REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA.

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA.

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA
FUERZA ARMADA.
INGENIERÍA DE TELECOMUNICACIONES.
5TO SEMESTRE - SECCIÓN: 5S-1610-D01.
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I.

Ganancia de corriente (β) de una

configuración en emisor común.

Prof.: Integrante:
Pérez Ilbert. Ríos Katherine v- 27.488.327.

Caracas, mayo de 2020.

 REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA.
MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA.
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA
FUERZA ARMADA.
INGENIERÍA DE TELECOMUNICACIONES.
5TO SEMESTRE - SECCIÓN: 5S-1610-D01.
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I.

Ganancia de corriente (β) de una configuración en emisor común.

Integrantes:
Ríos Katherine v- 27.488.327.

Prof.: Pérez Ilbert.

RESUMEN

En la práctica se monta un circuito de prueba con un transistor NPN en

la configuración de emisor común, en el cual la entrada se aplica a la base del
transistor y la salida se toma en el colector, el emisor está conectado al punto
común de la entrada y la salida del transistor. En el emisor común la señal se
aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta
a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta
configuración se tiene ganancia tanto de tensión como de corriente y alta
impedancia de entrada. Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través
de la proporción de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector.
El alto dopaje de la región del emisor y el bajo dopaje de la región de la base
pueden causar que muchos más electrones sean inyectados desde el emisor
hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de
corriente emisor común está representada por βF. Esto es aproximadamente
la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en
la región activa directa y es típicamente mayor a 100.
 Introducción:

En estos tipos de montajes en los que la entrada de señal a amplificar

y la salida amplificada se toma con respecto a un punto común, en este caso
el negativo, conectado con el emisor del transistor. Este circuito nos ayudará
a comprender el funcionamiento de un transistor tipo NPN. Participemos de la
base del conocimiento del circuito eléctrico interior del transistor NPN, y de sus
polarizaciones. Se puede decir que un transistor NPN es básicamente un
circuito hecho con dos diodos conectados en oposición y con una toma
intermedia. Su polarización correcta de funcionamiento es la siguiente: V
emisor-base = directa, es decir, el diodo formado por emisor y base debe estar
polarizado directamente. V base-colector = inversa. De esta forma podemos
decir que un transistor está polarizado correctamente cuando lo hagamos
como en el dibujo que sigue. El transistor está en condiciones de funcionar. Es
preciso aclarar que estas tensiones de polarización son más fuertes entre base
y colector que entre base y emisor. En el circuito amplificador, la polarización
del transistor se consigue mediante el dividir la tensión formada por la
resistencia R1 y R2. Con el circuito en reposo (sin V e), podemos saber si el
circuito funciona midiendo las tensiones de polarización y las intensidades de
base, de emisor y de colector. Al amplificar una señal alterna en la entrada,
estamos modificando la tensión de base-emisor del circuito.

Supongamos que en la entrada aparece el semi-ciclo positivo de una

señal alterna. A través del condensador de acople C1, se elevará la tensión de
base, y por tanto, la de base-emisor. Esto hace que aumente I b y se reduzca
la barrera entre base y colector. El resultado es que el transistor conduzca
más, (aumenta la I c), aumenta la VR c y decrece entre colector y emisor (por
tanto también decrece entre colector y masa).

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 PRÁCTICA N° 4 – Ganancia de corriente (β) de una configuración
en emisor común:

2. LA PRÁCTICA:

Objetivo:

Medir los efectos de la variación de IB en IC y a su vez determinar el

valor de β.

MATERIAL NECESARIO:

 Fuente de alimentación: dos fuentes de voltaje de cd bajo.

 Equipo: dos micro miliamperímetros multirrango (o multímetros de
20000 DJV); EVM.
 Resistores: 100 y 4700 ohm a ½ W.
 Semiconductores: 2N3904 con enchufe adecuado.
 Otros: potenciómetros de 2500 y 5000 ohm a 2 W; dos interruptores
para encendido-apagado.
2.1 TRABAJO EN EL LABORATORIO (Metodología):
1. Se Armó el siguiente circuito:

2. Se cerró S1 y S2 Ajuste el valor de R2 a la corriente de base de 10

microamperio. Se ajustó R4 para VCE = 6 V. Se midió el valor de lC.

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3. Se ajustó R2 para que lB = 30microamper. Se ajustó R4 para
mantener VCE en 6 V. Se midió IC.

4. Se ajustó R2 para que lB = 40microamper, se ajustó R4 para

mantener VCE en 6 V. Se midió IC.

5. Se ajustó R2 y R4 para una lB de 50 microamperio y VCE de 6 V. Se

midió IC.

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 6. Se abrió S1 y S2. Se calculó beta con los valores medidos de la tabla.

Resultados:

Tabla Nº1 Mediciones de la corriente

El circuito estudiado es un transistor en emisor común ya que la entrada

se aplica en la base y la salida se toma en el colector, estando el emisor al
punto común. Este circuito es el más utilizado, permite obtener ganancia en

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voltaje, corriente y potencia. El beta de la tabla 1 establece el cociente de la
variación en la corriente del colector, producida por la variación en la corriente
de base. Es decir, beta es el factor de amplificación de la corriente de un
amplificador de emisor común.

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 Conclusión:

Debido a las particularidades encontradas la configuración de emisor

común es, además de la más utilizada, la de mejor asimilación desde el punto
de vista teórico. Desde la perspectiva de las ventajas a aportar podemos
destacar que sus características medias son las mejores, tanto en
amplificación de tensión como de corriente, lo cual se traduce, a su vez, en
una amplificación de potencia bastante aceptable. Otro punto a tener en
cuenta en esta configuración es el mínimo desequilibrio existente entre las
impedancias de entrada y salida. Todo ello conlleva el que sea el circuito de
más sencilla adaptación a cualquier diseño y, por tanto, el más utilizado.
Resulta especialmente adecuado en el acoplamiento entre diferentes etapas.
El conexionado en modo de base común guarda su principal ventaja en su
frecuencia máxima de operación, la cual es bastante elevada. Esto hace que
su uso en amplificadores de alta frecuencia sea relativamente frecuente. Otra
aplicación típica para este montaje es su utilización como adaptador de
impedancias. El montaje en colector común ofrece dos características de
relieve. Por un lado, su distorsión es baja, y por otro resulta la configuración
idónea para trabajar como transformador de impedancias, debido
principalmente a la relación entre la elevada impedancia de entrada frente a la
reducida impedancia que ofrece a su salida.

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 Referencias bibliográficas:

INACAP (s.f). Configuraciones del Transistor. Artículo en línea.

Disponible en:
https://www.emagister.com/uploads_user_home/Comunidad_Emagister_589
6_transistor_2.pdf Consultado el 27 de abril de 2020.

Mulia I. (s.f) Configuración Emisor Común. Artículo en línea. Disponible

en: https://es.slideshare.net/IvanJavierMuliaNava/configuracin-emisor-comn.
Consultado el 27 de abril de 2020.

Clase 13 configuraciones del transistor bipolar. Artículo en línea.

Disponible en:
http://www.labc.usb.ve/paginas/mgimenez/EC1177/Contenido/clase13.pdf
Consultado el 27 de abril de 2020.

W. ELECTRONICA. Configuración emisor común bjt. Blog en línea.

Disponible en: https://wilaebaelectronica.blogspot.com/2017/02/configuracion-
emisor-comun-bjt.html Consultado el 27 de abril de 2020.

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 Anexos:

Configuración de base común

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Curva caracteristica de entrada

Límites del transistor

Polarización del transistor

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