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Defectos Cristalinos PDF
Defectos Cristalinos PDF
FACULTAD DE INGENIERÍA
Las estructuras cristalinas han sido descriptas como una formación ordenada y repetitiva de
átomos en el espacio tridimensional.
La resistividad eléctrica
La teoría cuántica predice que a muy bajas temp.
ζ 1 T5 (1)
La teoría cuántica predice que a altas temp.
ζ 1 T (2)
En la practica existe otra componente de la resistividad que es independiente de la
temperatura:
ζ = ζ1 + ζ 2
ζ: Resistividad total.
ζ 2: la otra componente de la resistividad, que es predominante a bajas temp. Depende del
contenido de impurezas, deformación plástica, temple y bombardeo de partículas. Todas Estas
condiciones introducen DEFECTOS CRISTALINOS en la red que provocan la dispersión de los
electrones.
La eliminación o el agregado de átomos extraños trae efectos tales como: distorsión del
retículo y cambios locales de la carga eléctrica (por ejemplo: CINa).
Del punto de vista del aumento de energía que se produce en un cristal por la presencia de uno u otro
defecto. Los defectos de Schottky son mas probable que se formen que los de Frenkel
El aumento de la entropía del cristal por la presencia de lugares vacantes tiene dos razones:
1. Entropía vibracional.
2. Entropía de mezclado
Esta ultima para una mezcla de gases ideales A y B esta dada por:
Sm=- K.n[C.ln(C)+(1-C).ln(1-C)] (2)
Aplicando esta ecuación a un cristal con n lugares atómicos, n0 átomos y nv lugares vacantes (n= n0 +nv).
C=Cv= nv /(n0 +nv) (3) Concentración de lugares vacantes
1-C=C0= n0 /(n0 +nv) (4) Concentración de átomos.
La energía libre debe ser un mínimo si el cristal esta en equilibrio. El número de vacantes será
tal que Fv tenga un valor mínimo:
A: es una constante que depende del número de átomos que rodean el agujero y la
frecuencia de vibración.
Ejemplo:
Qm (cobre)= 29.000 cal./mol.
A 300ºK rv = 10-4 saltos/seg.
A 1350ºK rv = 3.1010 saltos/seg.
Esto indica que a 1350ºK un lugar vacante en el cobre se mueve 30.000 Millones de veces en
tanto que a temp. ambiente es un salto cada 11 días.
Ss=1/2.2,5.106 lb/pulg2
De borde o de línea
DISLOCACIONES
(Defectos de líneas)
Helicoidales o de hélice
Cada paso en el
movimiento de una
dislocación requiere una
ligera redisposición de los
átomos en la cercanía del
plano extra.
positiva
Dislocación de borde
negativa
Helicoidal izquierda.
Dislocación helicoidal
Helicoidal derecha.
Foco de Frank-Read
.l= 2.G.b.sen
Si los anillos formados por esta fuente comienzan a apilarse frente a algún obstáculo, se
requiere un esfuerzo mayor para continuar con la deformación. Este aumento del esfuerzo
permite que otras fuentes diferentes de menor tamaño (l mas pequeño) comienzan a
activarse.
Limites de granos
En muchos de los estudios realizados
hasta aquí hemos hablado de cristales
simples estos son un herramienta de
laboratorio. Sin embargo los objetos
comerciales consisten de muchos miles
de pequeños cristales metálicos
microscópicos.
(b) Nucleación y
(a) Nucleación
crecimiento
Temp los metales puros fallan por fisuras que pasan a través de los cristales, no por límites.
Este tipo de fractura se denomina TRANSCRISTALINA.
Temp los límites de grano pierden resistencia con mayor rapidez que los cristales. La fractura
corre a lo largo de los límites. Este tipo de fractura se denomina INTERCRISTALINA.
𝝈𝒚 = 𝝈𝐢 + 𝐤𝐲 . 𝐃½
𝝈y : es la tensión de fluencia.
𝝈 i : es la tensión de fricción que se opone al movimiento de las dislocaciones.
Ky : es una medida del apilamiento de las dislocaciones frente a las barreras.
D : Es el diámetro del grano.
Límites entre
Cuando se presentan
fases iguales.
dos fases los límites
Límites entre
pueden ser
fases distintas.
Segundas fases que se encuentran en estado líquido a temperaturas muy por debajo del
punto de solidificación de la fase principal si: