La integración fotonica esta prevaleciendo como la tecnología dominantes en muchos campos

aparte de las telecomunicaciones, avances de rendimiento energético, precisión y ancho de

banda. Para esto es de vital importancia la disponibilidad de tecnología fotonica, cuyas
principales plataformas son el fosfuro de Indio (InP), que nos ofrece la integración de todos los
componentes fotonicos. Y el Silicio (Si) que ofrece una mejor compatibilidad con el CMOS pero
careciendo de lo que ofrece el InP. En este trabajo se describirá una comparación entre la
fotonica de InP y la fotonica de Si.

La complejidad del chip fotonico a seguido las condiciones de la Ley de Moore.

En la actualidad, los circuitos mas complejos tienes mas de 1500 componentes en un solo chip
pero limitadas por la conectividad eléctrica y la gestión térmica.

Se evidencia un retraso de 30 años para la integración fotonica respecto de la integración

electrónica. El inicio de la integración microelectrónica con el nacimiento del transistor
reemplazando a los tubos de vacio. El incio de la integración fotonica con el nacimiento del
laser y luego la dominancia del CMOS en los ochenta.

Con el aumento de la complejidad del circuito, se hizo mas difícil la relación entre
microelectrónica y fotonica respecto a integración de diseño y tecnología de desarrollo.

Sin embargo, se introdujo procesos de integración genéricas ofreciendo pequeños grupos de

bloques de construcción genéricas que permiten la reutilización de componentes y sub-
circuitos que están disponibles para los diseñadores a través de un kit de diseño de proceso de
llamada (PDK) y la combinación de diseños a través llamadas (MOP), lo que generaba una gran
reducción de costo en prototipos.

La fotónica de Si se carece de fuentes de luz y los amplificadores, lo que limita sus

posibilidades de integración a gran escala. La integración monolítica a base de InP
actualmente ofrece la gama más completa de funcionalidad fotónica.

Los bloques de construcción fotónicos son bloques de construcción más grandes y activos,
con la capacidad de funcionar a niveles de potencia muy altos.