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DISEÑADO PARA

TRANSISTOR DE OPERAR COMO MOSFET


COMPUERTA AISLADA

POSEE UNA ZONA INYECTORA


NECESIDAD MINIMA DE ESTRUCTURA BASICA EN EL LADO DE DRENAJE
CARACTERISTICAS I-V
CIRCUITOS DE
AMORTIGUAMIENTO
MITAD DEL DESEMPEÑO
Transistor Bipolar de DEL MOSFET Y DEL BJT
AOS
Compuerta Aislada
IGBT OPERACIÓN DEL IGBT
DE TIPO RECTANGULAR PARA
APLICACIONES DE MODO
CONMUTADO MUCHO MAS RAPIDO QUE
EL BJT
DESEMPEÑO
LATCHUP

POLARIZACIÓN DIRECTA MAS LENTO QUE EL


MOSFET
PROCESO DE APAGADO PROCESO DE
ENCENDIDO
POLARIZACIÓN INVERSA TIRISTOR PARASITO

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