Resumen de la semana

LA ELECTRONICA II: complementa una asignatura básica y de vital

importancia para el estudiante de Ingeniería Eléctrica. Hace énfasis en los
temas de: dispositivos de semiconductores básicos, el Transistor de Efecto
de Campo (FET), análisis en AC, tanto para el BJT como para el FET, así
como el modelado de ambos dispositivos.
La Electrónica es la ciencia que estudia los electrones libres. Pero esta
definición carece de un sentido práctico.
Un transistor FET: Es un semiconductor que posee tres terminales,
denominados puerta (representado con la G), drenador (D) y fuente (S). La
puerta es el terminal equivalente a la base del transistor de unión bipolar
(BJT), de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que, en el FET, el voltaje
aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el
drenaje. Se dividen en dos tipos los de canal N y los de canal P,
dependiendo del tipo de material del cual se compone el canal del
dispositivo.

Polarización de un FET: Los circuitos básicos que se utilizan para

polarizar los BJT se pueden emplear para los MOSFET. EL JFET tiene el
inconveniente de que la tensión VGS debe ser negativa en
un NJFET (positiva en un PJFET) que exige unos circuitos de
polarización característicos para este tipo de dispositivos.
Tipos de FET:
1- MOSFET: Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado
para la conmutación y amplificación de señales. El nombre
completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-
 Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,
MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor.

2- CMOS: CMOS (semiconductor complementario de óxido

metálico) es el término empleado para describir aquella porción de
memoria en la placa base de un ordenador destinada a almacenar
configuraciones de BIOS.
Transistores

NPN.
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales
las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios
dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los
transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la
movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en
los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operación.

PNP.
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras
"P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las
diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día
son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la
mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los
transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y
el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación
a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña.
Encapsulado e identificación de sus terminales.
La fabricación de varios de estos dispositivos conectados en diversas
configuraciones en una misma oblea de silicio, permitió crear los
circuitos integrados o chips, base de todos los aparatos electrónicos
modernos.

Según sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen
los transistores tipo NPN ó PNP, los cuales, en disposiciones
circuitales apropiadas permiten crear una enorme cantidad de
circuitos para diversos fines, ya que se complementan pues
funcionan con sentidos opuestos de circulación de corriente