El transistor UJT

El UJT es un dispositivo de tres terminales cuya construcción básica se muestra en la figura 17.35. Una
pastilla de material de silicio tipo n levemente dopado (característica de resistencia incrementada) tiene
dos contactos base fijados a los dos extremos de una superficie y una barra de aluminio ligada a la
superficie opuesta.

Simbólicamente, el transistor UJT se representa de la siguiente forma.

El circuito equivalente del UJT consta de 2 resistencias, una fija y otra variable llamadas R B1
(Variable) que dependerá de IE y RB2 (Fija), además RBB es la resistencia equivalente entre RB1 y
RB2

R BB=RB 1+ R B 2

La letra griega (eta) denota la relación de retiro intrínseca del dispositivo la cual se define como
 RB1 RB1
η= =
R BB R B 1 + RB 2

por lo tanto, la posición de la barra de aluminio determinara los valores relativos de R B1 y RB2 y
por regla del divisor de corriente el valor del voltaje en la resistencia variable V RB1 seria.

RB1
VR = . V =η .V BB
B1
R B 1+ R B 2 BB

De la expresión anterior se deduce que la tensión de cebado del UJT depende de la tensión de
alimentación (VBB), con lo que variando ésta conseguiremos igualmente variar la tensión de
pico. En la Gráfica 5.1 se observa el punto de pico del UJT para una tensión VBB dada,
indicándose con línea de trazos el cebado del elemento. A esta zona se la conoce con el
nombre de zona de resistencia negativa. Representando la curva característica del UJT
tendríamos.

La reducción de la resistencia en la región activa se debe a los huecos inyectados en la pastilla

tipo n desde la barra de aluminio tipo p al establecerse la conducción. El contenido aumentado
de huecos en el material tipo p incrementará el número de electrones libres en la pastilla, lo que
a su vez produce un aumento en la conductividad G y una reducción correspondiente en la
resistencia (R↓=1/G↑). Otros tres parámetros importantes para el transistor de mono unión son
IP, VV e IV. Observe que IEO (mA) no se muestra puesto que la escala horizontal está en
miliamperes. La intersección de cada curva con el eje vertical es el valor correspondiente de V P.
Para valores fijos de η y VD, la magnitud de VP variará como VBB, es decir, siendo VD y η fijos

V P ↑=η V BB ↑+V D
además, se puede representar la grafica de VE en función de IE a una temperatura de
aproximadamente 25 °C.