Docente: Teodoro Busch Dekovice Facultad de Ingeniería U.M.S.A.

TABLAS DE FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO ETN-501

Banda de separación de algunos semiconductores junto con sus dependencias de la temperatura
Dependencia de la
Tipo de banda Para Para temperatura de la
Semiconductor banda de separación de
de separación Eg(0) eV 300 K
energía (eV)
6 x10 4 T 2
AlAs indirecta 2.239 2.163 2.239 
T  408
5.771x10 4 T 2
GaP indirecta 2.338 2.261 2.338 
T  372
5.405x10 4 T 2
GaAs directa 1.519 1.424 1.519 
T  204
3.78x10 4 T 2
GaSb directa 0.810 0.726 0.810 
T  94
3.63x10 4 T 2
InP directa 1.421 1.351 1.421 
T  162
2.50x10 4 T 2
InAs directa 0.420 0.360 0.420 
T  75
2.99x10 4 T 2
InSb directa 0.236 0.172 0.236 
T  140
4.37 x10 4 T 2
Si indirecta 1.17 1.11 1.17 
T  636
4.77 x10 4 T 2
Ge indirecta 0.66 0.74 0.74 
T  235

Masa efectiva y bandas de energía mínima y máxima de Ge, Si y GaAs

Nombre Símbolo Ge Si GaAs
Banda mínima en k=0
Energía mínima Eg, directa
0.8 3.2 1.424
(eV)
Masa efectiva me*/m0 0.041 0.2 0.067
Banda mínima en k0
Energía mínima Eg, indirecta
0.66 1.12 1.734
(eV)
Masa efectiva longitudinal me,l*/m0 1.64 0.98 1.98
Masa efectiva transversal me,t*/m0 0.082 0.19 0.37
Número de ondas mínima k[l/m] xxx xxx xxx
Dirección longitudinal (111) (100) (111)
Banda de valencia máxima de huecos pesados en E=k=0
Masa efectiva mhh*/m0 0.28 0.49 0.45
Banda de valencia máxima huecos ligeros en k=0
Masa efectiva mlh*/m0 0.044 0.16 0.082
Banda de valencia máxima de huecos separados en k=0
Banda de separación de banda de valencia Ev,s0[eV] -0.028 -0.044 -0.34
Masa efectiva me,t*/m0 0.084 0.29 0.154
m0=9.11x10-31 Kg masa del electrón libre

Masa efectiva y energía de brecha de Ge, Si, GaAs

Física de Estado Sólido ETN-501
Docente: Teodoro Busch Dekovice Facultad de Ingeniería U.M.S.A.

Nombre Símbolo Ge Si GaAs

Energía de brecha más pequeña en 300 K Eg (eV) 0.66 1.12 1.424
Masa efectiva para cálculos de densidad de estados
Electrones m*e,dos/m0 0.56 1.08 0.067
Huecos m*h,dos/m0 0.29 0.57 / 0.81 0.47
Masa efectiva para cálculos de conductividad
Electrones m*e,cond/m0 0.12 0.26 0.067
* 0.36 /
Huecos m h,cond/m0 0.21 0.34
0.386

CONSTANTES FÍSICAS
Constante Símbolo Valor Unidades
Velocidad de la luz en
c 2.9998·108 m/s
el vacío
Aceleración de la
g 9.807 m/s2
gravedad
Constante de
G 6.673·10-11 N·m2/Kg2
gravitación universal
Masa de la Tierra MG 5.976·1024 Kg
Número de Avogadro NO 6.023·1023 molec./mol
Volumen molar a 0 ºC y
VM 22.41 litros
1 atm.
Masa del electrón en 9.109·10-31 Kg
me
reposo 0.511 MeV/c2
Carga del electrón q, e 1.602·10-19 Culombios
Relación carga-masa
q/me 1.759·1011 Cul/Kg
del electrón
-27
Masa del protón en 1.673·10 Kg
mp
reposo 938.3 MeV/c2
Masa del neutrón en 1.675·10-27 Kg
mn
reposo 939.6 MeV/c2
Masa de peso atómico
u 1.660·10-27 Kg
unidad
-34
Constante de Planck 6.626·10 J·s
h
4.1361·10-15 eV·s
Constante de Planck/2 ó
1.055·10-34 J·s
constante de planck 
6.582·10-16 eV·s
reducida
Constante de 1.381·10-23 J/ºK
K
Boltzmann 8.620·10-5 eV/ºK
Constante de Stefan-
 5.670·10-8 W/(m2·ºK4)
Boltzmann
Constante de Faraday F 9.649·104 Cul/mol
Constante de Rydberg RH 1.097·107 m-1
Permeabilidad
0 1.257·10-6 H/m
magnética del vacío
Permitividad eléctrica
0 8.849·10-12 F/m
del vacío
Energía de 1
1 eV 1.602·10-19 Julios
electronvoltio
Potencial equivalente de
VT 0.0258 Voltios
la temperatura a 300 ºK
Producto KT a 300 ºK KT 0.0258 eV

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PROPIEDADES DE LAS IMPUREZAS

Semiconductor: Ge Si AsGa
Energía de ionización
Electrovoltios: EC-ED EA-EV EC-ED EA-EV EC-ED EA-EV
Donoras: Li 0.0095 0.033 0.023
Sb 0.0096 0.039
P 0.012 0.044
As 0.013 0.049
Bi 0.069
Te 0.003
Aceptoras: B 0.010 0.045
Al 0.010 0.057
Tl 0.010 0.26
Ga 0.011 0.065
In 0.11 0.16
Mg 0.012
C 0.019
Profundas y 0.02
Be
Múltiples: 0.07
0.03 0.031
Zn 0.024
0.09 0.55
0.023
0.24
0.04 0.15
Cu 0.26-A 0.37
0.32 0.27
0.52
0.51
Ca 0.31-A 0.25 0.39
0.05
Cd 0.021
0.16
0.04-A 0.05-D
Au 0.54-A 0.35-D
0.20-A 0.15
Ni 0.30-A 0.22 0.35-A 0.22 0.21
Si 0.026
0.37
Fe 0.27-A 0.35 0.55-D 0.40-D
0.52

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PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES

Parámetro Símb. Ge Si AsGa Unidad
Nº atómico Z 32 14
Peso molecular A 72.60 28.09 144.63
Densidad 5.327 2.328 5.32 gr/cm3
Densidad atómica o
4.4∙1019 5.0∙1022 2.21∙1022 ato/cm3
molecular
Densidad de estados
NC 1.04∙1019 2.8∙1019 4.7∙1017 est/cm3
permitidos, electrones
Densidad de estados
NV 6.0∙1018 1.04∙1019 7.0∙1018 est/cm3
permitidos, huecos
Masa efectiva electrón me* 0.55 1.08 0.070 me
Masa efectiva huecos mh* 0.39 0.55 0.43 me
Anchura banda prohibida
Eg 0.785 1.21 1.44 eV
a 0 ºK
Anchura banda prohibida
Eg 0.66 1.12 1.42 eV
a 300 ºK
Tipo de estructura de
Indirecta Indirecta Directa
bandas
Concentración intrínseca a
ni 2.4∙1013 1.54∙1010 1.79∙106 por/cm3
300 ºK
Movilidad de electrones a
e 3900 1350 8500 cm2/V∙s
300 ºK
Movilidad de huecos a
h 1900 475 400 cm2/V∙s
300 ºK
Constante de difusión de
De 101 35 220 cm2/s
electrones a 300 ºK
Constante de difusión de
Dh 49 12 10 cm2/s
huecos a 300 ºK
Constante dieléctrica
r 16.0 11.9 13.1
relativa
Resistividad intrínseca a
i 47 2.3∙105 4∙108 ∙cm
300 ºK
Campo eléctrico de ruptura Erup ∙105 ∙3∙105 ∙4∙105 V/cm
Conductividad térmica 0.6 1.5 0.46 W/cmºc

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