Walter Schottky y del inglés
Nevill Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era posible lograr la
construcción de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de vacío. 7
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell 8 llevaron a
cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro eran
aplicados a un cristal de germanio, se produjo una señal con una potencia de salida mayor
que la de entrada.9 El líder del Grupo de Física del Estado Sólido William Shockley vio el
potencial de este hecho y, en los siguientes meses, trabajó para ampliar en gran medida el
conocimiento de los semiconductores. El término "transistor" fue sugerido por el ingeniero
estadounidense John R. Pierce, basándose en dispositivos semiconductores ya conocidos
entonces, como el termistor y el varistor y basándose en la propiedad de transrresistencia que
mostraba el dispositivo. 10 Según una biografía de John Bardeen, Shockley había propuesto
que la primera patente para un transistor de los Laboratorios Bell debía estar basado en el
efecto de campo y que él fuera nombrado como el inventor. Habiendo redescubierto las
patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido años atrás, los abogados de los Laboratorios
Bell desaconsejaron la propuesta de Shockley porque la idea de un transistor de efecto de
campo no era nueva. En su lugar, lo que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1947 fue
el primer transistor de contacto de punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros
nombrados, el día 17 de junio de 1948, 11 a la cual siguieron otras patentes acerca de
aplicaciones de este dispositivo. 12 13 14 En reconocimiento a este logro, Shockley, Bardeen y
Brattain fueron galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 "por sus
investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor". 15
En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los físicos alemanes
Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des Freins et
Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse. Mataré tenía
experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de germanio mientras
trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar alemán durante la Segunda Guerra Mundial.
Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno de la "interferencia" que
había observado en los rectificadores de germanio durante la guerra. En junio de 1948,
Mataré produjo resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras de germanio
producidas por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain habían logrado anteriormente en
diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los científicos de Laboratorios Bell ya habían
inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresuró a poner en producción su
dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telefónica de Francia. 16 El día 26 de
junio de 1948, Wiliam Shockley solicitó la patente del transistor bipolar de unión 17 y el 24 de
agosto de 1951 solicitó la primera patente de un transistor de efecto de campo18 , tal como se
declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura que ahora posee. Al año
siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al
fabricar este dispositivo, 19 cuya nueva patente fue solicitada el día 31 de octubre de 1952 20 .
Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el ingeniero Sidney Darlington solicitó la patente del
arreglo de dos transistores conocido actualmente como transistor Darlington. 21
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de germanio
desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco Corporation en
1953, 22 capaz de operar con señales de hasta 60 MHz. 23 Para fabricarlo, se usó un
procedimiento creado por los ya mencionados inventores mediante el cual eran grabadas
depresiones en una base de germanio tipo N de ambos lados con chorros de sulfato
de indio hasta que tuviera unas diez milésimas de pulgada de espesor. El Indio
electroplateado en las depresiones formó el colector y el emisor. 24 El primer receptor de radio
para automóviles que fue producido en 1955 por Chrysler y Philco, usó estos transistores en
sus circuitos y también fueron los primeros adecuados para las computadoras de alta
velocidad de esa época. 25 26
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero 1954
por el químico Morris Tanenbaum. 27 El día 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin Fuller,
solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos para producir dispositivos
semiconductores. 28 El primer transistor de silicio comercial fue producido por Texas
Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal quien había trabajado
previamente en los Laboratorios Bell en el crecimiento de cristales de alta pureza. 29 El primer
transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio
Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960. 30 31

Funcionamiento[editar]
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente
(contaminadas con materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones
bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera,
que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A
diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se
obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un
elemento activo, 32 a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son
elementos pasivos.33
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la
que se inyecta en el emisor, pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de
sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la
carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o
ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de
transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican
los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base
Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones) básicos para
utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,
JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal de basepara
modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta y
gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada
entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de
impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la tensión presente entre la
compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala
disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de
miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.

Tipos de transistor[editar]

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual[editar]

Llamado también «transistor de punta de contacto», fue el primer transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de
germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacióncobre-óxido de
cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y
el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el
colector, de ahí el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco
conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe
podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión debido
a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unión bipolar[editar]
Artículo principal: Transistor de unión bipolar
Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction transistor) se
fabrica sobre un monocristal de materialsemiconductor como el germanio, el silicio o
el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor eléctrico y
las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres
zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen contaminando el
sustrato con átomos de elementosdonantes de electrones, como el arsénico o el fósforo;
mientras que las zonas P (donde se generan portadores de carga Positiva o «huecos») se
logran contaminando con átomos aceptadores de electrones, como el indio, el aluminio o
el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al emisor y al colector
que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación
entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas
contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión
gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.
Transistor de efecto de campo[editar]
El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo
en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los
terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto
de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de
material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensiónpositiva entre el
drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la
que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de
puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en
función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.

 Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.

 Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta
se aísla del canal mediante un dieléctrico.
 Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.
Fototransistor[editar]
Artículo principal: Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a

la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz
incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:

 Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);

 Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

Transistores y electrónica de potencia[editar]

Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los dispositivos
semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha permitido
su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los transistores son empleados
en conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia
(principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en la amplificación de
corriente dentro de un circuito cerrado.

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Construcción[editar]
Material semiconductor[editar]

Características del material semiconductor

Tensión Maxima
Material Movilidad de Movilidad de
directa temperatura de
semiconducto electrones huecos
de la unión unión
r m2/(V·s) @ 25 °C m2/(V·s) @ 25 °C
V @ 25 °C °C

Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100

Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200

GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200

Al-Si 0.3 — — 150 a 200

Los primeros transistores bipolares de unión se fabricaron con germanio (Ge). Los transistores
de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones avanzadas de microondas y de
alto rendimiento ahora emplean el compuesto semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la
aleación semiconductora de silicio-germanio (SiGe). El material semiconductor a base de un
elemento (Ge y Si) se describe como elemental.
Los parámetros en bruto de los materiales semiconductores más comunes utilizados para
fabricar transistores se dan en la tabla adjunta; estos parámetros variarán con el aumento de
la temperatura, el campo eléctrico, nivel de impurezas, la tensión, y otros factores diversos.
La tensión directa de unión es la tensión aplicada a la unión emisor-base de un transistor
bipolar de unión con el fin de hacer que la base conduzca a una corriente específica. La
corriente aumenta de manera exponencial a medida que aumenta la tensión en directa de la
unión. Los valores indicados en la tabla son las típicos para una corriente de 1 mA (los
mismos valores se aplican a los diodos semiconductores). Cuanto más bajo es la tensión de la
unión en directa, mejor, ya que esto significa que se requiere menos energía para colocar en
conducción al transistor. La tensión de unión en directa para una corriente dada disminuye con
el aumento de la temperatura. Para una unión de silicio típica, el cambio es de -2.1 mV / °
C. 34 En algunos circuitos deben usarse elementos compensadores especiales (sensistores)
para compensar tales cambios.
La densidad de los portadores móviles en el canal de un MOSFET es una función del campo
eléctrico que forma el canal y de varios otros fenómenos tales como el nivel de impurezas en
el canal. Algunas impurezas, llamadas dopantes, se introducen deliberadamente en la
fabricación de un MOSFET, para controlar su comportamiento eléctrico.
Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla muestran la
velocidad media con que los electrones y los huecos se difunden a través del material
semiconductor con un campo eléctrico de 1 voltio por metro, aplicado a través del material. En
general, mientras más alta sea la movilidad electrónica, el transistor puede funcionar más
rápido. La tabla indica que el germanio es un material mejor que el silicio a este respecto. Sin
embargo, el germanio tiene cuatro grandes deficiencias en comparación con el silicio y
arseniuro de galio:

1. Su temperatura máxima es limitada.

2. Tiene una corriente de fuga relativamente alta.
3. No puede soportar altas tensiones.
4. Es menos adecuado para la fabricación de circuitos integrados.
Debido a que la movilidad de los electrones es más alta que la movilidad de los agujero para
todos los materiales semiconductores, un transistor bipolar n-p-n dado tiende a ser más rápido
que un transistor equivalente p-n-p. El arseniuro de galio tiene el valor más alto de movilidad
de electrones de los tres semiconductores. Es por esta razón que se utiliza en aplicaciones de
alta frecuencia. Un transistor FET de desarrollo relativamente reciente, el transistor de alta
movilidad de electrones (HEMT), tiene una heteroestructura (unión entre diferentes materiales
semiconductores) de arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs)-arseniuro de galio (GaAs), que
tiene el doble de la movilidad de los electrones que una unión de barrera GaAs-metal. Debido
a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, los HEMTs se utilizan en los receptores de satélite
que trabajan a frecuencias en torno a los 12 GHz. Los HEMTs basados en nitruro de galio y
nitruro de galio aluminio (AlGaN/GaN HEMT) proporcionan una movilidad de los electrones
aún mayor y se están desarrollando para diversas aplicaciones.
Los valores de la columna de Máximo valor de temperatura de la unión han sido tomados a
partir de las hojas de datos de varios fabricantes. Esta temperatura no debe ser excedida o el
transistor puede dañarse.
Los datos de la fila Al-Si de la tabla se refieren a los diodos de barrera de metal-
semiconductor de alta velocidad (de aluminio-silicio), conocidos comúnmente como diodos
Schottky. Esto está incluido en la tabla, ya que algunos transistor IGFET de potencia de silicio
tienen un diodo Schottky inverso "parásito" formado entre la fuente y el drenaje como parte del
proceso de fabricación. Este diodo puede ser una molestia, pero a veces se utiliza en el
circuito del cual forma parte.

El transistor bipolar como amplificador[editar]

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno
entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en
inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión igual a la tensión
directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el
germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la
corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores
normales de señal, β varía entre 100 y 300. Existen tres configuraciones para el amplificador
transistorizado: emisor común, base común y colector común.
Emisor común[editar]

Emisor común.

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta al
punto de tierra (masa) tanto de la señal de entrada como de salida. En esta configuración,
existe tanto ganancia tanto de tensión como de corriente. En caso de tener resistencia de
emisor, (RE) debe ser mayor de 50 ohmios, y para frecuencias bajas, la se aproxima bastante
bien la impedancia de salida, por RC y la ganancia en tensión por la expresión:
Como la base está conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, entre ellos se
puede suponer que existe una tensión constante, denominada   y que el valor de β es
constante. Del gráfico adjunto, se deduce que la tensión de emisor es:

Y la corriente de emisor:

.
La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:

Despejando la corriente de colector:

La tensión de salida, que es la de colector se calcula así:

Como β >> 1, se puede aproximar:

y, entonces es posible calcular la tensión de colector como:

La parte entre paréntesis es constante (no depende de la señal de entrada), y la restante
expresa la señal de salida. El signo negativo indica que la señal de salida está desfasada 180º
respecto a la de entrada.
Finalmente, la ganancia es expresada como:

La corriente de entrada,  , si   puede expresarse como sigue:

Suponiendo que  , podemos escribir:

Al dividir la tensión y corriente en la base, la impedancia o resistencia de entrada queda como:

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor más
elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.
Base común[editar]
Base común.

La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a las
masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene
ganancia sólo de tensión. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo
menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si añadimos
una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de señal,
un análisis similar al realizado en el caso de emisor común, da como resultado que la

ganancia aproximada es: 

La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de salida
como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.
Colector común[editar]
Colector común.

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a
las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene
ganancia de corriente, pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. La
impedancia de entrada es alta, aproximadamente β+1 veces la impedancia de carga. Además,
la impedancia de salida es baja, aproximadamente β veces menor que la de la fuente de
señal.

El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica [editar]

Antes de la aparición del transistor, eran usadas las válvulas termoiónicas. Las válvulas tienen
características eléctricas similares a la de los transistores de efecto campo (FET): la corriente
que los atraviesa depende de la tensión en el terminal llamado rejilla. Las razones por las que
el transistor reemplazó a la válvula termoiónica son varias:

 Las válvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios, que
son peligrosas para el ser humano.
 Las válvulas consumen mucha energía, lo que las vuelve particularmente poco útiles
para el uso con baterías.
 El peso: El chasis necesario para alojar las válvulas y los transformadores requeridos
para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde algunos kilos a
decenas de kilos.
 El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas, el cual es muy corto
comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado.
 Retardo en el arranque: Las válvulas presentan una cierta demora en comenzar a
funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la conducción.
 El efecto microfónico: Muy frecuente en las válvulas a diferencia de los transistores,
que son intrínsecamente insensibles a él.
 Tamaño: Los transistores son más pequeños que las válvulas. Aunque existe
unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso de dispositivos de
potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el tamaño que se ha de
considerar es el del dispositivo (válvula o transistor) más el del disipador. Como las
válvulas pueden funcionar a temperaturas más elevadas, la eficiencia del disipador es
mayor en ellas que en los transistores, con lo que basta un disipador mucho más
pequeño.
 Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y
corrientes altas; mientras que las válvulas presentan impedancias elevadas y por lo tanto
trabajan con altas tensiones y pequeñas corrientes.
 Costo: Los transistores costaban menos que las válvulas, desde su lanzamiento inicial
y se contó con la promesa de las empresas fabricantes de que su costo continuaría
bajando (como de hecho ocurrió) con suficiente investigación y desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora digital,
llamada ENIAC, la cual pesaba más de treinta toneladas y consumía 200 kilovatios,
suficientes para alimentar una pequeña ciudad, a causa de sus aproximadamente 18 000
válvulas, de las cuales algunas se quemaban cada día, necesitando una logística y una
organización importantes para mantener este equipo en funcionamiento.
El transistor bipolar reemplazó progresivamente a la válvula termoiónica durante la década de
1950, pero no del todo. En efecto, durante los años 1960, algunos fabricantes siguieron
utilizando válvulas termoiónicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake;
luego el transistor desplazó a la válvula de los transmisores pero no del todo en los
amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes de instrumentos eléctricos musicales
como Fender, siguieron utilizando válvulas en sus amplificadores de audio para guitarras
eléctricas. Las razones de la supervivencia de las válvulas termoiónicas son varias:

 Falta de linealidad: El transistor no tiene las características de linealidad a alta

potencia de la válvula termoiónica, por lo que no pudo reemplazarla en los amplificadores
de transmisión de radio profesionales y de radioaficionados sino hasta varios años
después.[cita  requerida]
 Generación de señales armónicas: Las señales armónicas introducidas por la falta de
linealidad de las válvulas resultan agradables al oído humano, como demuestra
lapsicoacústica, por lo que son preferidos por los audiófilos.
 Sensibilidad a explosiones nucleares: El transistor es muy sensible a los efectos
electromagnéticos de las explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando
válvulas termoiónicas en algunos sistemas de control y comando de aviones caza de
fabricación soviética.[cita  requerida]
 Manejo de altas potencias: Las válvulas son capaces de manejar potencias muy
grandes, a diferencia de la que manejaban los primeros transistores; sin embargod a
través de los años se desarrollaron etapas de potencia con múltiples transistores en
paralelo capaces de conseguir manejo de potencias mayores.
Véanse también: Válvula termoiónica  y Transistor bipolar.

Diodo
Diodo
 Diodo en primer plano. Nótese la forma cuadrada del cristal semiconductor (objeto

negro de la izquierda).

Tipo Semiconductor

Principio de funcionamiento Efecto Edison

Invención John Ambrose Fleming(1904)

Símbolo electrónico

Configuración Ánodo y Cátodo

[editar datos en Wikidata]

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la

corriente eléctrica a través de él en un solo sentido.1 Este término generalmente se usa para
referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad; consta de una pieza de
cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos. El diodo de vacío (que
actualmente ya no se usa, excepto para tecnologías de alta potencia) es un tubo de vacío con
dos electrodos: una lámina como ánodo, y un cátodo.
De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por
debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y
por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos
capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para convertir
una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento está basado en los
experimentos de Lee De Forest.
 Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamados válvulas
termoiónicas constituidos por dos electrodosrodeados de vacío en un tubo de cristal, con un
aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue desarrollado
en1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basándose en
observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
Al igual que las lámparas incandescentes, los tubos de vacío tienen un filamento (el cátodo) a
través del cual circula la corriente, calentándolo por efecto Joule. El filamento está tratado
con óxido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vacío circundante los cuales
son conducidos electrostáticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada
positivamente (el ánodo), produciéndose así la conducción. Evidentemente, si el cátodo no se
calienta, no podrá ceder electrones. Por esa razón, los circuitos que utilizaban válvulas de
vacío requerían un tiempo para que las válvulas se calentaran antes de poder funcionar y las
válvulas se quemaban con mucha facilidad.

Índice
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 1Historia
 2Diodos termoiónicos y de estado gaseoso
 3Diodo semiconductor
o 3.1Polarización directa de un diodo
o 3.2Polarización inversa de un diodo
o 3.3Curva característica del diodo
o 3.4Modelos matemáticos
 4Tipos de diodo semiconductor
 5Aplicaciones del diodo
 6Referencias
 7Enlaces externos

Historia[editar]
Diodo de vacío, usado comúnmente hasta la invención del diodo semiconductor, este último también
llamado diodo de estado sólido.

Aunque el diodo semiconductor de estado sólido se popularizó antes del diodo termoiónico,
ambos se desarrollaron al mismo tiempo.
En 1873 Frederick Guthrie descubrió el principio de operación de los diodos térmicos. Guhtrie
descubrió que un electroscopio cargado positivamente podía descargarse al acercarse una
pieza de metal caliente, sin necesidad de que éste lo tocara. No sucedía lo mismo con un
electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el flujo de corriente era posible
solamente en una dirección.
Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el principio. A su
vez, Edison investigaba por qué los filamentos de carbón de las bombillas se quemaban al
final del terminal positivo. Él había construido una bombilla con un filamento adicional y una
con una lámina metálica dentro de la lámpara, eléctricamente aislada del filamento. Cuando
usó este dispositivo, confirmó que una corriente fluía del filamento incandescente a través del
vacío a la lámina metálica, pero esto sólo sucedía cuando la lámina estaba conectada
positivamente.
Edison diseñó un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un voltímetro de DC, y
obtuvo una patente para este invento en 1884. Aparentemente no tenía uso práctico para esa
época. Por lo cual, la patente era probablemente para precaución, en caso de que alguien
encontrara un uso al llamado Efecto Edison.
Aproximadamente 20 años después, John Ambrose Fleming (científico asesor de Marconi
Company y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto Edison podría usarse
como un radio detector de precisión. Fleming patentó el primer diodo termoiónico en Gran
Bretaña el 16 de noviembre de 1904.
En 1874 el científico alemán Karl Ferdinand Braun descubrió la naturaleza de conducir por
una sola dirección de los cristales semiconductores. Braun patentó el rectificador de cristal en
1899. Los rectificadores de óxido de cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de
alta potencia en la década de los 1930.
El científico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semiconductor para
detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal semiconductor fue desarrollado en un
dispositivo práctico para la recepción de señales inalámbricas por Greenleaf Whittier Pickard,
quién inventó un detector de cristal de silicio en 1903 y recibió una patente de ello el 20 de
noviembre de 1906. Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, de las
cuales se usó ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento
ligeramente mayor, pero el galena fue el que más se usó porque tenía la ventaja de ser barato
y fácil de obtener. Al principio de la era de la radio, el detector de cristal semiconductor
consistía de un cable ajustable (el muy nombrado bigote de gato) el cual se podía mover
manualmente a través del cristal para así obtener una señal óptima. Este dispositivo
problemático fue rápidamente superado por los diodos termoiónicos, aunque el detector de
cristal semiconductor volvió a usarse frecuentemente con la llegada de los económicos diodos
de germanio en la década de 1950.
En la época de su invención, estos dispositivos fueron conocidos como rectificadores. En
1919, William Henry Eccles acuñó el término diodo del griego dia, que significa separado,
y ode (de ὅδος), que significa camino.

Diodos termoiónicos y de estado gaseoso[editar]

Símbolo de un diodo de vacío o gaseoso. De arriba a abajo, sus componentes son, el ánodo, el cátodo,
y el filamento.

Los diodos termoiónicos son dispositivos de válvula termoiónica (también conocida como tubo
de vacío), que consisten en un arreglo de electrodos empacados en un vidrio al vacío. Los
primeros modelos eran muy parecidos a la lámpara incandescente.
En los diodos de válvula termoiónica, una corriente a través del filamento que se va a calentar
calienta indirectamente el cátodo, otro electrodo interno tratado con una mezcla de Bario y
óxido de estroncio, los cuales son óxidos alcalinotérreos; se eligen estas sustancias porque
tienen una pequeña función de trabajo (algunas válvulas usan calentamiento directo, donde un
filamento de tungsteno actúa como calentador y como cátodo). El calentamiento causa
emisión termoiónica de electrones en el vacío. En polarización directa, el ánodo estaba
cargado positivamente por lo cual atraía electrones. Sin embargo, los electrones no eran
fácilmente transportados de la superficie del ánodo que no estaba caliente cuando la válvula
termoiónica estaba en polarización inversa. Además, cualquier corriente en este caso es
insignificante.
En la mayor parte del siglo XX, los diodos de válvula termoiónica se usaron en aplicaciones de
señales análogas, rectificadores y potencia. Actualmente, los diodos de válvula solamente se
usan en aplicaciones exclusivas como rectificadores en guitarras eléctricas, amplificadores de
audio, así como equipo especializado de alta tensión.

Diodo semiconductor[editar]

Formación de la región de agotamiento, en la gráfica z.c.e.

Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor como el silicio con
impurezas en él para crear una región que contenga portadores de carga negativa
(electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que contenga
portadores de carga positiva (huecos), llamada semiconductor tipo p. Las terminales del diodo
se unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unión
PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de
electrones del lado n (llamado cátodo), pero no en la dirección opuesta; es decir, cuando una
corriente convencional fluye del ánodo al cátodo (opuesto al flujo de los electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je). Al
establecerse una corriente de difusión, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unión, zona que recibe el nombre de región de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusión, la región de agotamiento va incrementando su
anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la
acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo
eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza
de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las
zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los
cristales de germanio.
La anchura de la región de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden
de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el otro, la zona
de carga espacial es mucho mayor.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo está
polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.
Polarización directa de un diodo[editar]

Polarización directa del diodo pn.

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,

permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la
batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones podemos
observar que:

 El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unión p-n.
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n,
 adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han desplazado hacia la unión p-n.
 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de
carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en
electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la
batería y se desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se
introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería.
De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de
valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente eléctrica constante hasta el
final.
Polarización inversa de un diodo[editar]

Polarización inversa del diodo pn.

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona
n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se
alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a continuación:

 El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen

del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la
batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los átomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital
de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia,
ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en
iones positivos.
 El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona
p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez
que han formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7
electrones de valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es que
cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de
estos huecos con lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su
orbital de valencia) y una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.
 Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial eléctrico que la batería.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de
la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la
unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente inversa
de saturación. Además, existe también una denominada corriente superficial de fugas la
cual, como su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del
diodo; ya que en la superficie, los átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos
para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que
los átomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su
orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a través de ellos. No
obstante, al igual que la corriente inversa de saturación, la corriente superficial de fuga es
despreciable.
Curva característica del diodo[editar]

Curva característica del diodo.

 Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide
en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la
corriente ligeramente, alrededor del 1 % de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión
externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para
pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de
corriente.
 Corriente máxima (Imax ).
Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por
el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo,
depende sobre todo del diseño del mismo.
 Corriente inversa de saturación (Is ).
Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la
formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica
por cada incremento de 10 °C en la temperatura.
 Corriente superficial de fugas.
Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización inversa),
esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión,
aumenta la corriente superficial de fugas.
 Tensión de ruptura (Vr ).
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.
Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de
saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensión, en el diodonormal o
de unión abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos,
como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:
 Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan pares
electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energía cinética de forma que al
chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción.
Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión, chocando con
más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El resultado es unaavalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se produce para valores de
la tensión superiores a 6 V.
 Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material, menor es la
anchura de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como
cociente de la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto
d sea pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de 3·105 V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementándose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener,
se puede producir por ambos efectos.
Modelos matemáticos[editar]
El modelo matemático más empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford
Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las
aplicaciones. La ecuación que relaciona la intensidad de corriente y la diferencia de
potencial es:

Donde:

 I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo

 VD es la diferencia de tensión entre sus extremos.
 IS es la corriente de saturación (aproximadamente  )
 n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que
suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
El Voltaje térmico VT es aproximadamente 25.85 mV en 300 K, una temperatura cercana a la
temperatura ambiente, muy usada en los programas de simulación de circuitos. Para cada
temperatura existe una constante conocida definida por:

Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta de la unión pn, y q es

la magnitud de la carga de un electrón (la carga elemental).
La ecuación de diodo ideal de Shockley o la ley de diodo se deriva de asumir que solo los
procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al campo eléctrico),
difusión, y la recombinación térmica. También asume que la corriente de recombinación
en la región de agotamiento es insignificante. Esto significa que la ecuación de Shockley
no tiene en cuenta los procesos relacionados con la región de ruptura e inducción por
fotones. Adicionalmente, no describe la estabilización de la curva I-V en polarización
activa debido a la resistencia interna.
Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuación del diodo es insignificante. y la
corriente es una constante negativa del valor de Is. La región de ruptura no está modelada
en la ecuación de diodo de Shockley.
Para voltajes grandes, en la región de polarización directa, se puede eliminar el 1 de la
ecuación, quedando como resultado:

Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean modelos aún

más simples, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos;
son los llamados modelos de continua o de Ram-señal. El más simple de todos es
el diodo ideal.

Tipos de diodo semiconductor[editar]

Varios diodos semiconductores, abajo: un puente rectificador. En la mayoría de los diodos,

el terminalcátodo se indica pintando una franja blanca o negra.

Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto físico, impurezas, uso
de electrodos, que tienen características eléctricas particulares usados para una
aplicación especial en un circuito. El funcionamiento de estos diodos es fundamentado
por principios de lamecánica cuántica y teoría de bandas.
Los diodos normales, los cuales operan como se describía más arriba, se hacen
generalmente de silicio dopado o germanio. Antes del desarrollo de estos diodos
rectificadores de silicio, se usaba el óxido cuproso y el selenio: su baja eficiencia le dio
una caída de tensión muy alta (desde 1,4 a 1,7 V) y requerían de una gran disipación
de calor mucho más grande que un diodo de silicio. La gran mayoría de los diodos pn
se encuentran en circuitos integrados CMOS, que incluyen dos diodos por pin y
muchos otros diodos internos.

 Diodo avalancha (TVS): Diodos que conducen en dirección contraria cuando el

voltaje en inverso supera el voltaje de ruptura, también se conocen como diodos
TVS. Electricámente son similares a los diodos Zener, pero funciona bajo otro
fenómeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo eléctrico inverso
que atraviesa la unión p-n produce una onda de ionización, similar a una
avalancha, produciendo una corriente. Los diodos avalancha están diseñados
para operar en un voltaje inverso definido sin que se destruya. La diferencia entre
el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de reversa de aproximadamente 6.2 V)
y el diodo zener es que el ancho del canal del primero excede la "libre asociación"
de los electrones, por lo que se producen colisiones entre ellos en el camino. La
única diferencia práctica es que los dos tienen coeficientes de temperatura de
polaridades opuestas (la disipación de calor máxima es mayor en un diodo zener,
es por ello que estos se emplean principalmente en circuitos reguladores de
tensión). Este tipo de diodos se emplean para eliminar voltajes y corrientes
transitorios que pudieran provocar un mal funcionamiento de un bus de datos que
conecte dos dispositivos sensibles a voltajes transitorios.

 Diodo de Silicio: Suelen tener un tamaño milimétrico y, alineados, constituyen

detectores multicanal que permiten obtener espectros en milisegundos. Son
menos sensibles que los fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo p (con
huecos) en contacto con un semiconductor de tipo n (electrones). La radiación
comunica la energía para liberar los electrones que se desplazan hacia los
huecos, estableciendo una corriente eléctrica proporcional a la potencia radiante.

 Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal consiste de un

cable de metal afilado presionado contra un cristal semiconductor,
generalmente galena o de una parte de carbón. El cable forma el ánodo y el
cristal forma el cátodo. Los diodos de cristal tienen una gran aplicación en
los radio a galena. Los diodos de cristal están obsoletos, pero puede conseguirse
todavía de algunos fabricantes.

 Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta

conectada a la fuente, y funciona como un limitador de corriente de dos terminales
análogo al diodo Zener, el cual limita el voltaje. Permiten una corriente a través de
ellos para alcanzar un valor adecuado y así estabilizarse en un valor específico.
También suele llamarse CLDs (por sus siglas en inglés) o diodo regulador de
corriente.

 Diodo túnel o Esaki: Tienen una región de operación que produce una
resistencia negativa debido al efecto túnel, permitiendo amplificar señales y
circuitos muy simples que poseen dos estados. Debido a la alta concentración de
carga, los diodos túnel son muy rápidos, pueden usarse en temperaturas muy
bajas, campos magnéticos de gran magnitud y en entornos con radiación alta. Por
estas propiedades, suelen usarse en viajes espaciales.
 Diodo Gunn: Similar al diodo túnel son construidos de materiales como GaAs o
InP que produce una resistencia negativa. Bajo condiciones apropiadas, las
formas de dominio del dipolo y propagación a través del diodo, permitiendo
osciladores de ondas microondas de alta frecuencia.

Ledes de distintos colores.

 Diodo emisor de luz o LED del acrónimo inglés, light-emitting diode: Es un diodo

formado por un semiconductor con huecos en su banda de energía, tal
como arseniuro de galio, los portadores de carga que cruzan la unión
emiten fotones cuando se recombinan con los portadores mayoritarios en el otro
lado. Dependiendo del material, la longitud de onda que se pueden producir varía
desde elinfrarrojo hasta longitudes de onda cercanas al ultravioleta. El potencial
que admiten estos diodos dependen de la longitud de onda que ellos emiten: 2.1V
corresponde al rojo, 4.0V al violeta. Los primeros ledes fueron rojos y amarillos.
Los ledes blancos son en realidad combinaciones de tres ledes de diferente color
o un led azul revestido con un centelleador amarillo. Los ledes también pueden
usarse como fotodiodos de baja eficiencia en aplicaciones de señales. Un led
puede usarse con un fotodiodo o fototransistor para formar unoptoacoplador.

 Diodo láser: Cuando la estructura de un led se introduce en una cavidad

resonante formada al pulir las caras de los extremos, se puede formar un láser.
Los diodos láser se usan frecuentemente en dispositivos de almacenamiento
ópticos y para la comunicación óptica de alta velocidad.

 Diodo térmico: Este término también se usa para los diodos convencionales
usados para monitorear la temperatura a la variación de voltaje con la
temperatura, y para refrigeradores termoeléctricos para la refrigeración
termoeléctrica. Los refrigeradores termoeléctricos se hacen de semiconductores,
aunque ellos no tienen ninguna unión de rectificación, aprovechan el
comportamiento distinto de portadores de carga de los semiconductores tipo P y
N para transportar el calor.

 Fotodiodos: Todos los semiconductores están sujetos a portadores de carga

ópticos. Generalmente es un efecto no deseado, por lo que muchos de los
semiconductores están empacados en materiales que bloquean el paso de la luz.
Los fotodiodos tienen la función de ser sensibles a la luz (fotocelda), por lo que
están empacados en materiales que permiten el paso de la luz y son por lo
general PIN (tipo de diodo más sensible a la luz). Un fotodiodo puede usarse en
celdas solares, en fotometría o encomunicación óptica. Varios fotodiodos pueden
 empacarse en un dispositivo como un arreglo lineal o como un arreglo de dos
dimensiones. Estos arreglos no deben confundirse con los dispositivos de carga
acoplada.

 Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual que los diodos semiconductores
de unión mencionados anteriormente aunque su construcción es más simple. Se
fabrica una sección de semiconductor tipo n, y se hace un conductor de punta
aguda con un metal del grupo 3 de manera que haga contacto con el
semiconductor. Algo del metal migra hacia el semiconductor para hacer una
pequeña región de tipo p cerca del contacto. El muy usado 1N34 (de fabricación
alemana) aún se usa en receptores de radio como un detector y ocasionalmente
en dispositivos analógicos especializados.

 Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una sección central sin doparse o en otras
palabras una capa intrínseca formando una estructura p-intrínseca-n. Son usados
como interruptores de alta frecuencia y atenuadores. También son usados como
detectores de radiación ionizante de gran volumen y como fotodetectores. Los
diodos PIN también se usan en la electrónica de potencia y su capa central puede
soportar altos voltajes. Además, la estructura del PIN puede encontrarse en
dispositivos semiconductores de potencia, tales como IGBTs, MOSFETs de
potencia y tiristores.

 Diodo Schottky: El diodo Schottky están construidos de un metal a un contacto

de semiconductor. Tiene una tensión de ruptura mucho menor que los diodos pn.
Su tensión de ruptura en corrientes de 1mA está en el rango de 0.15V a 0.45V, lo
cual los hace útiles en aplicaciones de fijación y prevención de saturación en un
transistor. También se pueden usar como rectificadores con bajas pérdidas
aunque su corriente de fuga es mucho más alta que la de otros diodos. Los
diodos Schottky son portadores de carga mayoritarios por lo que no sufren de
problemas de almacenamiento de los portadores de carga minoritarios que
ralentizan la mayoría de los demás diodos (por lo que este tipo de diodos tiene
una recuperación inversa más rápida que los diodos de unión pn. Tienden a tener
una capacitancia de unión mucho más baja que los diodos pn que funcionan
como interruptores veloces y se usan para circuitos de alta velocidad
como fuentes conmutadas, mezclador de frecuencias y detectores.

 Stabistor: El stabistor (también llamado Diodo de Referencia en Directa) es un

tipo especial de diodo de silicio cuyas características de tensión en directa son
extremadamente estables. Estos dispositivos están diseñados especialmente para
aplicaciones de estabilización en bajas tensiones donde se requiera mantener la
tensión muy estable dentro de un amplio rango de corriente y temperatura.

 Diodo Varicap: El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o

varactor, es un diodo que aprovecha determinadas técnicas constructivas para
comportarse, ante variaciones de la tensión aplicada, como
un condensador variable. Polarizado en inversa, este dispositivo electrónico
presenta características que son de suma utilidad en circuitos sintonizados (L-C),
donde son necesarios los cambios de capacidad.