RoLl.32! Baseeum ENCiclopedia de la _____. Ber oe D182 Vy f-2 INGENIERIA Y TECNICA Charles Belove Departamento de Ingenieria Eléctrica y Computacion Florida Atlantic University Boca Raton, Florida Director de la version en espaitol Francisco Paniagua B., I.M.E. Universidad Nacional Auténoma de México ‘Consultor Editorial de Ingenierfa Eléctiva Miembro de la U.S. Metrie AssociationEo una obra det GRUPO EDITORIAL OCEANO Presidente sos Lis Monveal Diractor General sosé M? Mat Director General de Publicaciones Carlos Gispert Versién eepafola de la edisién original de Charlee Bslove “Handbook of Modern Electroaiss and Electrical Engineering” publicada por John Wiley & Sons, Nueva York, EE.UU. ‘VERSION ORIGINAL ‘Consejo Editorial: Philip Hopkins ‘Milton Rosenstein Lockheed Engineering and New York Institute of Technology Management Seavies, Co, To. ‘Old Westbury, Nueva Youk Houston. Texas ‘Stanley Shinners award Newon Tete, Nueva York New York Insitute of Technology (Old Westbury, Nueva York ‘VERSION ESPAROLA Supervision Editorial: Pedro Basurto Samperio Edicion: Begodia Robles Direcein Editorial: Marta Bueno ‘Traduceién: Roberto Palacios Mariner Juan Carlos Vega Fagoaga. Licenciado en Ciencias Ingenieria en Sistemas Universidad AutSnoma de Baja California osé Rafael Blengio Pinto Medico Ciryano Hugo Villagémes Velésquee Universidad Nacional Auténoma Licenciado en Fisica y Mateméticas de México Instituto Politecnico Nacional, México Doctor en Ciensios Mi Dolores Garcia Diaz Universidad de Paris, Franc ‘Traductora Especializada en Ciencias © MCMLXXXVI Edicién Original John Wiley & Sons, Ine. @MCMXC Ecicion Espanola Ediciones Centrum Técnicas y Cienificas Paseo de Gracia, 26 — 08007 Barcelona — Espafia ‘Tel (99) 301 01 82 — Telex 51 735 exit ¢ — Fax (99) 31797 OL Revervalos won los Uerecivn. Quedan sigurosamente prohibidas, sin a autorizacin csrita de fos titlares del copyright, baio las sanciones establecidas en las eyes, la reproduecin total o parcial de ‘esta obra por cualquier medio o procedimiento, comprendides la reprografiay el tratamiento infor matic, y la dsmibucton de cjemplares ve ells meviantealquies v présiamo pbs, ISBN Ealeion espanola obra completa: 84-7841-0163 ISRN Fulci espafila volumen 2: 84-7841-018-X ISBN Edicién original: 0-¢71-097543 Ampreso en Espana — Printed in Spain Depéeito lal B: 2007-91 Ex) Imprime: HUROPE, S.A. ‘Refaredo, 24 Barcelonaindice de TERCERA PARTE (CONTINUACION) COMPONENTES 13, Elementos circuitales concentrados actives (cont.), 237 ‘Mark B. Barron, Henry Domingos 'y George H. Ebel Circuitos integrados, 273 Girenitos hibridos: de pelienla gruesa y de pelicula delgada, 300 Otros dispositivos electrénicos, 309 14, Componentes ferromagnéticos y piezoeléctricos, 321 Alex Goldman y Don Berlincourt Componentes ferromagnétions, 322 Componentes piezoeléctricos, 333 18. ispositivos dpticos y pantallas, 345 L. S, Watkins, Peter Pleshko y Martin Wolf Fucutes Gptivas, 346 Fibras y conectares dpticas, 356 Pantallas, 364 Detectores dpticos, 388 Cumvertidures futvvoltaives de energia solar, 309 16, Transductores eléctricos, 439 Gerald Weiss Principios, clasficacién y terminologia, 441 capitulos ‘Transductores para movimientos mecanicos de s6lidos, 442 ‘Transductores para cantidades de mecénica de fuidos, 454 ‘Transductores para cantidades térmicas, 465 ‘Transductores para cantidades actstcas, 470 ‘Transductores para cantidades opticas € infrarrojas, 471 ‘Transductores para radiacién nuclear, 471 Transductores para campos magnéticos, 474 ‘Transductores para la instrumentacién de andlsis, 475 Transductores electroquimicos, 479 17. Técnicas de construccién, 485 Gustave R. Gaschnig Cireuitos impresos, 486 Metodos de interconexion, 489 Encapsulado de circuitos, $93 Encapsulado de circuits interados, Dispositivos electromecanicos, 496 18. Dispositivos de microondas, 50S Hing-Loi A. Hung Componentes pasivos, 206 Componentes activos, 523 Gireuitos integrados de microondas (MIC), 550CAPITULO 13 Elementos circuitales activos (continuacién) Mark B. Barron General Electrie Microelectronics Center Research Triangle Park, North Carolina Henry Domingos Clarkson University Potsdam, Nueva York George H. Ebel Singer Company Wayne, New Jersey 13.1 Diodos, reciicadores, varistores IB.L.1 Diodos de vnién pr 13.1.2 Rectificadores de potencia 132 Transistores bipolares 13.2.1 Acaion de transistor 132.2 Pardmetros de los transistores 13.23 Tipos de transistores de potencia 132.4 Transistores Darlington 13.2'5 Consideraciones para las aplicaciones de los transistores Tranigors de efecto de campo 133.1 Transistores de efecto de campo con compuerta siclada 133.2 Transistor de efecto de campo Ge unién (JET) 13.3.3 Variaciones de los MOSFET 133.4 Consideraciones de aplicacién BS B3 Bs VOLUMEN 2 13.4 Cireuitos integrados 13.4.1 Introduccion concentrados 13.4.2 Fabricacion de cixcuitos integrados 13.4.3 Cireuitos integrados Ddipolares 13.4.4 Cireuitos integrados MO: Cireuitos hibridos: de pelicula gruesa ¥ de pelicula del 1351 Descripcidn general 13.5.2 Definicién de términos 13.9.3 Procesos de manufactura 13.5.4 Especificaciones de corriente 135.5 Consideraciones térmicas 133.6 Consideraciones sobre frecuencias 13.5.7 Aplicaciones 135.8 Reterencias generales Otros dispositivos electrénicos 13.6.1 Tiristores 13.6.2 Transistores niunién 13.63 Otros dispositios 13.6.4 Tubos de vacio 136.5 Tiratrones134 CIRCUITOS INTEGRADOS Henry Domingos 134.41 Introduccion Historia y desarroilo del circuito integrado'? La invencin del circuito integrado més 0 menos en la forma en que se conoce hoy dia fue precedida por aptoxinadaniente diez als de iuteuse actividad ei el esarrllo de dispostivos semiconductores discretos. ‘Aunque ye hacia 1952 se habfan sugerido algunos es- (quem para la elaboracién de muciios eouponentes dentro de un solo blogue de silico. no fue sino hasta 1960 cuando se fabricaron los primeros circuits inte- grades, La manufactura fue posible gracas ala inven Fin del proceso planar, en 1959, para reemplazar as técnicas de aleaci6n, de meseta y otras empleedas has- ta esa epoca. En el proceso planar se empleaban pro- fecciin de dxida, diusién o interranexiones de metal epositada a fin de lograr nuevos niveles de densidad, conflabilidad y rendimiento circuitales, asi como renta- bilidad Durante la década de 1960 se observ6 el desarrollo (Ge muchas de las tammias de cicuitos integrados y métodos de procesamiento que siguen empleindose actualmente. Los primetos citeuitos de integracion a Pequetia escala (SSI, de small-scale integration) consta- ban de compuertas implementadae con Iogica resisior- transistor (RTL), ldgie diodo- transistor (DTL), ldgica acoplada por ei emisor (ECL), logiea de transistores ‘complementarioe (CTL) y {Spica transistor tram. tor (TTL), entre otras. La pastila tipica media de 1 a 2mm por tado, tenfe aproximadamente 10 componen- tes y 20 disponia con dimensiones minimas do 25 um. Los retardos de propagacién tipicos eran de 25 ns aproximadamente, aunque algunas pastillas tenfan un tiempo sorprendentemente bajo de 5 as. ‘A mediados de la década de 1960 apareci la inte- gvaci6n a mediana escala (MSI, de medium-scale inte- {ration), con hasta 200 compuertas por pastilla: con ella se fabricaron circuitos como multivibradores(flia- ‘lops) JK, contadores y repistros de desplazamiento ‘de 10 bits y MLE (nreuovias de lectus y esesituta) de 64 bits, MOS de canal P (PMOS. de p-channel metal ‘oxide semiconductor), MOS complementario (CMOS, te complementary MOS), MOS de cattl N (NMOS, Ue n-channel MOS) y silicio sobre zafito (SOS. de silicon ‘on sapphire) redondearon el arsenal teenoi6gico (del {que solo faraba la Logica integrada en inyeccion — ie integrated injection logic. que llegs posteriormen- te) y prepararon el terreno para avancesulteriores es- pectaculares, A fines de esa década, el maximo avance fen ese campo lo representahan los MLIF. de 256 bits En la actualidad la industria de los ciuitos inte- ‘grados puede Jactarse de la produccion de pastllas de 3 x 31mm, con dimensiones de 10 jum, retrasos {de propagacién de 1 ns y densidades de 300 componen- {es por milimetro cuadrado. Laintegracién a gran escla (LSI, de large-scale inte- gration) apareci6 en la década de 1970, cuando se fa- bricaron en grandes cantidades pastilas para calcu- Gircuitos integrados Jadores, memorias de 1 y 4 bits, y miroprosesadores ‘Ademds, los elementos dela tecnologia va estaban vir- tualmenie-completos, debido a que los proveedores haba desarrollado todas las foriias importantes que se usan en la actualidad: PMOS con compuertas de aluminio, NMOS con compuertas de silico, CMOS, 508, TTL Schowky, PL y ECL. Al final de la déceds, pasilas hasta de 7mm contenian 2 400 componentes or milimetro cuadtedo Ti Ta atualiad esa indusuia es capaz de produit, con dimensiones inferires a los micromettos, tiempos de propagacion de menos de nanosegundos, dsipacio- wey de compueita Je puwalts, y Geutos de ules de componentes en una pasa. El progres efervescente Y continuo es inevitable, debido a que y& exsten mer- ‘ado en los sectores mitar, industealy poblico, para tireits inclaso mis compleos. Sin embargo, el avan- ce hacia la integracidn a muy gran escala (VLSI, de very large-scale ntegraton)plantca grandes exigenclas Al dicehador. 12 enorme complejdad de Ine meus circuitos require téenics innovadoras de diseno Io $900, confguracion de pasts, fabricacion y pruebas Principals familias de creuitosintegrados La prosteracion de vanantes en et procesamiento, pos’ de circuit arénimos presenta un panaroma Gonfuso. Sin embargo, debe observarse que muchos de los deserollos teenoldgicos que se mtorman en ls pu- Diicacionesespecialzadas nunca aleanzan Te etapa de produccin. Adem, algunos de ls mayoresfabrican- tes de circuits itegiados producen solo para su pro- pio empleo cautivo, y sue diseRoe y procesos innova ores no se utilizan en el mercado comercial. De los productos que exsten en el mercado, es necesaro dis Kinguir entre familia lgioaagenéricos, modificaciones en und familia y variaiones de procesamiento. Por «ejemplo, considrese la familia ldgiea TTL. Esta existe fn varios modifeaciones, como TT de baja potensa, ‘TTL de alia velocidad, TTL Schorty, TTL Schottky de baja potenciay TTL endurecida por radiacin. Al unas de estas modificacionesexisten en diferentes op- Giones, como de colector abierto, de detencin activa, Y salidas de tres estados. Cualquiera de ellos puede {abricarse mediante vatis tsnicas: epitaxial oxdinaria con, subsolector enterado. implantacion de iones, Gxido aslado, tiple difusion, con contacts de metal ‘eftactaio, ee. Bu ete ata se vevisan Ureventeute las principales familias y se indican sus ventas y des- ventas relativas. Tos ercuits inieyrados pueden dividirse convenien= temente en dos tipos:bipolares y MOS. Las familias bipolaesinclyen los TTL, ECL e I°L. Elandlsis de iasfamilas MOS se resting a fos PMOS, NMOS y CMOS. En términos generates, os eircuitos biplanes tienen mayor dsipacion de potencia y mayor velocidad de conmutacion smilias bipolares. Una de las primeras familias 16- gicas en el mercado fue la TTL, y durante mucho tiem- po fue el caballo de batalla de Ia industria. Su féeil Sisponibilidad en un amplio intervalo de circuits SSI y ‘MSI e hizo la eleccion del diseniador. Evidentemente, 27a> cromemtos circultales concentrados activos se considera una ventaja para cualquice familia ser compatible con la TTL; es decir, operar con una sola fuente de 5 V y a los mismos nivelesI6gicos. Modifi- caciones a a compuerta ldgica fundamental hen dado mayor flexibilidad adicional ala TTL, v el desarrollo de un Schottky de baja potencia Ia ha hecho viable como tecnologia LSI. La familia ldgica de mayor rapidez es la ECL. Sus principales inconvenientes son: alta disipacién de po- femva, niveles higicosinusuales y voltajes de suaiis- tro no usuales. Aun cuando podria parecer que su alta disipacién de potencia resringe su empleo en LSI, eaisten # UispusiciGu eu MLE de 1 Abit de alta velo: iad La idgica bipolar mas reciente es la Ly en varios sentidos es la de mayor interés. Su caraceristca més sobresaliente es Ia capacidad de intercambiar de ma- nera continua velocidad por potencia en un intervalo exttemadamente grande, incluso en la misma past En un cireuito de tela, por ejemplo, so cert partes circuitales deben funcionar forzosamente a la frecuen- ‘a del osclador; es posible disenar el resto del creuito ‘de modo que, una vez que esta frecuencia se ha reduci- do a escala, el consumo de potencia sea bajo, a fin de ‘ncrementar la duracion de [a bateria. Utra céracteris tica dstintva es la capacidad de combinar funciones digitales y anaogicas en la misma pasta, lo que noes posible normaimente con otras familias. debido a los equttoe oafisivr en el proceto de fabrieaién, La principal desventaja de la I'L es su baja velocidad en Su forma mds sencila. Las modificaciones para incre- rmentar la velocidad provocan coitos de manufacture mds altos; sin embargo, la -L se emplea en circuitos LSI, y iertas ventaas en la configuracién y dsefo del cireuito la hacen una opeiéa natural para aplicaciones comerciales, Familia MOS. Los circitos MOS se producen desde mediados de ladécada de 1960. Los primeros crcuitos TSI fueron pastilas para calcladoras en las que se cupleaba ut proceso de PMOS cou vonipuertas ae: tales, Aunaue el tendimiento de los PMOS es intrin- secamente inferior al de los NMOS debido a que sus portadores mayortasios (huees) poseen twen o> “ildad, los PMOS se utizaron nicialmente porque no tea posible fabricar productos NMOS estables de alta calidad, Esta se convirdo en ls tecnologia LSI mas cenémica. Sin emhargo, se considera oheoleta y na ex un serio rival para los dsefos VSLI En Tos cicuitos LST y en 10s primeros ircultos VSI, Ia tecnologia dominante es lANMOS. El dicen creativo de circuits y el avance en las tonics de fa bycacidn han dado por resultado mejorascontinuas en cuanto a velocidad, densidad y rentabilidad. Parece {que la familia NMOS con carga de agotamiento ycom- Puertas de sineo o stieuro contimuaré siendo.am- Pliamente utada en el futuro previsibe. La CMOS es la inca familia MOS que existe en el sereado en una gran variedad de circitos SSI y MSI ‘También se empea en memoriar y creuitos Igicor LSI, y parece bastante promisoria para la era VLSI. ‘Una de'sus ventajas es su extremadamente baja disipa: 274 cién de potencia en el modo auiliar ode reserva. Esto ha propiciado su empleo en memorias no volatiles (con respaldo de baterias o incluso de capacitor) en caleu- Tadoras con memoria. Otra de sus veitajes es su ea pacidad de operacién en un amplio intervalo de vol- tajes de suministro, de 3 a 20 V. También presenta sobresaliente inmunidad al ruido. Su principal desven- taja es su limitada excitaci6n, comparada con la de los circuitos bipolares. Consideraciones de costos Et costo de un circuito integrado es determinado por vatiusfacoves. Un produto de exiemeInioduecon en el mercado es cstoso, ya que su precin llega a ser tal vez hasta de’ més de $100 (d6lares EEUU). A tmedida yue el fabricame desplaza aca abajo Ta “eur 4a Ge aprendizaie".y especialmente» medida que los competidores introducen sus versiones dl mismo pro- ‘ducto, los precios bajandrastcamente. El precio los productos mas antigune enafina hajando. a medida ue se perfecriona (“madura") la tecnologia del pro- cesamiento. Es posible adquii grandes canicades de Cirenitos SSI por $018 cada una, El precio “asinttico” de cualquier circuto es afectado fuertemente por el costo el empague (plastico conta hereto) ‘ato de la pasta el costo del procetamiento de una {ableta, el rendimicnto del proceso (poreentae de pas tilasabeptables en una tablet) y espeetiationes de rendimiento, como velocidad y fabilidad El costo del procesamiento de una tableta depende de la complejdad dela tecnologia paticular. Para un proceso maduto de bajo costo, como ol de los PMOS, el costo de fabricacin (materiales, mano de obra, cos. to del equipo y otros costos diectos) puede ser muy ‘ojo: hasta de $30 por tablet. Para procesos avan™ zados en los que se requieren de 10 & 12 etapas de protectin oestarcido, el costo se aproxima alas $100. Las tablets iniciales mismas euestan de $5 0 $15, de- pendiendo del tamao v de especificaciones tales como {extura, contenido de oxigenoy resistividad Las table- tas de rafito y de arseniuiy de yaliv sou nase ds costosas: este costo elevado ha Sido un impedimento para su empleo en crcutosintegrados comerciales, El povesuieute de seuiwuuduetores es un proceso por loes(o tandas) en el que se procesan hasta 50 ta- Betas aa vez. Mientras mas alto sea el numero de pastas en uma ableta, mis bajo sera el costo de ma: bufactura por pasila. En la gira 1-49 se mies el rdmero de pasilas en tabletas de diferentes diéme- tros. La figura pone bastante de manifest la razon por is eal oe fabrieantestratan de acamndar los i ‘cuits en dreas cada vez més pequetias a fin de minim Zar el “terreno” requerido. ‘Una ver completado el procesamiento de la tableta, «ada pasta se prueba sobre une base de continuar-no contituar antes de emprender cuaiguer otra etapa de ‘manufactra. Este ex el primer momento en el que et posible realizar una prueba funcional; tal prueba elimi ha llerores costo de procesamento ef las pastas defectuosas. El rendimiento (numero. do unidadee ltiles obtenidas entre nimero de unidades con que se Iniciael proceso) dela tableta depende de ea de lasCircuttos integrados PASTILIAS 90R TABLETA 12 3 BORDE DE LA PASTILLA (mm) pastllas, la complejidad del procesamiento, las reglas 4e disefio y el grado de perfeccionamiento o madurez del proceso. Pata auevar pactillas VSLI, inicialmen- te este rendimiemto puede ser una pequeiiafraccién Fig. 1349. Nomero de pasts cuadradas completa en un tablet segun el tamano Ge a past mension lineal) para diferentes didmeteos de tablet, SSI ~ interacén ¢ pequeta scala: MSI = integracion a mediana escal: LSI = inegracion ‘gran sccala, VLSI ~ integrcion © muy gran excl clempleo de las figuras 13-49 y 13-50, se encventra que Cees $1.79, El costo del empaque puede variar desde menos de $0.10 para uno de plistico hasta més de $1 para una unidad hermética, El costo final de la pieza del 1%, mientras que para los circuitos SSI tiende al 100% En la figura 13-50 se_muestran rendimientos. de tableta para diferentes tecnologias en funcién del ta- ‘malo de las pastillas. ‘A fin de ilustrar la forma en que estos factores afec- tan el costo, considérese el caso hipotético de vn cir- uit CMOS cou una pasilla que mide 4 > 4 mu e na blta de 10m, El costo de una pasta scepta (13-67) donde Cy es el costo de manufactura de la tableta (se supone que es de $60), n es el niimero de pastillas por tableta € Yp es el rendimlento de la tableta. Mediamte 275, Co, es: ~ ate Ye donde Ca es el costo del montaie, incluyendo el corte, fempague y prueba final, e Ye es el rendimiento de la prucba finial. Si Ca ¢s $1.50 € Yp es el 80%, entonces Goes $4.11. El precio de venta es Cp més fos gastos generales y los costos indizectos, impuestos, recupe- tavi6u de la inversiGn, eit, Las compaiias mantienen modelos exactos para los costes, v con frecuencia tra bajan el problema 2 la inversa. Empiezan con un pre- ty competitivo en el mercado para un producto pr puesto, determinan el méximo precio permisible para ‘una pastilla y lego deciden desde el punto de vista de la Ingenlerta st et proyecto es facuible para su proceso. & (13-68)Elementos circuitales concentrados 100 z d Hag E oa 0 1020 30 «0 actives 30 60 70 80 90 100 AREA DE LA PASTILLA (on) Fig. 1260. Rendiniento de wna pros de ables on func dl Sr de tease para dlerentestsnologs Lo valores reales puede varia de os {ub se moeuren ago: Gependeh del Gen uel es aye tad et Sroducton mero de miscsrsubbzades, combos ens reales dl iseno Exmbios enel procesamento, etc. PMOS = semiconductor de metal y xd ‘Secanal : NMOS = MOS canal 1 134.2 Fabricacién de cireuitoy integrads?* Desarrollo de cristales CCasi todos ls cistales de siliio para los ircutos ime prados se desarrlan por el método de Czochralski. 0 de cristalizacin progresiva, que se muestra en la figura 13-51. Una carga de slic polleristalin se coloca en el sricol y se funde crm RE o ealentadares ce resistencia, Se agrega una cantidad exacta de impurezas afin de lograr la concentracion deseada de estas en el producto scabado, Se intradhice wn cristal germen 0 niciadar hasta humedecerlo con el slicio fundido, y despues se reba lentamente. Bl slew liquido se solkifca en el Cristal germen para formar un monocrstal continua, de alta calidad. La rotacién relaiva del cristal germen eel crisol mantiene una distnbucién unitorme de im purezas en Ia colada, as como temperatura y condicio- res de desarrollo uniformes. Mediante la cuidadosa programacién de le temperatura y la velocidad de re firo se mantieno wna buene uniformidad de la recsti vidad y el didmetro en todo el cristal, a pesar de la tendericia de las impurezas a segregarse durante el pro- c2so de solidificacién, De cata forma e2 posible ob tener lingotes de alts calidad de 125 0 150 mm de digmetro y hasta 1 m de longitud, Los cristales se desa- rrollan (crecen) con el cje ya sea en la direecién ‘<100> 0 en la dzeceién <111>. logic integra do inyesion; CMOS fn TTL = ligies de transiartranitr. (0S eomplementaro La orientacion del crecimiento ctistaline se veifica com la téenica de rayos X de Laue, y después se recor tan las puntas y las cos, La superficie exterior se labra al Gidnicuy iequeridy, y se estnetlan wa o mids eas para identfcar Ia orientacin y el tipo de resstvidad. El lingote entonces puede ser rebanado en tabletas. ‘Algunas veces los monocristaes se desarollan me diane el proceso de zona flotante, en el que una zona fundida se desplaza lentamente a través del cristal, arrastrando las impurezas hacla un extremo. Este téc- nica es especialmente itil en In elahoracid cle eristales de muy alta pureza, Cuando se combina con a impuri- fieacion por transmutacion de neutrones’, es posible prodicir material de alta resistividad eon’ imporifica- cién sumamente uniforme para aplicaciones de alto voltae Elaboracion de las tabletas Los ingots se cortan en tabletas con el fo snterno de uns hoje Geatadh en fonma de dco oa flee de diamante. A contnuacin ls tablelas se esmeran, graben y pulen. Una cara es pli basta dere un Scabade de stpejo, mientras qu nota ee hace depara din de qu ate como sumiero para os presptados las imperfeciones del rst E borde puede redon- Scare fin Jo minimisor la eiladure 9 ast 9 manejo en el equipo de procesamiento automatic. 26bi Fig. TEI. Métis ce Coochraleki ode ritalin rogresiva para el dessrollo de monocrisals de sili. Oxidacion E} silico se oxida a altas temperaturas, produciendo tua capa de Gnidu cou eaceleutes propiedades mec cas y elétrices. El éxido se emplea como capa de pi sivacin para proteger la superficie del silcio de la con- taminacion, como Uielécirico para los capactores y las ccompuertas MOS, como capa de aislamiento, como proteccin para la difusin y la implantaci6n de iones y como alslamlento entre elementos activos. Los gro- ‘ores varian desde algunas decenas ele nandimerens pa- 1 los 6xidos de compuertas hasta 1 um para éxidos de campos de MOS eiruitos bipolares En condiciones atmosféricas normales, una super- ficie de silcio recientemente cortada adquitia con ra- Picez una capa muy deleade de oxi, in embargo, et crecimiento suele verificase a elevadas temperaturas, a fin de obtener grosores de utilidad. La oxidacién ‘ocurte en la interticie del 6xido y Ia superticie det si lisio. Cuando la capa de éxido oe dalgads, la velocidad dde oxidacin es limitada por la velocidad de reaccién ‘ena interfiie,y l grosor del Gxido es proporcional al tiempo de permanencia on el horno de oxidacién. Para ‘xidos pruesos, la velocidad es limitada por la difusion del oxigeno a través de la capa de éxido, y avanza con Ja raie euadrada del ticmpo. En las figuras 1352 y 13.53 se resume el crecimiento del dxido. El didxido de slcio se impurifca 2 menudo con f6s- for0 0 boro a fin de que sieva como colector de impure as o como fuente de impurezas durante la difusion. ‘También e ha encontrado que la introduccién de cloro smejora la calidad de la capa de dxido y seduce la ocu- rencia de dislocaciones del silico, Recientemente se hha determinado que el crecimiento de oxido a gran pesion presenta varios beetivias, de ls cuales el indy Importante es que se reduce en gran medida el tiempo de oxidacién, ‘Alas tablets completamente procesadas se es apl- ca tina capa protectara de vidria mediante depesickin ‘quimica de vapor (CVD, de chemical vapor deposition) a Cireuitos integrados ‘© bombardeo ionieo reactivo. Esta aphicacion tinal debe hacerse a temperaturasinferiores ala del punto dd fusion o del punto eutéctico de cualesquiera ma- tenales utlhzados en el procesamienta. El vidno sive para proteger la superficie durante ef manejo, corte, etcétera Ettees un método de crecimiento decrisaes ene que fos tomer se depostan sobre ua sstreto etal modo ahs eeman um mone soniye, La ata Srinalina ex detrminada por el stato, pero i com centacin de impureras se contol deforma indepen lone oiniao fx poable cambria dun tipo sore en la capa. El método epitaxial planar se emplea de manera cas universal a princpios dela cada de 1960 Y nia sigu endo oot cate una empliavaredad Familias, tanto biptares como MOS. El crecimiento eptxal se eliza en un reciente denominado eater, Las tablas dese se coca sobre un bogus de graft, denominada sosepor. gue se caens hasta unos 1 200°C, Las betas se faba inkialmente con vapor de agua o donut de Bidrogeno anbidro fin de elimina todo el material aado.Es poste lzar vara teacsonesquimss fe fanaa ucate de donne sco res Fedctn del drogen del tetraclorura de iii es imétodo més comin, Es necesario conolar con cids- Ad fas conicones del crecmienco, como implica ia foure 134 En un operacin iia ls ables se colocan en reacory sé sien un oro de nitogeno a sem Teg’ cr hae paar un nj cle hiigen enn ga de 0 Vin La temperatura se sia a1 200°Cy las tablets se graban Curate varios minutos en Hcl en tna propoctvn de $100. El depéxito empieza con i Introduccion de SiCl en una proporin de 180, con Una peauena cantided de fostamina (PH), corano (Bail) de un compuesto de arence 2 de Seer tar la concentacn de impurezss La pelea se aye cece durante algunos minutos, sipemente has ta growers de 410 um epitaniaen fase de vapor tambien se emple para desarrllar eapas de slic sobre stats de zl, y to eplann on bee liquids (LPB, de liquid. phase ine) suele emplearse en la tecnologia del arseniuro sal Difusién e implantacién de iones La difusign es un proceso en el que el movimiento ‘térmico sleatorio de por resultado un transporte de ‘material desde una resin de alta concentracion hasta una de baja concentracién, En un cristal de silico, la difusiGn de dtomos extrafios puede ocurir por vatios ‘mecanismos: difusion interstical, difusién sustitucio- nal, dfusion mejorada por campo o difusién estructu- ralaeute mejor, Cualquiera que sea el mecanismo. el proceso puede escribirse fenomenologicamente par medio de la pri- mera ley Ue difusion de Fick i -DVn (13-69)jontos clrcultales concontrados actives BROSOF DE. On1D0 ur) {GROSOA DEL OX100 (um ri eee , 1000, TIEMPO (nin) Fig, 1482. Crecimiento de éxido en vapor atmosérico. (Cortsta de Integrated Citcuit Engineering Corp.) 10.000 100 1000 “TEMPO iin) Fig. 1983. Crevnienty de dado oxigeno seco. (Cortesia de Integrated Circuit Enginecring Corp.) 278donde Axo de particles por unidad de Area por unidad de tiempo concentracion de particulas D = coeficiente de difusisn, cnn unidades de Tongitud al cuadrado por unidad de tiempo D depende de las especies en difusion y de la mala crstalina huésped. Las impurezas como el oro, que se difunden mediante un mecanismo interstical, tienen ‘un coehciente de ditusion mucho mayor que las que se difonden por un mecanismo de sustitucién. D es muy sensible a la temperatura, y suele suponerse una de- ppendencia respecto a la temperatura de la siguiente forma! D = Dyentot (3-70) donde Dp = constante energia de activacign que caracteriza el proceso Constante de Boltzmann T = temperatura absoluta Suponiendo que la ecuscibn deseribe con precision cl proceso, una eréfica semilogaritmica de D en fun- cidn de VAT dard por resultado una linea recta. En las figuras 13:55 y 13-56 se muestran valores de D deter ‘minados experimentalmente. ‘ise aplica la ecuacion de continuidad a la ecuacién 13-69 el resultado an vefe Bev pm wm Si D no depende de la posici6n (lo que implica que D tambien es Independiente de la concentracion), el tesultada sla segninda ley de Fick: «3-7 ve pouicrisra MONOCRISTAL 19E20S70 DE SILICO (amin) Circuitos grades a difusidn ce realiza a temperaturas elevadas (de 900 a 1 200 °C) y se comporta conforme a la ecuacién 13.72 Tecpnés se redice Ia temperatura y las impreras se “congelan”, ya que D es extremadamente baja a tem- peraturas ordinarias. Ta difusiin stele afeemarse en vin provesa de. das tapas. En la etapa predepésito la concentracién de ‘mpurezas en la superficie de la tableta se mantie- ne constante, mientras las impurezas se difunden en la tableta. En este caso la solucién de la ecuacién Is (es ro erfe (/2 Vi) (133) donde y 26 la concentracién en la superficie y erfe a funcién error complementaria, definida como: exten) 3-74) La etapa de predepésito introduce una cantidad to- tal de impureza por unidad de drea a= mil ass) en una capa superficial delgada. Durante la etapa de eouduvcion el eouteuido total de imputezes se man tiene constante en este valor. pero se permite que éstas se difundan todavia més adentro de la tableta. Durante esta etapa, la soluciOn Ue la ecuacion 13-72 esd dada por: 2 “Aue (13-76) abi TEMPERATURA DE DEPOSITO "270°C. FLUIO DE Ha 1 Urin Sic EN He FRACCION MOLAR) Fig 1384, Velocdad de depo on epitaia de slice como funciin dl conendo de claro. (De Sorab K: Ghandi The ‘hears and Praive uf Miser, ey. Nacta York) 279‘Elementos circultales concentrados actives TEMPERATURA (2) 4001300. o 1200 10" so CCOEFICIENTE DE DIFUSION D (an?) 103 oF 1001000 0% 08 O85 ‘TEMPERATURA (1 0€077%) Fig. 135. Coeiientes de ituson para impurezs tipo yp de uso cami desis, (De Sard MONE: Ghandhi. The Theory ond Price of Mictolectones, Wily, Nueva York.) Aqui, ty D sonal tempo y el coefciente de difsin durante [a etapa de conduccin. Sila taleta se expo- nea icles postenores de calentamiento, Ia cantigad [ones para emplear en a echacisn 13-76 ex Di Dit + Dat + Das + ETI donde D,t, son los valores durante la conduccién y Daz, Dsvons 108 valores durante cualesquiera ta tamiontoe térmisos peeerioree ‘Un segundo método general para impurficar los se miconductores es la implantacon de iones®. Este me todo, introducdo onl déeada de 196,20 emplca cade ‘ez mds como forma de obtener un control mas preciso Sobre la concentracin y dstnbuci de impurezas. En €l proceso de implontacin de ions se gencray acclers imediante alto voltae un haz de iones de la especie deseada Se hace incdir este ha? contra la superficie de la tableta,y los iones se introducen en la red crstalina hasta una profundidad de Tu En aura 197 se presenta el proceso. La profundidad promedio de penetracion depende del voltaje de aceleracion y del tipo de lones em pleado. La media y la desvigcin estandar de la distr bucion se ustran en la tabla 13-1 TLaimplntacin de iones suele requerir una etapa de reoacid a fin des 1, Recocer cualquier dati cristalino provocado por el haz de alta encrgsa. 2. Hacer eléctricamente activos los iones implan- tados. 3. Redistibuir (por difusién) las impurezas implan tadas.Gircuitos integrados ‘TEMPERATURA 2) CCOEFICIENTE CE DFUSION 0, me) ‘TEMPERATURA (+ 000/7%) ‘ig. 1486, Cocficientes de diusion para difusors interstices en sli. Debido a Tot ‘cifeentes mecanismos de difsién de estas impurezas, D es varios Grdenes de ‘ageitud mayor qu los valores dol figara 13-55. (De Sorab K. Ghandi, The Theory ‘and Praice of Microelecronics, Wiley, Nueva York.) ONES MAS PESADOS. a Jo ye He OBJETIVO | reve exectrica FUENTE DF ‘ONES fg 137s deinen ee Enna con vo css de pn 2 finde imina as impreza el az gues concent yaclera a lo vole nts de cheat conf bteta de io. 281= cremontos cirouitalee eoncontradoe: la 13-1, Media y desviacion estindar de penetracion de los jones implantados ‘en una tableta de silicio Bor Fenforo neta ao” Guuat” ima ctncr™ (um) (um) (um) (umn) 2 o0Tt 0.026 0025 0.008 01s UoS us Ute @ 021 00s ors & 027 0.065309 1 0330038 1 022 a as OIG HO 03 Gas 07.6 1 0470020 st 1d 0520096023886 20056 0.40025 __0.068 Free, en Dependiendo de Ia energia del haa, pode hastar un recocido de 30 min a 500°C para dosis, menores de 1Wlem*, Para dosis mayores de 10"iem* podnian re- {queries tempersturas hasta de 1 100 °C. Fotolitografia [Los cireuitos integrados pueden fabricarse a bajo corto debido a que se producen en masa mediante un pro- ‘eso parecido al que se utiliza en la industria de la JmpresiSn, en ol que ee posible emplear una sola matrie (master) para hacer un nero ilimitado de copias. Es posible utilizar de 4 12 estarcidos o fotomascaras (0 protecciones) para definir los patrones goométricos para cada etapa del proceso de fabricacién. El nimero {de estarcidos necesario es una medida de la comple- jidad del procesamiento, el costo de manufactura de la tableta y el rendimiemto. En la tabla 13-2 se enumera Ta cantidad necesaria de protecciones para diferentes tecuulugfas de procesamiento. ads estarcido requiere un trabajo grafico inical ba- sado en la configuration real de la pastilla. En el caso Ue los eneuitus SS] esto se leefa wiedionte téenicas max ruales de dibujo. en las que bastaban precisiones de Imm sobre configuraciones de 200X a 1 O00X. Para Jos ciruitos MSI se requieren mesus de ibujo conuo- Tadas por computadora, afin de controlar tolerancias originales hasta menos de 25 um. La reducciGn incial un tamano de 10X 0 20X, y despues una reduccion final y nna aperacién esralomadn y repetida repro- dducen la imagen hasta cubrir toda la tableta. En la tecnica comuin se emplea un haz de 1uz controlado por computadara para exponer una reticula 10X, que a s vvezes reducida y escalonada. Todo el conjunto de pro tecciones termnadas deben cumplir unas tolerancias crtieas y un registro exacto en toda la tableta En téenicas més recientes se emplean protecciones generadas con haz de electrones, exposicion a un haz dd electronee del material fotorensible sobre Ia tableta misma, fotomésceras para su empleo con sistemas de exposicidn a rayos X, y escalonamiento y repeticion director cobre la tablets actives Las méscaras de trabajo constan de una capa de emulsién, eromo u éxido de hierro sobre una plancha de vidrio. Las méscaras de emulsién son las menos costosas, pero se emplean para sélo 20 exposiciones antes de ser descartadas. La vida util de las proteccio- res duras es de $0 exposicioncs o més, dependiendo de si se utiliza el método de impresion por contacto, pro- ximidad o proyeccién. Sin embargo, las méscaras de- ben limpiarse ¢ inspeccionarse de manera regular pata obtener los mejores resultados La continua reduccién del minimo tamaiio carac- teritico en las fotomsscaias a sido uno de lus favivies importantes en el aumento de la compleiidad de los circuitos integrados. Las reglas de los primeros disefios pedis auchos y sepatseivues ufuimas Ue 25 3 30 ym, To que se ha reducido a entre 2y 5 um en ls lineas de produccién actuales mediante el empleo de mejores mdscaras, materiales fowsensibles mejorados, mejo- res métodas de grabado. y longitudes de onda més cor tas en los alineadores de los recubrimientos. Para re- ducir atm mas esto por debajo de 1 ym se requiere fotalitografia con har de eleetranes y de rayas X. En la figura 13-58 se muestran las tendencies en el minimo amano caracterstco, Fabricacion de circuitos bipolares La tabrieacion de un circuito integrado bipolar tipico ‘mpiezs con uns tableta tipo p orrentada on la direc cién <11]>, impurificada con boro, con resistividad de entre 5 y 2002em, La primera etapa es la oxidacion ‘Tabla 12-2. Nimero de méscaras (inelayendo Ia proteccién contra rayaduras) requeridas para diferentes, tecnologias Mascaras 3 ‘Tecnologie PMOS (semiconductor de metal Y dxido de canal p), compuerta de aluminio NMOS (MOS de cana). compuerta de aluminio tags de ayotauiento CMOS (MOS complementario) SOS (silico sobre zafiro). compuerta 7.9 de silicio Implantacion onica ‘TTL (logic transistor transistor), ordinario| TTL de Schottky 89 PL (I6pica integrads de inyecsi6n) $10 ECL (Iogica acoplada por emisor) 1 Lineal bipolarDIMENSIONS MINMAS DE LA WASCARA (en 1365 1970 Cireuitos integrados 19751980 aio Fig. 13-68, Tendencias on lat dimensiones miimas de edsara pars ‘ituitos integrados en producsin de gran volumen. ceria sun groper uouial Je yu, Bote dxidy 2 1 como una méscara de difusion para la primers d- fusion, que es un subcolectorenterrado ipo n. Para defini las areas em las yue Se realizar Ta cision, © ‘fecta una serie fotolitnrdica ordinara, ‘Una vez que se han limpiadoy secado concienguda- mente, las Ublews se recubren fon una capa Gelgada di material ftreencle denominaafotoenrecile La capa se seca, ycada tablet se expone a luz ulttavio Jetaataves de una mascara que detne la region en la {qe habran de localizarse los colectores de os transi tores. Si se emples un material fotoendurecble "ne ali estas regones en la mascara seran opacss. La {fr ulusvioletapolimeriza cicho material en las 20aat en las que la mascara esti despejada. A continuacién Se revela a capa fotosensibie; las area no expuestas se lavan 9 acl ta tiene la exporicién del dibs de 6 Ikio sabyacente, Después de una coccion para el en- durecimient, las tablet se sumergen en una solucon do Seid flugrhavieo, Eléxido ve elimina por completo en todas las zones no proegidas pore material fotoen- dhreible que queda, yuna ver que se ha terminaco Cota eto, lie abletss ae Hemp on uno euidado para elminar todos los vestgios de aquel material. En fsta etapa ls tablets tienen una gruesa cape de 6xido por todus pares, excepto en las ens por dtu, 0 SE eneenra lias para ein de beac enterado. 1 objetivo del subcolector eaterrado es reducir la resistencia de saturaion del coletor al proporcionar tna traectora de baa resistencia para la coriente de colectoy y wnbién reduis fa ganancia del wensstor pardsto pnp formado por a diftsion en sustrato, capa epitanaly base. La diusién se ealiza mediante un coaupuesty de area, por ejemplo, uidxilo de a sénigo, a1 200 °C durante 15 be Eto produce una pro fundidad de difusign de $ um con una resistence Ie tua de 10 20 sucuad. En la figura 13-9 se muesta ta sere de etpas 283 A exiusasu, ls lactase seeubicn por snip to de dxido y se hace erecer una capa epitaxial de $ 2 10 um de grosor impuriicada con festoro, con resist- vid Ue Oot 0.3 Sein. Esta capa lisbrade servis oma material del colector volumético. El nivel de Smpurficacion se elige baséndose en consderaciones sobre vols dlsuptivo del colector,capactancta ye Sistencia del elector, grosorde a capa de agotamiento Y requistos relacionados con las tapas ulteiors de procesamiento. Te mui se hace erecer una capa de vida para que protejala superficie y que actie como mascara de d- fusion paral ditusion Ge aislamiento. Esta diusion es tipo p profunds, y separa los tansstorescuyos colee- tores deben estar aislados elétricamente uno de otro, Despues ve otta operscion fototogratic, se realiza tne dfusida de boro 1200 °C durante tes horas Esto es suficiente para convert la apa epitaxial en las regiones de aisiamiento al upo.p por todo el sustrato, De nuavo, durante la fae decondvcion se hace crecet una capa de Gxio afin de protege la superiie y que ete eomo mascara de diusion para Ia siguiente El ercer nivel de mascara define una difusién tipo p aque form las regiones dela base dentro de las regio- tes tipo n del eoletor, es como les retencion. So difunde boro 81 100-°C durante unas 2h, eon lo que se produce una profundidad de unign de 1a 3 um y una resistencia laminar de 100 ¢ 300 @feuad. La cifuson finales una difusin de fsforo para for- mar los emisores,regiones de contacto del colector, fesstencas de bajo valor, y suberuces, Ls necsario controlar con mucho cuidado la profundidad. va que determina el encho de Ta base de Tos transistores, con efectos asompatantesubiel ganatcia dl waustory lo respuesta rensitoia. La difusion del emisor debe estar fuertementeimpurificada a fin de compensat el vel de impuriiacion de ls fas de le base, pu Potcionar alta efcacia de inyeccin en el emisor y perElementos circultales concentrados actives Polenta “so —————— 5, == — FUSION DE ASLANTE TO _SUBCOLECTOR ENTERFADO TPO 0 ve ds PERG vORRN STON { coumacto SEES compere SUS ook cacoron e 7 Fig. 1359, Etapas el procesamieno bipolar: ) una fotoméscara design las res que sein expuetas la Istineiteus 9} ral ennenie pmeraads prscge edi deal dara apd ado del enido: eel sibecestorenterrado se dude a aves de a mascara de xi d) as Rabese carols la capa eps se verca ina dion deastament: abet despues delat sions de inbarsyelemibor.f) tens del io crt ventana dentro. yl metas depen econo. mitir un contacto Shmico con le regién del eolector ‘mediante la meralizacion del aluminio. La difusion det emisar es una difusiin de f6sforo a 1 050°C durante 30 minutos para producir una.zesistencia laminar de 10 30 Sieuad y una profundidad de union una fraccion ‘de un micrén menor que la profundidad de la unién de la base En esta etapa, la tableta contiene todas las aitusio- nes que definan 2 los transstores, diodos y resistores, protegidas por éxido de espesor variable ca las di- ferentes regiones, Con algunas excepciones, los pasos restantes fon loe mitmos para todos lor ciruitos inte races. La quinta mascara designa los lugares en los que se efestuarén los eontactos eléetricos con al silicio sub- yacente, El provedimiento es exactamente el mismo {ue se ha venido empleanco hasta ahora, excepto por el heeho de que cl proceso se termina cuando se gra ba el 6xido. La siguiente operacién esté consttuida por el de- sito al vacio de aluminio sobre tod Ta tableta hesta lun grosor de 1 um. Se deposita plantillado e! metal con Ia sexta miscara y se graba el aluminio. Se continia van un cecovido de 480 a 300 °C durante varios mir ‘autos a fin de eliminar la delgada capa de éxido que inevitablemente se forma en la interfice, y para formar lun buen contacto de baja resistencia wou ef siliiv sub- yacente. Por titimo, se deposita una capa gruesa de digxido e silico mediante CVD 0 bombardeo ionico a fin de proteger la superficie de la tahleta durante su manejo y las operaciones de ensamblado, La septima y ultima mascara se emplea para eliminar ‘elvidria depositade sobre las almohadillas de empalme ¥y de prueba. Esto completa el procesamiento de la {ableta, que en este momento ya esta lista para ser sometida a pruebas y, en su caso, al encapsulado, Procesamiento de os citcuitos MUS El procedimiento de fabricaién mae eencillo es para la familia MOS de compuertas de aluminio de un solo canal. La primera y menos costosa familia fue la de los PMOS, pero ya ec obsoleta y los pasos de procesa mento lusrarén par os NMOS de compuertas de aluminio y para los CMOS de compuertas de slicio con implantacidn de ioncs. La sucesién de pasos para el proceso NMOS se muestra en la figura 13-60, La tableta en bruto esta ‘orientada en la direecién <100> 0 In <111> y c3 tipo > impurifiada entre $v 10 Q-em. EI paso inicial es el desarrollo de éxido de campo de 1 ym de espesor. A. {esto sigue la primera operacién de enmascaramiento a fin de defini fuentes, drenajes y subcruces. Esta di- fusion no es critica y no se requiere un control preciso, La seguula iscara se enuplea para eliaiar el ‘6xido en las regiones en las que habrén de formarse las 284eee Fuewte RENNIE HOLT TIO panne Gircuttos integrados Eta — rata _ S835" oftenevte counvenna EL ORONKE a ig. 1460. Ftapas del procesamiento de un NMOS (semiconductor de metal y Gxido de canal n) com compuertas de aluminio: 2) despuss de que se ‘Sifunden fuentes y drenjes ipo m: 8) el ido 25 Se hace erecer ua Sido delgado para compuert han grabado las ventanes ene 6xido de cam groban donde habrin de colors let compuere, irc) se graban ventanas de contacto: d) el metal se ‘cepania y se conforma, compuertas. Este paso requiere una alineacin precisa de la méscara, ya que la compuerta debe superponerse ligeramente 2 fa fuente y al drenaje @ fin de wsegurar aie el canal canduciré cuando sea necesarin: cualquier Superposicion excesiva incrementard la capacitancia de Ja compuerta a la fuente y al drenaje y reductra la velavidad El desarrollo del éxido en la compuerta también es tun paso ertico, ya que el oxido debe Ser delgado (de 25. 1 100 nm), pero sin perforaciones y libre de conta rminantes que pudieran provocar deriva en el voltaje : 3 umbral. De otra forma, dicho voltaje depende esen- cialmente de la concentracién de impurezas del sustra- {oy del grosor det oxida, como se muestra en la gura 17.61 para un transistor de canal my en la figura 1360. para un dispositivo PMOS. Las mascaras tercera y cuarta definen los cortes de los contactas (0 grabado preshmica) y los patrones de metaizaci6n, respectivamente. En este caso, los electrodos de compuerta y las mterconexiones son de Aluminio, en contraste con lo que ccurre en el proceso de compuertas de siicio (que se analizara més adelan- SROSON VEL OxwU, BELA COMPUERTA IMPURIFICACION DEL CANAL, WA, oo) Fig. 13-61, Volsje umbral para un trensitor NMOS (semionductor de metal y éxido de anal n). Se supone yue fa desided de cag fe ia ntenfiie ex de 3% 10" en 285VOUTAIE UMBRAL (7) 10 IMPURIFICACION DEL CANAL, No, (on?) DEA CONPUERTA Elomentos circuitales concentrados actives o* 10” Fig. 13-62, Vols umtval para un transistor PMOS (semiconductor de metal y igo de canal p). Se ‘supone que la densdad de carga en la anterise es Ge 9% 10° cms te). Por sltima se apliea la cana de protecciin de ra- Yauduras,y Ta quinta mascara se emplea para exponer Jas almonaias de empame La senile de este pres —sin ca enitaxish, com una sola difusin no etitica y sélo cinco miscaras— lo hace el menos costoso. A pesar de Ia menor velocidad de los NMOS, la secilez de conformacin des come puerta y su baja dsipacion de potenca lo hicieron al una ver el unteo candidato para la LSI. Ela actua Fidad lor NMOS son capaces de un rendimiento mucho mayor, a expensas de Un procesamiento més complejo (hasta 12 mascaras): peso de i creciente competen- sia de loz cirouitor de lz familias do légica bipolar, Sigue siendo el proceso LSI dominante 0s beneficios de mmplementar Compueraslopicas @ partir de tronsitores MOS complementarios fueron entificados de inmediao,y las cificultades prctcas para Ta consruccion de ckpositvos tanto de canal n om de canal p ea la misma pasilla fueron superadas Tapidamente. Agu solo se descibiré una de las mu- chas_variaciones posibles para construir una Togica CMOS: cl proceso de la compucrta de silisio eon im Plantacin de iones Ta tableta de inicio es tipo m con orientacion <101> y fesistvided de 2 2 T0Ghem. Después de un exec iniento inicio de oxido de 1 um. la primera méscara Se emplea para definir ls areas para los pozos 0 cubas ue outa nls uasintones Je cael Despues de una operacidn de fotoestarcido. se elimina Ia ca- pa de éxido dela Sreas de pozo p. A continuacién se mina el material forosensible fas abletay se 90° sneten Ia implantacin de iones de bora. El 6xido protege las reglones externas alos pozosp contra dicha 206 implantacin, Un tratamiento térmico alta tempe- Tatura reevece evalguier dao en a ed y permite que fl bore se difunds na profundidad aproximad de Sum. Ta resistencia laminar ee de M0) Ofoiad apn ximademente. La implantacon de ones permite m= Duiiear el canal, con elo, controlar son exactitude Seite bel La segunda mascara se emplea pare definir unos ai- aos de proteccion tipo p en la peieria Ge los pozosp Eston son regione top indies, altemente a puriadas, que requieren un voltaje muy elevado pa Fa inveruse, evitanco ast la formacion de canals n= dzvendon y reduciendo las corentes de faga smire ttansistores a tercea proteccin es la méscara de oxido de la compuerts, Define ods ol dea para cada po de tran Sisto, incluyendo fa fuente y el drengje, ast como fa ompuerts. A continuciin se hace cfecer un Sco dcgndo on ln compucra,y se deposia polisisio de Iijim de geueso sobre toda Ta tabeta. 1 polsicio. selimpurifeafuertemente con fésforo a fin de reduct $n redativided, So ompln entoncos unm miscre para ‘modeler el piso. La mésata nmero cinco ese patrén de las fuentes y drenaes de canal, El 6xido de campo, polsiico, &) material ftosensible v alaunas veces una capa de Slmino,actuan como mastaras conta el haz de tones én tos partes, excepto donde se expone el delgado 6xido de compuerta en los pozos p (fig. 13-63). Una fuerte dosis de ones fsforo produce regiones de fven- tey dhengje fueteuente inpuiliedes pres tear sires de canal n que se autoalinean on las compuer- tes, Exo asegua el encendigo de los canes, aunqueGircuttos integrados rminimiea la capasitancia de las superpociciones. Me- diante un ciclo de ecocido se elimina el dafocristalino Y 82 activan los étomos de f6sforo, El proceso 3¢ repite para formar fuentes y drcnajes 4 canal p con una implantacion de boro, que se confi- gura con la sexta méscara. La fabricacin se completa fon las méscaras séptima, octeva y novena pera los cortes de los contactos, los patrones de metalizacién y las almohadillas de empalme, respectivamente El proceso reciéa descrito se sigue en una tecnologla moderna para CMOS de alto rendimiento. El proceso puede tener vatias modificaciones; por ejemplo, una FrplauiaciGu de (stove eu les regivnes de eanupo a fa de incrementar e! umbral del campo. 6xidos especiales. para endurecimiento por radiaciOn, etc. En una va- ante de importancia se emplea aislamienwo de Oxido a fin de mejorar la densidad del encapsulado y reducir la capacitancia parésita, Facamblado, encapsalado y pruebas Una vez terminado el procesamiento de las tabletas, cada pasilla se verifica elecricamente en una estacion de priehas, y las que no complen las especifcaciones equeridas so marcan a fin de eliminarlas. La fraccién Ge pastllas que pasa la prueba se denomina rendimien- ta, y es una indieacién de a calidad del proves de rmanufactura wt = eee i El siguiente paso 3 la soparacién de los cuadtitos ‘menudos o lascas individuales formando en la tableta una cuadricula con marcas de corte de unos 150 im de ‘encho. Durante cl proceramiento de las tabletas se elimina todo el 6xido de las marcas a fin de faciltar le separacion de las lascas. El método de separacion més lantiguo, que sigue siendo de uso comin, consistesim- plemente en ravar y quebrar. En este método, la su- perficie de la tableta se raya con una herramienta con punta de diamante a To Taugu de las maives en vada 4itescion. y con rodillo de hule blando se ejerce suave presiéa a fin de quebrar la tabletas en los cuadritos Iucuudos iividuales, Ques mélodos de separacion (que se emplean actualmente son los de aserrado con diamante, recorte con rayo léser y algunas veces gra- Dado qutinico (corrusion seleciva) Las pastillas no defectuosas se empalman a presin en Un empaque adecuado o sobre una estructura con ‘ductora medlante adhesion eutéctica, con un blzcocho de soldadura de oro-germanio, 0 con resinas epsxieas. La intencidn es lograr buen contacto térmico con Ia placa pasahilos, ast como una fuerte adhesion mecdni- fc, Ofens métodns de mantaje som Ins de-vigascondnc- toras y empalme de lascas reversibles. Las vigas con- Vp + Vr (13-80) donde \. = movilidad de los portadores (huecos en el caual) Dermisividad del Gxido de la compuerta {rosor del éxido de la compuerta, aaucho del eaual longitud del canal voltaje de Is compuerta voliaje umbral Va. = voltsje de drenaje Oltras dos constantes de uso comin son: a3.s1) 3.82) Cy es la capacitancia por unidad de érea de Ia com, puerta. K° depende sélo de las propiedades del pro- ‘esamiento. Los valores tipteos varian de 2 @ 20 A/V B depende de la relacién entre el ancho y la longitad {el canal y se ajsta con faclidad por medio de la for- ‘ma geométrica del arreglo. En la figura 13-71 co mvectra un inversor PMOS. Son valores tipicos de Vop, Veo y Vrlos de ~5, ~17y =2 V, respectivamente, y un valor comin de K’ es 10 wAW. La caracterfiien de transferencia que se ‘muestra en la figura esté dada por dos valores distintos de la relaci6n entre el ancho y la longitud de los tran siatores de entrada y de carga. Esta relacién se de- ‘nomina relacin beta, Be: eS (13-83) ‘Cuaato ms grande es Ia rlacign beta, mds se apr xima la funcion de transferenca al ideal, En particular. es esencial que el voltje de salida de un inversor sea tapae de apagas uu siguicute iuveisor cuauly sea He cesario, Sin embargo. unas relaciones beta grandes requieren més érea para las compuertaslogicas eincre- ‘mentan los retardos de eompuerta. Un valor comén es 10. y representa una solucidn intermedia entre todos estos requisitos en conflict, En la figura 13-72 se muestra la cisposicion de un inversor con fp = 20. La respuesta transitoria de un inversor est deter. ‘minada por la capacidad de conduecion de corriente de Jos transistores de entrada y de carga, y pot la capaci- tancia en la terminal de sata. Ta capacitancia total es Ta suma de la capacitancia de salida del inversor misElementos circuitales concentrados actives (COMPLERTA, Yo ruane pewuie co) ee oss couryerta| Fo susraaro rust ‘SUSTRATO. tJ oS 0 2 Ts vo © Fig, 13-70, Transistor PMOS semiconductor de metal y ido de canal p:) estructura; 6) simbolo tlesteo;)caracteritics de drenje para un dspostivo ideal con B= 6 mMAIV"y Vz = ~3V.Se ‘pone quel sittin est cnectadn a terra. Ym ve Yao to vau vee! vo aA Nee . o Ver Von ® Fig. 13-71. Inversor PMOS (semiconductor de metal y 6xido de canal p). 2) Esquema que preventa doe fonts de aimentacion Se elige Vag mds nagatvo que Von = Vr, afin de {gue el transistor de carga oper en a regitn no satureda) Caracteristca de transference. ‘Valores grances de ir dan pur resultado mejores cateteistcas uel averse 294‘mo, la capacitanca de les lineas de conexi6n y Ia ca- pacitancia de compuerta de las siguientes etapas. Por fo general es este sltimo término el que domina. En textos esténdar pueden encontrarse métodos detalla- dos pare determinar la respuesta transtoria™®, Sin embargo, debe sefalarse que los tiempos de ascenso y descenso differen por la relacion beta del inversor (aproximadamente), ya que la capacidad de corriente Ae cada tausistor es distinte, Obseivese ademés yuc la respuesta transtoria de los inversores depende. de Ja egresancia, a menos que los anchos (o longitudes) de hp Waussiores se ajusten en concurdanci. Si una serie de inversores debe accionar una gran carga ca- pacitiva, es posible demostrar que el incremento 6p- timo en la capacidad de accionamiento del inversor fee estar en la relacién ¢ = 2.72, afin de minimizar el retardo global. Esto es dificil de implementar algunes veces, ¥"€6 posible emplear octos cirultos para os compensadotes (buffers) ce alta En la figura 13-73 se iustran varias compuertas b&- sices. Cuando los transistores se conectan en serie (como en la compuerta NAND), es necesario efectuar sjustes en la relacién W/L para mantener la relacion beta global en el valor deseado. Fara transistores 0 amas en paralelo, la relacién beta eambiard a medida aque se enciendan diferentes cantidades de trayectorias én paralelo. Debido a este hecho, los circutos NOR son mis econémicot en cuanto al rea dela pasta. La respuesta transitoria se rige por las mismas considera- ones que en el caso det inversor. La l6gica PMOS ce emplea raramente en loo nuevos dlisefios, pero en la década de 1970 se utilizé de forma ‘asi universal en caleuladoras y otos productos comer ‘ales. Ha sido calipoada por la tcenologia NMOS, que se presentaré a continuation. Sin emibarzo, obsérvese ‘que vrtualmente todas las consideraciones para el é- seo de crcuitos son las mises pare cualquier Iigica de un solo canal, Légica NMOS Las principales. diferencias entre los. transistores NMOS y PMOS son la polaridad de los voltajes y la mayor velucidad de los NMOS, debids a la mayor cio vilidad de los electrones. Por consiguiente, todo el anilisis previo acerca de la lbgica PMOS se aplice tam- bien a los NMOS. Sin embargo, muchas variaciones hhechas en los eircuitos PMOS han alcanzado la ma- ves tp vou, Yee Yen 1 Yee @ o Yoo Yoo = Vy Vou Fie. 1474, Inversores NMOS suponiendo Voo > Voo + Vrs ‘OARGA SATURADA’ YGE AGOTAMENTO Yost ‘@ (gmoauctor de metal y ln de aan.) ap no rad, eng aura cag de agoamien; a) eras tps 297Elementos circuitales concentrados activos Voy Vow Yaa 900 ra ig. 1375, Inversor CMOS (semiconductor complementaio de metal y Oxi): a) representacion cesquematia, Lafuente ye sustrato (es decir el canal el transistor PMOS se conectan a Von en tanta qe ioe del transistor NMOS se coneetan 2 tera: 6) secelén transversdl simplicads onde tox ~ grosor del éxido de la compuerta ‘eg = permisividad del Gxido de la compuerta Vy = voltaje umbral A= movilidad L = longitud del canal W = ancho del canal Los subindices uy p se refieren a los transstores NMOS y PMOS, respectivamente. El retardo de la compuerta suele ser de algunas décimas de nanose- fgundy por pivolavad Je capaciiania del udu. Esta Capacitancia es determinada en primer lugar por Ia ca pacitancia de compuerta de las siguientes etapas, pero ‘amb incluye la capacivancia de lay intercunexiones, yla capacitancia de salida. Los CMOS de silico sobre Zafio y los aislados por Gxido minimizan esta ditima contribucion, Ea la figura 12.77 ce ihstran enmpnertas CMOS, NAND y NOR. Como en el caso de las compuertas de un solo canal, las felaciones WIL de los transistores eben ajustarse a fin de mantener igusles los tiempos de ascenso y descenso, ‘También es evidente que las compuertas CMUS re quioren més transstores ¢ interconexiones mis com. pleas, por lo que también requieren una mayor érea de pastilla. Por supucsto, Is dsipacién de compuerta es sustancialmente menor a baias frecuencia. Esta baja dsipacign de potencia hace posible la co- locaciéa de miles de compueitas ei una pila Sit nnevesidad de un empaque especial para eliminar el ¢a- lor. En la posicion auxliar, los requisits de corriente son tan bajos que es posible eupleat apoyo de baterfa en cualquier cantidad para memorias no volatiles. Las ‘nuevas ideas de disefio que combinan NMOS y CMOS en ua pasila o invierten la estructura (empleando pozos 7 en lugar de pozos p) han incrementada la vex focidad y reducido el area, El cotiseante progreso de la tecnologia CMOS indi <2 que los CMOS habrin de conmvertirse en Ta fanilia VLSI dominante. [REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS 4. Michael F. Woltf, “The Genesis ofthe Integrated Circuit”, IEEE Spectr. 1345.83. Electronic Design, Special Anniversary Issue ‘Arthur B. Glasser ¥ Gerald E. Subak-Sharpe, Integrated Circuit Engineering, ‘Addison Weoley Reading, MA. aCircuitos integrados SSSR ABs: Yow con soteees // \ 7 ¢ Yor 5-13-76, Caracersica de wansferencia del inversor de_un CMOS (stniconauctorcomplementaro ce metal yoxdo)- La corieneseexrae dela fuente de alimentain slo ducante las ransiiones de un nivel lic otro. ‘L 13-77. Compuertas CMOS (semiconductor complementario de metal éxido: 2) compverta NAND: 6) ‘compuerta NOR:Elementos circuitales concentrados activos 8 9. 10. i iL Douglas J. Hamilton y William G. Howard, Ba ste Imteprated Circult Engineering, McGraw-Hill, Nueva Vork Hans Mark Janus y Olof Malmros, “Application ‘of Thermal Neutron Irradiation for Large Scale Procetion of Homogeneous Phosphorus Doping ‘of Floatzone Silicon,” [EEE Trans. Elec. Dev ED-29:797-802, George Carter y WA Grant, Ian Implantation of Semiconductors, Wiley. Nueva York. James F, Gibbons, “lon Implantation in Se- miconductore, Part i, Range Distribution Theory and Experiments”, Proc. IEEE $6:295-319. I. L, Stone, "FL: A Comprenensive Keview of Techniques and Technology”, Solid Stare Tech. nol. 20:42-47, Robert H, Crawford, MOSFET in Circuit Design, MeGraw Hill, Nueva York William M. Penney y Lilian Lau, eds., MOS In- tegrated Circuits, Van Nostrand Reinhold, Nueva York ‘Thomas Klein, “Technology and Performance of Integrated Complementary MOS Circuits”, IEEE J. Solid State Cir. 8E-4:122 130, 13.8 CIRCUITOS HIBRIDOS: DE PELICULA GRUESA Y DE PELICULA DELGADA. George H. Ebel 1354 Descripelon general En Ja industria de Ja microelectronica no existe una definicidn generalmente aceptada para los cireuitos hie bridos. Se tiende a clasificarios por disefo,fabricacién ¥y materiales, por funcion, o basandose en su empleo. El rasgo comin en toda Ist definiciones ex Ia minis. turizacion de la manufactura del cieuito electrénico Por otros mecios diferentes a la ubicacion de fodas las funciones en un solo circuito integrado se: rmiconductor monolitico. Un ejemplo tipico de esto es Ja susttucion de un tablero de circuitos impresos que tiene piezas discretae por un sievito hfbrido, en el que se emplea uno de las diversos métodos de encapsulado que se describirén més adelante. La reduecion del ta- mao empleando téenicas hibridas de construccién va ria desde aproximadamente 5:1 hasta 20:1 ‘Algunas personas afirman que los ciruitos hfbridos oben clesificarse como una téeniea de cnsamblado, Fig. 13-78, Construcién hibrida de pelicula grusa de vans niveles con un sustrato de un soo nivel conetado Al Sorat principal Ta pare dene nivel present el jute abragin de ne rescore de pela grest (areas negras) Los grandes elementos enol sustat principal son capacitors de pasta de ceramics. El brido ssuncuoliede de BE pale pos lado, y ontiene 8 ifcuitosintegtades, 18 uausstores, 3 diodes, 33 capaitoves, “H ressores 428 empalmes con tambre 300Circultos hibridos: de pelicula gruesa y de pelicula delgada mis que como un componente ico. Esto st debe probablemente «quel ico gue pare ser comin « fotos exon eres s un esqdema de interconesion ¢n miroministra tle de sxe apartado suger que tos loss cults hiss eatin vidos ends etegrias os de pelea grusa os de pecladlgaa is 789 T5io) Long a metakcain deloustte coon pect de os citer hbo, exten michs mis A ESutmuscon se presentan tes mets de lai A. Diseio, fabricaciin y materiales. 1, Metolizaciin def sustiato a. De pelicula gruesa, b. De pelicula delzada 6, De ttveles salliples Resistores del sustrato. a. De pelicula gruesa, + De nictom ve pelicula delgau. fe. De nitruro de tantalio de peleuta delgeda, Material del sustrato, a. Alimina b. Beri , Folimeros. 4. Con alma de metal Métodos de interconexion, a, Yor empalme de alambres. Bi. Por soldadura de refluj 6 Por polimeros conductores. 4, For Soldadura, Conexisn de lot componentes a. Eutéctica. D. Por soldadura de retluj. &, Por polimeros. Encapsulado. a. Hermético, Bb. No hermético. x Funcién, 1. Anslpica, Digital 3. De potencia 4. De microondas, 5. Optica, Enipleotn 1. Militar. a. Aerondutica, b, Misiles . Espacial, 4. Vehicular fe, De tierra Comercial a. Vehicular. D. Dispositivos medicos de implamtacion, € Bn oficinas, Iahnentorins, ete Este bosquejo no prentende ser exhaustivo, sino So lamente pretentar Ia divesidad de artieulos qe #8 po- sible clasifcar como circuitoshibridos. Los aticulos de 301 1a clasificacién pueden combinarse para describir un irouito hibrido en particular con mayor detalle. Esta diversidad también conduce 2 procesos tnicos de ma- rnufactura en cada lugar en que se fabriquen los cir- cuitos hforidos. Aun cuando e medida que la industria, 4e os cireutos hibridos madura, los procesos y ls pro- ‘cedimientos de manufactura se estin volviendo més ‘estandari2ndos, todavia es dificil encontrar dos fabri- ‘cantes que utilcen los mismos materiales, procesos ¥ procedimientos 13.8.2. Definicién de términos ‘Muchos documentos conticuen definiciones de la te: ‘minologta empleada en el campo de ls citcuitos hibri- dos. La referencia més comin es la MIL-STD-883. Las siguicutes Uefiuivioues se encuentra eu la ver del método de prueba 2017 de dicho documento. © Ambiente controlady. Un umbiente contolado debe satisfacer los requisitos de la Federal Stan- dard 209, Clase 100, relativa al ambiente para la limpieza y humedad del aire, excepro que la ma- ima hnmedad relativa permisible no dehe ex. ceder del 50%. Elempleo de un ambiente de gas inerte, como el nitogeno, debe satistacer el Te- quisito de nn ambiente contralada Ancho minimo del resistor. Este ancho es la por- ‘ion mas estrecha de un resistor dado antes del corte de ajuste. Sin embargo, para un resistor en bloque ese ancho debe especificarse en la do- cumentacion aprodada de! disco. Ancho original. Es la dimensign del ancho 0 de la distancia que se pretende en el disefio (es decir, ancho original del metal, ancho original de ifusidn, ancho original do la viga, etc.) Area citcuital activa. El érea citcuital activa comprende todas las éreas de los elementos del sircuito y la metalizaciGn funcionales, © cuales 4quiera combinaciones de ellos, con exclusion de las vigas conductoras. Capa aislante. La capa aislente os una capa dlieléctrica empleada para aislar el material con- ductor y resistivo de varios niveles 0 para pro- teger cl material resistivo conductor del nivel superior. Capacitor interdiitalizado. Es un capacitor for- mado mediante 1a separacign de lives pasalelas rmetalizadas, ‘Componente no utiizado o elemento depositado aio ula, Sou aquellos que uo se exeucutiat, conectados aun cireuito o trayectoria de circuito fen s6lo un punto. Puede establecerse una co- nexion por diseflo 0 por anomalia visual. (Cuerda. Una euerda es un flamenta 0 hebra de algin polimero orginico. ‘Empalme compuesto, Es la conexlon monome- talien em empwlme sobre Ia parte superior de otro. Material extra, Un material extrano es cual- Aquier sustancia que se desplace de sv posicién original 0 pretendida dentro del paquete del mi-Elementos citcuitales concentrados actives Fig. 1-79, Construccién hii de pelicula delgada de un sol ive que presenta cuatro grandes ransistores, ‘Gepotenci inerUghadon. Ellibiado es uieuahed yor side 1 pl pos ado y vonteue ecules integrates, resistoes 634 empalmes con alambre, BS transistres, 6 dindos, 18 capacitres, crocircuito, Un material conductor extralio es cualguier sustancia que aparezca opaca en las, condiciones de iluminacién y amplificacién em- pleadas en una inspeccién visual rutinria, Las particulas se considerarén imbuidas en el vie Griado cuando exista evidencia de bordes de co- lor eu la petifesia de aquéles, Metalizacion del borde. Es la metalizacion que conecta eléetricamente ia metalzacion de la su perfice superior com el lado opueswo del susie fo. Tamhién se denomina metalizaciéa envol- vente ‘Metalizacién en capas milples. Consise en el epasita de cos més cape (conductoras) de ‘metal o de cualquier otro material empleado pa ‘a mnterconexiones que no estan aisladas entre sf ppor un material aslante qne se desareol 0 Aeposita. El término “metal subyacente” hard referencia a cualquier capa que se encuentre de- bajo de la capa superior de metal ‘Metalizacign en niveles miltples. Es el depésito de dos o més capas (conductoras) de metal 0 de evalguier otro material empleado para inte conekiones que se encuentran aisladas entre si por un material aslante que se desarrolia 0 se Seposita. 302 Motalizcién funcional. La metalizacién fun cional (conductor) es todo metal, 0 cualauier otro material, empleado para interconexiones excepto mereas de corte metalzades, clementos cicultalesfuncionalesinconexos para patton de prueba, almohadllas de empalme sin utli2at y fnorsae de ientificacign Metalzaciin integral. Es la que conetselécri- ‘camente la metalizacion de la superticie superior ) Ta opuesta del sustato Pasivacion. Esta se loara mediante el desarrollo 0 depésito de dxido 0 nitruo Ce slcio, 0 cus uiet uy material, uirecamente sobre el case do, menudo 0 lsc anes el depisio del Pasivacton con virio. Este proceso consiste en el depesita (vidriado) de una o mas caps sie perioes de material sslante transparente que fubren el area activa de la pasa, ncluyendo la metaliacin. excepto Is lmohadils de empale they las vigas conductors. Se lama eraquelado 6 ilcronsiacon a la presencia Ge gnetas Pelicula delgada. Una pelicula delgads (de me- nos de" 10GH) A de grosor) es una pelicula deporitada sobre un futrato por un procera deCircuitos hibridos: de pelicula gruesa y de pelicula deigada «crecimiento tal como evaporacton al vacfo, bom- Ibardea inion, 0 descomporicisn piraltica ‘© Pelicula gruesa, Es une pelicula depositada por procesos de serigrafia y sometida a alia tem- peratura pars fundirla en su forma final. Los procesos bésicos de la tecnologia de peliculas ‘grvesas son la serigrafiay la aplicacion de calor. ‘© Plano de tierra. Un plano de tierra es un rea metalizeda sobre un sustrato que se emplea para separar las capas de dstribuciOn de voltaje de las betialer o de diferente claset de eefales. El pla no de tierra puede estar o no en el lado circuital el sustrato ‘© Polimero orginico. El residuo polimérico or génico (epoxt) en forma de vapor es el material emitido por el polimero que se deposita en una superficie disponible, © Ranura. En este contexto, una ranura es aquells porcién de area del material del resistor de la {gue se ha climinado 0 modificado meterial por medio de ajuste ‘© Separacién original de disefio. Es le dimensién de separacién 9 distancia que se pretende en el diseno. ‘© Sintonizacién RF. La sintonizacién RF es el fjuste las seiales de salida de uu eiteuit RF por medio de la modificacin de lineas 0 almoha- dillas © haciendo variar los valores de cepacitan- ia y resistencia a fin Je cumplir una expecifie cida eléctrca en particular ‘© Sustrato, Un sustrato es el material estructural {de apoyo interior, exterior o ambos, en el que se enloean Ins elementos de pasivaciin, metali- zacion y circuitales. 4353 Procesos de manufactura Existen muchos procesos de manufactura para cons- tir cituitos hibridos. Estos procesas, desde Is tecn0- logta de los sustratos pasando por le conexién de com- Ponentes y las téomcas de interconexion hasta el en- ‘eapsulado y las pruebas, pueden combinarse de forma casi ilimitada, Teonologia de los sutratos EI material de mayor uso en Ja actualidad para los sustratos es la elimina no vidriada. Algunas veces se ‘emplea berla, on cazo de requerise mayor disipacién de potencia. Sin embargo, las personas que trabajan con este, material deben protegerse del polvo que se ‘eaprende y esto susledotlentar el empleo de bere pare los resistores de sustrato que requieren ajuste por corte. Revientemente se ha investgado el empleo de lun metal (p. ¢., acero porcelanizado) como material de sustrto. Una tecnologia més en estudio es elem pleo de productos orginicos tales como las polimidas. ‘Otros matetales que se han ulizado pote la mauutac- tura de sustratos son: la alimina vidriada. zafiro. v- Aro ysiliio oxidado. 'A fu de eompletar un ssirato ido, es nevesato colocar sobre el material del sustato alguna forma de Patron de interconexion. Esto se raliza con tecnologia de pelcua gruesa 0 de pelicula delgada. La wexnoto- ta de: pelicnla gresa et hiicamente In vieja téenien Ge impresién con estarcido (serigraia). La tecaolo fia. de pelicula delgada consta de las tecnicasfotaito Evient ms recientes, que permiten encapsuladas més Gensos con interconexiones de un solo nivel. Sin em- bargo, la tecnologia de pelicula gruesa permite mayor capacidad de conduscidn de corsente, lo cual 2 ne- cesario para los cicuitos hfbrdos de alta potencia Los cicutos de pelicula gruess de un solo nwvel se elaboran haciendo pasar una pasta por etarcios de acer inoxdable de mall ine que tienen impresos pat trones apropiados. La mayor parte de los patrones condactores esti hechoe con una posta a bace de 070, aunque de manera continua se encuentran en evalua. Gi6n otros materiales menos cososos. A finde crear la mayor parte de los reistores ompleados cn l cicuito ibrido se eplian por esta técnica tintas resistivasso- bree surat. Sobre sets de pelicula gruesa de ‘varios aveles no aucle imprimirse restores: La cons: truccin de varios nivels se emplea para cicuitos de mayor densidad (fig. 13-80). Dado que es dificil impri- rir resstores coniables en aiveles superiones al del sustrato, se emplean resistores de pasila discretos 0 redes de resstores. Un sustato de varios niveles se stableceimprimiendo por sergtatia de manera alle hada capas de conductores y alan. En realidad. a {inde fabricar un hibrdo confable de niveles mUliples se sequete lo sguicate 41, Imprimir con estarcdo y curar por calor el patrén. ‘conductor del primer nivel 2. Hacer lo mismo con el primer nivel de material aislante con agujeros de comunicacién para co- nectar el patron conductor del segundo nivel, 3. Serigrafiary eurarel material conductor que est dentro de los agujeros de comunicacién, de modo {ue el sergrafiado del segundo nivel se realice en una superficie lo més plana posible 4, Repetir los puntos 2y 3a fin de eliminar los cor- tocteutos debids 2 pequetaspertoreciones en- tre los niveles conductores, ‘5. Serigrafiary eurar por los mismos procedimientos el patton conductor del segundo nivel. 6. Continuar hasta que ee hays completado al as: mero deseado de patrones conductores. La me- {alizacin del nivel superior suele efectuarse con ‘un material completamente diferente al de loc de mds niveles. Esto se hace ast afin de optimizar la fiabilidad de adherencia de los artculos coloca- doz sobre el sustrato y para asegurar cl mejor proceso de interconexiGa para el hibrido. Otras formas de lograr esto son: imprimir con estarcido dos veces cl nivel final o someter& galvanoplastia. ghultipe nivel, afin de obtener Ie metahzacion La tecnologia de pelicula delgada (fig. 1381) suele caracterizarse por el material empleado para los resis- ‘ores. Los maleiales mgs wouuies sun niciomy y ae truro de tantalio. El primero suele ser mejor para si- tuaciones de tolerancia estrecha, pero adolece del pro- 303Elomentoe circultalee coneentradoe Tres nines superiors de un usted nde observare aves del Expats ge 1 1p lack gal de pelicula grucsa de custo niveles. El puss uel ron dela segunda capa gue seve ua iaguerd. Ete saxrto abe enna in deus onde. afcomo la separecon mina entrees: ese ‘B4ns ply.Fe la wediceidn a eran scala exif mantener esac cimensones. Pon genesallnconfetores y las Separacones entre ellos son mayores 0 iguales que (01 pulg a tin de asegurar ait tacores de blema de resistores abiertos en presencia de humedad yvoltaje. Las caracteristicas del nitraro de tantalio han Tmejorado ¥ ahora este material compite con el ni Los sustratos de pelicula delgada se elaboran deposi= tando primero los materiales de los resistores sobre el ‘material del sustrato. El material conductor, que suele ser of, se Ueposita sobte el matesil del 1esisto1. Eu tonces, mediante técnicas fotoitogréficas. se elimina ppor corrosion selectiva todo el material de los resist Fes y conductor que no sera empleady en el circuito final. FI paso siguiente es la eliminacién de material conductor en todo lugar en que se desee un resistor. Esto deja el sustrato final, que contiene el patron de las interconexiones y resistencias Para sustratos tanto de pelicula gruesa como de pe- licula delgada, mas tarde Suelen agregarse al sustrato resistoreseriticos en forma de pastillas Conexion de los dispositivos de pastilias La forma en que se conectan los dispositivos de la pas. Ulla alos sustratos terminados varia considerablemen- te de un fabricante a otro. Se emplean elementos de pactila tanto pasivos como activar. En la tabla de al lado se enumeran algunos de los elementos de mayor uso en los citcuitos hibridos: Las eonexiones 0 empalmes de estos elementos 50 bre el sustato se realizan con medios metalicos o po- Jiméricos. Los esquemastipicos de metal son de diver- 09 tipos de soldaduea 0 eutéetiees de oro.silcio, oro germanio, o bien oro-estafio, Al emplear empalmes ‘etélicos para dispositivo tales como los eapacitores e pastilla de cerémica, es posible que ocutra agrieta miento en el empalme, debido a diferencias térmicas de les piezas. Otto problema con el empleo de solda dura eS el lixiviado del oro, Las resinas epéxicas conductoras y no conductoras voit ley aatetiales polimerious predominates em pleados para ls conexién de elementos cireuitales 2 sustratos hibridos, aunque existen dos problemas pri ‘mordiales eon dichos materiales. El aleance de los pro- bhlemas aumenta directamente enn la cantidad de sina epoxi empleada. El primer problema, que se apli- ca tanto a las resinas epoxicas conducioras como a Tas na enndctoras, es el esprenvimientn ce gas de Las resinas. El desprendimiento de gas puede dejar una Gelgeda pelicula organica sobre la superficie de un hi brida antes de su sellada, la eval puede impedir la for- macién de interconexiones confiables en el futuro, Dispasitives activos _ Dispositives pasivos Resistores de pelicula delgada (1anto aiscretos como en redes) Resistares de peliela eruesa (tanto diseretos como en redes) ‘Capacitores(ceramica, tantalio y MOS) Inductores y transformadores Gircuitos integrados ‘Transstores Diodos 304Circultos hibridos: de pelicula qruesa y de pelicula delgada Para hibridos sellados herméticamente, el despren- ‘dimiento gaseoso continuo de, por ejemplo, humedad y amonieeo de Ine resinas epsricas puede provocar problemas durante el uso en el campo. El segundo problema mas importante se refiere solo 4 las resinas epéxicas conductoras. Un fenémeno, que atin no se comiprende, provoca una trayectoria de alta resistencia elécinca en la interhcwe del empalme de re~ ‘ina. La manifertacién de este hecho en el campo susle tardar de uno a tres aflos. Esta interfcie de alta resis- tencia se ha informado para empaimes de materiales somo silisio, cobre y aluminio, pro ne para mat [es como oro y plata, Métodos de intorconenién ‘Una vez que sobre el sustrato se han colocado las pasti- lias de los elementos circuitales, las conexiones elgctri- cas deben efoctuarse por lo general de las pastillas ala metalizaciOn del sustrato. La mayoria de los disefs- ores de hibridos intentan efectuar tantas conexiones eléctricas de éstas como sea posible durante cl montaje de los elementos de la pasilla. Evidentemente, con el ‘empleo de téenicas como las de pasilas reversibles (0 investidas), pasilas de amostiguacién 0 dispostives semiconductores por conexionado con vigas conducto- tas es posible elaborar un hibrido completo sin oper ‘ones adiciouales de iutereouesiGu, Siu enibaage, de- ido @ la naturaleza individualizada de la mayor parte de Ios hibridos, los dispositivos semiconductores y las redes de resistores suelen conectarse eléctricamente al ‘strata par media de alamhre fino (de aproxima- damente 0.001 pulg de didmetro) de oro 0 aluminio (fig, 13-82). Ta energia para efectuar las interconexianes con falambre proviene de una combinaciGn de factores como la presion ¥ el calor. La resistencia mecanica del Silicio astablece al limite superior para la presiém: ya {que ésta no basta para formar la unién, es necesavio Agregar calor. Este puede obtenerse calentando todo el hibrido, calontando Ia herramtienta de empalme, 0 em- pleando enero ukraine. Los empamadores de ‘mayor uso en la actualidad para la construccion de hi bridos 20m loe termoesnicos, en loz que ee combina la presion, una etape de calentamiento para el hibrido y luna herramienta de empalme ultrasgnico. El empal- ‘mador termosénico ce emplea para el alambre de oro, que es el material predominante para empalmes de alambre en hibridos, debido a que los parémetros ‘dc empalme pata cl alambre de oro no son tan eriticos como los de! aluminio. Los empalmadoresultrasénicos se emplean para empalmar alambre de aluminio. Para hacer empalmes fables con alambres cx ne- cesario contar con una superficie limpia, Recientemen- te sea demostrado que es efectiva una limpieza a base de plasma suave von argon o wa mezcla de exigeno y argon antes de la operacion de empalme. Fig. 13-81, Seocidn de un circuit hbrid de pelicula gruesa en la que se muestran un resistor de nicromo en serpenting, un circuitointeyedo y uu arssor, Las partes cacunis en el tendo del conductor en donde 1s ‘empalmes de os alambrespasan sobre dicho tendido, soa depOsitos de diido de silo que eitan crtoieuitos, 905la concantrados actives Ajuste fino por corte de resistores Para construr circuitos con tolerancias estrechas de los restores, los resistoresserigrafiados en el sustrato y los de pastilla se ajustan por corte hasta valores exac tos. El empleo de léser para ajustar resistores de pe- Ticula gruesa o delgada (fg. 13-62) es el método més comin. Algunos resistores de pelicula gruesa se aius- tan todavia més mediante una t6enice de abrasién newudtiva, La etapa de manufactura en le que se efec= ta el ajuste depende en gran medida de la exactitud de los valores del resistor. Muchos circuitos requieren el ajuste activo de los resitures. Pur euusiguieute, el circuito debe estar esencialmente completo antes de realzatse el ajuste final Fncapenlada y sellado final El encapsulado o empaque puede dividirse en dos ea- tegorias generales: hermetico y no hermetico. Los he Iria harmétions se deinen chma encerrade en me- tal, cerémica, vidrio o una combinaciGn de ellos, y la mayor parte Ge estos hibridos se emplean en operacio: res militares 0 de alta fzbilidad, por lo que el encap- sulado hermético esté ms estandarizado que el no hermetico, Los empaques metalic con tapas soldadas. como tello final constituyen la mayor parte de los hi- bridos en lacategorfa hermética. Algunas veces se em- plean cépsulas de cerdmica, pero las grandes tienden a agrietarse y los rendimientos del sellado no son tan ‘altos como los de las eépsulas soldadas de metal. El sustrato, ya con las pastllase interconexiones, se ‘empalma dentro de la eépsula con sistemas poliméricos ‘o metélicos de la misma forma en que se empalmaron Jos elementos de pastlla al sustrato. Los mismos pro- blemas analizados anteriormente en esta sectiOn, Te lacionados coa la conexién de dispositivos, tambien se aplican ala conexion del sustrato. Una vez que el sus- trato esté seguro dentro de la cApsula, las conexiones clévsicas alas tevtiales de la cdpoula ve elextdan por ‘écnicas de empalme con, alambres. El encapsulado de hibridos no herméticos es bastan- te diverso. Los lbrides menos custosos suelen mot ddeatse en algin material polimérico. Lox ms cnstoxes y complejos suelen tener “cubiertas contra polvo”,ge- hneralmente formados por resinas epoxlcss, sobre los ‘tomponentes electrinioas, eon fines de penteccién me- cénica. En la mayor parte de los hibridos no hermé- ticos se emplea el sustrato como base de la capsula, Fs necesaria tener enidaco al emplear compuestos ‘moldeados poliméricos para el encapsulado final de circuitos albridos. Dado que Is humedad llegara tina mente ¢ los elementos critcos del eireito, coma se miconductores y resistores de nicromo, la’ superficie Fig. 12282. Alambres delgadot de oro (0.001 pla) que conectan una pastils dable de transistor con a rmetakzacién del sustato do peice gruesa. La pasila del tansétor se monté en el sustrato mediante un euteeco de oro. Bl epaime de aanibre eel dugulo superior iyuretUy ean empelae ensue, ‘ue en este caso se emplea para dar une fiabildad extra al empalme de cua sobre el sustata, y algunas veces Se denomina empalme de seguridad. El otro extremo del slambre se coneta al mismo tenddo dela metal Zick del eurtrato con un erpalme de cua 306Circuitos hibridos: de pelicula gruesa y de pelicula delgada Fig. 1383, del hibrido debe cater lo més limpia posible durante el fencapsulado. Asimismo, tanto el oro como la plata ‘emigrarin con rapidez en presencia de voltaje, hu- edad y cualquier ion halégeno. C1 otro problema con cl moldeo de hibridos se refiere al desajuste térmico durante ciclos de temperatura. Es necesario someter lus lduidos moldeedos « vilos de temperatata eu Ios ambientes de uso real durante un largo periodo afin de asegurar un disefio adecuado. ‘Quizd el principal mecanismo de fallo Ue tos ee ‘uitos hibridos es la contaminacién superficial. Por ello, las superficies activas deben limpiarse tanto como sea posible Justo antes del encapsulado final, Los mé- tadlasquimions een plasma seen han sido hastanteefe tivos con ese fin 134 Especiticaciones de corriente ‘Aunque se han efectuado muchos intentos encam- nados a desarrollar especticaciones para los hibridos ‘comerciales, ninguna ha sido aceptada en general por Ia industria. Cast todas las especitcaciones para hibr doe siguen al pateGn de tree especficaciones militares: 1) MIL-STD-883, Test Methods and Procedures for Microelectronics; 2) MIL-M-38510, General Specifica- tion for Military Specifisation Mieroeizeuits; y 3) MIL- STD-1772, Certification Requeriments for Hybrid Mi- crocircuit Facilities and Lines. Le MIL-STD-883 cubre todo lo relacionado con le mictoelectrénica, y la mayor parte de los documentos 307 Resistor con sustrato de pelicula gruesa que se ha justo por recorte con rayo lise. ccubren los ereuitosintegeados monoliticos. Sin embar £0, existen dos métodos que se aplican s6lo a hiridos. El primero es el método de prueba 2017, “Internal Visual (Ilybrid)". Este método establece normas para Ia inspecci6n visual de los detalles de eonstrucci6n de los hibridos. El segundo método de prueba “solo para Libnidos", el £008, “Test Proceduses for Hybrid and ‘Maultichip Microcicuits”. se refiere a muchos otros procedimientos de prueba mencionados en los. do ‘uments que tambien se etupleau para los eicullos integrados monoliticas. Este método de prueba tam big especifica la forma en que los elementos activos y ppsivos de las pastllas deen serigraflarse antes Uel fensamblaje en el ibrido. La especificacion MIL-M-38510 también es un do- ‘cumento general dedicado principalmente a los cir- fenitos integradas monollticns. Fl Apéndice G de este documento, General Requeriments for Custom Hy- brid Microcircuits, trata exclusivemente de hibrigos detalla las partes de la especificaciga MIL-M.385 que son aplicables a los brides. 135.5, Consideraciones termicas Para los hibridos de mediana y baja potencia es ne- cesario generar dizefioe térmioae adecuadoe. Eng eral, la mayor parte de las reglas del disefo para los dispositive semiconductores recomiendan temperatu- 10s méximae de unién de 125 0 130°C. También establece un limite para los resistores, conforme a loslamentos circuitalas concantrados activos amaterialesutlizados. El incremento de temperatura Bara cualquier dpositvo en un bib suele aelar- {como una fancion dea temnperatra dela onolen- te. Por lo general hasan cdlelos sencilos para ase- {ura un ben dis. Estos cielo es siempre dan Pr reuliado un isefo ligramenteconervsdor El incremento de temperatura ent dos puntos cualesqiera puede calsulrse empleando la siguiente scuaigne AT = RP (13-86) incremento de temperatura, °C resistencia térmica, "CW P= disipacion de potencia, W La temperatura suele expresarse en grados Celsius (6 centigrados), y Ia potencia, en watts. La potencia _enerada en un dispostivo especifico se calcula a parti el esquema del ciruito, mientras que la resistencia térmica se calcula a partir de la siguiente ecuaci6n: donde 1 ‘K = conductividad térmica, Wim - °C A = atea de la seccion transversal, m? Suele ser posible obtener los valores de Ken manva- les o tablas de especifcaciones para los materiales, El frea de Ia seceion transversal es tac de calcular. Si el. ‘material cuya impedancia estésiendo calculada no dit. tribuye el calor (p. ej., una resina epdxica no conduc tora sin rellenar), entonces se emplea la medida del rea transversal donde penetra el calor. Si ocurre dis tuibucin de calor, entonces se supone que el angulo de dicha distribucibn es de 45°. Asf, el area empleada ‘paca caleular la impedancia térmica es el promedio del ‘rea donde penetra el calor y el drea donde existe ca lor. Silas trayectorias del calor de das dispositivos ad- yycentes se superponen debido a le distribueién del ‘alor, es necesario efectuar ajustes para corregir el problema. Lin método sencillo es suponer que no hay Sistribuciga de calor més als del punto de superpos cin de las dos trayectorias de calor. Los valores del grosor son crticos para materiales tales woo tesiues epéricas, y vou fiecuensia sow las incdgnitas més importantes en los céleulos. Es neces rio tomar precauciones especiales al elegir el grosor de Tas lineas de empalme que realuvente labia Ue darse eu. Ia linea de produccién a los hibridos. Las impedancias térmicas individuales se caleulan para cada elemento en la trayectoria térmica, y des- jnués estos elementos se combinan en serie-paralelo a fin de llegar a la impedancia térmica de la envolvente ‘la fuente de calor. Esto es parecigo a la combinacion fe resistores en serie-paralela para llegar avin resis. tencia equivalente en serie Elncremento de temperatura de la fuente de calor a Ia envolvente se calcula por medio de la ecuacién 13-86, ya resistencia térmica equivalente se determina ‘combiriando las resistencias térmicas individuals, tal como ya se deseribi. 13.6 Consideraciones sobre frecuencias La tecnologia hfbrida ordinaria puede utilizarce para ireuitos que operan en el intervalo de 0 a 100 MHz. Debido a sus anchos de linea mis estrechos, es posible utilizar teenologia de pelicula delgada a frecuencias su periore que las de la construcidn de peiul rasa n el intervalo de aproximadamente 100 a 300 MHz, los elementos circutales concentrados eeden cl lugar & elementos distribuidos. Por encima de 300 MHz se em- ples la tecnologia de microondas. Esta érea esté en el ‘campo de la teenologia de pelicula delgada, Al establecer las travectorias de conduccidn del sus- trato, es necesario tener el cuidado de separar last yectorias que pudieran provocar una itesfeveucia peli ‘70sa 0 datina. Tambien es necesario eliminar grandes ftrayectorias parallas en el disefio de sustratos. in57 Aplicaciones Los cision hibridos se emplean com 1, Reduceiéa de tamaio : Pequenos lotes de produccion 3. Rendimiento, 4, Fiabilidad La reduccin del tamafa es evidente, Por Io general un tablero de circuitos impresos de 25 pulg? aproxima- damente, construido con piezas discretas, puede re ucirse 4 tna o das cireuitor hfbridos de aproxima. damente 1 pulg® cada uno. Las reducciones de tamatio Y peso hacen bastante atractivos los eircuttos hibridos para aplicaciones militares y espaciales. Con la reduccin de tamafio esta asociado el proble- ‘ma de los pequefos lotes de produccidn. En muchos casoe, especialmente con los crcuitos digitales,serian posibles incluso mayores reducciones de tamafo y peso mediante la individualizacion (fabricacion sobre. pe- ido) de circuitos integrados a gran cseala. Sin cmbar 0, el costo suele ser prokibitivo. Ouro problema con tales circutos es la absolescenci, asi como las repos ciones, que son dificiles. En el caso de los hibridos, estos problemas son menos importantes, ya que la ma Yor parte de los diseios se efectdan con piezas ordina- Fias de gran volumen, o en todo caso pueden iesolveise ‘mediante un rediseno minimo. Con frecuencia, los citcuites erticos pueden pro- ucise mgs efectivamente en forts de liluidus, Es posible lograr buenos rendimientos. dado que los elementos del circuito se encuentran muy préximos en tre Sf, con To que se reducen lus gradientes térmicos. Esto da por resultado un buen seguimiento de los elementos acoplados. El ajuste fino activo suele em- plearse para producircitcultos hioridos con requisitos Erifiens. Ademds, Ia miniaurizacién ohtenida enn hibrido mejora el rendimiento a alta frecuencia, La interconexion de dspositivos discretos es une de las mayares canes de flla en el equipa electrénico. El ‘empleo de tecnologia hibrida reduce el numero de in- Tereonexiones cas a [a mitad, y estuerzos recientes en In industria hibrida para mejorar el empalme con alam- 308bres han dado por resultado vonexiones altamente fla- ‘nes: el nuevo equipo para los empalmes con alambres ¥ los procesos més recientes de limpieza han hecho que las fallas dentro de un horido sean poco probabies. La industria de los hihridos es multihillonaria y s crecimiento es continuo, por lo que actualmente su fu- ‘zo es prometedor. El empleo de empalmadores de alambre.sutaméticas controlados por mierapraces’e dores es comin en Ia industria, y e estén desarrollan- 4o aispositivos de reconocimiento de patrones. Estas jnnovaciones, junto con el equipo automético de “to- ‘mar y colocar® que se encuentra en etapa de desarzo- Tio, completaran la automatizacion del montaje de hi- bridor, que ser4 una realidad en un futuro préximo. Las aplicaciones de los hibridos son tan. variadas ‘como [os métodos de ensamblado y los materiales que 0 emplean. En Estados Unidos, ol ejrcito y la NASA. than utilizado cicuitos hfbridos durante mas de una dé- cada a fin de reducir el tamafo y peso del equipo aero- réutico y espacial. La influencia del ejéreto y la NASA liega mucho mds ald de los dispositivos em- pleados por dichas instalaciones. La tnica especifica- niaturzar las partes electrinicas de los vebiculos. Es tos hibridos suelen tener la forma de médulos “con eonectores” a fin de facilitar yu mantenimieno. Al- ‘Banos otros usos de las hfbridos son los siguientes: 4, Equipo de deteccion en la perforacisn de pozos petraleras, 2, Sistemas de entretenimiento en Ia aviacién co- mercial. 3. Computadoras y sistemas periféricos 4. Television ‘5. Homos de microondas. 6. Controles de méquinas de corer. 1, Equipo de entretenimiento en el hogar. 8. Maguinas para analisis medicos. 9. Miguinas de escribir electrénicas. 10. Controls de beramientas de poten 12. Equipo comercial de microondas. Algunas reas en las que los hbridos se emplean poco, pero en las cuales dicho uso podria ampliarse en 1 futuro, son Tos controles industries, equipos de la- boratorio y juguetes electrnicos. Parece que el futuro de la industria de los cireuitos hibridos es brillant 1388 Referencias generales Una de las fuentes més concentradas de referencias acerca de circuitos hfbridos es la International Society Otros dispositivos electrénicos for Hybrid Microelectronics, PO Box 3255, Monigo- mery. AL. 36109. Esta sociedad ha publicado las me- ‘moras de sus simposios anuales desde 1967. También he _publicado revistas téonicas blanuales desde 1978. Fn 1976 y 1981 ce celehrarom dns simposine deste dos exclusivamente a la microelectrénica de los hb 4dos, en Fort Monmouth, NJ, bajo el suspicio del US ‘Army Flectronics Research Development Command (publicados por el US Army ERADCOM, Ft. Mon- ‘mouth, NI 07703). Las memorias de estos simposios contienen muchos documentos tkenicor excelentes acerca de microcireuitos hibridos. ‘en las memonas del International Keliabuity Physics Simposium se encuentran varios articulos acer ca de Ia tecnologia de los hibridos (publicados por IEEE, Canterbury Press, Nueva York), que se re lacionan a continsacin: © A.P. Bertin, Terwiliger, T. W., “Repairs to com- plex hybrid cirouite-their effect on reliability” © A. Christon, JR. Grifith, W. Wilkens, “Relia bility testing of fiuorinated polymeric materials (ENP) for hybrid encapsulation. ‘© A. Christon, W. Wilkins, “Assessment of silicon encapsulation materials-sereening techniques”, ‘A, Dermardcrosian, “Humidity threshold varie- tions for dendrite arowth on hybrid substrates” © GOH. Ebel, “Failure analysis techniques applied in resolving hybrid microcireuit reliability pro- blems”. © G.H, Ebel, “Tutorial session on hybrid techno- logy-intwodvetion", R. W. Gedney, “Trends in packaging techno- oxy # Rikosomy, J. Mistell; “Charatetiaion of reaction bonded gold and siverhcefm metal # COM Lane, “Packages und fm resistors for by- Wri mien # CiLibove, Rectangular fl. pack ds under exter nal presre-ormuls for sfeening snd desig 0G Riephy“Hyheit technologyclane ples tnd coating materials” © RF Redemske, “Muluevel supstateteenno- Iogy and epory component sta fr hybrid Ee breton" © Dit. Somernte, “Ie role of hybrid construc tin iedniquet ea sealed mosture level 13.6, OTROS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Mark B. Barron 13641 Tivistores El nombre “tirstor” 20 refiere a une familia gonstica de dispositivos de cuatro capas pnpn que presentan accidn regenerativa de conmutacion. El dispositivo b&- sico y padre de los otros dispositivos de cuatro eapas es el rectticador de silicio controlado (SCR, de silicon ‘controlled rectifier), desartollado en 1957. En la figuraElementos circultales concentrados activos ro ANODO, A PoP amy, : a ¢ x a a > * eh : . wks aa | Sit 250 dt um a 5 x 10%/em?| com P - 2 10'iem? Fig. 13-84. a,b) Equivalente de dos transsiores de un eestifcador de silico ‘ofizolae (SCR): <} Dimensiones de [a secin transversal Je un SCR tipo. 4) Perfil de impurifcacén de un SCR. 310A Otros dispositivos electrénicos REGION DE CONDUCCISN \ REGION DE LOGUE INVERSO ~ REGION OE INVERSE Fig. 1285, Carncteristias corrente-voltaje de 13.84 se muestra esquematicamente. En esencia, el SCR es un par de tansistores npn y pup en los que la ‘pase de uno estd conectada con el colector del otro. ‘Cuando se aplica un voltae positivo al énodo y no hay corriente que fluya dentro de la compuerta del dispo- sitivo, entonces él transistor npn estaré “apagado”, y ya que la corriente de la base del transistor pnp'es lbaslecia por el colectos del transistor npn, cuando el transistor npn esta apagado. tambien lo est el transis- tor pnp. Este modo se denomina de bloqueo directo, ‘Cuando se aplice un vollaje positiva al ete, ine guno de los transistores puede conducit. y el SCR simplemente parece un rectificador con polarizacién Invert; se dice que el dispositivo esta ent el mod de Flnquen inversa, Cuando se aplica un voltae postivo al dnodo y se hace pasar corrente entre la compuerta y el catodo, el transistor npn comenzara a conducir co- rriente, arsionandn ast la hase del transistor pnp. La corriente del dnodo esté dada por: In (387) ganancia de cortiente Tele del transistor npn ganancia equivalente de cornente de fransstor pp corriente de fuga de las uniones A bolas cOrrientes, top + Qpyp eS menor gue 1. A ‘medida que aumenta a cortiente, Ia ganancia combi- nada es igual a 1, el SCR permanece “encendido” y att secon oe BLOQUEO DIRECTO vouraie oiRecro i recliendor de slco controlado (SCR), s6lo la impedancia externa del circuito limita la co- rricnte que fluye, Entonces la corriente de compuerta, Ic, puede reducirse a0 y el SCR permaneceré encen- dido. En la figura 13-85 se muestran las caracteisticas dc la operacion dirceta del SCR. Incluso oon [y= 0, disposttivo permanecera encendido (enganchado) tan- to tiempo como la corriente del dnodo permanezca por ‘encima de un valor denominado corriente de etencion ‘0 de mantenimiento, ‘Algunas veces es posible encender un SCR incluso sin que haya voitiente de compueita. Una condiciones ue la temperatura del dispositivo aumente y la co riente de fuga a través del SCR sea suficente para superar la corrieuwe de eugauche (euvewdide). Owe condicion es que el voltaje entre el citodo y el énodo ‘aumente con rapidez. En este caso, lacorriente capaci- tiva, Cfavrdt), puede disparar el dispositivo a ua esta do de conducsién ‘Otra situacién en la que se disparard un SCR es ‘cuando el voltae del anodo se incrementa mas alld del. valar maximo de hloquen, Vgo. Ta unién de hlogquen entra entonces en avalancha y la corrientedisruptiva es suficiente para encender el dispostivo. ‘A fin de minimizar la acid pardsita de dispar, oe fabricantes de SCR suelen incorporar resistores de- rvadores (denominados cortoeircuitos de emisor) en- {reel eftodo ya compuerts, Elefecta de esto es incre ‘mentar la cantidad de corriente necesaria para disparar el dispositvo, A tin de mantener bayas las correntes necesarine de disparo de compuerta, se emplean com- puertas de ampliticacién, que son equivalentes a SCRElementos circultales concentrados activos Na Pi | ” Fie. 13-86. a,b) Compuerta de amplifiaciin de un retificador de sicio controlado (SCR). pilotos para accionar el SCR principal. En la figura 413-80 se muestra la secvion wransversal Ue un SCR con ccompuerta de amplificacién que tiene un emisor en cortocircuito. ‘Cuando se enciende un SCR, no se enciende de ms nnera simulténen toda el Area del dispasitivn Més bien la parte cercana ala compuerta comienza a conduct, y despues el plasma de portadores moviles se dispersa sobre la parte restante del SCR. El tiempo necesario para la dispersion del plasma aumenta con la densidad {Ge contactos de derwacion emisor-compuerta. La dis- persign del proceso de conduccién determina la veloci- ad maxima (di/di) a la cual puede aumentar la co- rmiente através del SCR. Si dildt es demasiado grande, Is corriente gerd forzada a través de un ézea del SCR gues demasiado peauea para mangas a dspacin e potencia resultante, Una forma de incrementar 1a dilde disponible os accionando la compuerta a un nivel de cortiente superior a la cantidad necesaria para rel encendido. ines tambisn disefan “dedos para com. puertas interdigitales que distribuyen el contacto de compuerta en una gran area, de modo que ninguna parte del estodo se encuentre més allé de una distancia, méxima_permitida respecto al electrodo de la com- puerta. Uno de tales dsefos es el patron arrollado en expital que se muestra en la figura 13-87, Ls posible lograr valores nominales de di/dr de 1 000 A/us con tales estructuras. La desventaja obvia de una estructu- ra altamente inverdigtada es yue se pieide algo del ‘rea active del emisor en aras de la conduccidn. Por consiguiente, el dispositivo porta tanta corriente pro- medio como lo hace uno sit la imerdigiwcion. EI valor permitido de difdr también puede elevarse inerementando el tiempo de vide de los portadores en el semiconductor. Sin embargo, para aplicaciones de falta freenencia on las que se require un alta valor Ge did, ese tiempo debe ser corto afin de minimizar el tiempo de apagado. 312 ‘Apagado del SCR Cando la corriente del SCR se reduce 2 cero, existe carga almacenada en las regiones m yp dela hase que es necesario recombinar. Si se aplica tn voltae post- vo al anodo antes de recombinar los portadores, el lispasitiva se “encenders” de nuevo. Normalmente, cuando se apaga un SCR se aplica un voltaje negativo al anodo. Entonces fuye una coreente inversa y es posible eliminar eon rapidez algo de la carga almace- nada. En la figura 13-88 se muestra la recuperacion inversa en un SCK que acciona una carga ligeramente inductiva. El pico de voltae en la diressiGn inveres te debe 2 la oscilacién momentinea inductiva asociada ‘con Ia inductancia de Ja carga. En algunos crcui- tos este pico transitorio de voltaje te elimina colocando ‘un diodo en antiparalelo con el SCR. Sin embargo, el apagado se vuelve lento debido a que el voltae inverso est8 Himitado a Ia caida del voltaje directo del diodo, ‘Ademés, no es posible utilizar el SCR para bloquear voltae inversos: ya que el ciogoconducirécomente fn condiciones de voltje inverso, ig. 1387. Diseoenespiral para a compuertainterdigitade ‘e un recuticador de shee contaitgo (SCR).Moor t Otros dispositivos electrénicos Léditaey a) o Fig. 13-88. 0, 6) Formas de onda de apagado de vn restifcador de sicio comtrolade (SCR) que aecione une carga inductiva, Incluso cuando la cortiente del SCR ha decaido a cero durante el ciclo de apagado (tiempo tc ela figura 413-88), existe una camtidad sustancial de carga atra- pada ¢n lac regiones de la hase del dispositivn. Por consiguiente, si se reaplice voltae directo habré un pulso con decaimiento exponencial de corrente en ent directo. La magnitid de esta corrienteaumen- ta con la duidt del voltae reaplicado: la duidt reaph- cada es parte de la especificacion del tempo de apaga- do del SCR, y se define como la rapider maxima per- misible de reapicacién de voltaje de bloqueo de estado apagado que sigue al tempo de apagado del dispost- fy. Sila dvidtreaplicada es pequefa, el tiempo de apagedo puede espectfcarse a un valor més bajo que si fiese grande. En muchos crcutos el SCR se protege Elementos circultales concentrados activos 4 3 8 ws g a i g g i © EXPERIMENTO (1 4) GGANANCIA DE APAGADO fp Fie. 1283. Tiempn de apapida en func de a gananca den frsor de ‘apagado por compuerta (GTO) con corrente de énodo de | A. 13.6.2. Transistores uniunién Ey transisor untunion o de unién unica, uno de los tipo mac amtiguos, tiene una regiin de resistencia ne- sativa que es de utlidad en los circuitos osciantes. El Hombre de este transistor proviene de su construccion (Gig, 13-040); esencialmente, es una placa de material Semiconductor con una sola uniGn colocada dentro del material de la base. La region p* se denomina el ‘emisor y, los dos extremos de una regién m de alta resistvidad, By y Bz, som los contactos de la base. Si luna corriente fag fluye entre Br y Ba, se establece un voltaje Viq = fapRi través de la mitad inferior de la regién de la base. Un voltae aplicado al emisor, Ve, ‘exceder a Vi antes de que la union empiece a inyectar coriente. Cuando dela unin pn se iayectan portadores, ls resistencia R se reduce, lo que a su vez Feduce a Vpy. Como consecuencia, la unién adquiere mayor polarizacién directa al dizminuir Vai J el pro eso es regeneratvo, ‘Los parémetrosmasimportantes de launién dnicason te relacién intrinacea de componsacién, = Ru(R, 4 Ra), vls propiedades de tiempo de ténsito y almace- namiento de carga en la regin inferior de la base entre Ey Dy, La resistencia de Ia regién total n, (Ry + Reds debe ser grande @ fin de que fan pueda set pequeta, ¥ 316 1 debe ser grande a fin de que Vp pueda aproximarse a Eng, Consderando las curvas VE dela figura 13-94, el. wotae peo Vp es: ata lf) enna ia(2) aa dead go conned zi del dnd nas eLesm ee mie atemenaee ees ea ae cece ere eue fy Vicvam ses chad fe vee 13.63 Otros dlepositivos semiconductores En lot circuitos electrdnicos se emplean muchos més elementos semiconductores. Un suplemento util que tubre el amplio espectto de todos los dispostivos se- ‘mieonductores cs la obra de Towers y Libes Semison- ductor Circuit Elements. embargo, merece la pena mencionarun par de dis- positives, debi a su empleo com, o en lugar de, dspo- sitivs, ya. descritos en este apartado, Uno de tales Aispositivos es el diac. Se emplea en cireuitos de com- puerta de triacs a fin de proporcionar un voltaje de Aisparo conocido V controlado. El diac es esenciaimen-° Otroe diepositivos slectrénicos ig. 13.94. Circuito de polarizacin para a) y carateristic corsentewoltsje; b) de un transistor te un transistor pnp con una base abierta que presenta recztoncia negativa después de aleanzar el voltae de avalancha. A diferencia de fo que ocurre en un transis- tor normal, la regiones del colector y del emisor estan formadas de modo uniforme ysimétrico en la regién n. En la figura 13-95 se muestza le simbologia y carac- ‘eristicas VI de un diac. Los diacs suelen tener valtajes isruptivos en avalanche en el intervalo de 25 a 40 V. Otro dispositivo, semeiante al SCR, es el transis- tor uniuniGn programable, 0 PUT (de programmable sunjunction transistor). Esencialmente, el PUT es un ‘pequeiiotiristor con una compuerta de énodo en lugar ‘de una compuerte de cétodo. Sila compuerta se ms tiene un poteucial coustaute, enlouces el disponit permanecers en su estado apagado hasta que el volaje del Snodo exceda al de la compuerta por una caida del voltae directo del diodo. En el usiludor de relajacion que se muestra en la figura 13-06. l voltaje de com- puerta es mantenido por el voltaje de alimentacign y la red divisora de resisores, Ry y Rz- El volile deier- rina el voltaje de punto pico. V,. Ta enrviente pice 1, y la cortiente de valle Iy dependen de la resistencia, equivalent ena compuera Ry Ry(Rs + Ry del vo- taje de Ta fuente FF perfvia de relajacién del os- cilador est dado por la siguiente relaci6n: @ o Fig. 13.95. El dia: a) estructura sin 8) sboo 317 3) eouito equivaleate Ry a) 13464 Tubos de vaso ‘A fin de completarlo, en este apartado se han incluido las tubos de vacio, Sin embargo, excepto para susti- tuciones en productos entiguos y algunas aplicaciones dde microondas de alta frecuencia, todos los tubos de vvaco son obsoletos. Su operacion se basa en la emisin termoisnica, o sea, la emisin de electrones de un s6- lido en un vacio silos electrones pueden ganar la su- ficiente energia para vencer las fuerzas atGmicas que ie lus wautienen en el solido. Eu ua tubo electrénico este energia es proporcionada por un ‘elemento calentador que consttuye el cétodo del tubo. El calor es aportady por el paso de vorrieute a través cde un alambre en forma de filamento. que suele ser de tungsteno. En ua simple diodo de vacfo se incluye una terminal anodica a fin de colectar los electrones emit dos del eftodo. La corriente por unidad de Area que puede fluir por tai diodo es determinada por la tempe- Tatura del c4rodo, conforme a la siguiente expresion: ATW (13-90) (13-89) =ncin{t Jats del Sect ) carsteriticascorriente volt,lementos circuitales concentrados activos lia an Fig. 13-86 g, ) Oscilador de relajacén basado en un Tesnistoruniunién programable (PUT) onde 4, es una constante que depende del material del emitor y Wr ef la funciéa trabajo, que varia de La 4V para los metales. Debido a que la corriente de emisiOn termoinica es sumamente dependiente de la temperatura, la mayor parte de los tubos de vacio se ‘hacen funcionar en la regi6n limitada por la carga es- ppacial (fig. 13-97). La corriente en esta proporcion de Ta curva e:t6 dada por la siguiente ecuacién: T= BV (39) donde V4 es el voltaje del anodo y B es una constan- te denominada perveancia (facilidad de difusi6n) y que sdepende de la forma geométrica. En 1906, Lee deForest descubrié que la corriente en un diodo de vacfo podia controlarse mediante la inser- ign de ana sill Je alambies delgados entie el Anode ¥ el eétodo. El dispositivo asf formado se denomina iriodo, y la corriente que pasa a través de él estd dada por a siguiente expresio Vay" L Bl ve+ =) 13.90) donde u = factor de amplificacién V4 = volile del anodo volraje de rejilla En la figura 13-98 se muestran las caractersticas de ‘operacion del todo, ‘Un inconveniente del triodo es que la cepacitencia rejila-énodo es grande y a altas frecuencias existe un r i i ‘REDRESS Tic acoplamiento indeseado entre el &node (también de ‘nominado la place) v la rela. Para reducir la capaci- tancia de retroalimentacion se emplea un dispositiva dewowinede pentodo en aplicacioues de alts freeueu cia y baja potencia, El pentodo es un triodo con dos fejls xa insertadas entre la rejlla de contol y el nod. Le tela més cercaua a a de cynic, denomi- nada rejilla pantalla. se polariza a un potencil posit- vvo, de modo que es parecida a una placa permeable del trioda, A fin de evitar Ja distorsion asoclada con 1a reila pantalla, se incerta otra rela entre sta y la placa. Esta rejilla, denominada el supresor, se opera @ potencial de slerra. En la figura 13-99 se muestran las Caracteriticas del penta 136 Tiratrones El tubo de vacio, aunque proporciona buena ampli- ticacion de seales pequetias, ¢s melicaz como dispo- sitivo de control de potencia. El tiratrén, que es un precursor del tiristor, se desarrolléa partir de un diodo lieno de gas con cétodo caliente, Como gases, se em plean con frecuencia argén, nen, xenén o vapor de ‘mercurio. El diodo Hleno de gas es capaz de controlar arandes cantidades de potencia, y la adicién de una rajilla de control permite que Ia corriente cea contro Tada Con el voltaje de énodo aplicado y la rejilla someti- daa un gran potencial negativo, cl cfceto del voltaje de nodo sobre el campo cercano al citodo es desprecia- ‘le en comparacién con el campo asociado con la rej- Iie. A medida que la rejilla se hace menos negativa, unos cuantos electrones logran pasar a través de ella Estos electrones se aceleran hacia el dodo y reciben suficiente energia, de modo que al chovar wn uit tomo de gas ocurre ionizaci6n. Los tones postivos {que resultan reducen ain mas el campo negativo cerca- tno a la zejilla, permitiendo que pasea tide eletroues través de ella en una forma tegenerativa. El potencial de Ia rejilla es fundamental para iniciar el proceso de jonizavion, pero una vez que ha empezado este pro- caso, ese potencial deja de tener efecto sobre la co- riente que fluye hacia el énodo. Como en un tristor, J cortiente puede incerrumpltse solo mediante 1a liminaeiin del patencial pasitiva del nado. En la fe ¢gura 13-100 se observa un ejemplo de las curvas crticas 4e Ia reila para un tubo con vapor de mereunio. ‘Un dispositive que de alguna forma estérelacionada con el tratrén ¢5 el ignitrén. En este dispositivo se Fig. 1497, Caractersticascorrente-voltse de un diodo de emision termoiénica al vac, 318CCOFRIENTE DE LA FLAGA tn (a 1) aN a VOLTAIE DE LA PLACA, Ye Fig. 13.98, Caracterstcas de operscion de un triodo ‘al vat (po ST). fat Otros dispositivos electrénicos emplea un charco de mercurio como catodo y es pos!- ble iniiar un foco (0 mancha) de emision mediante un electroda de encendido (encendedor) especial que toca el charco de mercurio (Hg, 13-1U1). Cuando aparece ‘una chispa entre ol electrodo de encendido y el mereu- rio se forma una mancha en el edtodo, que se distri- buye en cuestién de microsegundos a fin de manejar miles de amperes pico. Comparando un ignitréa con tun tratr6n, el electrodo de encendido del primero pro voca la descarga en el gas, mientras que la rejilla del tiratrén Ia evita, Adcmés, cl cétodo de charco de mer curio del ignitron tiene mucha mayor resistencia me cénica que el eftodo termoidnico del tiratrén. Por otra pate, el control de potencia es mucho menor para un firatrén que para un ignitr6n, Livros ¥ REVISTAS ‘© A. Blicher, Thyristor Physics, Springer-Verlag, Nueva York o Fig. 1299, 0,6) Caractorices de operocgn de un pentode al vaco (po 627). 500) or\sore 30 400 300) VOLTAIE EN EL ANDO \VOLTALE EN LA REJILLA DE CONTROL Fig. 13400, Curvos det volisje de ela eico para un ‘iad oon vapor de metcurie. —l ‘novo ELECTRON DE. ENCENDIDO Fig. IM01, Construeion interna de un jgntrén ayElementos circultales concentrados actives. © 8.B.Dewany A. Straughen, Power Semiconductor ircutis, Wiley, Nueva York. FE. Gentry. F. W. Gutrwiller, N. Holonyak y EE. Von Zastrow, Semiconductor Controlled Rec- ‘fers, Prentice-Hall, Englewood Cliffs, NJ. S. K. Ghandhi, Semiconductor Power Devices, cap. 5, Wiley, Nueva York. I.E, Gibbons, Semiconductor Electronics, cap. 10, MeGraw-Hill, Nueva York © J. D. Ryder, Electronic Engineering Principles, cap. 15, Prentice-Hall, Englewood Clit, NI SCR Manual, General Flectrie Company, Syrace se, NY. B. G. Streetman, Solid State Electronic Devi- ces, cap. 11, Prentice-Hall, Englewood Cliff, NI. T. D. Towers y S. Libes, Semiconductor Circuit Elements, Hayden, Rochelle Park, NI. 320CAPITULO 14 Componentes ferromagnéticos y piezoeléctricos Alex Goldman ‘Spang Industries Butler, Pennsylvania Don Rerlinconrt Channel Products. Ine. Chesterland, Ohio MAL Componentes ferromagnéticos 14.1.1 Deseripcién general 14.1.2 Componentes metalicos y de Gxido 14.1.3 Forma geométrica 14.1.4 Consideraciones de temperatura T4.1.5 Tntervaly de frecuencia de operacion ‘M4..6 Aplicaciones 18.1.7 Especiicaciones tpicas para componentes magnéticos 42 ‘Componentes piczocléctricas 14.2.1 Descripcin general 14.2.2 Materiales piezoeléctricos: curacterstions 14.23 Dispositives motores: conversién de potencia eléctrica en potencia mecénice 14.2.4 Dispositivas generadores: conversin de potencia mecéinica en potencia cléctvica Elementos de circuitos piezoeléctricos i.14.1 COMPONENTES FERROMAGNETICOS Alex Goldman 141 Descripeién general ‘Un componente magnético es un elemento compuesto por material magnético, ya sea metdlico o cerdmico, y conformado de tal modo que sea posible utilizar sus propiedades magnéticas on una amplia gama de fun. ciones. Puede emplearse solo, como en un imén per manente o, como en la mayor parte de los casos en los que partiipan materiales mognéticos de boja rema neneia (“suaves”), en coniuncién con un devanado Y otros accesorios para formar un dispositivo, El ta lilo de los componentes magnéticos 3 variable; varia desde los que tienen un nucleo de memoria de 0.01 pulg (0.25 mm) de diémetro aproximadamente luasta los apilados macizos (mazos) de ldminas de ge- neradores. ‘Allgunas de las funciones efectuadas por estos com: ponentes son: 1, Generar un campo magnético CD; por ejem- plo, imanes permanentes 2. Generar nn eampn magnéticn CA en magui- naria eléctrica giratoria; por ejemplo, motores, generadores, 3. Proporcionar inductancia en aplicaciones: de telecomunicaciones de bajo nivel; por ejemplo, carouttos sintonizados y tltros de canal 4. Deteccién de cambios de corriente en elétricos; por ejemplo, mediores. 5. Deteccion de cambios de magnetizacion en los alrededores; por ejemplo, magnetémetros 6 Absorcién de alias corrientes repentinas en reactores de proteccién, 7. Permitir el paso de sofales CD o de baja fre- cuencia, a la vez que stenta la altas frecuen- cias; por ejemplo, filtros de banda, regula orcs, 8 Conversion de voltaje o corriente en transfor- adores de potencia, 9. Concentracin de encrgia clectromagnéticn ra diada en antenas. Fig. 141. Componentes magnéticos suaves tipoos: a) icles de cinta srolads, jomponentes ferromagnéticus y piecoskéctricos 10, Proteccién de componentes eléctrios contra el ruido electromagnético y campos externos. LL, Actuar como transductores de energia magné- tica a mecdnica en dispositivos magnetosticti 12, Deteccion de energta eléotrica y temperatura, 13. Control de la potencia en amplificadores mag éticos 14, Ejecucién de funciones logicas en el almace- namiento de momorias de computedara y dis. ositivos de control, 15. Formacién de elementos cicuitales para con- tor campos clesromagiéticos de misroon as, 14.1.2 Componentes metilicos y de Sxido Los componentes metilicos se forman, a partir de me- _ tales, en diferentes grados de subdivision 11, Masivos, como los imanes permanentes 0 extre- idades'(“cueiuus") polates suaves para elec troimanes. 2, Material en cintas o flejes de 0.000125 a 0.050 pul (0.008 a 1.25 mm) Ue grosor, como en ld mminas y nicleas de cinta arrollada, 3. Alambre, como en los interruptores semiduros ‘ge laminita, 4. Paiva, S. Peliculas delgadas. Masivos. [Las imanes permanentes suelen presentarse ‘en varias formas. La configuracin es determinada por la intensidad y configuracion del campo requerido. La ‘mayor parte de los imanes metilcos tienen alta densi- dad de flujo, de modo que es posible emplear menores ‘reas transversales para el tuo total dado: 14 1ujo, Wb o maxwelle(\ineae) lensidad de flujo, Woim™ (0 gauss) rea transversal, mé (0 cm*) Sin embargo, la fuerza coercitiva suele ser pequetia (excepto en PiCo y SmCos), lo cual hace que los imanes sean sensibles ala desmagnetizacion. Para ven- cer esto, los polos se mantienen bastante separados entre si lo que inerementa Ie longitud del imén. Como resultado de estos dos efectos, la mavor parte de los imanes de metal (como los de 4lnico) son largos y es- trechos, como en forma de herradusa Flejes metilicos. Normalmente se elaboran fundiendo y forjando uu Lingote, y despues Tamiaaadolo en cae liente o en frfo a fin de obtener una banda delgada, Para las operaciones de Iabrado en frfo, como lamina- Uo, cone, perforacion y devanado, se requlere que el material été recocido fa fin de aliviar esfuermas, para obtener propiedades magnéticas dptimas. También es posible emplear wales ce puvimetaluraa para fr. mar al lingateinicial Tas nieune materiales amorfos ‘en flejeseelaboran fundiendo y extrusionando a través de un pequeno onificio, y despues aplicando un en- 322Componentes ferromagnéticos ig. 14.1 (cont). Componentes magnon nue pine: helene

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