ESCUELA SUPERIOR POLITÉCNICA DE

CHIMBORAZO

FACULTAD: INFORMÁ TICA Y ELECTRÓ NICA

CARRERA: INGENIERÍA ELECTRÓ NICA EN TELECOMUNICACIONES Y REDES

GUÍA DE LABORATORIO DE LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II

PARALELO: A

PRÁCTICA No. 3 – MOSFETs: Caracterización y Aplicaciones

1. DATOS GENERALES DE LOS ESTUDIANTES:

NOMBRES: CODIGOS:

ALEXANDER COLCHA 1240

HENRY YUGSIN 1256

GRUPO No.: 3

FECHA DE REALIZACIÓN: FECHA DE ENTREGA:

dd/mm/aa dd/mm/aa

18/011/2019 20/11/2019

2. OBJETIVO:

Caracterizar la threshold voltaje un MOSFET de potencia, utilizando técnicas de

medició n electró nica, para su aplicabilidad en circuitos de drivers y amplificadores
de potencia.

3. INSTRUCCIONES

La siguiente prá ctica de laboratorio deberá ser desarrollada a través de los

siguientes lineamientos generales:

NOTA.- Cada equipo de trabajo debe poseer sus propias sondas de

osciloscopio en punta de lagarto y un par de puntas de prueba de Conector
Banana a Lagarto.

1. Solicitar en préstamo los siguientes equipos:

i. kit de instrumentos ELVIS NI,
ii. multímetro digital,
iii. una sonda de osciloscopio con punta de lá piz,
iv. una sonda de laboratorio con puntas de lagarto.
v. Fuente de Voltaje de Alta Corriente
 2. Si no lo ha hecho aú n, instalar el software de instrumentació n virtual de
National Instruments para el manejo del ELVIS NI.
3. Asegurarse de contar con los siguientes elementos electró nicos:
i. 2 unidades - MOSFET de potencia STP36NF06 o de similares
características.
ii. 2 unidades – Resistencia de potencia mínima de 1W – 0.1 Ohmio
4. Construir los circuitos electró nicos que se indican en la siguiente secció n.
5. Realizar las actividades de polarizació n de voltaje en CD y la aplicació n de
señ ales de acuerdo a los solicitado en la siguiente secció n.
6. Medir los valores de voltaje y corriente de acuerdo a lo solicitado en las
actividades de la siguiente secció n.
7. Tomar apuntes, realizar observaciones, capturar de imá genes y adquirir datos
de acuerdo lo solicitado en las siguientes secciones.

4. ACTIVIDADES POR DESARROLLAR:

1. Caracterizació n del Threshold Voltaje Vth de un MOSFET

a. Ensamblar el circuito que se muestra en la figura 1, asegurá ndose de que
las fuentes de voltaje estén apagadas. Utilizar la fuente de voltaje a alta
corriente para alimentar la parte de potencia del circuito. Por otro lado,
conecte el generador de señ ales del ELVIS NI al Gate del MOSFET y
Ground del circuito.

Figura 1

b. Conectar la entrada del osciloscopio para medir la caída de voltaje en la

resistencia de potencia (R=0.1 Ohmio a 1W) en el Source del MOSFET.
Configure el osciloscopio para hacer una captura continua y configurar
correctamente el evento de trigger en el Osciloscopio para capturar una
señ al ascendente el canal conectado a la resistencia R1 (Solicitar guía al
Profesor).
c. Configurar el generador de funciones para utilizar la salida ubicada en el
protoboard (No el conector BNC) para generar una forma de onda
cuadrada con las siguientes características: Freq=200mHz,
Amplitud=2.4V, DC Offset=Amplitud/2 V, y Duty Cycle = 1%. Asegurarse
 que el instrumento se encuentra apagado y que lo puede controlar
remotamente.
d. Asegurarse que toda la instrumentació n esta lista y configurada para
operar. Utilizando en botó n de “Run” en el Generador de Funciones,
genere la señ al de activació n del MOSFET y manténgala por 10 segundos
o hasta que el osciloscopio haya registrado un evento de captura muy
similar al mostrado en la Figura 2.

Figura 2

e. Llene la siguiente tabla, asumiendo que V DS = VDD (en la prá ctica no es así.
¿Explique por qué?) y considerando que ID = VR1/R1.

Voltaje Gate Voltaje en Voltaje Real Corriente de Resistencia

VGS R1 Drain- Drain Drain-
VR1 Source ID Source
VDS RDS
2.4 V 0.549V 167.3mV 5.49A 12.83M
2.6 V 0.553V 149.9mV 5.553A 13.12M
2.8 V 0.56V 153.3mV 5.6A 401.3k
3.0 V 0.5303V 5.303A 12.07M
3.2 V 0.5151V 5.151A 13.03M
3.4 V 0.5V 5A 12.09M
3.6 V 0.48V 4.8A 11.03M
3.8 V 0.46V 4.6A 13.06M
4.0 V 0.45V 4.5A 10.09M
4.1 V 0.446V 4.446A 9.6M
4.2 V 0.439V 4.439A 13.6M

f. Con los datos adquiridos durante las mediciones, arme el siguiente

grá fico:
 g. En él grá fico anterior, describa la forma correcta de encontrar el valor del
voltaje de threshold. Cuá l es el valor encontrado?

5. RESULTADOS OBTENIDOS
6. CONCLUSIONES


7. RECOMENDACIONES
 La practica se realizo con un mosfet IRFZ44N
Ing. José Luis Tinajero León
DOCENTE LABORATORIO DE
ELECTRÓNICA II