Laboratorio 2 - Caracterización estática de sensores

Gomez Leonardo1 Corredor edwin2 Huertas Julian3

I. I NTRODUCCIÓN

En este documento se detalla el desarrollo y los resultados

de la caracterización de los sensores capacitivos. El objetivo
de esta practica es identificar cual es el comportamiento de
un sensor de nivel capacitivo construido mediante 2 placas
paralelas, determinar sus lineas de tendencia e implementar
el sensor con los circuitos de acondicionamientos vistos en
clase. Esto se realiza para poder determinar las áreas de
trabajo del sensor.

II. M ATERIALES Y MÉTODOS

A. Materiales Fig. 3. Barra de silicona

• Placas conductoras (baquelitas virgenes de 15X10 cm)

• Transformador 12V junto con sistema de rectificación

Fig. 1. Baquelita Fig. 4. Transformador

• Regla milimétrica
• Fuente de alimentación LM2596

Fig. 5. LM2596
Fig. 2. Regla milimétrica

• Barra delgada de silicona • Multímetro digital

 Rb[1]. La frecuencia de oscilación está dada por la ecuación
1

1 1
f= ≈ (1)
T (RA + 2 ∗ RB ∗ C)))

la duración de los tiempos se calcula mediante las sigu-

Fig. 6. Multímetro
ientes formulas

• módulo generador NE555 Tbaja = 0.7 ∗ (Rb ∗ C)) (2)

T = periodo = Talta + Tbaja (3)

Talta = 0.7 ∗ (Ra + Rb ) ∗ C (4)

Apartir de los valores obtenidos, se implementa el circuito

de generación de señales como se muestra en la figura 9:
Fig. 7. NE555

• Fungibles de acuerdo a los diseños propuestos (resisten-

cias, amplificadores operacionales, capacitores, leds)

B. Métodos
Para esta practica se va a construir un capacitor apartir de
dos placas conductoras en las cuales se alterará la distancia.
Para esto se construirán separadores de diferentes medidas
apartir de la barra de silicona(2mm, 4mm, 6mm, 8mm,
10mm), como se muestra en la figura 8

Fig. 9. Capacitancia vs distancia

la ecuación que modela el comportamiento entre placas

es:

A
C ≈ ε0 ∗ εr ∗ (5)
d
Se implementa el circuito de acondicionamiento y el
generador de frecuencias teniendo en cuenta la figura 10

Fig. 8. Postes de silicona

posteriormente se conectará esta placa al circuito de

acondicionamiento. El circuito cuenta con una fuente fe
alimentación de 9v(figura 5) y una fuente de señal la cual se
construirá mediante el NE555(figura 7). El integrado NE555
es un generador de pulsos y oscilaciones. se configuró el
NE555 como un vibrador astable. Este se caracteriza por
tener una salida continua en forma de onda cuadrada.la
frecuencia para este caso, se estableció a 2 Hz. para realizar
el calculo se establecen los estados altos y bajos los cuales
dependen de los valores de las resistencias, en este caso Ra y Fig. 10. Capacitancia vs distancia
 III. R ESULTADOS
Con la calibración del NE555 a 2KHz como se evidencia
en la figura 10, se procede a realizar la medición de la
capacitancia dependiendo de la separación entre la placa

Fig. 16. separación de 10mm

por medio de la ecuación 5 se obtiene el resultado del valor

del condensador para las diferentes distancias obteniendo
•

1500mm2
C = 1 ∗ 8, 85X10−12 ∗ = 6, 63nF
2mm2
•
Fig. 11. Evidencia de la calibración
1500mm2
C = 1 ∗ 8, 85X10−12 ∗ = 3, 31nF
Al implementar el circuito se realizaron las mediciones y 4mm2
•
se obtuvieron los resultados de las capacitancias al variar la
distancia como se muestra en las evidencias 1500mm2
C = 1 ∗ 8, 85X10−12 ∗ = 2, 21nF
6mm2
•

1500mm2
C = 1 ∗ 8, 85X10−12 ∗ = 1, 66nF
8mm2
•

1500mm2
C = 1 ∗ 8, 85X10−12 ∗ = 1, 32nF
10mm2
Fig. 12. separación de 2mm IV. A NÁLISIS DE RESULTADOS
Se realiza la comparación entre resultados obtenidos teóri-
camente y prácticamente

Distancia Datos teóricos Datos prácticos

2mm 6,69nF 1,58nF
4mm 3.31nF 1,55nF
6mm 2.21nF 1,54nF
8mm 1,66nF 1,54nF
10mm 1,32nF 1,53nF

Fig. 13. separación de 4mm

Datos obtenido en base a la simulación
Distancia Valor Capacitor Voltaje salida
2mm 6,69nF 10v
4mm 3.31nF 8.75v
6mm 2.21nF 7.56v
8mm 1,66nF 6.95v
10mm 1,32nF 6.23v

Datos obtenidos en la practica

Fig. 14. separación de 6mm
Distancia Valor Capacitor Voltaje salida
2mm 1,58nF 9.53v
4mm 1,55nF 9.28v
6mm 1,54nF 8.87v
8mm 1,54nF 8.31v
10mm 1,53nF 7.96

Como se puede ver en la gráfica de la figura 17 el

comportamiento del sensor varía en el modelo teórico es
mayor a lo que se puede evidenciar en los datos recolectados
Fig. 15. separación de 8mm en la practica
 Fig. 17. Capacitancia vs distancia

A continuación se muestra la variacíon del voltaje depen-

diendo de la distancia, pudiendo así visualizar el área de
trabajo del sensor

Fig. 18. Voltaje vs distancia

V. C ONCLUSIONES
• Al momento de realizar el calculo de la capacitancia
de nuestro capacitor, este valor llego a ser afectado
por la silicona ya que este material tiene una constante
dieléctrica diferente a la del aire y afecto el valor del
capacitor en la parte practica versus la parte teórica.
• Entre mas capacitancia tenga el capacitor variable mejor
rectifica la señal, este aumento de capacitancia se debe
a que las placas están mas cerca una de la otra.
• Entre menor sea la resistencia de salida de nuestro
LM358 mejor sera la caída de voltaje y también entra
mayor frecuencia usemos en nuestro generador de señal
nuestra salida antes de la rectificación se asemejara mas
a la onda cuadrada del generador.
R EFERENCES
[1] Septiembre 2014, NE555 Datasheet, Texas Instruments, Dallas-Texas