1.

Realice la distribución electrónica resumida (con base en el gas noble más cercano),
para los elementos de la serie de transición del periodo 4.
Elemento Nombre del Elemento Número atomico Distribución electrónica
Sc Escandio 21 [ Ar ]3 d 1 4 s 2
2 2
Ti Titanio 22 [ Ar ]3 d 4 s
V Vanadio 23 [ Ar ]3 d 3 4 s2
5 1
Cr Cromo 24 [ Ar ]3 d 4 s
Mn Manganeso 25 [ Ar ]3 d 5 4 s2
6 2
Fe Hierro 26 [ Ar ]3 d 4 s
Co Cobalto 27 [ Ar ]3 d 7 4 s2
8 2
Ni Níquel 28 [ Ar ]3 d 4 s
Cu Cobre 29 [ Ar ]3 d 10 4 s 1
10 2
Zn Zinc 30 [ Ar ]3 d 4 s

2. Con base en la anterior distribución, categorice a los elementos como configuraciones

de alto, bajo o alto-bajo espín.
Elemento Nombre del Elemento Distribución electrónica Configuración
Sc Escandio [ Ar ]3 d 1 4 s 2 Alto espín
2 2
Ti Titanio [ Ar ]3 d 4 s Alto espín
V Vanadio [ Ar ]3 d 3 4 s2 Alto espín
5 1
Cr Cromo [ Ar ]3 d 4 s Bajo- alto espín
Mn Manganeso [ Ar ]3 d 5 4 s2 Bajo- alto espín
6 2
Fe Hierro [ Ar ]3 d 4 s Bajo- alto espín
Co Cobalto [ Ar ]3 d 7 4 s2 Bajo- alto espín
8 2
Ni Níquel [ Ar ]3 d 4 s Alto espín
Cu Cobre [ Ar ]3 d 10 4 s 1 Alto espín
10 2
Zn Zinc [ Ar ]3 d 4 s Alto espín

3. Determine para el caso del Ti3+, Mn2+ y Cu2+ el balance de EECC en términos del valor
de separación del campo cristalino (0).

 Ti[ Ar ]3 d 1 4 s 2
1

Ti 3+¿[ Ar] 3 d ¿
( 35 ∆ )¿
−¿e g ∙

(−25 ∆ )+n e
o
°
−¿ t 2 g ∙ o ¿
°
EECC=n e
EECC=1 ∙ ( −25 ∆ )+0 ∙( 35 ∆ )
o o

−2
EECC= ∆
5 o
 Mn [ Ar ]3 d5 4 s 2
5

Mn2 +¿[ Ar ]3 d ¿
( 35 ∆ )¿
−¿e g ∙

(−25 ∆ )+n e
o
°
−¿ t 2 g ∙ o ¿
°
EECC=n e
−2 3
EECC=3 ∙
5 (
∆o + 2∙ ∆o
5 ) ( )
EECC=0 ∆o
( 35 ∆ )¿
−¿e g ∙

(−25 ∆ )+n e
o
°
−¿ t2 g ∙ o ¿
°
EECC=n e
−2 3
EECC=5 ∙
5 (
∆o + 0∙ ∆o +2 P
5 ) ( )
EECC=−2 ∆ o+ 2 P
10 1
 Cu[ Ar ]3 d 4 s
9

Cu 2+¿[ Ar] 3 d ¿
( 35 ∆ )¿
−¿e g ∙

(−25 ∆ )+n e
o
°
−¿ t2 g ∙ o ¿
°
EECC=n e
−2 3
EECC=6 ∙ (
∆ + 3∙ ∆ o + 4 P
5 o 5 ) ( )
−3
EECC= ∆ +4 P
5 o

4. ¿Cuál es la diferencia entre energía de apareamiento y energía de separación del campo

cristalino? Explique.
La diferencia principal entre energía de apareamiento y energía de separación del campo
cristalino es que la primera se refiere a la energía que necesita un electrón para ocupa un
orbital semilleno, mientras que la segunda comprende la energía de estabilización generada
por el sistema según sea la disposición de los electrones en los niveles de energía generados
tras la influencia de los ligantes en el campo esférico y además el efecto de la energía de
apareamiento.
La energía de estabilización del campo cristalino o también conocida como energía de
separación, hace referencia al valor neto de energía en el que se estabiliza un complejo 1. En
pocas palabras, se trata de la estabilidad comparativa que resulta de colocar un ion de un
metal de transición en un campo cristalino generado por un grupo de ligandos, en relación a
colocar a ese mismo ion en un campo esférico2.
La energía que poseen los cinco orbitales d en un ión metálico gaseoso y aislado es
degenerada. Si un campo esférico simétrico con cargas negativas se coloca alrededor del
ion metálico, la energía de los orbitales aumentará. Este aumento en la energía de los
orbitales se da como consecuencia de la repulsión entre el campo negativo y los electrones
descritos por las funciones orbitales (los orbitales aún permanecerán degenerados). La
influencia de ligantes reales produce un campo negativo, lo que afecta la simetría, pues esta
deja de ser esférica porque el número de ligantes es finito3.
Si consideramos el caso de seis ligandos que se aproximan para formar un complejo
octaédrico se evidencia que los orbitales atómicos d se separan energéticamente, algunos de
dichos orbitales presentaran energías menores que las que tendrían en un campo esférico. El
grupo t 2 g se convierte en un grupo de menor energía que los orbitales en el campo esférico,
si un electrón se encuentra ocupando uno de estos orbitales, el ion metálico será más
estable en ese campo de ligandos con respecto al campo esférico en una cantidad conocida
como energía de estabilización del campo cristalino. En caso contrario, de que los
electrones se encuentren en los orbitales e g , que son de mayor energía que los orbitales en
un campo esférico, se reducirá la energía de estabilización del campo cristalino.
La energía de apareamiento del campo cristalino. Durante el llenado de orbitales se
genera un cierto grado de repulsión entre electrones que ocupan un mismo orbital. Esta
repulsión generada causa la energía de apareamiento, que en sí, es la energía que necesita
un electrón para que ocupe un orbital que ya se encuentra semilleno. Esta es una de las
razones por las cuales un electrón, cuando tiene la posibilidad de optar entre varios
orbitales degenerados, tratara siempre de ocupar el mayor número posible de orbitales
vacíos antes de empezar a completar orbitales semillenos4.

5. ¿Cuál es la diferencia entre configuración de alto espín (AS) y bajo espín (BS)?
Explique.
En un complejo octaédrico, los orbitales d se desdoblan en dos grupos de simetría t 2 gy e g ,
por este orden de energía. La diferencia de energía entre los orbitales t 2 gy e g se llama
energía del desdoblamiento del campo de los ligandos ( ∆¿¿ o) ¿.
Según la configuración d 4 −d 7en entorno octaédrico, en el proceso de llenado de orbitales
al introducir un último electrón en el sistema aparecen dos posibilidades. Dicho electrón
puede alojarse en uno de los orbitales de mayor energía que configura el nivel eg o
aparenadose con otro ya existente en uno de los orbitales de menor energia del nivel t 2g . La
elección de una u otra configuración vendra determinada por la magnitud relativa de
terminos energeticos: el desdoblamiento del campo de los ligandos ( ∆¿¿ o) ¿ requerido para
la promoción desde t 2 ghasta e g y la energía de apareamiento necesaria para introducir un
segundo electrón en un orbital semiocupado.
Si la energía requerida para aparear un electrón es mayor que la diferencia ∆ o (∆ o < P ¿,
entonces la situación favorable es la ocupación del orbital de mayor energía eg, ya que la
repulsión electrónica será mínima. Este caso se conoce como configuración de alto espín.
Si, por el contrario, la energía de apareamiento es menor que la separación ∆ o (∆ o > P), el
apareamiento de los electrones es la situación energéticamente más favorable. Este caso se
conoce como configuración de bajo espín.
En conclusión, la diferencia entre la configuración de alto espín (AS) y la configuración de
bajo espín (BS) radica en que la configuración AS se produce cuando el desdoblamiento
entre los niveles t2g y eg producido por el campo del cristal es relativamente pequeño y por
tanto menor que la energia de apareamiento, mientras que en la configuración BS el
desdoblamiento originado por el cristal es grande, mayor que la energia de apareamiento6.
6. ¿Cuál es la diferencia entre configuración de campo débil y campo fuerte? Explique.
En el caso del campo fuerte, los electrones van a seguir el principio de máxima
multiplicidad en los orbitales t2g y van a continuar luego apareándose en dichos orbitales
hasta completarlos, antes de empezar a ocupar los eg.
En el segundo caso del campo débil, en cambio, los electrones van a seguir el principio de
máxima multiplicidad en todo el conjunto orbital, de modo que empezarán a aparearse una
vez se hayan semiocupado los eg.
7. ¿Cómo el ciclo de Born-Haber, permitió establecer los cálculos relacionados con la
energía reticular en sólidos iónicos y clarificar la teoría del campo cristalino?
Cuando se forma un compuesto iónico a partir de los sus iones, se desprende una gran
cantidad de energía. Esta energía recibe el nombre de energía reticular. En concreto, se
puede definir la energía reticular como la energía liberada cuando se forma un mol de
compuesto iónico a partir de sus iones en estado gaseoso.
La energía reticular de un sólido iónico es una magnitud que no puede determinarse a partir
de medidas experimentales directas, por eso se utiliza un método indirecto basado en la
termodinámica, conocido como ciclo de Born-Haber. El ciclo de Born-Haber permite
obtener la energía reticular de un compuesto iónico mediante un determinado número de
etapas.
Si se requiere hallar de forma analítica la entalpia de energía reticular para un sólido iónico,
este valor se puede calcular a partir de la llamada ecuación de Born-Lande. Sin embargo
algunos de los parámetros de esta ecuación, como la constante de Madelung (A) o el
exponente de Born (n), no son fáciles de determinar con precisión. Por esto motivo, esta
ecuación es más útil si lo que deseamos es únicamente realizar un estudio comparativo de
la estabilidad de 2 compuestos iónicos, de forma cualitativa.
Valores irregulares obtenidos de energía reticular en haluros y óxidos de elementos de
transición, realizados mediante el modelo de Born-Lande o Born Haber llevaron a que se
revisaran los conceptos clásicos del enlace iónico. Esta revisión conllevo a introducir
factores nuevos relacionados con la configuración electrónica de los cationes, lo que dio
origen a la teoría del campo cristalino. La teoría del campo cristalino tiene en cuenta la
modificación que el campo eléctrico de los aniones (considerados como cargas puntuales)
que rodean a cada catión ejerce sobre la energía de los orbitales más externos de éste7.
8. Establezca el ciclo de Born-Haber con sus ecuaciones correspondientes para el caso del
compuesto ZnCl2. Explique ¿qué significa el valor numérico obtenido?

 Primer Paso:
ZnCl 2(s) → Zn(g) +Cl 2(g ) ∆ H °formación =−415,05 kJ /mol

 Segundo paso:
Zn(s ) → Zn(g) ∆ H °sublimación =130,92 kJ /mol

 Tercer paso:
Cl 2(g) → 2Cl(g ) ∆ H °Disociación =242,58 kJ /mol

 Cuarto paso:
a °
−¿1 ∆ H Ionización=906kJ /mol ¿

Zn(g ) → Zn1(g)+¿+e ¿
a °
−¿2 ∆ H Ionización=1733kJ /mol¿

Zn(g ) → Zn2(g)+¿+e ¿

 Quinto paso:
° kJ
−¿∆ Hafinidad electronica =(2 ∙−348,57 )¿
mol
−¿ →2 Cl( g) ¿
2 Cl( g )+ e
∆ H =−∆ H °formación +∆ H °sublimación+ ∆ H °Disociación + 1a ∆ H °Ionización + 2a ∆ H °Ionización +(2 ∙ ∆ H °afinidad electronica )

∆ H =−(−415,05 kJ /mol)+ 130,92kJ /mol+ ( 242,58 kJ /mol )+ 906 kJ /mol+1733 kJ /mol+(2 ∙−348,57 kJ /mol)
∆ H =2730,41 kJ /mol

 Sexto paso:
°
−¿ →Zn Cl2( s) ∆H =−∆ H reticular=−2730,41kJ /mol¿
2+¿+2 Cl( g) ¿
Zn (g )

Esto quiere decir que se necesita −2730,41 kJ /mol para disociar un mol del compuesto sólido en
sus iones.

9. ¿Cómo la constante de Madelung determina el valor del potencial electrostático de un simple

ion en un cristal? Explique.
La constante de Madelung es un factor de corrección que contempla las interacciones electrostáticas
de los iones más alejados entre una pareja anión-catión, esta constante depende solamente de la
geometría del cristal iónico [8]. La constante de Madelung determina el valor del potencial
electrostático de un simple ion en un cristal mediante un factor geométrico de un cristal simple
(posición), no depende del tamaño ni la carga de los iones. En consecuencia, la constante de
Madelung solo representa el término monopolo-monopolo.

10. ¿Qué factores afectan la energía reticular en la teoría del campo cristalino? Explique.
Los factores que afectan la energía reticular son: El tamaño de los iones, de tal forma que a mayores
radios iónicos menos valores de energía reticular. Y la carga de los iones que es directamente
proporcional a los valores de entalpia reticular del sistema.