Procedimiento practico actividad Formativa 1

Polarización transistor JFET

1) Realizar la Polarizacion Fija del transistor JFET, de acuerdo a los datos hallar la resistencia RD para que se cumpla
los valores del Punto (Q) indicado: V DS(Q)=5.5 (V), ID(Q)= 9 (mA), VGS(off)= -3 (V), VGS= -1 (V), IDSS= 20 (mA),
verificar parámetros de Tensión y Corriente en el circuito de acuerdo a los datos que pide la tabla adjunta y llene
la tabla.

ADJUNTE FOTO DE LA SIMULACIÓN

Tabla del inciso 1)

Parámetros a medir Abreviación

Tensión de la fuente VDD VDD
Resistencia de drenador RD RD
Resistencia de Gate RG RG
Tensión de la fuente VGG VGG
Tensión Gate Source VGS
Intensidad Drenador punto (Q) ID (Q)
Voltaje Drenador Surtidor punto (Q) VDS (Q)
 2) Realizar la Autopolarizacion del transistor JFET, de acuerdo a los datos hallar la resistencia RD y RS, para que se
cumpla los valores del Punto (Q) indicado: V DS(Q)=6 (V), ID(Q)= 9 (mA), VGS(off)= -3 (V), VGS= -1 (V), IDSS= 20 (mA),
verificar parámetros de Tensión y Corriente en el circuito de acuerdo a los datos que pide la tabla adjunta y llene
la tabla.

ADJUNTE FOTO DE LA SIMULACIÓN

Tabla del inciso 2)

Parámetros a medir Abreviación

Tensión de la fuente VDD VDD
Resistencia de drenador RD RD
Resistencia de surtidor RS RS
Resistencia de Gate RG RG
Tensión Source VS VS
Tensión Gate Source VGS
Intensidad Drenador punto (Q) ID (Q)
Voltaje Drenador Surtidor punto (Q) VDS (Q)

3) Realizar la Polarizacion por divisor de tension del transistor JFET, de acuerdo a los datos hallar la resistencia RD,
RS, Y R1, para que se cumpla los valores del Punto (Q) indicado: V DS(Q)=8 (V), ID(Q)= 9 (mA), VGS(off)= -3 (V),
VGS= -1 (V), IDSS= 20 (mA), verificar parámetros de Tensión y Corriente en el circuito de acuerdo a los datos que
pide la tabla adjunta y llene la tabla.
ADJUNTE FOTO DE LA SIMULACIÓN

Tabla del inciso 3)

Parámetros a medir Abreviación

Tensión de la fuente VDD VDD
Resistencia de drenador RD RD
Resistencia de Gate RG RS
Resistencia 1 R1 R1
Resistencia 2 R2 R2
Corriente Gate IG IG
Tensión Gate Source VGS
Intensidad Drenador punto (Q) ID (Q)
Voltaje Drenador Surtidor punto (Q) VDS (Q)