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El documento describe el transistor de compuerta aislada o IGBT, un dispositivo semiconductor que funciona como un MOSFET pero con una estructura más similar a un transistor bipolar. El IGBT tiene el desempeño mitad de un MOSFET y mitad de un BJT, siendo más rápido que un BJT pero más lento que un MOSFET. Se utiliza comúnmente en aplicaciones de conmutación donde se requiere una necesidad mínima de circuitos de amortiguamiento.
El documento describe el transistor de compuerta aislada o IGBT, un dispositivo semiconductor que funciona como un MOSFET pero con una estructura más similar a un transistor bipolar. El IGBT tiene el desempeño mitad de un MOSFET y mitad de un BJT, siendo más rápido que un BJT pero más lento que un MOSFET. Se utiliza comúnmente en aplicaciones de conmutación donde se requiere una necesidad mínima de circuitos de amortiguamiento.
El documento describe el transistor de compuerta aislada o IGBT, un dispositivo semiconductor que funciona como un MOSFET pero con una estructura más similar a un transistor bipolar. El IGBT tiene el desempeño mitad de un MOSFET y mitad de un BJT, siendo más rápido que un BJT pero más lento que un MOSFET. Se utiliza comúnmente en aplicaciones de conmutación donde se requiere una necesidad mínima de circuitos de amortiguamiento.
NECESIDAD MINIMA DE ESTRUCTURA BASICA EN EL LADO DE DRENAJE CARACTERISTICAS I-V CIRCUITOS DE AMORTIGUAMIENTO MITAD DEL DESEMPEÑO Transistor Bipolar de DEL MOSFET Y DEL BJT AOS Compuerta Aislada IGBT OPERACIÓN DEL IGBT DE TIPO RECTANGULAR PARA APLICACIONES DE MODO CONMUTADO MUCHO MAS RAPIDO QUE EL BJT DESEMPEÑO LATCHUP
POLARIZACIÓN DIRECTA MAS LENTO QUE EL
MOSFET PROCESO DE APAGADO PROCESO DE ENCENDIDO POLARIZACIÓN INVERSA TIRISTOR PARASITO