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INFORME N° 10
“CON FET RESUELTO PARA EXPLICACIÓN”
Nombre: Jonathan Castillo
Cédula: E-8-164887
e-mail: jonathan.castillo4@utp.ac.pa
La diferencia entre ambos transistores es el hecho de que el BJT es controlado por corriente,
mientras que el transistor JFET es controlado por voltaje. En cambio, su semejanza es que ambos
dispositivos tienen tres terminales de conexión externas, ambos tienen dos diodos internos con una
barrera de potencial de 0.7 V y ambos tienen tres regiones de interés. Además, ambos pueden
amplificar una señal de entrada y son dispositivos de control de corriente IC ó ID.
Un JFET es menos sensible a cambios de voltaje de entrada que un transistor bipolar. En casi
cualquier FET un cambio en VGS de 0.1 V produce una variación de la corriente de drenador menor
que 10 mA. Pero en un transistor bipolar el mismo cambio en VBE produce una variación en la
corriente de salida mayor que 10 mA.
Significa que un amplificador JFET tiene mucha menor ganancia de voltaje que un amplificador
bipolar. Por esta razón la primera regla de diseño que gobierna a los dispositivos es ésta: utilice
bipolares para ganancia de voltaje alta y emplee JFET para alta impedancia de entrada.
Entre G-S o G-D debe marcar como si fuera un diodo de silicio; es decir alta resistencia en un
sentido y baja en el inverso.
Entre D-S, el valor óhmico exclusivamente del material del canal. Su valor varía entre 2K y 10K,
siendo el mismo en ambos sentidos.
Universidad Tecnológica de Panamá
Facultad de Ingeniería Mecánica
Lic. Ingeniería Mecánica
Laboratorio de Electrónica Industrial
Profesora Matha Deycaza
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