LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

EXPERIMENTO Nº1
El Diodo Rectificador

I. OBJETIVOS

Utilizar características de operación de los diodos semiconductores.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

 Una fuente de corriente continua variable.

 Un Multímetro.

 Un Miliamperímetro y un Microamperímetro.

 Un diodo semiconductor de SI y GE.

 Un Voltímetro de C.C.

 Resistencia de 100Ω 1

 Cables y conectores.

III. FUNDAMENTO TEÓRICO

Un diodo es un elemento de dos terminales cuya característica tensión-

corriente no es lineal. Está formado por un cristal semiconductor dopado de tal
manera que una mitad es tipo "p" y la otra "n", constituyendo una unión “p - n”. La
terminal que corresponde con la parte "p" se llama ánodo y el que coincide con la "n"
es el cátodo. Este diodo está compuesto por un cristal de silicio o de germanio dopado,
es decir, al que se le han incluido impurezas. El dopado del silicio (o del germanio) se
realiza para variar sus propiedades de semiconductor.

El diodo deja circular corriente a través suyo cuando se conecta el polo

positivo de la batería al ánodo, y el negativo al cátodo, y se opone al paso de la misma
si se realiza la conexión opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para
realizar la conversión de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le
denomina rectificación.

En resumen, son aplicables las condiciones que se describen en la figura 1.2.

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El diodo semiconductor está constituido

fundamentalmente por una unión P-N,
añadiéndole un terminal de conexión a cada uno
de los contactos metálicos de sus extremos y una
cápsula que aloja todo el conjunto, dejando al 2
exterior los terminales que corresponden al ánodo
(zona P) y al cátodo (Zona N)

PRUEBA ESTÁTICA PARA UN DIODO

SEMICONDUCTOR

La resistencia del diodo en polarización

directa debe ser muy baja comprada con el nivel de
polarización inversa. Mientras más alta sea la
corriente, menor será el nivel de resistencia. Para la
situación de polarización inversa la lectura debe ser
bastante alta.

NOTA:

Una alta lectura en la resistencia en ambas direcciones

indica con claridad una condición abierta (dispositivo
defectuoso), mientras que una lectura muy baja de la
resistencia en ambas direcciones quizá indique un
dispositivo en corto.

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IV.INFORME PREVIO:

 Diodo 6A6 Rectificador

El 6A6 es un rectificador pasivado de vidrio con caja de plástico moldeado y terminales
estañados con soldadura pura.

 La banda de color indica la polaridad del extremo del cátodo

 UL94V-0 Grado de inflamabilidad epóxido

 Alta capacidad de corriente

 Alta fiabilidad

 Alta capacidad de corriente de sobretensión

 Baja pérdida de potencia

Especificaciones
 Voltaje de tensión de ruptura: 600 V
 Corriente promedio máxima  IF(AV): 6 A
 Tensión directa VF máxima: 950 mV
 Corriente directa transitoria Ifsm máxima: 250 A
 Temperatura de trabajo máxima: 150°C
 Estilo de la carcasa del diodo: Axial 

 Encapsulado R-6
 2 contactos o pines

 Diodo P600B Rectificador

Tipo de diodo rectificador

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Montaje THT

Tensión de retorno máx. 100V

Corriente conductiva 6A

Corriente conductiva máx. 60A

Estructura del semiconductor diodo individual

Clase de empaquetado Ammo Pack

Carcasa P600
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Tiempo de disponibilidad 1.5µs

Corriente en impulso max. 400A

Corriente conductiva máx. 1.1V

Corriente de fuga 10µA

 Resitencia Dinámica

Cuando en un diodo se le superpone a la continua una pequeña señal (o

sea una señal alterna), aparece para dicha señal una resistencia que depende del punto Q
de funcionamiento. El valor de dicha resistencia se la denomina resistencia dinámica del
diodo. Y como en el caso de la resistencia estática, se la puede calcular de dos formas,
una gráfica y otra analítica. La resistencia dinámica posee dos componentes, una el

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valor de resistencia que presenta la juntura PN (llamado ru), y otro es el valor de la

resistencia óhmica del cuerpo del diodo (llamada rb). O sea la resistencia dinámica es:

rd=ru+rb

Para valores chicos de corriente de polarización (o sea la corriente continua),

predomina ru (ru>>rb), y para valores grandes de corriente predomina rb (rb>>ru).

Gráficamente la resistencia dinámica representa la pendiente de la recta que pasa

por el punto Q.

Δx
rd= 5
La resistencia dinámica se calcula como: Δy

O sea la variación de la tensión dividido la variación de la corriente. Se observa

que para valores grandes de corriente Ay>>Ax con lo cual el valor de resistencia es
chico, y para valores chicos de corriente pasa lo contrario Ax>>Ay con lo cual el valor
de resistencia es grande.

 Polarización directa

Si el terminal positivo de la fuente está conectado al material tipo p y el terminal

negativo de la fuente está conectado al material tipo n, diremos que estamos en
"Polarización Directa".

La conexión en polarización directa tendría esta forma:

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En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente
obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unión. Al moverse los
electrones libres hacia la unión, se crean iones positivos en el extremo derecho de la
unión que atraerán a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo.

Así los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir
hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre
contrario al del electrón.

Lo que le sucede al electrón: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente entra

por el extremo derecho del cristal. Se desplaza a través de la zona n como electrón
libre.

En la unión se recombina con un hueco y se convierte en electrón de valencia. Se

desplaza a través de la zona p como electrón de valencia. Tras abandonar el extremo
izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.

Tensión de ruptura
La tensión de ruptura o voltaje de ruptura de un material no conductor o aislante
eléctrico es el voltajemínimo que debido a que una parte del aislante se
convierta conductora.[1] La 'tensión de ruptura' de un diodo es la mínima tensión
necesaria en polarización inversa para hacer que el diodo conduzca en sentido inverso.

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V.PROCEDIMIENTO:

1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas en inversas del diodo de

silicio. Registrar los datos en la tabla 1.

2. Armar el circuito de la figura 1.

a. Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la corriente y el

voltaje directo de diodo, registrar sus datos en la tabla 2.

b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los

instrumentos como en (a), registrando los datos en la tabla 3.

R. Directa R. Inversa
2.44 MΩ 

TABLA 1. (SI)

Vcc(v) 0.50 0.57 0.67 0.84 0.77 0.92 1.21 1.81 2.31 2.49
Id(mA
0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
)
Vd(v) 0.40 0.50 0.57 0.53 0.61 0.62 0.65 0.64 0.70 0.72
TABLA2

Vcc(v) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0 1.99 3.99 6 8 10 11.99 14.99 19.99
Id(µA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0
TABLA3

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1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de

germanio. Registrar los datos en la tabla 4.

R. Directa R. Indirecta
7.55 KΩ 
TABLA 4

2. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera similar al

paso 2; proceder a llenar la tabla 5 y 6.

Vcc(v) 0 0.18 0.25 0.31 0.44 0.56 0.88 1.25 1.48 1.66 2.03 2.61 8
Id(mA) 0.0 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0 0.17 0.20 0.23 0.26 0.29 0.33 0.37 0.38 0.40 0.42 0.45
TABLA 5

Vcc(v) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Vd(v) 0 0.99 1.99 3.99 5.99 7.98 9.97 11.97 14.85 17.94 19.92
Id(µA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
TABLA 6

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IV.CUESTIONARIO FINAL:
1. Construir el gráfico Id=F(Vd) con los datos de la tabla 2 y 3 (SI) calcular la
resistencia dinámica del diodo.

Id vs25 Vd (polarización directa)

20

15
Corriente (mA)
10

0
0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75
Voltaje (V)

Debido a que la intensidad de corriente (Id) en la zona de crecimiento vertical es 20

mA, entonces podemos remplazarla en la siguiente fórmula (forma diferencial de
la resistencia dinámica): 9
26 mV 26 mV
rd = = =1.3 Ω
Id 20 mA

Id vs Vd
1
(polarización inversa)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
Corriente (µA)
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 2 4 6 8 10 12
Voltaje (V)

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2. Construir el gráfico Id=F(Vd) con los datos 5 y 6 (Ge) resistencia dinámica del
diodo.

Id vs
25
Vd (polarización directa)
20

15

Corriente (mA)
10

0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
Voltaje (V)

En este caso la resistencia dinámica se hallará con la siguiente fórmula: 10

V d 0.4−0.3
rd = = =0.012 KΩ
I d 12.3−4.5

Id vs 1Vd (polarización inversa)

0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
Corriente (µA)
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 5 10 15 20 25
Voltaje (V)

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3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.

 En el gráfico de la curva característica correspondiente a la TABLA 2

podemos notar que a medida que se incrementa la intensidad de
corriente se llega a un donde el voltaje del diodo es casi estable. Este
resultado es de esperarse ya que el diodo de silicio tiene un voltaje en
polarización directa aproximadamente de 0.7 voltios (comercialmente).

 El gráfico de la curva característica correspondiente a la TABLA 3

observamos que pesar de incrementar el voltaje del diodo (Vd) la
corriente a través de este no aumenta. Esto se debe a que la resistencia
del diodo en polarización inversa es muy grande.

 Análogamente en el gráfico de la curva característica correspondiente a la

TABLA 4 se dan las mismas observaciones solo que para el caso del
Germanio (Ge) el voltaje en polarización directa es aproximadamente de
0.3 voltios (comercialmente).
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 Finalmente en la gráfica correspondiente la TABLA 5 no hay se da el paso
de corriente a través del diodo, debido a que este se encuentra
polarizado inversamente.

4. Exponer sus conclusiones en el experimento.

 Lo primero que podemos concluir acerca del diodo semiconductor es que

este dispositivo en de tipo unidireccional, debido a que la corriente
circulara a través de él si es que esta en polarización directa, mientras que
estando en polarización inversa la corriente no lo hará (idealmente).

 Sobre la corriente de polarización inversa o de fuga se puede decir que

idealmente es nula, pero en casos reales se ha comprobado que esta
corriente es del orden de los microamperios (µA) o nanoamperios (nA).

 Se puede notar del contrastes entre las curvas características del diodo
hecho del silicio contra el diodo hecho de germanio, que el primero
alcanza más rápidamente la región de condición en comparación con el
segundo.

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