REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DE LA FUERZA
ARMADA (UNEFA)
SEDE NAGUANAGUA – NÚCLEO CARABOBO

Bachiller:
Romny peralta C.I: 23413739
7vo semestre
Ing. Telecomunicaciones
Asig: electrónica de las comunicaciones

Naguanagua, febrero del 2021

 Técnicas de modulación en frecuencia (FM)

La desventaja primaria de la FM directa es que se deben sintonizar osciladores

LC, relativamente inestables, para producir la frecuencia de portadora, lo cual excluye el
uso de osciladores de cristal. Por lo anterior, la FM directa requiere la adición de algún
tipo de circuito de control automático de frecuencia para mantener la frecuencia de la
portadora dentro de los estrictos límites de estabilidad de frecuencia de la FCC.

La ventaja obvia de la FM directa es que se obtienen con facilidad desviaciones

relativamente altas de frecuencia e índices de modulación, debido a que los osciladores
son inherentemente inestables.

Moduladores directos de FM

La modulación angular de FM directa es aquella en la que se varía (se desvía) la

frecuencia de la moduladora, en forma directa, mediante la señal moduladora. Con la FM
directa, la desviación instantánea de frecuencia es directamente proporcional a la
amplitud de la señal moduladora. La fig. 6-14 muestra el diagrama de un generador
sencillo (aunque muy impráctico) de FM directa. El circuito tanque (L y Cm), es la
sección determinante de frecuencia, para un oscilador LC normal.

El micrófono de capacitor es un transductor que convierte la energía acústica en

energía mecánica, que se usa para variar la distancia entre las placas de Cm y, en
consecuencia, cambia su capacitancia. Al variar Cm, varía la frecuencia de resonancia.
Así, la frecuencia de salida del oscilador varía en forma directa con la fuente externa de
sonido.

Es FM directa porque cambia la frecuencia del oscilador en forma directa

mediante la señal moduladora, y la magnitud del cambio de frecuencia es proporcional a
la amplitud del voltaje de la señal moduladora. Hay tres métodos comunes para producir
modulación directa de frecuencia: con moduladores de diodo varactor, con moduladores
de reactancia de FM y con moduladores de FM directa en circuito integrado lineal.
 Moduladores con diodo varactor. La fig. 6-15 muestra el diagrama de un
generador más práctico de FM que usa un diodo varactor, para desviar la frecuencia de
un oscilador de cristal. R1 y R2 desarrollan un voltaje de cd que polariza inversamente al
diodo varactor VD1, y determina la frecuencia del oscilador en reposo.

El voltaje de la señal moduladora externa se suma y se resta a la polarización de

cd, con lo que cambia la capacitancia del diodo y, por consiguiente, la frecuencia de
oscilación. Las alternancias positivas de la señal moduladora aumentan la polarización
inversa en VD1, con lo que disminuye su capacitancia y aumenta la frecuencia de
oscilación.

Al revés, las alternancias negativas de la señal moduladora disminuyen la frecuencia de

oscilación. Los moduladores de diodo varactor son muy populares, porque son sencillos
de usar, son confiables y tienen la estabilidad de un oscilador de cristal.
 Moduladores de FM de reactancia. La fig. 6-17a muestra el diagrama de un
modulador de reactancia que usa un JFET (transistor de unión de efecto de campo,
junction field-effect transistor) como dispositivo activo. Esta configuración de circuito
se llama modulador de reactancia, porque el JFET se ve como una carga de reactancia
variable desde el circuito tanque LC. La señal moduladora hace variar la reactancia de
Q1, lo que causa un cambio correspondiente en la frecuencia de resonancia del circuito
tanque oscilador.
 Moduladores directos de FM en circuito integrado lineal. Los osciladores
controlados por voltaje en circuito integrado lineal y los generadores de función pueden
generar una forma de onda de salida de FM directa que es relativamente estable, exacta y
directamente proporcional a la señal moduladora de entrada.

La desventaja primaria de usar VCO y generadores de función en LIC (circuito

integrado lineal, linear integrated circuit) para modulación directa de FM es su baja
potencia de salida y la necesidad de otros componentes externos más para que funcionen,
como por ejemplo capacitores de temporización y resistores para determinación de
frecuencia, así como filtros para las fuentes de energía.

La fig. 6-18 muestra el diagrama simplificado de bloques de un generador de

funciones monolítico, en circuito integrado lineal, que se puede usar para generación
directa de FM. La frecuencia central del VCO se determina con el resistor y el capacitor
externos (R y C). La señal moduladora de entrada, vm(t) _ Vm sen(2_fmt), se aplica en
forma directa a la entrada del oscilador controlado por voltaje, donde desvía la frecuencia
en reposo fc de la portadora y produce una señal de salida de FM. La desviación máxima
de frecuencia se determina con el producto

Modulador de fase Armstrong

En 1933, Edwin H. Armstrong patentó un método para generar modulación de

frecuencia de señales de radio. El método Armstrong genera una señal de portadora
suprimida de doble banda lateral, desplaza esta señal y luego reinserta la portadora para
producir una señal de frecuencia modulada.
 La modulación de frecuencia genera audio de alta calidad y reduce en gran medida
la cantidad de ruido en el canal en comparación con la modulación de amplitud. Las
primeras emisoras usaban modulación de amplitud porque era más fácil de generar que
la modulación de frecuencia y porque los receptores eran más simples de hacer. La teoría
de la electrónica indicó que una señal de frecuencia modulada tendría un ancho de banda
infinito; para una señal de amplitud modulada, el ancho de banda es aproximadamente el
doble de la frecuencia de modulación más alta.

Armstrong se dio cuenta de que, si bien una señal de frecuencia modulada tendría
un ancho de banda infinito, solo los primeros conjuntos de bandas laterales serían
significativos; el resto podría ignorarse. Un ancho de banda de canal de voz modulado en
amplitud sería de aproximadamente 6 kilohercios; un ancho debanda de canal de voz con
modulación de frecuencia común podría ser de 15 kilohercios.

Cómo funciona

El método Armstrong comienza generando una señal portadora a una frecuencia

muy baja, digamos 500 kilohercios. Esta frecuencia está por debajo de lavanda de
transmisión de AM y muy por debajo de la banda de transmisión de FM actual de 88 a
108 mega Hertz. Esta señal portadora se aplica a dos etapas en el transmisor: un
modulador balanceado y un mezclador.

Para comprender cómo funciona un modulador balanceado, es necesario

comprender la modulación de amplitud y cómo funciona. La mayoría de la gente describe
la modulación de amplitud como un método para cambiar la fuerza de la portadora
(amplitud) en sincronía con el audio de modulación. Esto es cierto, la salida de potencia
cambia con la modulación, pero cambia porque cualquier modulador AM genera dos
bandas laterales, una arriba y otra debajo de aportadora.

A medida que la energía entra en estas bandas laterales, la salida de energía

aumenta. La señal de amplitud modulada, entonces, consiste en una portadora de fuerza
constante y dos bandas laterales. Las bandas laterales llevan la información y el
transportador simplemente sigue el viaje. El portador se puede quitar en el transmisor y
volver a insertar en el receptor para permitir que el transmisor ponga toda la potencia en
las bandas laterales.

Un modulador de frecuencia también genera bandas laterales, pero en lugar de

una banda lateral a cada lado de la portadora, genera muchas bandas laterales a cada lado
de la portadora. El ancho de banda de FM es más amplio debido a las muchas bandas
laterales. La potencia de salida de un transmisor de FM es constante con la modulación,
por lo que a medida que la potencia entra en las bandas laterales, la potencia de la
portadora se reduce.

Transistores de potencia

Características

 Ic corriente máxima de colector (o drenador)

 Uceo tensión de ruptura colector – emisor (o drenador - surtidor) con la base (o
puerta) abierta
 Ucesat tensión de saturación colector- emisor (o drenador - surtidor)
 Pmax potencia máxima disipable en régimen continuo

Básicamente, las características de los transistores de potencia dependen del tipo

de transistor, del semiconductor y de la fabricación. Se emplean en germanio (bipolares
de baja tensión), principalmente de silicio y, solo para transistores FET especiales para
amplificadores de comunicación. Lo más común en fabricación es la difusión. La
velocidad de conmutación es grande y se emplean en convertidores cd-cd y cd-ca con
diodos conectados en paralelo inverso para proporcionar flujo bidireccional de corriente
se emplean en aplicaciones de baja a mediana potencia.

Los transistores de potencia se clasifican en 3 categorías que son las

siguientes:

 Transistores bipolares de unión (BJT)

 Transistores Efecto de campo (FET)
 Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT).
 Transistores bipolares de unión (BJT) deforman agregando una segunda región p
o n aun diodo de unión pn. Con dos regiones n y una p, se forman dos uniones, teniéndose
así un transistor NPN, y con dos regiones p y una n, se forma un transistor PNP, como se
ve en la figura posee tres terminales (colector, emisor y base).

El transistor bipolar tiene dos uniones: la unión colector – base (CBJ) y la unión
base –emisor (BEJ).Hay dos regiones n+ para el emisor del transistor NPN, dos regiones
p+ para el emisor de transistor PNP [Secciones transversales de un BJT]

Hay tres configuraciones: colector común, base común y emisor común. La de

emisor común de NPN es la que se usa mayormente en conmutaciones. Para un transistor
PNP se invierten las polaridades de todas las corrientes y voltajes.

Un transistor opera en tres regiones: Región de corte: el transistor está abierto o

apagado, la corriente de base no es suficiente para saturarlo, y las dos uniones están
polarizadas inversamente. Región activa: el transistor actúa como un amplificador, en el
que la corriente de base Sz amplifica una ganancia determinada, y el voltaje colector –
emisor disminuye al aumentar la corriente de base. La unión colector – base (CBJ) esta
polarizada inversamente y la unión colector – emisor (BEJ) esta polarizada directamente.
 Región de saturación: la corriente de base es suficientemente alta como para que
el voltaje colector – emisor sea bajo, y el transistor actúa como un interruptor. Las dos
uniones (CBJ y BEJ) tienen polarización directa.

Transistores Efecto de campo (FET)

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad

una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlarla
conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse
como resistencias controladas por diferencia de potencial.

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente

(source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de
campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado
a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenado y fuente.

Las imágenes son Símbolos esquemáticos para los JFET canal-n y canal-p.
G=Puerta (Gate), D=Drenador (Drain) y S=Fuente Source).) 1- P-chanel. 2 - N-channel.

El Funcionamiento Del Transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En

los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la
corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por
las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan
un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis
y diseño de circuitos.
 Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de
campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación
de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no
conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados
extensísimamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los
circuitos integrados o chips digitales.

Características

 Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).

 No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza Conmutador (Interruptor).
 Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
 Es menos ruidoso.

Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.

Transformador de banda ancha.

Teniendo en cuenta las consideraciones anteriores, y pensando que en el caso de

Amplifica- dores Lineales de Banda Ancha para RF, se requiere tener una respuesta lineal
para varias décadas de frecuencia, y que por lo general establece que este ancho de banda,
debe ser tres veces mayor que la mayor frecuencia de trabajo del amplificador, por lo
tanto, se hace inadecuado el uso del transformador convencional, en cambio los
transformadores de líneas de transmisión tienen un mayor ancho de banda y eficiencia
superior.

Esto se debe a que las inductancias de pérdida y las capacidades de los bobinados
son absorbidas por la impedancia característica de la línea de transmisión, de esta forma
no hay resonancia, la cual limita la respuesta a alta frecuencia.

En un transformador de líneas de transmisión la respuesta en frecuencia estará

limitada por:

 La desviación de la impedancia característica de su valor óptimo.

 Las reactancias parásitas no absorbidas por la línea de transmisión.
  La longitud de la línea de transmisión (en algunas configuraciones del
transformador)

Con líneas de transmisión, el flujo neto fuera del núcleo es cancelado y es posible
tener una muy alta eficiencia en una gran porción de la banda de paso; además las pérdidas
son de sólo 0.02 a 0.04 db. Dependiendo del núcleo utilizado.

Las limitaciones de potencia en los transformadores de líneas de transmisión, está

dada por la capacidad de la línea para manejar la corriente y tensión más que por el tamaño
y las propiedades del núcleo.

Existen básicamente dos configuraciones; una conocida como Guanella y otra

como Ruth- roff; cada una de ellas tiene sus ventajas y desventajas, las cuales serán
completamente analizadas en los puntos siguientes.

Para dar una solución adecuada a estos problemas se recurre a una rotación de los
devanados adoptando la configuración Guanella, en la que la aislación entre la entrada y
la salida la proveen las inductancias de los devanados

LP
L1

Ve Vo Cd/2 Cd/2
L1

LP
Transformador de Guanella

El transformador de Guanella no presenta teóricamente limitaciones en la

respuesta en frecuencia, ya que el camino entre la entrada y la salida del transformador
configura una línea de transmisión con componentes distribuidas Cd y Lp con una pequeña
contribución de las inductancias de dispersión L1 tal cual se ve en la Figura.

Los transformadores de banda ancha o transformadores de Ruthroff, (Figura 3)

son en realidad transformadores de línea de transmisión y son una parte crítica en el
diseño de las etapas de entrada y salida de un amplificador de banda ancha, ya que de
ellos depende en gran parte la performance del amplificador, como ser la linealidad,
eficiencia, la relación de onda estacionaria y la planicidad de la respuesta en frecuencia.

El diseño de los transformadores de línea de transmisión tiene un límite, debido a

la dificultad de diseño para relaciones de transformación muy elevadas y a impedancias
extremas muy altas y extremadamente bajas.

Rg I1+I2 I2

3 4
I1 V
Vg V1 RL
1 2
V1
I1

I2

Transformador de Ruthroff