TRANSISTOR

¿Qué es un transistor?
Se llama transistor (del inglés: transfer resistor, “resistor de transferencia”)
a un tipo de dispositivo electrónico semiconductor, capaz de modificar una
señal eléctrica de salida como respuesta a una de entrada, sirviendo como
amplificador, conmutador, oscilador o rectificador de la misma.

Es un tipo de dispositivo de uso común en numerosos aparatos, como relojes,

lámparas, tomógrafos, celulares, radios, televisores y, sobre todo, como
componente de los circuitos integrados (chips o microchips).

Los transistores tienen su origen en la necesidad de controlar el flujo de

la corriente eléctrica en diversas aplicaciones, como parte de la evolución del
campo de la electrónica. Su antecesor directo fue un aparato inventado por
Julius Edgar Lilienfeld en Canadá en 1925, pero no sería hasta mediados de
siglo cuando podría implementarse usando materiales semiconductores (en
lugar de tubos al vacío).
Los primeros logros en este sentido consistieron en la ampliación de la
potencia de una señal eléctrica a partir de conducirla a través de dos puntales
de oro aplicados a un cristal de germanio.

El nombre de transistor fue propuesto por el ingeniero estadounidense John R.

Pierce, a partir de los primeros modelos diseñados por los Laboratorios Bell. El
primer transistor de contacto apareció en Alemania en 1948, mientras que el
primero de alta frecuencia fue inventado en 1953 en los Estados Unidos.

Estos fueron los primeros pasos hacia la explosión electrónica de la segunda

mitad del siglo XX, que permitieron, entre muchas otras cosas, el desarrollo de
las computadoras.

En la construcción de los transistores hoy en día se emplean materiales como

germanio (Ge), silicio (Si), arseniuro de galio (GaAs) o aleaciones de silicio y
germanio o silicio y aluminio. Dependiendo del material usado, el dispositivo
podrá resistir una cantidad determinada de tensión eléctrica y
una temperatura máxima de calentamiento por resistencia.
 ¿Cómo funciona un transistor?

Los transistores operan sobre un flujo de corriente, operando como

amplificadores (recibiendo una señal débil y generando una fuerte) o como
interruptores (recibiendo una señal y cortándole el paso) de la misma. Esto
ocurre dependiendo de cuál de las tres posiciones ocupe un transistor en un
determinado momento, y que son:

 En activa. Se permite el paso de un nivel de corriente variable (más o

menos corriente).

 En corte. No deja pasar la corriente eléctrica.

 En saturación. Deja pasar todo el caudal de la corriente eléctrica (corriente

máxima).

 En este sentido, el transistor funciona como una llave de paso de una

tubería: si está totalmente abierto deja entrar todo el caudal del agua, si
está cerrado no deja pasar nada, y en sus posiciones intermedias deja
pasar más o menos agua.
  Ahora bien: todo transistor se compone de tres elementos: base, colector
y emisor. La primera es la que media entre el emisor (por donde entra el
caudal de corriente) y el colector (por donde sale el caudal de corriente).
Y lo hace, a su vez, activada por una corriente eléctrica menor, distinta de
la que modulada por el transistor.

 De esta manera, si la base no recibe corriente, el transistor se ubica en

posición de corte; si recibe una corriente intermedia, la base abrirá el flujo
en determinada cantidad; y si la base recibe la suficiente corriente,
entonces se abrirá del todo el dique y pasará el total de la corriente
modulada.

 Se entiende así que el transistor opera como un modo de controlar la

cantidad de electricidad que pasa en determinado momento,
permitiendo así la construcción de relaciones lógicas de interconexión.

Tipos de transistores

Existen diversos tipos de transistores:

 Transistor de contacto puntual. También llamado “de punta de contacto”, es el

tipo más antiguo de transistor y opera sobre una base de germanio. Fue un invento
revolucionario, a pesar de que era difícil de fabricar, frágil y ruidoso. Hoy en día no se le
emplea más.

 Transistor de unión bipolar. Fabricado sobre un cristal de material

semiconductor, que se contamina de manera selectiva y controlada con átomos de
arsénico o fósforo (donantes de electrones), para generar así las regiones de base, emisor
y colector.

 Transistor de efecto de campo. Se emplea en este caso una barra de silicio o

algún otro semiconductor semejante, en cuyos terminales se establecen terminales
óhmicos, operando así por tensión positiva.
 Fototransistores. Se llaman así a los transistores sensibles a la luz, en espectros
cercanos a la visible. De modo que se pueden operar por medio de ondas
electromagnéticas a distancia.

Los circuitos integrados son mejor conocidos como chips o microchips, y son
estructuras pequeñas de silicio u otros semiconductores, en un
encapsulado plástico de cerámica, que solemos hallar en los paneles
electrónicos de artefactos diversos (computadores, calculadoras, televisores,
etc.).

Estos circuitos se componen de numerosos transistores y

resistores diminutos colocados en una lámina, para realizar de modo eficiente
labores de manipulación de una señal eléctrica, como la amplificación.
 Transistor
Transistor

Tipo Semiconductor

Invención John Bardeen, Walter Houser Brattain y William

Bradford Shockley (1947)

Símbolo electrónico

Terminales Emisor, base y colector

 El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar
una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»).
Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de
uso diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes
de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Índice

 1Historia
 2Funcionamiento
 3Tipos de transistor
o 3.1Transistor de contacto puntual
o 3.2Transistor de unión bipolar
o 3.3Transistor de efecto de campo
o 3.4Fototransistor
 4Transistores y electrónica de potencia
 5Construcción
o 5.1Material semiconductor
 6El transistor bipolar como amplificador
o 6.1Emisor común
 7Diseño de una etapa en configuración emisor común
o 7.1Base común
o 7.2Colector común
 8El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica

Historia
El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 1925 1
una patente para lo que él denominó "un método y un aparato para controlar
corrientes eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores
de efecto campo, ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado
sólido del triodo. Lilienfeld también solicitó patentes en los Estados Unidos en los
años 19262 y 1928.34 Sin embargo, Lilienfeld no publicó ningún artículo de
investigación sobre sus dispositivos ni sus patentes citan algún ejemplo específico
de un prototipo de trabajo. Debido a que la producción de materiales
semiconductores de alta calidad no estaba disponible por entonces, las ideas de
Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico en
los años 1920 y 1930, aunque acabara de construir un dispositivo de este tipo. 5
En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña 6 un
dispositivo similar. Cuatro años después, los también alemanes Robert Pohl y
Rudolf Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de Göttingen, con
cristales de bromuro de potasio, usando tres electrodos, con los cuales lograron la
amplificación de señales de 1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos
prácticos.7Mientras tanto, la experimentación en los Laboratorios Bell con
rectificadores a base de óxido de cobre y las explicaciones sobre rectificadores a
base de semiconductores por parte del alemán Walter Schottky y del inglés Nevill
Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era posible lograr la
construcción de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de
vacío.7
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell8
llevaron a cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos
puntuales de oro eran aplicados a un cristal de germanio, se produjo una señal
con una potencia de salida mayor que la de entrada. 9 El líder del Grupo de Física
del Estado Sólido William Shockley vio el potencial de este hecho y, en los
siguientes meses, trabajó para ampliar en gran medida el conocimiento de los
semiconductores. El término "transistor" fue sugerido por el ingeniero
estadounidense John R. Pierce, basándose en dispositivos semiconductores ya
conocidos entonces, como el termistor y el varistor y basándose en la propiedad
de transrresistencia que mostraba el dispositivo.10 Según una biografía de John
Bardeen, Shockley había propuesto que la primera patente para un transistor de
los Laboratorios Bell debía estar basado en el efecto de campo y que él fuera
nombrado como el inventor. Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que
quedaron en el olvido años atrás, los abogados de los Laboratorios Bell
desaconsejaron la propuesta de Shockley porque la idea de un transistor de efecto
de campo no era nueva. En su lugar, lo que Bardeen, Brattain y Shockley
inventaron en 1943 fue el primer transistor de contacto de punto, cuya primera
patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio de 1946, 11a la cual
siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este dispositivo. 121314 En
reconocimiento a este logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados
conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 "por sus investigaciones
sobre semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor". 15
En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los
físicos alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la
Compagnie des Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la
estadounidense Westinghouse. Mataré tenía experiencia previa en el desarrollo
de rectificadores de cristal de silicio y de germanio mientras trabajaba con Welker
en el desarrollo de un radar alemán durante la Segunda Guerra Mundial. Usando
este conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno de la "interferencia" que
había observado en los rectificadores de germanio durante la guerra. En junio de
1948, Mataré produjo resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras
de germanio producidas por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain habían
logrado anteriormente en diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los científicos
de Laboratorios Bell ya habían inventado el transistor antes que ellos, la empresa
se apresuró a poner en producción su dispositivo llamado "transistron" para su uso
en la red telefónica de Francia.16El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicitó la
patente del transistor bipolar de unión17 y el 24 de agosto de 1951 solicitó la
primera patente de un transistor de efecto de campo, 18 tal como se declaró en ese
documento, en el que se mencionó la estructura que ahora posee. Al año
siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron
éxito al fabricar este dispositivo, 19cuya nueva patente fue solicitada el 31 de
octubre de 1952.20 Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el ingeniero Sidney
Darlington solicitó la patente del arreglo de dos transistores conocido actualmente
como transistor Darlington.21
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de
germanio desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams
de Philco Corporation en 1953,22capaz de operar con señales de hasta 60 MHz.23
Para fabricarlo, se usó un procedimiento creado por los ya mencionados
inventores mediante el cual eran grabadas depresiones en una base de germanio
tipo N de ambos lados con chorros de sulfato de indio hasta que tuviera unas diez
milésimas de pulgada de espesor. El Indio electroplateado en las depresiones
formó el colector y el emisor. 24El primer receptor de radio para automóviles que fue
producido en 1955 por Chrysler y Philco; usó estos transistores en sus circuitos y
también fueron los primeros adecuados para las computadoras de alta velocidad
de esa época.2526
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en
enero de 1954 por el químico Morris Tanenbaum. 27El 20 de junio de 1955,
Tanenbaum y Calvin Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento
inventado por ambos para producir dispositivos semiconductores. 28 El primer
transistor de silicio comercial fue producido por Texas Instruments en 1954 gracias
al trabajo del experto Gordon Teal quien había trabajado previamente en los
Laboratorios Bell en el crecimiento de cristales de alta pureza. 29 El primer
transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y
el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960

Funcionamiento
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones
bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y
la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de
circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, 32 a diferencia de
los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.33
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función
amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la
corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, según el tipo
de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado entre
corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros
parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde
se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector
Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores
son emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,
MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el
terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión
presente en el terminal de puerta y gradúa la conductancia del canal entre los
terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se
encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada entre Compuerta y
Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de impulsar los
electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la tensión presente
entre la compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a
gran escala disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden
fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centímetro
cuadrado y en varias capas superpuestas.

Tipos de transistor

Transistor de contacto puntual

Llamado también "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz
de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain.
Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido
que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre
de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día.
Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía
desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión
debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unión bipolar

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre
las de un conductor eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se
contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando
lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con átomos de elementos donantes de electrones, como
el arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores
de carga Positiva o «huecos») se logran contaminando con
átomos aceptadores de electrones, como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas dan como resultado transistores PNP o NPN, donde
la letra intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho
más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de
dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de
contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de
la unión.
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto
de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio
de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico,
tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se
difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente
entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor
y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y
conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial
negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la
conducción en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la
corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.

 Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una

unión PN.
 Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
 Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-
Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada
del canal semiconductor por una capa de óxido.
Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

 Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);

 Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

Transistores y electrónica de potencia

Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como
actualmente los transistores son empleados en conversores estáticos de potencia,
controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores),
aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un
circuito cerrado.

Construcción
Material semiconductor
Características del material semiconductor

Tensión Máxima
Material Movilidad de Movilidad de
directa temperatura de
semiconducto electrones huecos
de la unión unión
r m²/(V·s) @ 25 °C m²/(V·s) @ 25 °C
V @ 25 °C °C

Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100

Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200

GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200

Al-Si 0.3 — — 150 a 200

Los primeros transistores bipolares de unión se fabricaron con germanio (Ge). Los
transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones
avanzadas de microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto
semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la aleación semiconductora de
silicio-germanio (SiGe). El material semiconductor a base de un elemento (Ge y
Si) se describe como elemental.
Los parámetros en bruto de los materiales semiconductores más comunes
utilizados para fabricar transistores se dan en la tabla adjunta; estos parámetros
variarán con el aumento de la temperatura, el campo eléctrico, nivel de impurezas,
la tensión, y otros factores diversos.
La tensión directa de unión es la tensión aplicada a la unión emisor-base de un
transistor bipolar de unión con el fin de hacer que la base conduzca a una
corriente específica. La corriente aumenta de manera exponencial a medida que
aumenta la tensión en directa de la unión. Los valores indicados en la tabla son las
típicos para una corriente de 1 mA (los mismos valores se aplican a los diodos
semiconductores). Cuanto más bajo es la tensión de la unión en directa, mejor, ya
que esto significa que se requiere menos energía para colocar en conducción al
transistor. La tensión de unión en directa para una corriente dada disminuye con el
aumento de la temperatura. Para una unión de silicio típica, el cambio es de –
2.1 mV/°C.34 En algunos circuitos deben usarse elementos compensadores
especiales (sensistores) para compensar tales cambios.
La densidad de los portadores móviles en el canal de un MOSFET es una función
del campo eléctrico que forma el canal y de varios otros fenómenos tales como el
nivel de impurezas en el canal. Algunas impurezas, llamadas dopantes, se
introducen deliberadamente en la fabricación de un MOSFET, para controlar su
comportamiento eléctrico.
Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla
muestran la velocidad media con que los electrones y los huecos se difunden a
través del material semiconductor con un campo eléctrico de 1 voltio por metro,
aplicado a través del material. En general, mientras más alta sea la movilidad
electrónica, el transistor puede funcionar más rápido. La tabla indica que el
germanio es un material mejor que el silicio a este respecto. Sin embargo, el
germanio tiene cuatro grandes deficiencias en comparación con el silicio y
arseniuro de galio:

1. Su temperatura máxima es limitada.

2. Tiene una corriente de fuga relativamente alta.
3. No puede soportar altas tensiones.
4. Es menos adecuado para la fabricación de circuitos integrados.
Debido a que la movilidad de los electrones es más alta que la movilidad de los
huecos para todos los materiales semiconductores, un transistor bipolar n-p-n
dado tiende a ser más rápido que un transistor equivalente p-n-p. El arseniuro de
galio tiene el valor más alto de movilidad de electrones de los tres
semiconductores. Es por esta razón que se utiliza en aplicaciones de alta
frecuencia. Un transistor FET de desarrollo relativamente reciente, el transistor de
alta movilidad de electrones (HEMT), tiene una heteroestructura (unión entre
diferentes materiales semiconductores) de arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs)-
arseniuro de galio (GaAs), que tiene el doble de la movilidad de los electrones que
una unión de barrera GaAs-metal. Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido,
los HEMT se utilizan en los receptores de satélite que trabajan a frecuencias en
torno a los 12 GHz. Los HEMT basados en nitruro de galio y nitruro de galio
aluminio (AlGaN/GaN HEMT) proporcionan una movilidad de los electrones aún
mayor y se están desarrollando para diversas aplicaciones.
Los valores de la columna de Máximo valor de temperatura de la unión han sido
tomados a partir de las hojas de datos de varios fabricantes. Esta temperatura no
debe ser excedida o el transistor puede dañarse.
Los datos de la fila Al-Si de la tabla se refieren a los diodos de barrera de metal-
semiconductor de alta velocidad (de aluminio-silicio), conocidos comúnmente
como diodos Schottky. Esto está incluido en la tabla, ya que algunos transistor
IGFET de potencia de silicio tienen un diodo Schottky inverso "parásito" formado
entre la fuente y el drenaje como parte del proceso de fabricación. Este diodo
puede ser una molestia, pero a veces se utiliza en el circuito del cual forma parte.

El transistor bipolar como amplificador

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-
Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y
colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor
tendremos una tensión igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a
0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente
proporcional a la corriente de base: I C = β IB, es decir, ganancia de corriente
cuando β>1. Para transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300. Existen
tres configuraciones para el amplificador transistorizado: emisor común, base
común y colector común.
Emisor común

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se

conecta al punto de tierra (masa) que será común, tanto de la señal de entrada
como para la de salida. En esta configuración, existe ganancia tanto de tensión
como de corriente. Para lograr la estabilización de la etapa ante las variaciones de
la señal, se dispone de una resistencia de emisor, (R E) y para frecuencias bajas, la
impedancia de salida se aproxima a RC. La ganancia de tensión se expresa:

El signo negativo, indica que la señal de salida está invertida con respecto a la
señal de entrada.
Si el emisor está conectado directamente a masa, la ganancia queda expresada
de la siguiente forma:
Como la base está conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, entre

ellos se puede suponer que existe una tensión constante, denominada   y

que el valor de la ganancia (β) es constante. Del gráfico adjunto, se deduce que la
tensión de emisor es:

Y la corriente de emisor:

.
La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:

Despejando la corriente de colector:

La tensión de salida, que es la de colector se calcula así:

Como β >> 1, se puede aproximar:

y, entonces es posible calcular la tensión de colector como:

La parte entre paréntesis es constante (no depende de la señal de entrada), y la

restante expresa la señal de salida. El signo negativo indica que la señal de salida
está desfasada 180º respecto a la de entrada.
Finalmente, la ganancia es expresada como:

La corriente de entrada,  , si   puede expresarse como sigue:

Suponiendo que  , podemos escribir:

Al dividir la tensión y corriente en la base, la impedancia o resistencia de entrada

queda como:

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de

transistor más elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

Diseño de una etapa en configuración emisor común

Recta de carga
Esta recta se traza sobre las curvas características de un transistor que

proporciona el fabricante. Los puntos para el trazado de la misma son:   y

la tensión de la fuente de alimentación 
En los extremos de la misma, se observan las zonas de corte y de saturación, que
tienen utilidad cuando el transistor actúa como interruptor. Conmutará entre ambos
estados de acuerdo a la polarización de la base.
La elección del punto Q, es fundamental para una correcta polarización. Un criterio

extendido es el de adoptar  , si el circuito no posee  . De contar con 

 como es el caso del circuito a considerar, el valor de   se medirá

desde el colector a masa.
El punto Q, se mantiene estático mientras la base del transistor no reciba una
señal.
Ejercicio

Procederemos a determinar los valores de 

Datos: 

Esta aproximación se admite porque 

Para que el circuito opere en una zona de eficacia, la corriente a través del divisor

de voltaje   y  , debe ser mucho mayor que la corriente de base;

como mínimo en una relación 10:1
  utilizando el valor de   obtenido anteriormente

   

La resistencia dinámica del diodo en la juntura del emisor  , se calcula

tomando el valor del voltaje térmico en la misma, y está dado por: 

Con este valor, se procede a calcular la ganancia de voltaje de la etapa; 

No se toma en cuenta   ya que el emisor se encuentra a nivel de masa para

la señal por medio de  , que en el esquema se muestra como  ;

entonces, la impedancia de salida  , toma el valor de   si el transistor

no tiene carga. Si se considera la carga  ,   se determina por 

 considerando que   tiene el valor  , 

Al considerar la , la ganancia de tensión se ve modificada: 

La impedancia de entrada en la base del transistor para el ejemplo, está dada por 

Mientras que la impedancia de entrada a la etapa, se determina: 

La reactancia de los capacitores no se ha tenido en cuenta en los cálculos, porque

se han elegido de una capacidad tal, que su reactancia   en las frecuencias
de señales empleadas.
Base común

La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se

conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta
configuración se tiene ganancia solo de tensión. La impedancia de entrada es baja
y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente
de emisor sale por la base. Si añadimos una resistencia de emisor, que puede ser
la propia impedancia de salida de la fuente de señal, un análisis similar al
realizado en el caso de emisor común, da como resultado que la ganancia
aproximada es:

La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia
de salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.
Colector común

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se

conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta
configuración se tiene ganancia de corriente, pero no de tensión que es
ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta,
aproximadamente β+1 veces la impedancia de carga. Además, la impedancia de
salida es baja, aproximadamente β veces menor que la de la fuente de señal.

El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica

Antes de la aparición del transistor, eran usadas las válvulas termoiónicas. Las
válvulas tienen características eléctricas similares a la de los transistores de efecto
campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la tensión en el terminal
llamado rejilla. Las razones por las que el transistor reemplazó a la válvula
termoiónica son varias:

 Las válvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de
voltios, que son peligrosas para el ser humano.
 Las válvulas consumen mucha energía, lo que las vuelve particularmente
poco útiles para el uso con baterías.
 El peso: El chasis necesario para alojar las válvulas y los transformadores
requeridos para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba
desde algunos kilos a decenas de kilos.
 El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas, el cual es muy
corto comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor
generado.
 Retardo en el arranque: Las válvulas presentan una cierta demora en
comenzar a funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la
conducción.
 El efecto microfónico: Muy frecuente en las válvulas a diferencia de los
transistores, que son intrínsecamente insensibles a él.
 Tamaño: Los transistores son más pequeños que las válvulas. Aunque
existe unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso
de dispositivos de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el
tamaño que se ha de considerar es el del dispositivo (válvula o transistor) más
el del disipador. Como las válvulas pueden funcionar a temperaturas más
elevadas, la eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores,
con lo que basta un disipador mucho más pequeño.
 Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones
reducidas y corrientes altas; mientras que las válvulas presentan impedancias
elevadas y por lo tanto trabajan con altas tensiones y pequeñas corrientes.
 Costo: Los transistores costaban menos que las válvulas, desde su
lanzamiento inicial y se contó con la promesa de las empresas fabricantes de
que su costo continuaría bajando (como de hecho ocurrió) con suficiente
investigación y desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera
computadora digital, llamada ENIAC, la cual pesaba más de treinta toneladas y
consumía 200 kilovatios, suficientes para alimentar una pequeña ciudad, a causa
de sus aproximadamente 18 000 válvulas, de las cuales algunas se quemaban
cada día, necesitando una logística y una organización importantes para mantener
este equipo en funcionamiento.
El transistor bipolar reemplazó progresivamente a la válvula termoiónica durante la
década de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los años 1960, algunos
fabricantes siguieron utilizando válvulas termoiónicas en equipos de radio de gama
alta, como Collins y Drake; luego el transistor desplazó a la válvula de los
transmisores pero no del todo en los amplificadores de radiofrecuencia. Otros
fabricantes de instrumentos eléctricos musicales como Fender, siguieron utilizando
válvulas en sus amplificadores de audio para guitarras eléctricas. Las razones de
la supervivencia de las válvulas termoiónicas son varias:

 Falta de linealidad: El transistor no tiene las características de linealidad a

alta potencia de la válvula termoiónica, por lo que no pudo reemplazarla en los
amplificadores de transmisión de radio profesionales y de radioaficionados sino
hasta varios años después.[cita  requerida]
 Generación de señales armónicas: Las señales armónicas introducidas por
la falta de linealidad de las válvulas resultan agradables al oído humano, como
demuestra la psicoacústica, por lo que son preferidos por los audiófilos.
 Sensibilidad a explosiones nucleares: El transistor es muy sensible a los
efectos electromagnéticos de las explosiones nucleares, por lo que se
siguieron utilizando válvulas termoiónicas en algunos sistemas de control y
comando de aviones caza de fabricación soviética. [cita  requerida]
 Manejo de altas potencias: Las válvulas son capaces de manejar potencias
muy grandes, a diferencia de la que manejaban los primeros transistores; sin
embargo a través de los años se desarrollaron etapas de potencia con
múltiples transistores en paralelo capaces de conseguir manejo de potencias
mayores.