ELECTRÓNICA 1 ELECTRÓNICA 1

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TEORÍA DEL SEMICONDUCTOR cercanía entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atracción
por parte del núcleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se
encuentran en las órbitas exteriores. Estos electrones pueden, según lo dicho
INTRODUCCIÓN
anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequeña energía. En estos recaerá
nuestra atención y es así que en vez de utilizar el modelo completo del átomo de
El término conductor se aplica a cualquier material que permite el flujo generoso silicio (figura 1), utilizaremos la representación simplificada (figura 2) donde se
de carga cuando la fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a través de resalta la zona de nuestro interés.
sus terminales.

Un aislante presenta un nivel muy inferior de conductividad cuando se encuentra

bajo presión de una fuente de voltaje aplicada.

Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad eléctrica puede

considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados
en orden creciente.

Inversamente relacionado con la conductividad esta la resistencia la flujo de carga o

corriente. Es decir a mayor conductividad menor será el nivel de resistencia. La
resistividad (ρ) se mide en ohms-cm (Ω-cm).

R
RA
ρ= ⇒ Ω ⋅ cm
l
La zona sombreada de la figura 2 representa de una manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1
ρ
l 1cm
R =ρ =ρ = ρ ⋅Ω 1 cm
Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la
A 1cm 2 fuerza de atracción del núcleo son cuatro.

l = 1 cm
Tabla de valores representativos de resistividad
Conductor Semiconductor Dieléctrico
−6
ρ ≈ 10 Ωcm ρ ≈ 50Ωcm (Ge) ρ ≈ 10 Ωcm
12
(Cobre) ρ ≈ 50 × 10 Ωcm (Si)
3 (mica)
La tabla anterior muestra los valores representativos de resistividad, a pesar de que
usted este familiarizado con materiales como cobre y mica los elemento Ge y Si le
parecerán nuevos. Estos no son los únicos materiales semiconductores sin embargo
son los semiconductores más conocidos por sus propiedades. Debido a que, como
veremos más adelante, el comportamiento del silicio es más estable que el germanio
frente a todas las perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta normal,
será el primero (Si) el elemento semiconductor más utilizado en la fabricación de los
componentes electrónicos de estado sólido. A él nos referiremos normalmente,
teniendo en cuenta que el proceso del germanio es absolutamente similar.
Como todos los demás, el átomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el núcleo,
como electrones en las órbitas que le rodean. (En el caso del silicio este número es
de 14). El interés del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la
aparición de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Como es
de todos conocido, un electrón se siente más ligado al núcleo cuanto mayor sea su
A pesar de que el enlace covalente asegura un vínculo muy fuerte es posible que los
electrones adquieran suficiente energía para asumir un estado libre. El término libre
manifiesta que su movimiento será sensible a la aplicación de campos eléctricos, a
efectos de energía luminosa en forma de fotones o a la energía térmica. A
temperatura ambiente existen 1.5 x 1010 portadores libres en un cm3 de material de
Silicio y 2.5 x 1013 portadores libres en un cm3 de material de Germanio, por lo que
vemos que el Ge es mejor conductor a temperatura ambiente. La porción de
electrones libre en el germanio es más de 10 veces mayor, la resistividad también
difiere 1000:1 y es así debido a que la resistividad y la conductividad están
inversamente relacionadas.
Un incremento de temperatura de un semiconductor puede ocasionar un incremento
sustancial en el número de electrones libres en el material.
Materiales semiconductores como el Ge y Si que representan una reducción en la
resistencia cuando se incrementa la temperatura se dice que tienen un coeficiente
de temperatura negativo.
En un conductor la resistencia aumenta con la temperatura (coeficiente de
temperatura positivo) debido a que el número de portadores no se incrementa con la
temperatura y por otro lado su patrón de vibración con respecto a una posición fija
dificulta cada vez mas el paso de electrones.

Materia de Lectura 1 Materia de Lectura 2

Materiales semiconductores Materiales semiconductores
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SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO SEMICONDUCTOR DOPADO

Las características de los materiales semiconductores pueden alterarse de manera
importante mediante una adición de ciertos átomos de impureza al material
semiconductor prácticamente puro. A pesar de que estas impurezas se añaden en
una porción de uno por cada 10 millones, pueden alterar la estructura de bandas lo
suficiente para modificar las propiedades eléctricas del material por completo.
Si aplicamos una tensión al cristal de silicio, el positivo de la pila intentará atraer los
electrones y el negativo los huecos favoreciendo así la aparición de una corriente a
través del circuito

Los materiales semiconductores intrínsecos, han sido refinados con el objetivo de

reducir impurezas hasta un nivel muy bajo, tan puros como sea posible mediante la
utilización de la tecnología moderna.

Cuando el silicio se encuentra formado por átomos del tipo explicado en el apartado
anterior, se dice que se encuentra en estado puro o más usualmente que es un
semiconductor intrínseco

Una barra de silicio puro está formada por un conjunto de átomos en lazados unos
con otros según una determinada estructura geométrica que se conoce como red
cristalina.

Si en estas condiciones inyectamos energía desde el exterior, algunos de esos

electrones de las órbitas externas dejarán de estar enlazados y podrán moverse.
Lógicamente si un electrón se desprende del átomo, este ya no está completo,
decimos que está cargado positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o Sentido del movimiento de un electrón y un hueco en el silicio
que ha aparecido un hueco. Asociamos entonces el hueco a una carga positiva o al
sitio que ocupaba el electrón.
Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeño valor, pues son pocos los
El átomo siempre tendrá la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los átomos de silicio. Para
cargas, por lo tanto en nuestro caso, intentará atraer un electrón de otro átomo para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos posibilidades:
rellenar el hueco que tiene.
• Aplicar una tensión de valor superior
Toda inyección de energía exterior produce pues un proceso continuo que podemos • Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde
concretar en dos puntos: el exterior

• Electrones que se quedan libres y se desplazan de un átomo a otro a lo largo La primera solución no es factible pues, aún aumentando mucho el valor de la
de la barra del material semiconductor de silicio. tensión aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solución
elegida es la segunda.
• Aparición y desaparición de huecos en los diversos átomos del semiconductor.

Queda así claro que el único movimiento real existente
dentro de un semiconductor, el de electrones. Lo que
sucede es que al aparecer y desaparecer huecos,
"cargas positivas", en puntos diferentes del
semiconductor, parece que estos se mueven dando Si
lugar a una corriente de cargas positivas. Este hecho,
movimiento de huecos, es absolutamente falso, Los
huecos no se mueven, sólo parece que lo hacen.
Si
Ahora bien, para facilitar el estudio de los
semiconductores hablaremos de corriente de huecos
(cargas positivas), pues nos resulta más cómodo y los
resultados obtenidos son los mismos que los reales.
Flujo huecos
Flujo electrones
Materia de Lectura
Materiales semiconductores
En este segundo caso se dice que el semiconductor está "dopado".
El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de otros
elementos. A estos últimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo
Si Si del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrínseco aparecen
dos clases de semiconductores: el semiconductor tipo P y el tipo N.
+
SEMICONDUCTOR TIPO N
Si Si
Si en una red cristalina de silicio (átomos de silicio enlazados entre sí) sustituimos
uno de sus átomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por
un átomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa exterior,
resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los
átomos de la red y el quinto queda libre. Este electrón sobrante, que tiene un enlace
3 Materia de Lectura 4
Materiales semiconductores
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débil con su átomo, se encuentra relativamente libre para moverse dentro del A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo
material tipo N. P"

Semiconductor dopado tipo P

Observe que ahora existe un número

insuficiente de electrones para completar los
enlaces covalentes de la red. La vacante se
llama hueco y se debe a la ausencia de una
carga negativa. Dado que la vacante
resultante aceptará fácilmente un electrón
libre a la estructura:

Las impurezas difundidas que cuentan con

tres electrones de valencia se denominan
átomos aceptores.

Semiconductor dopado tipo N

A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio
tipo N"
Dado que el átomo de impureza que se insertó, cedió un electrón relativamente libre
a la estructura:
Las impurezas difundidas que cuentan con cinco electrones de valencia se
denominan átomos donores.
OBSERVACIONES
Es importante distinguir que aunque se ha establecido un gran número de portadores
libres en el material tipo N, este permanece con carga eléctricamente neutral, debido
a que de manera ideal, el número de protones con carga positiva que se encuentra
en el núcleo sigue siendo igual al número de electrones libres con carga negativa en
la estructura. Del mismo modo el material tipo p es eléctricamente neutro, por las
mismas razones para el material N.

En esta situación hay mayor número de electrones que de huecos. Por ello a estos Los semiconductores dopados se representan indicando dentro de los mismos el tipo
últimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los de portadores mayoritarios.
electrones

Las Impurezas tipo N más utilizadas en el proceso de dopado son el arsénico, el

antimonio y el fósforo.
Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P

Está claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensión en sus terminales,

las posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del No siempre el índice de dopado de un semiconductor es el mismo, puede ser que
caso de la aplicación de la misma tensión sobre un semiconductor intrínseco o puro. este "poco dopado", "muy dopado", etc.

SEMICONDUCTOR TIPO P Es norma utilizar el signo (+) para indicar que un semiconductor está fuertemente
dopado.
Si en una red cristalina de silicio (átomos de silicio enlazados entre sí) por un átomo
de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior, resulta que estos
tres electrones llenarán los huecos que dejaron los electrones del átomo de silicio,
pero como son cuatro, quedará un hueco por ocupar. Es decir que ahora la
Semiconductor tipo N fuertemente dopado Semiconductor tipo P fuertemente dopado
sustitución de un átomo por otros provoca la aparición de huecos en el cristal de
silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" serán los huecos y los
electrones los portadores minoritarios. Todos los componentes electrónicos en estado sólido que veremos en adelante
(transistores, diodos, tristores) no son ni más y menos que un conjunto de
semiconductores de ambos tipos ordenados de diferentes maneras.

Materia de Lectura 5 Materia de Lectura 6

Materiales semiconductores Materiales semiconductores