Aplicación del SST en microrredes: revisión de
implementaciones
F. Rodrı́guez, D. O. Garrido
Abstract—
Keywords—Solid-State Transformer (SST), distribution system,
microgrid.
I. I NTRODUCCI ÓN
Desde sus orı́genes a fines del siglo XIX hasta la actualidad,
la energı́a eléctrica ha sido generada por grandes centrales
eléctricas y transportada por medio de lı́neas de transmisión
de alta tensión hacia subestaciones de distribución. En la ac-
tualidad, existe una tendencia creciente hacia la incorporación
de fuentes de energı́a renovable al sistema eléctrico. En el
año 2017 la capacidad instalada de energı́a renovables a nivel
mundial creció un 8,3 % (167 GW) respecto al año anterior
[1]. En Argentina, de acuerdo a datos del Ministerio de Energı́a
y Minerı́a (MINEM), el avance de las energı́as renovables
representó en el año 2016 una participación de tan sólo el
1,8 % de la demanda, con una capacidad instalada de 800 MW.
Sin embargo, mediante polı́ticas nacionales y provinciales se
pretende incrementar la contribución de fuentes de energı́as
renovables hasta alcanzar el 20 % para el año 2025.
La mayor penetración de fuentes de energı́a renovable, im-
pulsada principalmente por la instalación de parques solares y
generadores eólicos, origina un nuevo paradigma caracterizado
por una alta variabilidad en la inyección de potencia y por
un esquema de generación distribuida de electricidad. Esto
provoca que sea cada vez más difı́cil asegurar una operación
confiable y estable de los sistemas eléctricos dependiendo
únicamente de la arquitectura de distribución convencional con
capacidad limitada de control [2].
F. Rodrı́guez, Universidad Nacional de Rı́o Cuarto (UNRC), Rı́o Cuarto,
Córdoba, Argentina, frodriguez2511@gmail.com.
D. O. Garrido, Universidad Nacional de Rı́o Cuarto (UNRC), Rı́o Cuarto,
Córdoba, Argentina, daniel.oscar.garrido@gmail.com.
La aparición de problemas asociados al control de la
tensión, estabilidad de la frecuencia y disparos espurios de
los sistemas de protección, afectan la calidad de potencia
[3], causan que sea necesaria una modernización del sistema
eléctrico que se adapte a los requerimientos del nuevo es-
quema de generación y consumo eléctrico. Las redes eléctricas
inteligentes, conocidas como Smart Grids, proponen usar
tecnologı́as avanzadas y una infraestructura de electricidad y
comunicaciones para monitorear y administrar en tiempo real
el flujo de energı́a en la red. El principal objetivo es coordinar
las necesidades y capacidades de cada elemento del sistema
para que opere en forma eficiente [2], [4].
La unidad básica de una red eléctrica inteligente recibe el
nombre de microrred, y consiste en un sistema de energı́a in-
tegrado de pequeña escala formado por cargas interconectadas
y fuentes de energı́a distribuida, facilitando la incorporación
de pequeños generadores eléctricos y reduciendo las pérdidas
en el sistema de transmisión y distribución eléctrica, producto
a la cercanı́a entre las cargas y la generación distribuida [5].
Las microrredes pueden operar conectadas a una red de
distribución eléctrica de media tensión (MT) o en modo de
funcionamiento aislado, en cuyo caso el suministro eléctrico
es provisto completamente por las fuentes de generación
distribuida que posee la microrred. Todas las fuentes de
energı́a y las cargas de la microrred se encuentran inter-
conectadas mediante una barra de alimentación común de
corriente alterna (CA) o corriente continua (CC). La conexión
de almacenadores, fuentes de energı́a renovables y cargas a
barra principal, requiere del uso de convertidores electrónicos
de potencia para adaptar los diferentes tipos de corriente (CC
o CA), niveles de tensión y controlar los flujos de energı́a.
Una microrred con barra de CA, como la mostrada en
Fig. 1. Microrred de corriente alterna.
 Fig. 2. Microrred de corriente continua.
la Fig. 1, necesita múltiples etapas de conversión CC/CC y
CC/CA, afectando la eficiencia del sistema. En el caso de una
microrred con barra de CC, como se observa en la Fig. 2,
utiliza menor cantidad de etapas de conversión, aumentando
la eficiencia del sistema [6].
Para ambas configuraciones, la conexión entre la red dis-
tribución y la barra de la alimentación de la microrred se
realiza mediante un transformador de baja frecuencia (LFT,
Low Frequency Transformer), encargado de brindar aislación
galvánica y reducir los niveles de tensión a los requeridos
dentro de la microrred.
Si bien el LFT es un equipo robusto, de alta eficiencia
y costo reducido, posee nula capacidad de control. En las
últimas dos décadas, un nuevo dispositivo denominado Trans-
formador de Estado Sólido (SST, Solid-State Transformer)
ha despertado el interés de numerosos investigadores y se
considera que podrı́a convertirse en el futuro reemplazo de
los convencionales LFT, en las redes de distribución. Además
de poder brindar las funciones principales de un LFT, el
SST es capaz de brindar servicios auxiliares como regulación
instantánea de tensión, rechazo de perturbaciones, flujo de
potencia bidireccional, capacidad de integración de fuentes
renovables al sistema eléctrico, corrección del factor de po-
tencia, entre otras [7].
La capacidad de control adicional del SST sobre el LFT y
su capacidad de integrar fuentes renovables hacen atractiva su
utilización en la implementación de microrredes [9]. La Fig. 3
muestra una microrred basada en el SST, el cual provee puertos
de CC y CA para interconectar los elementos de la microrred,
mientras que la conexión con la red de distribución se efectúa
a través de un puerto AC de MT.
A pesar de las funciones potenciales del SST, su imple-
mentación con la tecnologı́a actual presenta ciertos desafı́os
técnicos, asociados principalmente a los esfuerzos eléctricos
a los que se ven sometidos los semiconductores de potencia
cuando se opera con niveles elevados de tensión, dando origen
a un equipo complejo y de elevado costo. El propósito de este
trabajo es presentar una revisión que permita al lector tener
una introducción al funcionamiento básico de un SST de tres
Fig. 3. Microrred basada en el SST.
etapas, describiendo las caracterı́sticas de las topologı́as más
utilizadas en cada etapa. A su vez, se brinda una comparación
de diferentes prototipos del SST implementados en los últimos
años.
La organización del trabajo es la siguiente: en la Sección II
se describe el transformador de estado sólido de tres etapas
y las posibles soluciones de diseño que existen para vincular
al SST a una red de distribución de MT. En la Sección III se
describe cada etapa del SST y las topologı́as más utilizadas en
cada una de ellas. En la Sección IV se realiza una comparación
de prototipos experimentales implementados recientemente.
Por último, las conclusiones del trabajo se presentan en la
Sección V.
II. E L TRANSFORMADOR DE ESTADO S ÓLIDO
Dependiendo de la cantidad de etapas de conversión de
potencia que conforman al SST, la disponibilidad de una
barra de CC y la ubicación de la etapa que otorga aislación
galvánica, se originan distintas configuraciones del SST. Las
mismas han sido propuestas y clasificadas en [2], [4].
La configuración de tres etapas que se observa en la
Fig. 4, es la que brinda mayor cantidad de funcionalidades y
flexibilidad de control [8]. Una primera etapa vincula al SST
con la red de distribución, permitiendo convertir la CA de
MT de la red en CC de MT. Luego una etapa CC/CC reduce
los niveles de tensión de CC al mismo tiempo que brinda
aislación galvánica mediante el uso de un transformador de
media frecuencia (MFT, Medium Frequency Transformer). Por
último, una etapa CC/CA provee de un puerto para alimentar
cargas de CA. La presencia de dos barras de CC permite
desacoplar el extremo de MT del extremo de baja tensión (BT),
posibilitando controlar en forma independiente de la potencia
reactiva compensada en ambos extremos, al mismo tiempo
que se provee una conexión directa para cargas y generadores
de CC de distintos niveles de tensión. Por estos motivos, la
configuración de tres etapas es la más apta para una microrred.
A. Conexión a la red de distribución de media tensión
La conexión del SST a la red de distribución de MT requiere
de llaves semiconductoras capaces de bloquear elevados nive-

Fig. 4. Microrred basada en el SST.
les de tensión, comprendidos entre 6 y 20 kV. Las tecnologı́as
de semiconductores existentes imponen limitaciones y estrictos
requerimientos para el diseño de los convertidores de potencia
del SST, principalmente en la etapa CA/CC y en la etapa
CC/CC.
En la actualidad, las alternativas de llaves semiconductoras
de potencia que se han utilizado en distintas implementaciones
del SST, se reducen a tres tipos. Módulos IGBT con tensiones
de bloqueo de 6,5 kV que permiten conmutar niveles de
tensión elevados pero a una frecuencia de conmutación inferior
a los 3 kHz [7], [9], limitada debido a que conforme aumenta
la frecuencia se incrementan sus pérdidas en conmutación. En
los últimos años el desarrollo de materiales semiconductores
de banda prohı́bida ancha (WBG, Wide Band Gap) como
el carburo de silicio (SiC, Silicon Carbide) ha permitido
crear llaves tipo IGBT y MOSFET con tensiones de bloqueo
comprendidas entre 1,2 y 1,7 kV que pueden conmutar a
frecuencias elevadas con menores pérdidas. La empresa Cree
Inc. ha desarrollado módulos IGBT y MOSFET SiC, no
disponibles comercialmente, de 15 kV de tensión de bloqueo
que han sido utilizados en algunos prototipos de SST [10],
[11].
Existen tres enfoques posibles para implementación un SST
que se deba conectar a MT:
Conexión serie de llaves: consiste en conectar en serie llaves
de potencia de baja tensión de bloqueo, disponibles comercial-
mente, con el fin de soportar un potencial eléctrico superior.
Este tipo de configuración, evaluada en [10] y [12], presenta
como desventaja la necesidad de recurrir a circuitos auxiliares
conocidos como redes snubbers para ecualizar la distribución
dinámica y estática de tensión soportada por cada llave. A
su vez, conforme aumenta el número de llaves conectadas en
serie se incrementa la inductancia del lazo, ocasionando que
la operación a una frecuencia elevada pueda dañar las mismas,
debido a elevados di/dt que generan sobre tensiones.
Diseño multinivel de una celda: se basa en la utilización de
topologı́as de convertidores multinivel, siendo la más utilizada
el convertidor con diodo anclado al neutro (NPC, Neutral Point
Clamped), de tres y cinco niveles. A partir de un arreglo
especial de semiconductores de potencia y capacitores, es
posible obtener una forma de onda escalonada reduciendo el
estrés eléctrico que soporta cada llave de potencia [13]. El
uso de llaves IGBT de 6,5 kV o MOSFET SiC de 15 kV
permite implementar el SST como una única celda, reduciendo
la complejidad y la cantidad de llaves requeridas. Sin em-
bargo, elevados valores de dv/dt limitan la frecuencia de
conmutación de las llaves debido al aumento de las pérdidas de
conmutación. Este enfoque presenta como desventaja adicional
la imposibilidad de lograr un diseño redundante.
Diseño modular multicelda: consiste en utilizar módulos o
celdas de potencia conectadas en serie para soportar tensiones
elevadas. De esta manera se pueden emplear llaves semicon-
ductoras con bajas tensiones de bloqueo, se obtienen formas de
onda multinivel que reducen el tamaño de los filtros de entrada
y es posible obtener un diseño redundante mediante la adición
de un número de celdas superior al mı́nimo requerido [14].
Por otra parte, debido a que cada celda experimenta un dv/dt
menor, es posible aumentar la frecuencia de operación sin
incrementar considerablemente las pérdidas en conmutación.
Estas ventajas vienen acompañadas de un incremento en la
complejidad del sistema y el número de componentes que lo
integran.
III. T OPOLOG ÍAS DEL SST DE TRES ETAPAS
Distintas topologı́as se pueden utilizar en cada una de
las etapas de un SST como el mostrado en la Fig. 4. A
continuación se presenta una descripción de cada etapa con
las posibles topologı́as a implementar.
A. Etapa de conversión CA/CC
Esta etapa brinda funcionalidades como el filtrado de com-
ponentes armónicas de tensión y de corriente, la compensación
de la potencia reactiva en la red y la corrección del factor
de potencia. A su vez, controlando la corriente es posible
mantener la tensión de la barra de CC de MT en un valor
constante, aún ante variaciones del nivel de tensión de CA de
la red de distribución.
Las dos topologı́as más utilizadas en esta etapa son los
puentes H conectados en cascada (CHB, Cascaded H-Bridge),
y el convertidor modular multinivel (MMC, Modular Multi-
level Converter). Ambas topologı́as corresponden al diseño
modular, con las caracterı́sticas mencionadas en la Sección
II-A. La topologı́a MMC presenta la ventaja de poder brindar
una barra de CC de MT, pero su operación es compleja desde
el punto de vista de control y requiere mayor número de llaves
comparada a la topologı́a CHB [14].
El convertidor NPC también puede utilizarse en esta etapa,
dando origen a un diseño multinivel de una celda. Si bien es
una topologı́a conocida y permite obtener una barra de CC
de MT, la falla en una de las llaves ocasionarı́a la pérdida de
operación del SST.
B. Etapa de conversión CC/CC
La posibilidad de disponer dos puertos de CC con diferentes
niveles de tensión permite conectar cargas y generadores de
corriente continua con distintas caracterı́sticas eléctricas. En
el puerto de CC de MT, es posible conectar cargas como
cargadores rápidos de vehı́culos eléctricos, y fuentes de gen-
eración distribuida de gran volumen (granjas fotovoltaicas,
generadores eólicos y sistemas de almacenamiento de energı́a).
El puerto CC de BT facilita la conexión de cargas de CC que
requieren niveles de tensión inferior, o bien, pequeños paneles
fotovoltaicos y bancos de baterı́as de baja tensión.
Esta segunda etapa del SST se encuentra entre estos dos
puertos de CC. Internamente, está constituida por un con-
vertidor CC/CA, un transformador de media frecuencia y un
convertidor CA/CC. El MFT es necesario para proveer al SST
aislación galvánica y adaptar niveles de tensión. Al operar con
una frecuencia elevada, es posible reducir considerablemente
el tamaño de este transformador respecto al LFT, brindándole
una ventaja adicional al SST en aplicaciones donde el volumen
y/o peso representan una restricción.
Los requerimientos para las llaves semiconductoras de esta
etapa son elevados, ya que deben soportar tensiones altas
en el lado de MT y corrientes considerables en el lado de
BT [15]. Por estos motivos, es común la implementación de
esta etapa a través de la conexión de módulos con entrada
serie y salida paralelo. Las topologı́as aisladas usadas en esta
etapa corresponden en la mayorı́a de los casos al convertidor
resonante serie (SRC, Series Resonant Converter) y al conver-
tidor con puentes duales activos (DAB, Dual Active Bridge).
El SRC posee la ventaja de trabajar con conmutación suave
en las llaves del primario y el secundario, permitiendo reducir
las pérdidas en conmutación. Se ha utilizado en algunas
aplicaciones del SST para tracción eléctrica [16]. Sin embargo,
requiere de un inductor adicional voluminoso, y el capacitor
resonante debe soportar niveles máximos de tensión y de
corriente [17].
El convertidor DAB posee la ventaja de poder controlar
el flujo de potencia en ambos sentidos en forma sencilla,
ajustando simplemente el desfasaje de las tensiones a bornes
del MFT. Además, puede operar en modo elevador o reductor
de tensión en ambos sentidos. Por estas caracterı́sticas, el DAB
se ha utilizado en numerosas implementaciones [11], [18]. El
principio de operación del DAB se pueda extender a un mayor
número de puentes activos, mediante el uso de un MFT con
múltiples devanados. En [19] se evalúa esta configuración con
un convertidor semi-modular de cuatro puentes activos (QAB,
Quadruple Active Bridge), con lo cual se reduce el número de
MFT y la cantidad de componentes auxiliares del lado de BT.
TABLA I
C ARACTER ÍSTICAS DE LAS TOPOLOG ÍAS M ÁS UTILIZADAS EN CADA ETAPA
Etapa CA/CC
Topologı́a Complejidad del control Barra de CC de MT
NPC Simple Disponible
CHB Media No disponible
MMC Alta Disponible
Etapa CC/CC
Topologı́a Complejidad del control Eficiencia
DAB Baja Elevada
SRC Elevada Elevada
QAB Baja Elevada
Etapa CC/CA
Topologı́a Ventaja principal
4w-VSI tipo FB Baja cantidad de llaves semiconductoras
4w-VSI tipo NPC Elevada eficiencia, llaves semiconductoras de BT
4w-VSI tipo T Elevada eficiencia, llaves semiconductoras de BT
C. Etapa de conversión CC/CA
La última etapa del SST normalmente contiene un inversor
trifásico que se conecta a la barra de CC de BT y genera
una salida de CA. El SST es capaz de proveer una forma de
onda de tensión sinusoidal de amplitud y frecuencia nominal
independientemente de la corriente suministrada a la carga.
Controlando las variables de la etapa CC/CA, el SST puede
brindar un servicio auxiliar a una microrred, denominado como
reducción suave de la carga [20]. En una microrred tradicional,
un aumento en la potencia consumida por las cargas genera
una perturbación en los generadores que fijan la frecuencia
de la tensión CA. El SST, mediante técnicas de control e
identificación de carga, puede modificar el patrón de consumo
de las cargas y generar una reducción suave de la potencia
consumida, dentro de un rango de control acotado.
Las topologı́as trifásicas utilizadas en esta etapa son dis-
tintas variaciones del inversor de cuatro hilos con fuente de
tensión (4w-VSI, 4 wire-Voltage Source Inverter). Las más co-
munes corresponden al inversor tipo puente completo (FB, Full
Bridge), multinivel basado en la topologı́a NPC o tipo T [19].
El inversor 4w-VSI tipo FB brinda una solución simple con
un número de llaves menor al requerido en la topologı́a NPC
y tipo T, y a su vez, presenta la ventaja que cada pierna del
convertidor se controla en forma independiente. Los inversores
basados en topologı́as NPC y tipo T poseen un mayor número
de llaves, pero permiten el uso de llaves semiconductoras
de menor tensión de bloqueo, haciendo posible aumentar la
frecuencia de conmutación y la eficiencia del sistema al mismo
tiempo [13].
Las caracterı́sticas de la topologı́as utilizadas en cada etapa
mencionadas en esta sección se resumen en la Tabla I.
IV. I MPLEMENTACIONES
Diversas implementaciones de SST de tres etapas han sido
comparadas en [7]. Algunas de estas implementaciones han
sido diseñadas para aplicaciones especı́ficas distintas al uso
del SST en una microrred, o bien, debido a las topologı́as
empleadas no brindan las funcionalidades que podrı́an ser
útiles en una microrred.
Modularidad Desventaja principal
No Falta de redundancia
Sı́ Ausencia barra CC de MT
Sı́ Elevado número de componentes
Frec. de conm. Desventaja principal
Constante Oscilacion de corriente en el capacitor de salida
Variable Gran tamaño del inductor resonante
Constante Diseño semi-modular
Desventaja principal
Requiere llaves semiconductoras de mayor tensión de bloqueo
Elevado número de llaves semiconductoras
Elevado número de llaves semiconductoras
 TABLA II diseño modular multicelda es el enfoque que ofrece mayores
C ARACTER ÍSTICAS DE IMPLEMENTACIONES RECIENTES ventajas, a pesar de incrementar la complejidad del SST y el
Nombre GEN I TIPS HEART SKLEI número de componentes que lo integran.
Referencia [11] [18] [21] [22] A su vez, se describieron las funciones de cada una de las
Año 2011 2015 2018 2017 tres etapas del SST, junto a las topologı́as más utilizadas en
Potencia 20 kVA 100 kVA 90 kVA 1 MVA
MT de CA 7,2 kV 13,8 kV 2,6 kV 10 kV cada una de ellas. La etapa de conversión CC/CC es la que
N° de fases 1 3 3 3 presenta requerimientos más elevados de diseño, producto de
Tipo Modular 1 celda Modular Modular los niveles de tensión y de corriente que deben soportar las
N° de módulos 3 - 1(1) 12 llaves semiconductoras de esta etapa. El convertidor DAB es
Eficiencia 88 % 96,70 % 97,50 % n/d
Etapa CA/CC la topologı́a normalmente usada en esta etapa, principalmente
Topologı́a CHB 3L-NPC CHB CHB por la simpleza de su funcionamiento y sus ventajas frente a
Frecuencia 1 kHz 5 kHz 10 kHz 450 Hz otros tipos de convertidores CC/CC aislados.
Etapa CC/CC
Topologı́a DAB DAB QAB DAB
El uso extendido del SST depende del desarrollo de tec-
Frecuencia 3 kHz 10 kHz 20 kHz 20 kHz nologı́as confiables aplicadas a los convertidores de potencia
Etapa CC/CA que constituyen al equipo. A pesar de esto, en los últimos 10
Topologı́a VSI VSI - - años, diversos prototipos experimentales han sido diseñados
Frecuencia n/d 20 kHz - -
MT de CC 3,3 kV 22 kV 2,4 kV 800 V para demostrar el principio de operación del SST y las
BT de CC 400 V 800 V 800 V 800 V funcionalidades adicionales que un LFT no puede ofrecer.
Llaves MT IGBT IGBT MOSFET IGBT Es de esperar que en un mediado plazo los desarrollos
Material Si SiC SiC Si
Tensión 6,5 kV 15 kV 1,2 kV 1,6 kV tecnológicos relacionados a las llaves semiconductoras de
Funcionalidades verificadas experimentalmente potencia, habiliten la creación de un SST con menor número
Flujo de componentes, reduciendo la complejidad del sistema y
Sı́ Sı́ Sı́ No
bidireccional
Regulación
mejorando su confiabilidad.
Sı́ Sı́ Sı́ Sı́
de tensión
Corrección R EFERENCIAS
Sı́ Sı́ n/d n/d
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Compensasión Agency (IRENA), 2017.
Sı́ Sı́ n/d n/d
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Sı́ n/d Sı́ n/d
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