Electrónica

Conf. 3.

I. Circuitos RC y Diodos.
3. Diodos Semiconductores.
 Electrones y Huecos en un Semiconductor.
 Impurezas Donadoras y Aceptadoras.
 La Unión p-n como Diodo.
 Funciones de los Diodos en los Circuitos. Rectificación. Rectificación de Señales.
Compuerta. Limitador. Protección de Circuitos.
 Análisis detallado del diodo como rectificador. Retificador de media onda.
Retificador de onda completa. El diodo Zener

 Objetivos:
 Explicar cualitativamente los principios físicos que rigen el funcionamiento del diodo
semiconductor.
 Estudiar el papel del diodo semiconductor dentro de los circuitos electrónicos.
 Caracterizar circuitos sencillos de rectificación, compuertas, etc. con diodos
semiconductores.

 Bibliografía:
 Millman J. y Hallkias. “Microelectrónica” sexta edición 1995..
 Boylestad R. y Nashelsky L. “Electrónica: Teoría de Circuitos” decima edición 2009.

 Introducción:
Históricamente habíamos mencionado que la revolución en el campo de la física del estado
sólido en la segunda mitad de los años cuarenta, había traído el surgimiento de los primeros
dispositivos semiconductores. En esta clase vamos a estudiar los más sencillos de estos
dispositivos, el diodo semiconductor, y con esto el estudio de los dispositivos no lineales y como tal
no responde a la Ley de Ohm, ni tienen equivalente de Thevenin.

 Desarrollo:
Para un buen conductor la concentración de electrones libres (n), es del orden de 1023 e/m3,
de ahí su buena conductividad, para un aislante n es muy pequeño, del orden de 107 e/m3, de ahí su
pésima conductividad, mientas que para un semiconductor, n está entre estos dos valores, de aquí
que su conductividad no sea totalmente nula y de ahí su nombre.

Electrones y Huecos en un Semiconductor

El germanio y el silicio constituyen los dos semiconductores más importantes empleados en
los dispositivos electrónicos. Su estructura cristalina está formada por una repetición regular
tridimensional de una célula unitaria que tiene el aspecto de un tetraedro con un átomo en cada
vértice.
Simbólicamente esta estructura se representa en dos dimensiones como sigue:
 (con cuatro electrones de valencia (tetravalente). Su núcleo tiene una carga positiva de +4
medida en unidades de carga electrónica).
La fuerza de enlace entre átomos hace que los electrones de valencia de un átomo son
compartidos con uno de sus vecinos más cercanos.
Y esta circunstancia de que los electrones de valencia sirvan de unión entre átomos hace
que a pesar de que el átomo de Ge o Si tienen cuatro electrones de valencia la conductividad de
este cristal es baja.
A temperaturas bajas (0oK) la estructura ideal, vista anteriormente, es bastante aceptable y el
material se comporta como aislante al no tener electrones (-e) libres. En cambio a temperatura
ambiente algunos de los enlaces covalentes se rompen y resulta posible la conducción.

La energía que se necesita para romper este enlace EG=0,72eV para el Ge y de 1,1eV para el
Si.
Cuando en un enlace covalente falta un electrón, a ese espacio vacio se denomina hueco y
este contribuye a la conductividad, ya que la ausencia de un -e, es propicia para que otro vecino
venga a ocupar su lugar y de esta forma se mueve el hueco a otro enlace. Por lo que al fluir la
corriente eléctrica, los huecos se comportan como cargas positivas de igual valor que la carga del
electrón.
En un semiconductor puro (intrínsico) el número de huecos (p) es igual al número de -e
libres(n). n = p = ni (concentración intrínseca).

Impurezas Donadoras y Aceptadoras

Si a un semiconductor intrínseco, como el Si o el Ge, se le añade un pequeño porcentaje de
átomos trivalentes o pentavalentes, se transforma en un semiconductor dopado, impuro, o
extrínseco.
Donadores: Si la impureza que se añade, tiene cinco electrones de valencia. Se obtiene la
estructura cristalina siguiente:
 Los átomos de la impureza desplazarán algunos átomos del cristal, cuatro de los -e
ocuparán enlaces covalentes, y el otro quedará inicialmente sin enlace y constituirá un portador de
corriente, pues la energía para desligarlo del átomo es solo de 0.01eV para el Ge y 0.05eV para el Si.
Las impurezas pentavalentes más utilizadas son el antimonio, fósforo y arsénico. Debido a que
donan al cristal electrones se les denomina impurezas donadoras o de tipo n.
Aceptadoras: Si se añade una impureza trivalente (boro, galio o indio) a un semiconductor
intrínseco, solo se pueden completar tres de los enlaces covalentes del átomo del semiconductor,
quedando el cuarto como un hueco.

Estas impurezas posibilitan portadores positivos, ya que crean huecos que pueden aceptar
electrones y por tanto se las llama aceptadoras o de tipo p.
Un análisis teórico demostrará que en condiciones de equilibrio térmico, el producto de la
concentración de las cargas positivas y negativas libres es una constante independiente de la
cantidad de atomos de impureza donadora o aceptadora. Np = ni2.
De aquí que las impurezas en un semiconductor intrínseco sirven para producir un conductor
en el que los portadores de electricidad son predominantemente huecos o electrones. En un
semiconductor de tipo n, los electrones son portadores mayoritarios, y los huecos portadores
minoritarios. En uno de tipo p, los huecos son portadores mayoritarios y los electrones minoritarios.

La Unión p-n como Diodo

Si en un lado de un cristal semiconductor se introducen impurezas donadoras y en el otro
lado aceptadoras, quedará constituida una unión p-n como sigue:
 Al inicio solo hay portadores p a la izquierda y portadores n a la derecha. Debido a un
gradiente de concentración a través de la unión, los huecos se difunden hacia la derecha y los
electrones a la izquierda. Y de esta forma neutralizan los átomos de la región central (región de
agotamiento o deplexión). La forma general de la densidad de carga depende de la forma en que
esté dopado el diodo.

La densidad de carga es negativa a la izquierda y positiva a la derecha. Esta distribución

constituye una capa eléctrica bipolar, con líneas de flujo de derecha a izquierda y que corresponde
a una intensidad de campo  como se indica (negativa). También se grafican el potencial
electrostático V y la barrera potencial de los electrones.
 En resumen, en condiciones de circuito abierto para la unión p-n, en el momento inicial la alta
concentración de huecos en el lado p y de e- en el lado n provocan una corriente de difusión. Pero
inmediatamente se forma una barrera potencial que se opone al paso de más portadores
-
mayoritarios (esto puede ser explicado de la misma forma para e y huecos).

A esta unión p-n se le llama diodo semiconductor y se simboliza como sigue:

Si a los extremos del diodo se aplica un potencial externo como se muestra:

(Polarización inversa)

El potencial es tal que tiende a llevar lo huecos de p y los electrones de n hacia los extremos
alejándose de la unión (polarización inversa). Por esta razón los portadores mayoritarios en la
unión disminuyen y por tanto la corriente de ellos se hace cero. La región de deflexión se hace más
ancha y por tanto mayor la barrera potencial.
Sin embargo hay una pequeña corriente causada por el surgimiento de electrones y huecos
por efectos térmicos y su movimiento de un lado a otro de la unión crean una pequeña corriente
llamada, corriente inversa de saturación (I0 ó Is ) del diodo.

Si al diodo se le aplica una polarización como se indica:

(Polarización Directa)

Bajo esta condición la barrera potencial decrece, de la condición de empuje de los

portadores mayoritarios desde sus extremos hacia la unión, lo que hará que lo huecos y electrones
se recombinen con los iones de la región de deflexión, reduciendo esta y por tanto los portadores
sesumergen con las disminuidas barreras potenciales y atraídos por el potencial inverso aplicado
(polarización directa). Y a medida que se aumenta el voltaje aplicado, aumentará la corriente a
través del diodo.
 Para la unión p-n la corriente I se relaciona con V por medio de la ecuación:

I D  I s  e V D /  VT  1 
Siendo:
VT - tensión equivalente de temperatura o voltaje térmico determinado por:
kT T
VT  
q 1 1, 6 0 0

Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta en

grados Kelvin, q la carga del electrón y además ηGe=1 y ηSi=2

A temperatura ambiente T = 3000K, VT = 0.026V = 26mV.

La gráfica que responde a esta ecuación tiene la forma:

V

En conexión directa excepto para un pequeño rango de Vγ (tensión umbral) la corriente

aumenta de forma exponencial. En inversa cuando VD es negativo I es del orden de I0. Vγ=0.2V
para el Ge y 0.6V para el Si.

Funciones de los Diodos en los Circuitos. Rectificación. Rectificación de Señales.

Compuerta. Limitador. Protección de Circuitos.

Rectificación.
El rectificador es un circuito que cambia la corriente alterna a directa. Esta es una de las
aplicaciones más simples y a la vez más importantes de los diodos. En ocasiones a los diodos se
les llama por ello rectificadores.
El rectificador más simple es el que se muestra a continuación:
 Y se le llama rectificador de media onda, pues al aplicársele una entrada sinusoidal de
V max  0, 6V la salida tiene la forma que muestra el gráfico.

Resultando:

Otro rectificador comúnmente utilizado es el rectificador de onda completa en forma de

puente.
 Y el voltaje en la carga R para este rectificador será como muestra el gráfico, donde se
observa que se utiliza toda la onda en la carga. El espacio entre las dos ondas se debe al voltaje
de apertura de los diodos.

Resultando:

Rectificación de señales:
Además de los rectificadores de ac mostrados antes hay otras ocasiones en que se usan los
diodos para obtener señales de una sola polaridad. Si la señal de entrada no es una señal
sinusoidal usualmente no se piensa en un rectificador como en una fuente de rectificación. Ejemplo
de eso es el uso de un rectificador de señal es cuando deseamos obtener un tren de pulso
correspondientes a los frentes de subida de una señal cuadrada. La vía más fácil es rectificar la
onda diferenciada de dicha señal cuadrada.

El tren de pulsos cuadrados al pasar por el circuito CR1 sufre su diferenciación, como se ve
el resultado son pulsos positivos y negativos por cada frente de subida o bajada de la señal
rectangular. El circuito del diodo con R2 rectifica la señal y como resultados se tienen pulsos
posostivos por cada frente de subida de la señal cuadradada como se muestran en la figura
anterior.
 Este circuito no rectifica señales menores que la caida de potencial del diodo (0,6V para el
Si)

Compuerta a base de diodos:

Otra aplicación de los diodos es como compuerta, que después reconoceremos como
compuerta lógica cuando estudiemos electrónica digital y consiste en dejar pasar el voltaje más
alto, sin afectar el menor.
Ej.: Cuando alimentamos un equipo de alta precisión, como un reloj digital y necesitamos que
no se interrumpa su trabajo incluso si falla la corriente, para lo que se agrega una batería de
resguardo.

Mientras hay corriente en la red, la alimentación del reloj la da la fuente de alimentación de

dc a través del diodo horizontal, mientras el diodo vertical protege la batería. Cuando falla la
electricidad y por tanto el voltaje de dc cae a 0V, el diodo vertical conducirá corriente desde la
batería y el reloj no se apaga, el diodo horizontal protege que el voltaje de la batería no valla hacia
la fuente de dc.

Problema de tarea. ¿Cómo modificaría el circuito para que la batería se cargue mientras no
se esté utilizando?

Limitadores o fijadores de voltaje:

A veces es necesario limitar el voltaje de un punto de un circuito, para evitar que este
sobrepase cierto límite indeseable.

Por ejemplo:

Este circuito previene a la salida de voltajes mayores a +5,6V, sin afectar los volatejes
menores a este nivel. Hay que tener cuidado con que los voltajes negativos no sobrpasen los
volatjes de ruptura del diodo que se use.

Problema de tarea. ¿Cómo construiría un limitador de ±5,6V?

Para estos limitadores en ocasiones en lugar de la fuente del voltaje limitador se utiliza un
divisor de voltaje como sigue.
 Desventaja:
El divisor ofrece una resistencia distinta de 0 y carga por tanto la fuente, lo que puede no fijar
bien el voltaje en la salida, por ejemplo al aplicar una señal triangular puede ocurrir lo siguiente:

Solución:
Usar un transistor o un amplificador operacional como veremos más adelante en el curso o
colocar un capacitor grande en la salida del divisor para filtrar la corriente de ac.

Otro uso del diodo como limitador es como restaurador de dc. Esto ocurre cuando una señal
ha sido desacoplada de dc capacitivamente, como se muestra y no deseamos que tenga valores
por debajo de 0V.

Y el último de los usos como limitador que veremos es el siguiente, donde se limita la salida
de la señal a ±0,6V. Circuito muy útil a la entrada de amplificadores de gran ganancia como son
los amplificadores espectrométricos que se usan en instrumentación nuclear.

Protector en circuitos con carga conductiva:

Si se abre un interruptor que está proveyendo a un inductor de corriente ocurre que el voltaje
dI
crece enormemente en ese instante debido a que: V L . Si esto ocurriese se dañarían otros
dV
dispositivos del circuito que controlan dicha carga inductiva.

Ejemplo en el siguiente caso:

 En el momento de desconectar el interruptor, el inductor trata de mantener la corriente
fluyendo y el voltaje en B puede crecer hasta 1000V, dañando el propio interruptor y crea
interferencia inductiva que afecta otros circuitos por los alrededores.

La mejor solución a este problema es conectar un diodo en paralelo al inductor como sigue:

Cuando el interruptor está cerrado (circuito encendido) el diodo está polarizado en inverso.
Cuando se abre, el diodo se polariza en directo, manteniendo en el interruptor sólo el voltaje de A
más la caída en el diodo. Este tipo de diodo debe satisfacer las condiciones de corriente del
momento de desconexión.
Este circuito tiene algunas desventajas al hacer la desconexión lenta, ya que la corriente
en el inductor es proporcional a la diferencia de potencial en él, en este caso una caída de diodo
(0,6V para diodo de Si). Otra limitación es que no puede ser utilizado en corriente alterna, ya que el
diodo conduciría en uno de los semiciclos durante el encendido, en ese caso se usa un circuito RC,
como muestra la siguiente figura:

Estos valores de componentes son típicos para pequeñas cargas inductivas alimentadas con
corriente ac de línea. Este u otro circuito alternativo debe estar presente en todos los equipos con
transformador inductivo conectados a las líneas de ac
.
Análisis detallado del diodo como rectificador. Rectificador de Media Onda
Este análisis lo haremos claro está, utilizando señales variables en el tiempo en forma de
sinusoides, es decir, voltaje ac. Volvamos a los gráficos anteriores del rectificador.
 Durante el intervalo t  0 hasta T/2 la polaridad del voltaje aplicado, cierra el diodo y provoca
el paso de corriente a través de él. De tal forma que el circuito equivalente puede dibujarse como
sigue:

Resultando la salida una réplica de la entrada.

Para el intervalo desde T/2 hasta T, la polaridad de la entrada es inversa, provocando que el
diodo esté abierto y no deja pasar corriente a través de él. Por tanto V0  iR  0 R  0 . De aquí, el
circuito equivalente se puede dibujar:

El valor medio del voltaje en la salida para un rectificador de media onda es:

V
Vdc  0.318Vm Vdc  m 
  
Pero teniendo en cuenta que en el diodo hay una caída de tensión V , entonces si el máximo
de Vi , Vm es del orden de V , entonces:

Vdc  0.318(Vm  V ) .

Cuidado!! Un voltímetro muestra la raíz media cuadrática o valor eficaz de la señal.

Vdc  0.707 Vm  V 

Requisito para el diodo:

PIV  Vm (Voltaje Inverso de Pico para el diodo)

Rectificador de Onda Completa

 El nivel de dc obtenido de una señal sinusoidal puede ser perfeccionado usando un
rectificador de onda completa. El circuito más común que realiza esta función es el del rectificador
en configuración de puente.

Durante el período t  0 hasta T/2 el circuito equivalente y la forma de la señal es como

sigue:

Para la región negativa de la entrada conducen los diodos D1 y D4 resultando la configuración

siguiente:

Después de un ciclo completo la salida es como se observa:

Vdc  2(0.318Vm )

Si se aplica Kirchhoff para calcular los valores de voltaje ocurre que

Vi  V  V0  V  0
V0  Vi  2V ;
Por tanto
 V0 max  Vm  2V
Vdc  0.636(Vm  2V )

El PIV de cada diodo, puede ser determinado del pico de V0.

PIV  Vm

Un segundo también popular rectificador de onda completa es el siguiente, que solo usa dos
diodos, pero necesita un transformador con toma central.

Durante el ciclo positivo de Vi el circuito equivalente será:

Durante el ciclo negativo de Vi el circuito equivalente será:

El voltaje PIV para este circuito se determina por:

PIV  Vsec  VR

 Vm  Vm

PIV  2Vm
El Diodo Zener:
Si volvemos a la característica I  f (V ) para los diodos, hay un punto de la zona de trabajo
en inversa donde la I crece bruscamente y se hace más negativa. A esta se le llama zona zener.

La corriente aumenta rápidamente en dirección opuesta al de la polarización en directa y a

este voltaje, a partir del cual la corriente aumenta bruscamente, se le denomina voltaje zener (VZ)
(Región de avalancha de carga), y los diodos que usan sólo esta parte de la característica se
denominan Diodos Zener. Debido a esto el diodo zener se usa comúnmente como regulador de
voltaje.
Para analizar un circuito con zener hay que tener en cuenta el modelo de diodo en abierto o
cerrado.

Veamos un simple circuito con zener:

RL

El análisis se divide en dos etapas:

1. Se quita el zener y se analizan los voltajes aplicados a este circuito.
 ViRL .
V  VL 
R  RL

2. Se sustituye entonces en el circuito original el equivalente de zener que corresponda según

la relación de V y Vz . Si V  Vz el zener está “on”; si V  Vz el zener esta “off”.

Si se obtiene que el zener esté “on” entonces el circuito equivalente resulta:

Y como el voltaje en elementos en paralelos es el mismo, VL = VZ.

Por ley de Kirchhoff:

IR  IZ  IL ;

IZ  IR  IL ;
Donde
VL V V  VL
IL  e IR  R  i
RL R R

La potencia en el zener es por tanto PZ  I ZVZ y debe ser menor a la PZM (potencia
Máxima) especificada para el zener usado.
Además debe cumplir las condiciones:

I L min  I R  I Z max
VZ
RL max 
I L min

VZ
I L max  , necesaria para que el zener esté “on”.
RL min

Ejercicio:
Para el siguiente circuito calcule VD, VR y ID.
Solución:
Para el cálculo de circuitos con diodos, lo primero esIdeterminar
R si este está “on” o “off”, para
ello sustitúyalo por una resistencia mentalmente y vea si la dirección de la corriente corresponde
con la flecha del diodo y el voltaje de la fuente es mayor que el voltaje de la apertura del diodo.
Después el diodo “on” se sustituye por una fuente de 0,7V (Si) y el “off” por una línea abierta.

En este caso:

VD  V  0, 7V

VR  8V  0, 7V  7,3V

VR 7,3V
ID  IR    3,3181mA
R 2, 2 K

 Conclusiones
De esta forma hemos analizado la unión p-n, luego de ver como es que se llega a
semiconductores de estos tipos, agregando impurezas donadoras o aceptadoras. Vimos el
comportamiento de esta unión como un diodo, permitiendo el paso de corriente en polarización
directa y apenas no permitiendo corriente en polarización inversa. También mostramos este
comportamiento gráficamente ayudados por la ecuación de corriente en un diodo, según la física
del estado sólido.
Hemos visto además en esta clase que los diodos semiconductores además del popular uso
como rectificador de corriente alterna se utilizan para rectificar señales, recortar, servir como
compuerta, limitar niveles de voltaje y proteger circuitos.
Estudiamos además con detalle los rectificadores. Vimos aquí que los rectificadores pueden
ser de media onda (con un diodo) o de onda completa (dos o cuatro diodos). En el caso especial
del diodo zener vimos que se usa esencialmente como estabilizador de voltaje.