UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA Ciclo Académico: 2018-I

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA Fecha: 04/07/18

DEPARTAMENTOS ACADÉMICOS Duración: 1h50´

CURSO: __DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS____________________ COD. CURSO: EE411 M, N, O

TIPO DE PRUEBA: PRACTICA No. Ex. PARCIAL EX. FINAL X EX. SUST.

En las figuras 1 y 2 las reactancias son despreciables y los transistores de silicio, hfe=150.
1. En el circuito de P1, determinar: a) Punto de reposo de cada transistor (2ptos. c/u)
b) Av=vo/vi (2ptos.) c) Zo, Zi (1pto.).
2. En el circuito de la figura 2 calcular: a) El punto de operación: IDS; VDS (2ptos.) b)
Graficar IDS vs VDS. (1pto) c) La ganancia en pequeña señal AV=Vo/Vi (1pto.) d) Zo y Zi
(1pto.) d) Repetir a) y b) si R2 cambia a 400 KΩ (2ptos.); IDSS=15mA,│VT│=2.5v, rds=∞.

P1
3. En los siguientes circuitos evaluar Vo si ViA y ViB son ondas cuadradas que varían entre
0 y 5v tal como se muestran en las gráficas. Para todos los MOS: KPROCESO=100nA/V2 y
VT=1v; (W/L)3 = (W/L)4=1 y (W/L)1 = (W/L)2=100, C=100pF, VDD = 5V. (t en us) (6ptos.)

Los profesores