UNIVERSIDAD NACIONAL JOSÉ

FAUSTINO SÁNCHEZ CARRIÓN

Facultad: FISIE

Escuela: INGENIERÍA ELECTRÓNICA

Curso: DISEÑO ELECTRONICO

Docente: ING. MIRANDA PORTELLA FRANCO JHORDY

Ciclo: VII

alumnos:
 JAIMES CASTILLO JHON ALEXANDER
 LOSTAUNAU CELIS RIVALDO MARCIO
 LUIS MELGAREJO CRISTHIAN ABDON
 BEINGOLEA PADILLA ANGEL ALONSO
 ROSALES GARCIA GIOVANNI FRANCOIS
 PORTAL IPANAQUE KENNY JUNIOR
 CHUQUIYAURI MARQUEZ MONTANA

HUACHO – PERÚ

2020
 ANÁLISIS DE CIRCUITO CON DIODOS
SEMICONDUCTORES

INTRODUCCION

DIODOS SEMICONDUCTORES Es muy fácil distinguir la polaridad

El diodo semiconductor es un
dispositivo que permite el paso de la
corriente eléctrica en una única
dirección. Es importante recalcar
que es de un solo sentido. Y de
forma simplificada, la curva
característica de un diodo consta de
dos regiones:
de este, ya que solo a simple vista
podemos darnos cuenta.
La franga gris representa el catodo,
y por consiguiente la otra parte
negra es el anodo.
SIMBOLO DEL DIODO

Por debajo de cierta diferencia de El símbolo para representar un

potencial, se comporta como un diodo es:
circuito abierto (no conduce).
Y por encima de ella como un corto
circuito con muy pequeña
resistencia eléctrica.
En otras palabras estaríamos
hablando de dos posibles
posiciones: una a favor de la
corriente (polarización directa) y otra La flecha negra ▶ en el símbolo
en contra de la corriente apunta en el sentido de la corriente
(polarización inversa). de avance del diodo, i, que es el
sentido en el que circula la
corriente. El voltaje V del diodo se
POLARIDAD orienta con el signo + en el extremo
en el que la corriente de avance
El diodo semiconductor consta de entra al diodo. Usamos la
una pieza de cristal semiconductor convención de signos para
conectada a dos terminales componentes pasivos. La curva de
eléctricos. color naranja indica también la
polaridad del voltaje.

TEORIA DEL
SEMICONDUCTOR

Un
semiconductor es un elemento
material cuya conductividad
eléctrica puede considerarse
situada entre las de un aislante y la
de un conductor, considerados en
orden creciente.
Los semiconductores más
conocidos son el silíceo (Si) y el
germanio (Ge).
Como todos los demás, el átomo de
silicio tiene tantas cargas positivas
en el núcleo, como electrones en las
órbitas que le rodean. (En el caso
del silicio este número es de 14).
El interés del semiconductor se
centra en su capacidad de dar
Lugar a la aparición de una
corriente, es decir, que haya un
movimiento de electrones. Como es
de todos conocido, un electrón se
siente más ligado al núcleo cuanto
mayor sea su cercanía entre ambos.
Por tanto los electrones que tienen
menor fuerza de atracción por parte
del núcleo y pueden ser liberados
de la misma, son los electrones que
se encuentran en las órbitas
exteriores.
Estos electrónes pueden, según lo
dicho anteriormente, quedar libres al
inyectarles una pequeña energía.
En estos recaerá nuestra atención y
es así que en vez de utilizar el
modelo completo del átomo de
silicio (figura 1), utilizaremos la
representación simplificada (figura
2) donde se resalta la zona de
nuestro interés.
SEMICONDUCTORES
INSINTRECOS
Se dice que un semiconductor es
“intrínseco’ cuando se encuentra en
estado puro, o sea, que no contiene
ninguna impureza, ni átomos de otro
tipo dentro de su estructura. En ese
caso, la cantidad de huecos que
dejan los electrones en la banda de
valencia al atravesar la banda
prohibido será igual a la cantidad
de electrones libres que se
encuentran presentes en la banda
de conducción.
 Cuando se completar ocho electrones y crear
eleva la así un cuerpo sólido semiconductor.
temperatura En esas condiciones el cristal de
de la red
cristalina de
un elemento

semiconductor
intrínseco,
algunos de los enlaces
covalentes se rompen y varios
electrones pertenecientes a la
banda de valencia se liberan de la
atracción que ejerce el núcleo del
átomo sobre los mismos. Esos silicio se ”comportará igual que si
electrones libres saltan a la banda fuera un cuerpo aislante.
de conducción y allí funcionan como
“electrones de conduccion",
pudiéndose desplazar libremente de SEMICONDUCTORES
un átomo a otro dentro de la propia INSINTRECOS (DOPADOS)
estructura cristalina, siempre que el
elemento semiconductor se estimule
con el paso de una corriente
eléctrica.

SEMICONDUCTORES
INSINTRECOS
Estructura cristalina de un
semiconductor intrínseco,
compuesta solamente por átomos
de silicio (Si) que forman uno
celosía. Como se puede observar
en lo ilustración, los átomos de
silicio (que sólo poseen cuatro
electrones en la última órbita o
banda de Valencia), se unen
formando enlaces covalentes para
Sentido convencional
de la corriente
Sentido delos
electrones
El dopaje consiste en sustituir
algunos átomos de silicio por
átomos de elementos a estos
últimos se le conoce con el nombre
de impurezas.
Dependiendo el tipo de impureza
con el que se dopen semiconductor
puro o intrínseco aparecen Dos cristal. En general, hay dos tipos de
clases de semiconductor. átomos dopantes que dan como
resultado dos tipos de
 Semiconductor tipo P.
semiconductores extrínsecos. Estos
 Semiconductor tipo N. dopantes que producen los cambios
controlados deseados se clasifican
como aceptores o donantes de
SEMICONDUCTORES electrones. y los semiconductores
EXTRÍNSECOS dopados correspondientes se
conocen como:

Un semiconductor extrínseco, o
semiconductor dopado, es un  Semiconductor tipo P.
semiconductor, que fue dopado
 Semiconductor tipo N.
intencionalmente con el fin de
modular sus propiedades eléctricas,
ópticas y estructurales. En el caso
de detectores de semiconductores
de radiación ionizante, el dopaje es
la introducción intencional de
SEMICONDUCTOR TIPO P
impurezas en un semiconductor
intrínseco con el fin de cambiar sus
propiedades eléctricas. Por lo tanto,
los semiconductores intrínsecos Se obtiene mediante un proceso de
también se conocen como dopaje añadiendo un cierto tipo de
semiconductores puros o átomos al semiconductor para
semiconductores de tipo i. aumentar el número de portadores
de carga libres positivos o huecos.
Las impurezas aportan vacantes (no
huecos consecuencias del salto de
La adición de un pequeño
un electrón) que tienen un nivel
porcentaje de átomos extraños en la
energético ligeramente superior al
red cristalina regular de silicio o
de la banda de valencia por lo que
germanio produce cambios
los electrones saltarán con más
dramáticos en sus propiedades
facilidad a la vacante que a la banda
eléctricas, ya que estos átomos
de conducción, dejando huecos en
extraños incorporados en la
la banda de valencia. Por ejemplo,
estructura cristalina del
si el silicio fuese dopado con un
semiconductor proporcionan
elemento trivalente, este aportaría
portadores de carga libre
una vacante con un nivel energético
(electrones o agujeros de
superior ligeramente a la banda de
electrones) en el semiconductor. En
valencia, del orden de 0,01 eV.
un semiconductor extrínseco, son
estos átomos dopantes extraños en
la red cristalina los que
proporcionan principalmente los
portadores de carga que transportan
corriente eléctrica a través del
SEMICONDUCTOR TIPO N

Se obtiene mediante un proceso de

dopaje añadiendo un cierto tipo de
átomo al semiconductor para poder
aumentar el número de portadores
de carga libres negativos o
electrones. Los electrones
aportados están más débilmente
vinculados a los átomos del
semiconductor por lo que la energía
necesaria para separarlo del átomo
será menor. Por ejemplo, si el Silicio
fuese dopado por un elemento
pentavalente (As, Sb o P), la
energía necesaria para arranca el
electrón aportado en el dopaje sería
del orden de la centésima parte de
la energía correspondiente a los
electrones de los enlaces
covalentes (en torno a 0,001 eV).

DIODO SEMICONDUCTOR

Un diodo es un componente
semiconductor de dos terminales
que permite la circulación de la
corriente eléctrica a través de él en
un solo sentido. Este término
generalmente se usa para referirse
al diodo semiconductor, el más
común en la actualidad; consta de
una pieza de cristal semiconductor
conectada a dos terminales
eléctricos.
El diodo semiconductor está
constituido fundamentalmente por
una unión P-N, añadiéndole un
terminal de conexión a cada uno de
los contactos metálicos de sus
extremos y una cápsula que aloja
todo el conjunto, dejando al exterior
los terminales que corresponden al
ánodo (zona P) y al cátodo (Zona N)
El diodo deja circular corriente a
través suyo cuando se conecta el
polo positivo de la batería al ánodo,
y el negativo al cátodo, y se opone
al paso de la misma si se realiza la
conexión opuesta. Esta interesante
propiedad puede utilizarse para
realizar la conversión de corriente
alterna en continua, a este
procedimiento se le denomina
rectificación.
En efecto. si se aplica a este diodo
una tensión alterna, únicamente se
producirá circulación de corriente en
las ocasiones en que el ánodo sea
más positivo que el cátodo, es decir,
en las alternancias positivas,
quedando bloqueado en las
ascendencias negativas, lo que
impide el paso de la corriente por
ser en estas ocasiones el ánodo
más negativo que el cátodo.
La corriente resultante será
«pulsante», ya que sólo circulará en
determinados momentos, pero
mediante los dispositivos y circuitos
adecuados situados a continuación
puede ser convertida en una
corriente continua constante, que es
el que se emplea actualmente casi
en exclusiva; presenta sobre el de
vacío algunas ventajas
fundamentales: - Es de tamaño
mucho más reducido, lo que
contribuye a la miniaturización de
los circuitos.
La cantidad de calor generado
durante el funcionamiento es menor,
ya que no necesita ningún - Diodos especiales.
calentamiento de filamento. -
Funciona con tensiones mucho más
bajas, lo que posibilita su empleo en
circuitos alimentados a pilas o
El que el diodo semiconductor
baterías.
pueda dejar pasar la corriente más
Pueden ser utilizados en equipos fácilmente en un sentido que en el
que manejen grandes corrientes, contrario, permite que esta
aplicación que con diodos de vacío propiedad encuentra aplicación en
resultaba prohibitiva en ocasiones la detección de señales de alta
por el gran tamaño de éstos. frecuencia, en la rectificación de
tensión de red para transformarla en
Existen diodos semiconductores de
continua y para bloquear el paso de
muy pequeño tamaño para
corrientes de sentido indeseado.
aplicaciones que no requieran
conducciones de corrientes altas,
tales como la demodulación en
receptores de radio. Estos suelen
estar encapsulados. en una caja
cilíndrica de vidrio con los
terminales en los extremos, aunque
también se utiliza para ellos el
encapsulado con plástico.
Clasificación
Dentro del amplio conjunto de
modelos y tipos diferentes de diodos
semiconductores que actualmente Debido a este comportamiento, se
existe en el mercado, se puede les suele denominar rectificadores,
realizar una clasificación de forma ya que son dispositivos capaces de
que queden agrupados dos en suprimir la parte negativa de
varias familias, teniendo en cuenta cualquier señal, como paso inicial
aquellas características más para convertir una corriente alterna
destacadas y que, de hecho, son las en corriente continua. Su principio
que determinan sus aplicaciones. de funcionamiento está basado en
De esta forma se pueden encontrar los experimentos de Lee De Forest.
las siguientes: - Diodos
rectificadores de toda la gama de
potencias, con encapsulado
individual o en puente. - Diodos de
señal de use general. - Diodos de
conmutación.
- Diodos de alta frecuencia.
- Diodos estabilizadores de tensión.
Otra propiedad de los diodos
semiconductores puede
aprovecharse para estabilizar una
tensión continua cuando se les
aplica una tensión inversa, la
corriente que los atraviesa es
despreciable, mientras esta tensión
no es excesiva. Cuando se
sobrepasa la tensión límite, la
corriente aumenta bruscamente y
crece con gran rapidez hasta llegar
a la destrucción del diodo. Se dice
entonces que el diodo ha entrado en
la región de avalancha. En diodos
especiales (diodo zener) la
avalancha se produce al llegar la
tensión a un valor bien definido, y
un aumento considerable de la
corriente modifica muy poco la
tensión en bornes del diodo.
Gracias a ello pueden realizarse
circuitos reguladores de tensión con
muy pocos componentes.
Internamente, un diodo
semiconductor consiste en una
diminuta porción de un cristal de
germanio, o silicio, que ha sido
previamente sometido a un proceso
de extrema purificación. Luego se
inyecta una cantidad de impurezas
muy bien determinadas, que hace
variar las propiedades eléctricas del
semiconductor, convirtiéndolo en
semiconductor de tipo N.
Finalmente, se inyecta otra dosis de
impurezas de un tipo que produce
propiedades eléctricas de tipo
contrario a las anteriores,
convirtiendo el semiconductor en
tipo P. esta segunda inyección de
impurezas no penetra todo el
volumen del material, como la
primera, sino que su difusión está
limitada a una pequeña profundidad
muy bien determinada.

FISICA DE DIODOS
Un diodo viene a ser un
componente electrónico el cual tiene
como función permitir la circulación
de corriente eléctrica en un sentido,
comúnmente esto se basa en los
diodos semiconductores que si bien
es cierto esto este hecho a base de
cristal de cilicio también esta
dividido por dos regiones que
vienen a ser circuito abierto (no
conduce) y circuito cerrado.
Una de las regiones con carga
positiva se le conoce como tipo P
(ánodo) y ala otra región
lógicamente con carga negativa se
le conoce como tipo N (cátodo) la
unión entre ellos dos genera una
región de agotamiento por
consiguiente, la acumulación de
iones positivos en la zona N y de
iones negativos en la zona P es ahí
donde se genera un genera un
campo eléctrico o mejor dicho una
diferencia de tensión luego de ello
cuando estas dos regiones llegan a
tener el mismo equilibrio pero uno
de los cristales está más dopado
que el otro se llega a decir que la
zona de carga es mucho mayor, y
cuando se aplica una tensión
externa concluimos a decir que el
diodo esta polarizado (directa o
inversa).
EN EL GRAFICO ANTERIOR
PODEMOS APRECIAR LA
FUNCIÓN DE LA REGIÓN DE
AGOTAMIENTO EN LA GRÁFICA
Z.C.E.
POLARIZACION DIRECTA DE UN
DIODO:
Para explicar este caso aremos uso
de una batería, la polarización
directa consiste en conectar la parte
positiva de la batería al ánodo del
diodo y la parte negativa de la
batería al cátodo del diodo cuando
hacemos eso observamos que:
El polo negativo de la batería repele
los electrones libres del cristal
originando una dirección en el
sentido de pasar por la unión PN.
El polo positivo de la batería empuja
a los electrones a los huecos en la
unión PN.
Por consiguiente, cuando los
electrones llegan a saltar a los
huecos en la región P se convierten
el electrón de valencia luego el polo
positivo lo atrae haciéndolo
desplazar de átomo en átomo hasta
llegar al final del cristal, así es como
la batería al ceder electrones en N y
jalando electrones de valencia en P,
en el diodo aparece una corriente
constante hasta el final.
POLARIZACION INVERSA DE UN
DIODO:
En este caso, el polo negativo de la
batería se conecta a la zona p y el
polo positivo a la zona n, lo que
hace aumentar la zona de carga
espacial, y la tensión en dicha zona
hasta que se alcanza el valor de la
tensión de la batería, tal y como se
explica a continuación:
El polo positivo de la batería atrae
electrones de la zona n y a medida
que los electrones dejen esa zona
los átomos que eran neutros (atraen
8 electrones de valencia) con carga
positiva +1 convirtiéndolos en iones
positivos.
El polo negativo por su parte tiene
átomos (con 8 electrones de
valencia) con carga negativa -1
convirtiéndolos en iones negativos.
Concluyendo este proceso se repite
varas veces hasta que la zona
adquiere un potencial eléctrico,
conste que el diodo no debería
conducir corriente en estos casos,
pero debido a la temperatura se
formaran pares de electrones
ocasionando una corriente pequeña
de 1microAmp.
Polarización inversa de un diodo:
CURVA CARACTERIZTICA DE UN
DIODO:
Tensión de umbral de codo o de
partida:
también llamada barrera de
potencial consiste en que cuando el
valor la polarización directa coincide
en valor con el potencial espacial, el
potencial se va a reducir mientras
que la corriente aumentará sin
embargo cuando la tensión externa
supera ala tensión umbral la barrera
de potencial desaparecerá
Corriente máxima (Imax):
Es la intensidad de corriente
máxima que puede conducir el
diodo sin fundirse por el efecto
Joule. Dado que es función de la
cantidad de calor que puede disipar
el diodo, depende sobre todo del
diseño del mismo.
Corriente inversa de saturación
(Is):
Es la pequeña corriente que se
establece al polarizar inversamente
el diodo por la formación de pares
electrón-hueco debido a la
temperatura, admitiéndose que se
duplica por cada incremento de 10º
en la temperatura.
Corriente superficial de fugas:
Es la pequeña corriente que circula
por la superficie del diodo (ver
polarización inversa), esta corriente
es función de la tensión aplicada al
diodo, con lo que, al aumentar la
tensión, aumenta la corriente
superficial de fugas.
Tensión de ruptura (Vr):
Es la tensión inversa máxima que el
diodo puede soportar antes de
darse el efecto avalancha.
Efecto avalancha (diodos poco
dopados):
si la tensión inversa es elevada los
electrones se aceleran
incrementando su energía cinética
de forma que al chocar con
electrones de valencia pueden
provocar su salto a la banda de
conducción. Estos electrones
liberados, a su vez, se aceleran por
efecto de la tensión, chocando con
más electrones de valencia y
liberándolos a su vez. El resultado
es una avalancha de electrones que
provoca una corriente grande. Este
fenómeno se produce para valores
de la tensión superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy
dopados):
En estas condiciones, el propio
campo puede ser capaz de arrancar
electrones de valencia
incrementándose la corriente. Este
efecto se produce para tensiones de
4 V o menores.

curva característica del diodo:

DIODOS RECTIFICADORES
Un diodo rectificador es uno de los
dispositivos de la familia de los
diodos más sencillos. El nombre
diodo rectificador” procede de su
aplicación, la cual consiste en
separar los ciclos positivos de una
señal de corriente alterna.
Si se aplica al diodo una tensión de
corriente alterna durante los medios
ciclos positivos, se polariza en
forma directa; de esta manera,
permite el paso de la corriente
eléctrica. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Pero durante los medios ciclos
negativos, el diodo se polariza de
manera inversa; con ello, evita el
paso de la corriente en tal sentido. Los rectificadores de media onda
Durante la fabricación de los diodos producen una mayor cantidad de
rectificadores, se consideran tres ondulaciones que los rectificadores
factores: la frecuencia máxima en de onda completa, por lo tanto es
que realizan correctamente su recomendable utilizar un
función, la corriente máxima en que condensador para suavizar y de
pueden conducir en sentido directo esta manera eliminar la frecuencia
y las tensiones directa e inversas armónica de corriente alterna (CA)
máximas que soportarán. de la salida de corriente directa
Una de las aplicaciones clásicas de
(CD).
los diodos rectificadores, es en las
fuentes de alimentación; aquí, El siguiente circuito es la
convierten una señal de corriente representación de un rectificador de
alterna en otra de corriente directa. media onda:
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
CON FILTRO POR
Rectificador de onda completa
CONDENSADOR
El circuito rectificador de onda
Al agregar un condensador en
completa es un circuito en el que
paralelo a la carga (RL) al circuito
nos permite aprovechar ambos
como se muestra provocará que la
semiciclos de la corriente alterna y
cantidad de ondulaciones presentes
obtener corriente directa, aunque
en la salida de corriente directa
los resultados de las ondas
(CD) se reduzca
aparentan ser similares a la
considerablemente. Para eliminar
rectificación de media onda es
grandes cantidades de frecuencias
posible observar diferencias y
armónicas de corriente alterna en la
ventajas al emplear una rectificación
salida de corriente directa se puede
de onda completa, se puede
reducir utilizando condensadores de
observar niveles de intensidad
mayor valor, pero existen límites
superiores y la caída de tensión es
tanto en costo como en tamaño
menor al aplicar una carga a
para los tipos de suavizado.
nuestro circuito(En este caso la
carga sería RL). Para poder hacer
una rectificación de onda completa
es necesario un transformador de
toma central o cuatro diodos en la
configuración de “puente de diodos”.
Es recomendable utilizar un
transformador con toma central en
el devanado secundario, con esto
se puede lograr una mayor
eficiencia en la rectificación de onda
completa.

PUENTE RECTIFICADOR
El puente rectificador o también
conocido como puente de Graetz es
un circuito electrónico que produce
una salida de corriente directa
simular a un rectificador de onda
completa, este tipo de circuito
requiere de cuatro diodos los cuales
deben ser colocados como se
muestra en la Figura, el puente
rectificador permite la rectificación
de onda completa de un
transformador que no tenga una
toma central(tap central).