Algunos criterios para la selección de parámetros de las hojas de datos

 Selección del hFE en transistores

En las hojas de datos de los transistores bipolares aparecen varios valores para la ganancia
de corriente (hFE), como lo muestran los siguientes ejemplos:
BD140:

BC337:

2N2222:

Como vemos en estos ejemplos, los fabricantes proporcionan diferentes valores del hFE los
cuales dependen de las condiciones de testeo (Ic, VCE y temperatura) como así también del
modelo del transistor (por ejemplo, no es lo mismo BC337 que BC337-25, justamente la
presencia de las dos cifras seguidas al código tiene que ver con el rango del h FE que posee el
dispositivo). Otra cuestión inherente al valor de la ganancia de corriente es si se trata de un
valor mínimo (Min), típico (TYP) o máximo (Max). Estos valores tienen que ver con el lote
de transistores tomados como muestras. Cuando hablamos de valores mínimos, significa que
los valores tabulados en esta columna corresponden al valor mínimo encontrado en el lote
(ejemplo: hFE = 160, caso BC337-25). Cuando nos referimos a valores típicos tabulados, estos
corresponden a lo que típicamente (mayormente) se encontró en el lote de muestras. Por
último, en el caso de los valores máximos tabulados, expresan el máximo encontrado en el
lote (ejemplo: hFE = 300, caso 2N2222). Cabe aclarar que esto de los valores mínimos, típicos
y máximos, se aplica a todas las características técnicas que figuran en las hojas de datos de
componentes y circuitos integrados electrónicos.
Entonces ¿Cual es valor de hFE que usamos para el diseño de circuitos con transistores
bipolares que operan en corte y saturación? Ahora trataremos de responder a esto con las
siguientes consideraciones:
 Consideración 1:
De la hoja de datos debemos escoger el hFE que corresponde al modelo del transistor que
disponemos para el diseño en cuestión (no es lo mismo BC337 que BC337-25).
 Consideración 2:
Las condiciones de testeo correspondientes al hFE a seleccionar, deben “parecerse” a las
condiciones de operación del transistor en cuestión. Por ejemplo, si voy usar un transistor
2N2222 con una corriente de saturación ICsat = 40mA, no sería adecuado utilizar otro rango
distinto de 50  hFE  300 (para IC = 150mA, VCE = 1V VCEsat).
 Consideración 3:
Una vez aplicadas las dos consideraciones anteriores, ahora hay que seleccionar el hFE más
conveniente para el diseño. Esto es a partir de los tres valores posibles que pueden aparecer
en la hoja de datos (Min., TYP. y Max.). Una forma fácil de seleccionar la ganancia de
corriente sería adoptar el valor típico de hFE (si lo tiene la hoja de datos). Es el camino más
sencillo, pero estamos “suponiendo que justo” disponemos de un transistor con hFE típico
(aunque sea lo más probable según el fabricante). Un criterio más apropiado para aplicar en
el diseño, es utilizar un valor de hFE que garantice la corriente IBsat adecuada para la ICsat que
debe manejar el transistor, considerando el rango de dispersión que el fabricante presenta
para el valor de dicha ganancia. Seguidamente se analiza esta situación.
Considerando los valores mínimo y máximo para el h FE, según el criterio de saturación
utilizado para transistores bipolares, se tiene:
ICsat ICsat
IBsat1 =(5 a 10) ; I Bsat2 =(5 a 10)
h FEmin h FEmax

A partir de las ecuaciones anteriores, la resistencia de base de un transistor bipolar (NPN) se

obtiene a partir de:
VBB  VBEon VBB  VBEon
R B1 = ; R B2 =
IBsat1 IBsat2

Siendo IBsat1 > IBsat2, tenemos que RB1 < RB2. Entonces ¿Cuál de los dos resistores utilizamos?
Analicemos lo siguiente:
- Suponemos que se utiliza RB2 (la más grande). Si disponemos de un transistor que posee
una ganancia igual al valor máximo, la corriente resultante en el colector será la de
saturación requerida en el diseño. Pero si el transistor disponible posee una ganancia igual
al valor mínimo, la corriente resultante en el colector será menor que la requerida.
- Ahora suponemos que se utiliza RB1 (la menor). Si el transistor posee una ganancia igual
al valor mínimo, la corriente resultante en el colector será la de saturación requerida en el
diseño. Pero si el transistor posee una ganancia igual al valor máximo, la corriente
resultante en el colector será mayor a la requerida
A partir del análisis anterior, resulta evidente que conviene utilizar RB1 en el diseño. Esto
permite garantizar una corriente ICsat igual o mayor a la deseada, para todo el rango de valores
de hFE indicado por el fabricante. Esto nos da indicios de que valor de hFE conviene utilizar
para hallar la resistencia IBsat, con la cual calculamos RB.

 Selección de VF en displays
Los displays con tamaños superiores a 0,8 pulg presentan en cada segmento arreglos de
LEDs. Con esto, la caída de tensión VF en cada segmento que presenta el fabricante en la
hoja de datos, posee una dispersión importante que debe ser considerada en el diseño.
Veamos algunos ejemplos:

SA10-11CGKWA (display verde de 1,02 pulg.):

SA23-11YWA (display amarillo de 2,3 pulg.):

En los ejemplos anteriores puede notarse que a mayor tamaño del display, la dispersión (VFtyp
a VFmax) es más grande. Veamos como considerar esto en el diseño.
Supongamos que cada segmento del display debe manejarse con un transistor NPN usado
como driver de corriente entre el decodificador de BCD a 7 segmentos y el display (de ánodo
común). Considerando la dispersión de la caída VF, para una corriente deseada ICsat en cada
segmento del display, la resistencia limitadora de corriente en el colector de cada transistor
puede calcularse de la siguiente forma:
VCC  VCEsat max  VFmin VCC  VCEsat max  VFmax
R C1 = ; R C2 =
ICsat ICsat
A partir de las expresiones anteriores, tenemos que R C1 > RC2. Analicemos que sucede si
tomo uno u otro valor de RC:
- Si utilizamos RC1 (la mayor) y cada segmento del display posee una caída VF = VFmin, la
corriente en cada segmento será igual a la ICsat deseada. Ahora, si VF = VFmax la corriente
será menor.
- Si utilizamos RC2 (la menor) y cada segmento del display posee una caída VF = VFmax, la
corriente en cada segmento será igual a la ICsat deseada. Ahora, si VF = VFmin la corriente
será mayor a la deseada.
Con lo anterior podemos ver que es conveniente utilizar la menor de las resistencias
limitadoras (RC1), debido a que con esta puede obtenerse la corriente ICsat deseada o una
superior para todo el rango de dispersión de VF garantizando una buena luminosidad del
display (según la corriente ICsat deseada).

 Efectos de la temperatura
Tanto en componentes electrónicos y circuito integrados la temperatura influye sobre los
valores de sus parámetros. En el caso del hFE aumenta con el incremento de temperatura
mientras que VF (de cualquier diodo semiconductor) disminuye. A efectos simplificativos,
generalmente estas variaciones no se consideran en el diseño de circuitos con transistores
operando en conmutación.

Nota: El análisis relacionado con garantizar las condiciones de operación deseadas en todo
el rango de valores disponibles, es conveniente realizarlo siempre que exista una dispersión
en los valores del parámetro técnico que necesitamos usar en nuestro diseño (por ejemplo:
VCEsat; VBEon; etc.).