OJO COMPLETO (-Algunascosas)

ESCUELA POLITÉCNICA DEL EJÉRCITO EXTENSIÓN LATACUNGA
DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Nombre:……………………………………. Fecha:…………………………
Carrera:……………………………………. Paralelo:…………………..
1. La tarea de la Electrónica de Potencia es:

a. Procesar y controlar el flujo de la energía eléctrica de forma óptima
para las cargas de los usuarios.
b. Procesar y controlar el flujo de la energía eléctrica de forma óptima
para las cargas de los usuarios utilizando interruptores de estado
sólido de potencia.
c. Procesar y controlar el flujo de la energía eléctrica de forma óptima
para las cargas de los usuarios utilizando relés y contactores de
potencia.
d. Procesar y controlar el flujo de la energía eléctrica de forma óptima
para las cargas de los usuarios utilizando interruptores de estado
sólido de potencia tomando en cuenta los efectos que esto involucre
en los sistemas de distribución de la energía eléctrica.
2. La electrónica lineal y la electrónica de potencia:
a. Utilizan dispositivos electrónicos para procesar y controlar el flujo de
energía.
b. La electrónica de potencia utiliza a todos sus dispositivos como
interruptores.
c. Con la electrónica lineal se obtienen menores pérdidas en sus
aplicaciones con respeto a la electrónica de potencia.
d. Los dispositivos electrónicos disipan menor energía cuando trabajan
como interruptores que cuando trabajan en su región lineal.
3. Las aplicaciones de la electrónica de potencia son:
a. Refrigeración y congeladores.
b. Estudio de suelos para el cultivo óptimo de cereales.
c. Iluminación.
d. Bombas.
4. La electrónica de potencia siendo una disciplina multidisciplinaria se apoya
en las asignaturas de:
a. Física de semiconductores.
b. Máquinas eléctricas.
c. Circuitos eléctricos.
d. Administración de negocios.
5. Se dice que tenemos una carga no lineal cuando:
a. La forma de onda de voltaje aplicado es diferente a la forma de onda
de la corriente en la carga.
b. La forma de onda de voltaje aplicado es igual a la forma de onda de
la corriente en la carga.
c. La forma de onda de voltaje aplicado es sinusoidal y la forma de
onda de la corriente en la carga es sinusoidal.
d. La forma de onda de voltaje aplicado es sinusoidal y la forma de
onda de la corriente en la carga es rectangular.
6. Los armónicos generados por los conversores estáticos de energía son:

a. Señales sinusoidales a la misma frecuencia que la señal que los
genero.
b. Señales sinusoidales a frecuencias múltiplos de la señal que los
genero.
c. Señales cuadradas a la misma frecuencia que la señal que los
genero.
d. Señales triangulares a la misma frecuencia que la señal que los
genero.
7. Los armónicos principalmente generan perdidas a:
a. La carga de los usuarios.
b. Al sistema eléctrico de distribución de energía eléctrica.
c. A y B.
d. No generan pérdidas.
8. Los armónicos son analizados mediante:
a. Las transformadas de Fourier.
b. Las series de Fourier.
c. La transformada de Laplace.
d. La transformada Z.
9. Para analizar los armónicos de una f(t) con la herramienta matemática

seleccionada en el punto 7, escriba las propiedades que debe tener f(t):
a. …periódica y no tenga
singularidades………………………………………………………………
………..
b. …………………………………………………………………………..
c. ………………………………………………………………………….
d. ………………………………………………………………………….
10. Escriba las ecuaciones para calcular los armónicos de una f(t), tanto en
forma rectangular como polar:
--------------------------------------------------------------------------------------
………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………….
11. Escriba la ecuación de la distorsión armónica total en función del factor de

potencia.
………………………………………………………………………….
…………………………………………………………………………..
………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………….
12. Los armónicos (An,Bn y Cn) calculados mediante las series de Fourier son
los valores:
a. Medios.
b. RMS.
c. Pico.
13. Con que tipo de carga(lineal) se obtienen la siguientes formas de onda.
wt
wt
wt
A:……resistencia
pura…………………………………………………………………..
p
wt
wt
wt
B:………inductancia
pura……………………………………………………………………
wt
wt
wt
C:…mixta…………………………………………………………………………
14. Escriba las ecuaciones para calcular la potencia activa y reactiva, para la
siguiente figura.
V
If
Iq
I
P=…VIcosѲV-I……………………………………………………..
Q=…VIsenѲV-I……………………………………………………..
15. De manera general los armónicos de una señal.

a. Aumentan su amplitud cuando disminuye su orden.
b. Aumentan su amplitud cuando aumenta su orden.
c. Disminuyen su amplitud cuando disminuye su orden.
d. Disminuye su amplitud cuando aumenta su orden.
16. El valor de la potencia aparente:

a. Se mantiene constante si la corriente se defasa con respecto al
voltaje.
b. Se mantiene constante si el voltaje se defasa con respecto a la
corriente.
c. Varia se existe defasaje entre el voltaje y la corriente.
17. El valor de la potencia activa:

voltaje.
corriente.
18. El valor de la potencia reactiva:

voltaje.
corriente.
19. La siguiente ecuación se utiliza para calcular la potencia activa para:

P  Vm I m  Vn I n cos nV  I
1
a. Cargas lineales.
b. Cargas no lineales.
c. Cualquier tipo de carga.
d. Para ninguna carga.
20. La siguiente ecuación se utiliza para calcular el factor de potencia para:
I1
PF  DPF
I RMS
a. Cargas lineales.

Nombre:……………………………………. Fecha:…………………………
Carrera:…………………………………… Paralelo: ……………………..
1. Las características ideales de los interruptores son:

a. Pérdidas estáticas y dinámicas igual a cero.
b. Potencia igual a cero cuando está abierto y cerrado.
c. Tiempo de conmutación igual a cero.
d. Potencia igual a cero cuando está abierto y cerrado y tiempo de
conmutación igual a cero.
2. En un interruptor de estado sólido de potencia los portadores libres en las

junturas determinan su estado.
a. Z→0 mayor cantidad ( x) menor cantidad ( ).
b. Z→ ∞ mayor cantidad ( ) menor cantidad (x).
3. Indique los interruptores de tipo III
a. Diodos.
b. Tiristores.
c. Bjt´s.
d. Vmosfet´s.
e. Igbt´s.
4. Indique los interruptores de tipo I
a. Diodos.
b. Tiristores.
c. Bjt´s.
d. Vmosfet´s.
e. Igbt´s.
5. Indique los interruptores de tipo II
a. Diodos.
b. Tiristores.
c. Bjt´s.
d. Vmosfet´s.
e. Igbt´s.
6. Dibuje el esquema de un circuito eléctrico para explicar la conmutación

natural, use como interruptor de estado sólido de potencia a un SCR.
forzada, use como interruptor de estado sólido de potencia a un SCR.
8. En todos los interruptores de estado sólido de potencia hay la concesión

entre:
a. Pérdidas en estado activo y las velocidades de conmutación.
b. Pérdidas en estado activo y tensión en conducción.
c. Pérdidas en estado activo y tensiones de ruptura.
d. Tensiones de ruptura y velocidades de conmutación.
9. Escriba dos átomos donadores frecuentemente utilizados en la fabricación

de materiales semiconductores extrínsecos:
a. __silicio________________________.
b. _____antimonio_____________________.
10. El aumento del tiempo de vida de los portadores excedentes tienen efectos
en las características de los dispositivos de portadores minoritarios:
a. Aumentan las pérdidas en conducción y disminuyen las velocidades

de conmutación.
b. Reducen pérdidas en conducción y velocidades de conmutación.
c. Reducen pérdidas en conducción y aumentan las velocidades de
conmutación.
d. Aumentan las pérdidas en conducción y las velocidades de
conmutación.
11. En un semiconductor la corriente de difusión a través de la juntura:
a. Se debe a las diferentes densidades de portadores libres en un

semiconductor.
b. Se debe al movimiento de portadores de mayor densidad hacia los
portadores de menor densidad.
c. Se debe a un campo eléctrico aplicado al semiconductor.
d. Circula en forma paralela al campo eléctrico aplicado.
12. La barrera de potencial en una juntura :
a. Se forma debido a la presencia de átomos ionizados presentes en

ambos lados de la juntura.
b. Se forma cuando la corriente de difusión y la corriente de arrastre se
equilibran.
c. Se forma por la presencia de átomos donadores ionizados en la capa
N y átomos receptores ionizados en la capa P.
d. Se debe a la ausencia de portadores libres en ambos lados de la
juntura.
13. Una juntura:
a. Es el límite entre dos materiales extrínsecos de diferente tipo.

b. Es el límite entre dos materiales extrínsecos.
c. Es el límite entre dos materiales extrínsecos de diferentes
densidades de portadores libres.
d. Es el límite entre dos materiales extrínsecos de diferentes
densidades de portadores libres y de diferente tipo.
14. El ancho de la capa de agotamiento, cuando se polariza directamente a una

juntura.
e. Disminuye.
f. Disminuye debido a la inyección de portadores hacia la juntura.
a. Disminuye debido a la extracción de portadores de la juntura.
b. No se modifica ya que es una constante en un semiconductor.
15. El ancho de la capa de agotamiento, cuando se polariza inversamente a

una juntura.
g. Aumenta.
h. Aumenta debido a la inyección de portadores hacia la juntura.
i. Aumenta debido a la extracción de portadores de la juntura.
j. No se modifica ya que es una constante en un semiconductor.
16. La ionización por impacto es el fenómeno que se da debido a:
a. Una tensión elevada aplicada en polarización inversa a una juntura.

b. Una corriente elevada aplicada en polarización inversa a una
juntura.
c. Un campo eléctrico elevado aplicado en polarización inversa a una
juntura.
d. Este fenómeno no se da en semiconductores.
17. En los diodos de potencia la densidad de impurezas donadoras y el

espesor de la región de arrastre o deriva define:
a. El voltaje de ruptura del interruptor.

b. El voltaje de bloqueo del interruptor en polarización directa.
c. Las pérdidas de potencia en conducción.
d. No incide en la operación del interruptor.
18. En los diodos de potencia la modulación de la conductividad de la región de

arrastre en el estado activo:
a. Mantiene las pérdidas del interruptor en niveles manejables.

b. Disminuye las pérdidas del interruptor en niveles manejables.
c. Aumenta las pérdidas del interruptor en niveles manejables.
19. En los diodos de potencia, el control del límite de la zona de degradación se

realiza mediante mecanismos como:
a. Modulación de conductividad.
b. Placas de campo.
c. Doble inyección de portadores.
d. Anillos de guarda.
20. En los diodos de potencia, el tiempo de vida de los portadores en exceso Ƭ

aumentan cuando:
a. Aumenta BVBD.
b. Disminuye BVBD.
c. No incide con cambios en el BVBD.
21. En los diodos de potencia, el tiempo de recuperación reversa trr aumenta

cuando:
a. Aumenta BVBD.
b. Disminuye BVBD.
22. En los diodos de potencia, la corriente de recuperación reversa Irr

aumentan cuando:
a. Aumenta BVBD.
b. Disminuye BVBD.
23. Los dispositivos de portadores minoritarios, con respecto a los dispositivos

de portadores mayoritarios, tiene pérdidas en estado activo:
a. Menores.
b. Mayores.
a. Iguales.
24. En los diodos de potencia, durante el apagado, la recuperación rápida

puede generar grandes picos de tensión debido a la :
c. Resistencia de dispersión.
d. Inductancia de dispersión.
e. Capacitancia de dispersión.
25. Los problemas con el transitorio de recuperación inversa son más graves en
diodos con:
f. Pequeñas tensiones especificadas de bloqueo reverso.
g. Grandes tensiones especificadas de bloqueo reverso.
h. No tienen ningún problema con tensiones especificadas de bloqueo
reverso.
26. Los diodos Schottky con respecto a los diodos de juntura:
i. Tienen menores pérdidas en estado activo.

j. Tienen mayores pérdidas en estado activo.
k. Trabajan a frecuencia más altas.
l. Trabajan a frecuencia mas bajas.
ESCUELA POLITÉCNICA DEL EJÉRCITO EXTENSIÓN

LATACUNGA
CARRERA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA E INSTRUMENTACIÓN
Nombre:……………………………………………..
Fecha:…………………………
1. La Electrónica de potencia
A Estudia los semiconductores de señal, para aplicaciones en circuitos de
disparo.
B Estudia el control y optimización de grandes cantidades de energía a
través de contactores y relés.
C Estudia el control y optimización de grandes cantidades de energía a
través de interruptores de estado sólido.
D Estudia los sistemas de comunicación entre los conversores estáticos de
energía.
2. Para los interruptores de estado sólido
A Los diodos y SCR´s trabajan a bajas frecuencias y altas potencias.
B Los Transistores trabajan a altas frecuencias y altas potencias.
C Los IGBT´s trabajan a altas frecuencias y altas potencias.
D Los transistores trabajan a altas frecuencias y bajas potencias.
3. El SCR
A Tiene cuatro terminales dos de potencia y dos de control.
B Tiene tres terminales dos de potencia y uno de control.
C Tienes cuatro capas y tres junturas.
D Tiene cuatro junturas y tres capas.
4. Para cebar o disparar a un interruptor de potencia
A Hay que polarizar directamente a los terminales de potencia.
B Hay que polarizar inversamente a los terminales de potencia.
C Hay que inyectar portadores a las junturas.
D Hay que disminuir la impedancia de las junturas.
5. Para el UJT
A Tiene cuatro terminales B1, B2, E1, E2.
B Tiene tres terminales B1, B2, E.
C Tiene tres zonas de operación, corte, resistencia negativa, saturación.
D Tiene tres zonas de operación, corte, lineal, saturación.
6. El TRIAC
A Se utiliza para cargas inductivas a frecuencia industrial.
B Se utiliza para cargas resistivas
C Se utiliza para cargas resistivas para cualquier frecuencia.
D Se utiliza para cargas resistivas a frecuencia industrial.
7. Cuando se hace trabajar a un interruptor de estado sólido de potencia a
altas
Frecuencias
A Se aumentan las pérdidas dinámicas
B Se aumentan las pérdidas estáticas
C Se aumentan las pérdidas estáticas y dinámicas
D No se afecta a ninguna pérdida
8. En un oscilador de relajación
A El periodo cambia y la frecuencia es constante
B El periodo disminuye y la frecuencia aumenta
C El periodo cambia y la frecuencia cambia
D El periodo aumenta y la frecuencia disminuye
9. Un transformador de pulsos y optoacoplador:
A Tiene una rigidez dieléctrica de 7000V
B Tiene un aislamiento eléctrico de 7000V
C Tiene un voltaje de conducción de 1 a 2.5V
D Tienen un transmisor y receptor
Nombre:……………………………………. Fecha:…………………………
Carrera:……………………………………. Paralelo:…………………..
21. Los armónicos generados por los conversores estáticos de energía son:
a. Señales sinusoidales a la misma frecuencia que la señal que los
genero.
b. Señales sinusoidales a frecuencias múltiplos de la señal que los
genero.
c. Señales cuadradas a la misma frecuencia que la señal que los
genero.
d. Señales triangulares a la misma frecuencia que la señal que los
genero.
22. Los armónicos principalmente generan perdidas a:
a. La carga de los usuarios.
b. Al sistema eléctrico de distribución de energía eléctrica.
c. A y B.
d. No generan pérdidas.
23. Los armónicos son analizados mediante:
a. Las transformadas de Fourier.
b. Las series de Fourier.
c. La transformada de Laplace.
d. La transformada Z.
24. Para analizar los armónicos de una f(t) con la herramienta matemática
seleccionada en el punto 2, escriba las propiedades que debe tener f(t):
a. Sea integrable.
b. Sea periódica.
c. No tenga singularidades.
d. Que tengan máximos y mínimos finitos o contables.
25. Escriba las ecuaciones para calcular los armónicos de una f(t), tanto en
forma rectangular como polar:
2
1
Ao 
2  f (t )dt
0
2
2
An 
2  f (t ) cos(nt )dt
0
2
2
Bn 
2  f (t )sen(nt )dt
0
𝐶1 𝑒 −𝑗𝑛𝑤𝑡
26. Escriba la ecuación de la distorsión armónica total en función del factor de

potencia.
1
𝑃𝐹 = 𝐷𝐹𝑃
√1 + 𝑇𝐻𝐷𝑖
27. Los armónicos (An,Bn y Cn) calculados mediante las series de Fourier son
los valores:
d. Medios.
e. RMS.
f. Pico.
28. Escriba las ecuaciones para calcular la potencia activa y reactiva, para la
siguiente figura.
V
If
Iq
I
P=𝑉 ∗ 𝐼𝑓𝐶𝑜𝑠𝜃
Q= 𝑉 ∗ 𝐼𝑞𝑆𝑒𝑛𝜃
29. De manera general los armónicos de una señal.

a. Aumentan su amplitud cuando disminuye su orden.
b. Aumentan su amplitud cuando aumenta su orden.
c. Disminuyen su amplitud cuando disminuye su orden.
d. Disminuye su amplitud cuando aumenta su orden.
30. El valor de la potencia aparente:

d. Se mantiene constante si la corriente se defasa con respecto al
voltaje.
e. Se mantiene constante si el voltaje se defasa con respecto a la
corriente.
f. Varia se existe defasaje entre el voltaje y la corriente.
31. El valor de la potencia activa:

voltaje.
corriente.
32. El valor de la potencia reactiva:

voltaje.
corriente.
33. La siguiente ecuación se utiliza para calcular la potencia activa para:

P  Vm I m  Vn I n cos nV  I
1
a. Cargas lineales.
34. La siguiente ecuación se utiliza para calcular el factor de potencia para:
I1
PF  DPF
I RMS
a. Cargas lineales.
Nombre:……………………………………. Fecha:…………………………


a. Z→0 mayor cantidad ( ) menor cantidad ( ).
b. Z→ ∞ mayor cantidad ( ) menor cantidad ( ).
a. Diodos.
b. Tiristores.
c. Bjt´s.
d. Vmosfet´s.
e. Igbt´s.
a. Diodos.
b. Tiristores.
c. Bjt´s.
d. Vmosfet´s.
e. Igbt´s.
a. Diodos.
b. Tiristores.
c. Bjt´s.
d. Vmosfet´s.
e. Igbt´s.



entre:
a. Pérdidas en estado activo y las velocidades de conmutación.
b. Pérdidas en estado activo y tensión en conducción.
c. Pérdidas en estado activo y tensiones de ruptura.
d. Tensiones de ruptura y velocidades de conmutación.

c. Silicio__________________________.
d. Arseniuro de Galio__________________________.
e. Aumentan las pérdidas en conducción y disminuyen las velocidades

de conmutación.
f. Reducen pérdidas en conducción y velocidades de conmutación.
g. Reducen pérdidas en conducción y aumentan las velocidades de
conmutación.
h. Aumentan las pérdidas en conducción y las velocidades de
conmutación.
e. Se debe a las diferentes densidades de portadores libres en un

semiconductor.
f. Se debe al movimiento de portadores de mayor densidad hacia los
g. Se debe a un campo eléctrico aplicado al semiconductor.
h. Circula en forma paralela al campo eléctrico aplicado.
e. Se forma debido a la presencia de átomos ionizados presentes en

f. Se forma cuando la corriente de difusión y la corriente de arrastre se
equilibran.
g. Se forma por la presencia de átomos donadores ionizados en la capa
h. Se debe a la ausencia de portadores libres en ambos lados de la
juntura.
39. Una juntura:
a. Es el límite entre dos materiales extrínsecos de diferente tipo.

b. Es el límite entre dos materiales extrínsecos.
c. Es el límite entre dos materiales extrínsecos de diferentes
d. Es el límite entre dos materiales extrínsecos de diferentes

juntura.
c. Disminuye.
d. Disminuye debido a la inyección de portadores hacia la juntura.
e. Disminuye debido a la extracción de portadores de la juntura.
f. No se modifica ya que es una constante en un semiconductor.

una juntura.
k. Aumenta.
l. Aumenta debido a la inyección de portadores hacia la juntura.
m. Aumenta debido a la extracción de portadores de la juntura.
n. No se modifica ya que es una constante en un semiconductor.
e. Una tensión elevada aplicada en polarización inversa a una juntura.

f. Una corriente elevada aplicada en polarización inversa a una
juntura.
g. Un campo eléctrico elevado aplicado en polarización inversa a una
juntura.
h. Este fenómeno no se da en semiconductores.
43. En los diodos de potencia la densidad de impurezas donadoras y el espesor

de la región de arrastre o deriva define:
e. El voltaje de ruptura del interruptor.

f. El voltaje de bloqueo del interruptor en polarización directa.
g. Las pérdidas de potencia en conducción.
h. No incide en la operación del interruptor.



b. Placas de campo.

aumentan cuando:
a. Aumenta BVBD.
b. Disminuye BVBD.
cuando:
a. Aumenta BVBD.
b. Disminuye BVBD.

aumentan cuando:
a. Aumenta BVBD.
b. Disminuye BVBD.

a. Menores.
b. Mayores.
c. Iguales.

a. Resistencia de dispersión.
b. Inductancia de dispersión.
c. Capacitancia de dispersión.
diodos con:
a. Pequeñas tensiones especificadas de bloqueo reverso.

b. Grandes tensiones especificadas de bloqueo reverso.
c. No tienen ningún problema con tensiones especificadas de bloqueo
reverso.
m. Tienen menores pérdidas en estado activo.

n. Tienen mayores pérdidas en estado activo.
o. Trabajan a frecuencia más altas.
p. Trabajan a frecuencia mas bajas.
Nombre:……………………………………. Fecha:…………………………
35. En el VMOSFET de potencia de canal n el drenaje esta formado por un

material extrínseco:
a. N+.
b. N.
c. P+.
d. P.
36. Se prefiere una estructura vertical para los transistores de potencia porque:
a. Minimiza el área de sección transversal a través del cual fluye la
corriente en el dispositivo.
b. Maximiza el área de sección transversal a través del cual fluye la
corriente en el dispositivo.
c. Mantiene constante el área de sección transversal a través del cual
fluye la corriente en el dispositivo.
d. Porque reduce la resistencia en estado activo.
37. En los VMOSFET´s de potencia la densidad de impurezas donadoras y el

espesor de la región de arrastre o deriva define:
a. El voltaje de bloqueo del interruptor en polarización inversa.
b. El voltaje de bloqueo del interruptor en polarización directa.
c. Las pérdidas de potencia en conducción.
38. En los VMOSFET´s de potencia para obtener buenas capacidades de

ganancia:
a. Se aumenta el espesor de la compuerta.
b. Se reduce el espesor de la compuerta.
c. La ganancia no depende del espesor de la compuerta.
39. Dibuje los símbolos para los transistores de canal n y canal p:

40. En los VMOSFET´s el apiñamiento de las corrientes de fuente se elimina
debido a:
a. La geometría interdigitada de la fuente.
b. La geometría interdigitada de la compuerta.
c. La geometría interdigitada del drenaje.
d. La geometría cilíndrica del VMOSFET.
41. Si se realiza una conexión Darlington con βM=5 y βD=5 el β resultante es

igual a:
a. 5.
b. 10.
c. 25.
d. 35.
42. El VMOSFET tiene las siguientes zonas de operación:

a. Corte, lineal y saturación.
b. Corte, Resistencia negativa y saturación.
c. Corte, lineal y óhmica.
d. Corte, lineal, cuasisaturación y saturación severa.
43. La ganancia de corriente en un VMOSFET a:

a. k = ID/IG.
b. k = IS/IS.
c. k = VGS/ID.
d. k = ID/VGS.
44. En los VMOSFET´s de potencia la ruptura primaria se debe a:

a. Sobre voltajes entre drenaje y fuente.
b. Ionización por impacto.
c. Desbordamiento térmico.
d. Sobredensidades de corriente.
45. Los VMOSFET´s de potencia, en estado activo deben trabajar en la zona:

a. Corte.
b. Lineal.
c. Óhmica.
d. Saturación.
46. En los VMOSFET´s de potencia la FBSOA se define en base a::

a. IDM y BVDSS.
b. IGM y BVDSS.
c. ISM y BVDSS.

Nombre:……………………………………. Fecha:…………………………
47. El SCR tiene una estructura única de:

a. Dos capas y una juntura.
b. Tres capas y dos junturas.
c. Cuatro capas y tres junturas.
d. Una capa sin junturas.
48. La curva v-i característica de un SCR en polarización directa tiene las

siguientes zonas de operación :
a. Zonas de; corte, activa y saturación.
b. Zonas de; corte, activa, cuasisaturación y saturación severa.
c. Zonas de; corte, activa y óhmica.
d. Zonas de; corte, resistencia negativa y saturación.
49. El terminal de control del SCR es la gate y requiere de una señal de

corriente (pulso):
a. Positivo para su activación.
b. Positivo para su desactivación.
c. Negativo para su activación.
d. Negativo para su desactivación.
50. El SCR es un dispositivo de:

a. Portadores mayoritarios.
b. Portadores minoritarios.
51. Dibuje el símbolo para el SCR, indicando las condiciones para su activado:
52. El SCR es intrínsecamente un dispositivo de conmutación en comparación a
los BJT´s y VMOSFET´s :
a. Rápido.
b. Lento.
53. Para evitar el apiñamiento de las corrientes en el transitorio de encendido

de un SCR, se debe controlar:
a. Corriente.
b. Voltaje.
c. Potencia.
d. di/dt de subida.
54. Para el apagado de un SCR, el tiempo que debe permanecer en

polarización inversa Tx, en relación al tiempo de apagado tq debe ser:
a. Tx = tq.
b. Tx < tq.
c. Tx > tq.
55. La estructura de un SCR con disposiciones de compuerta-cátodo muy

interdigitadas y los cortocircuitos de cátodo mejoran considerablemente:
a. Corriente.
b. Voltaje.
c. di/dt.
d. dv/dt.
e. di/dt y dv/dt
56. En el transitorio de apagado de un SCR, la corriente de recuperación

reversa Irr es:
a. Pequeña.
b. Grande.
Nombre:……………………………………. Fecha:…………………………


a. Z→0 mayor cantidad ( ) menor cantidad ( ).
b. Z→ ∞ mayor cantidad ( ) menor cantidad ( ).
a. Diodos.
b. Tiristores.
c. Bjt´s.
d. Vmosfet´s.
e. Igbt´s.
a. Diodos.
b. Tiristores.
c. Bjt´s.
d. Vmosfet´s.
e. Igbt´s.
a. Diodos.
b. Tiristores.
c. Bjt´s.
d. Vmosfet´s.
e. Igbt´s.


entre:
c. Pérdidas en estado activo y las velocidades de conmutación.
d. Pérdidas en estado activo y tensión en conducción.
e. Pérdidas en estado activo y tensiones de ruptura.
f. Tensiones de ruptura y velocidades de conmutación.

e. antimonio, arsénico y fósforo
f. boro, galio e indio
i. Aumentan las pérdidas en conducción y disminuyen las velocidades

de conmutación.
j. Reducen pérdidas en conducción y velocidades de conmutación.
k. Reducen pérdidas en conducción y aumentan las velocidades de
conmutación.
l. Aumentan las pérdidas en conducción y las velocidades de
conmutación.
i. Se debe a las diferentes densidades de portadores libres en un

semiconductor.
j. Se debe al movimiento de portadores de mayor densidad hacia los
k. Se debe a un campo eléctrico aplicado al semiconductor.
l. Circula en forma paralela al campo eléctrico aplicado.
i. Se forma debido a la presencia de átomos ionizados presentes en

j. Se forma cuando la corriente de difusión y la corriente de arrastre se
equilibran.
k. Se forma por la presencia de átomos donadores ionizados en la capa
l. Se debe a la ausencia de portadores libres en ambos lados de la
juntura.
65. Una juntura:
e. Es el límite entre dos materiales extrínsecos de diferente tipo.

f. Es el límite entre dos materiales extrínsecos.
g. Es el límite entre dos materiales extrínsecos de diferentes
h. Es el límite entre dos materiales extrínsecos de diferentes

juntura.
g. Disminuye.
h. Disminuye debido a la inyección de portadores hacia la juntura.
i. Disminuye debido a la extracción de portadores de la juntura.
j. No se modifica ya que es una constante en un semiconductor.

una juntura.
o. Aumenta.
p. Aumenta debido a la inyección de portadores hacia la juntura.
q. Aumenta debido a la extracción de portadores de la juntura.
r. No se modifica ya que es una constante en un semiconductor.
i. Una tensión elevada aplicada en polarización inversa a una juntura.

j. Una corriente elevada aplicada en polarización inversa a una
juntura.
k. Un campo eléctrico elevado aplicado en polarización inversa a una
juntura.
l. Este fenómeno no se da en semiconductores.
69. En los diodos de potencia la densidad de impurezas donadoras y el espesor

de la región de arrastre o deriva define:
i. El voltaje de ruptura del interruptor.

j. El voltaje de bloqueo del interruptor en polarización directa.
k. Las pérdidas de potencia en conducción.
l. No incide en la operación del interruptor.



b. Placas de campo.

aumentan cuando:
a. Aumenta BVBD.
b. Disminuye BVBD.

cuando:
a. Aumenta BVBD.
b. Disminuye BVBD.

aumentan cuando:
a. Aumenta BVBD.
b. Disminuye BVBD.
a. Menores.
b. Mayores.
c. Iguales.

a. Resistencia de dispersión.
b. Inductancia de dispersión.
c. Capacitancia de dispersión.
diodos con:
a. Pequeñas tensiones especificadas de bloqueo reverso.

b. Grandes tensiones especificadas de bloqueo reverso.
c. No tienen ningún problema con tensiones especificadas de bloqueo
reverso.
q. Tienen menores pérdidas en estado activo.

r. Tienen mayores pérdidas en estado activo.
s. Trabajan a frecuencia más altas.
t. Trabajan a frecuencia mas bajas.
1. De acuerdo a la curva característica V/I de un DIODO de AC, las condiciones
necesarias para su desactivación son (OFF):
2. En la siguiente figura se indica la curva característica voltaje –corriente de un:
3. En el esquema eléctrico de la figura, el circuito de control está implementado

con:
4. En el esquema eléctrico de la figura, el voltaje en la resistencia R es de forma:
5. El modelo de un UJT, se lo implementa con:

6. En el diagrama eléctrico de la figura el ángulo de defasaje entre el voltaje del
capacitor y el voltaje de alimentación a medida que se aumenta la resistencia
del potenciómetro :
7. En el esquema eléctrico de la figura, los circuitos de control y de potencia

están:
8. El esquema eléctrico de la figura corresponde a un/a(CI LM555):
9. En el esquema eléctrico indicado en la figura siguiente, el circuito de control y

el circuito de potencia están:
11. En la siguiente figura se indica el símbolo de:
12. El diagrama circuital de la figura siguiente, corresponde a un oscilador con

carga del capacitor (voltaje del capacitor):
13. Las formas de onda que se indican a continuación, corresponden al voltaje y

corriente de un oscilador implementado con UJT, estas son correctas:
14. Las formas de onda que se indican a continuación, corresponden al voltaje y
corriente de un oscilador implementado con UJT, estas son correctas:
15. En el esquema eléctrico indicado en la figura siguiente, el LM555 está

implementado como:
16. En la siguiente figura se indica la curva característica voltaje –corriente de un :
17. El esquema eléctrico de la figura corresponde a un/a:

19. La ecuación que se indica a continuación se utiliza, cuando el capacitor de

un oscilador implenetado con UJ se carga( carga del capacitor (voltaje del
capacitor)):
20. El diagrama eléctrico de la figura corresponde a un:
21. En el esquema eléctrico indicado en la figura, la carga del voltaje del capacitor
es:

24. De las formas de onda de la figura, el voltaje en el capacitor se carga en forma:
26. El esquema, modelo y símbolo de la siguiente figura representa a:

27. En el esquema eléctrico de la figura, el circuito de control con el circuito de
potencia están (adicional al transformador que alimenta al circuito de control):
28. La ecuación que se indica a continuación se utiliza, cuando el capacitor de

un oscilador implenetado con UJ se carga( carga del capacitor (voltaje del
capacitor)):

implementado como:

implementado como: * OSCILADOR MONOESTABLE*
32. De acuerdo a la curva característica V/I de un UJT, las condiciones necesarias

para su activación son (ON):
33. En el esquema eléctrico de la figura, el circuito de control envía las señales de

control al interruptor de estado sólido de potencia mediante un:

36. De las formas de onda de la figura, la corriente IEB1 se carga en forma :
37. En el esquema eléctrico de la figura, el circuito de control está implementado

con:
38. En el esquema eléctrico de la figura, las señales de control están presentes:

39. El diagrama eléctrico de la figura corresponde a un:
40. En el esquema eléctrico de la figura, el ángulo máximo αmx de disparo al TRIAC

tiende a:
41. En el diagrama eléctrico de la figura el voltaje del capacitor con referencia al

voltaje de alimentación esta:
42. De las formas de onda de la figura el voltaje en el capacitor se carga en forma:
LINEAL
43. A
44. a
De las formas de onda de la figura, la corriente IEB1 se carga en forma:
En el esquema eléctrico indicado en la figura siguiente, el LM555 está implementado como:

En el esquema eléctrico indicado en la figura, la carga del voltaje del capacitor es:
En la siguiente figura se indica la curva característica voltaje –corriente de un :

En el diagrama eléctrico de la figura el voltaje del capacitor con referencia al voltaje de
alimentación esta :
El modelo de un UJT, se lo implementa con:

El diagrama eléctrico de la figura corresponde a un:
En la siguiente figura se indica la curva característica voltaje –corriente de un:

En el esquema eléctrico indicado en la figura siguiente, el LM555 está implementado como:
En el esquema eléctrico de la figura, el circuito de control envía las señales de control al

interruptor de estado sólido de potencia mediante un:
El diagrama circuital de la figura siguiente, corresponde a un oscilador con carga del capacitor
(voltaje del capacitor):
De acuerdo a la curva característica V/I de un DIODO de AC, las condiciones necesarias para su
activación son (ON):
En el esquema eléctrico de la figura, el circuito de control envía las señales de control al
interruptor de estado sólido de potencia mediante un:
De acuerdo a la curva característica V/I de un UJT, las condiciones necesarias para su
activación son (ON):
En la siguiente figura se indica el símbolo de:
En el esquema eléctrico indicado en la figura siguiente, el circuito de control y el circuito de
potencia están:
La ecuación que se indica a continuación se utiliza, cuando un oscilador implementado con UJT
se ( carga del capacitor (voltaje del capacitor)):
En el esquema eléctrico de la figura, los circuitos de control y de potencia están:
De las formas de onda de la figura, el voltaje en el capacitor se carga en forma :

En el diagrama eléctrico de la figura el circuito integrado LM555 está implementado como:
Las formas de onda que se indican a continuación, corresponden al voltaje y corriente de un

oscilador implementado con UJT, estas son correctas:
potencia están:
De acuerdo a la curva característica V/I de un DIODO de AC, las condiciones necesarias para su
desactivación son (OFF):
potencia están:
potencia están:
El esquema eléctrico de la figura corresponde a un(CI LM555):
En el diagrama eléctrico de la figura el ángulo de defasaje entre el voltaje del capacitor y el

voltaje de alimentación a medida que se aumenta la resistencia del potenciómetro :
En la siguiente figura se indica la curva característica voltaje –corriente de un :
En el esquema eléctrico de la figura, el circuito de control está implementado con:
En el esquema eléctrico de la figura, el circuito de control con el circuito de potencia están
(adicional al transformador que alimenta al circuito de control):
En el esquema eléctrico de la figura, el circuito de control con el circuito de potencia están
(adicional al transformador que alimenta al circuito de control):
En la siguiente figura se indica el símbolo de:
La ecuación que se indica a continuación se utiliza, cuando un oscilador implementado con UJT
se ( carga del capacitor (voltaje del capacitor)):
El diagrama eléctrico de la figura corresponde a un:
Cuando se polariza al DIAC MT2>MT1:

El esquema, modelo y símbolo de la siguiente figura representa a:
En el esquema eléctrico de la figura, el capacitor se carga en forma:

En el esquema eléctrico de la figura, el voltaje en la resistencia R es de forma:
En el esquema eléctrico de la figura, los circuitos de control y de potencia están:

La ecuación que se indica a continuación se utiliza, cuando el capacitor de
un oscilador implenetado con UJ se carga( carga del capacitor (voltaje del capacitor)):
RESPUESTA : Fuente de DC

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ESCUELA POLITÉCNICA DEL EJÉRCITO EXTENSIÓN LATACUNGA

DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

1. La tarea de la Electrónica de Potencia es:

6. Los armónicos generados por los conversores estáticos de energía son:

9. Para analizar los armónicos de una f(t) con la herramienta matemática

11. Escriba la ecuación de la distorsión armónica total en función del factor de

15. De manera general los armónicos de una señal.

16. El valor de la potencia aparente:

17. El valor de la potencia activa:

18. El valor de la potencia reactiva:

19. La siguiente ecuación se utiliza para calcular la potencia activa para:

20. La siguiente ecuación se utiliza para calcular el factor de potencia para:

ESCUELA POLITÉCNICA DEL EJÉRCITO EXTENSIÓN LATACUNGA

Carrera:…………………………………… Paralelo: ……………………..

1. Las características ideales de los interruptores son:

2. En un interruptor de estado sólido de potencia los portadores libres en las

6. Dibuje el esquema de un circuito eléctrico para explicar la conmutación

8. En todos los interruptores de estado sólido de potencia hay la concesión

9. Escriba dos átomos donadores frecuentemente utilizados en la fabricación

a. Aumentan las pérdidas en conducción y disminuyen las velocidades

a. Se debe a las diferentes densidades de portadores libres en un

12. La barrera de potencial en una juntura :

a. Se forma debido a la presencia de átomos ionizados presentes en

13. Una juntura:

a. Es el límite entre dos materiales extrínsecos de diferente tipo.

14. El ancho de la capa de agotamiento, cuando se polariza directamente a una

15. El ancho de la capa de agotamiento, cuando se polariza inversamente a

16. La ionización por impacto es el fenómeno que se da debido a:

a. Una tensión elevada aplicada en polarización inversa a una juntura.

17. En los diodos de potencia la densidad de impurezas donadoras y el

a. El voltaje de ruptura del interruptor.

18. En los diodos de potencia la modulación de la conductividad de la región de

a. Mantiene las pérdidas del interruptor en niveles manejables.

19. En los diodos de potencia, el control del límite de la zona de degradación se

20. En los diodos de potencia, el tiempo de vida de los portadores en exceso Ƭ

21. En los diodos de potencia, el tiempo de recuperación reversa trr aumenta

22. En los diodos de potencia, la corriente de recuperación reversa Irr

23. Los dispositivos de portadores minoritarios, con respecto a los dispositivos

24. En los diodos de potencia, durante el apagado, la recuperación rápida

26. Los diodos Schottky con respecto a los diodos de juntura:

i. Tienen menores pérdidas en estado activo.

ESCUELA POLITÉCNICA DEL EJÉRCITO EXTENSIÓN

DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

26. Escriba la ecuación de la distorsión armónica total en función del factor de

29. De manera general los armónicos de una señal.

30. El valor de la potencia aparente:

31. El valor de la potencia activa:

32. El valor de la potencia reactiva:

33. La siguiente ecuación se utiliza para calcular la potencia activa para:

34. La siguiente ecuación se utiliza para calcular el factor de potencia para:

ESCUELA POLITÉCNICA DEL EJÉRCITO EXTENSIÓN LATACUNGA

DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

Carrera:…………………………………… Paralelo: ……………………..

27. Las características ideales de los interruptores son:

28. En un interruptor de estado sólido de potencia los portadores libres en las

32. Dibuje el esquema de un circuito eléctrico para explicar la conmutación

33. Dibuje el esquema de un circuito eléctrico para explicar la conmutación

34. En todos los interruptores de estado sólido de potencia hay la concesión

35. Escriba dos átomos donadores frecuentemente utilizados en la fabricación

e. Aumentan las pérdidas en conducción y disminuyen las velocidades

e. Se debe a las diferentes densidades de portadores libres en un

38. La barrera de potencial en una juntura :

e. Se forma debido a la presencia de átomos ionizados presentes en