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Universidad Nacional del Centro del Perú

FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA


Departamento Académico de Ingeniería Mecánica

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA MECÁNICA

Energías Renovables
Código:
E04B

2019 - I
Mg. WUILBER CLEMENTE DE LA CRUZ
I EL EFECTO FOTOELÉCTRICO
• La fotoelectricidad fue descubierto por Heinrich
Hertz(1887), luego Albert Einstein(1905)
explica la fotoelectricidad en un extensión de
trabajo sobre los cuantos de Max Planck.
• La generación de electricidad desde los paneles
solares y las células fotovoltaicas se basa en el Fig. 01; efecto fotoeléctrico.
efecto fotoeléctrico, con ello Albert Einstein dio Fuente: Fernández, (2009)

origen a la fisca cuántica, madre de la


electrónica moderna

El enlace con boro


poseen portadores
de carga y son
positivos y el
El enlace con fósforo poseen potencial negativo y el material se llama
material se llama semiconductor tipo “n” semiconductor tipo
“p”
II Interpretación cuántica del efecto fotoeléctrico
III Los semiconductores

• Existen semiconductores tipo p, en los cuales predominan la


conducción por vacíos y los semiconductores llamados tipo n
en los que predomina la conducción de electrones libres.
• La característica mas importante es que la resistividad eléctrica
del material puede disminuir si añadimos impurezas(dopantes).
• Los dopantes pueden captar, controlar y guiar el haz de
electrones en la matriz semiconductora.
• El silicio es el material semiconductor más utilizado en la
tecnología fotovoltaica, añadiendo impurezas de fósforo o
arsénico, el silicio pasa ser de tipo n. Si las impurezas añadidas
son Boro o Galio, lo convierten en tipo p. Con el Galio el
proceso es costoso(Fernández, 2009).
IV Aplicación del efecto Fotovoltaico
• El efecto Fotovoltaico es la base del proceso mediante el cual una
célula convierte la luz solar en electricidad.
• La luz solar está compuesta por fotones o partículas energéticas.
• Los fotones pueden ser reflejados o absorbidos y sólo éste último
puede generar electricidad.
• En la célula solar la parte más importante es la capa
semiconductor, es ahí donde se crea la corriente de electrones..
• Cuando la luz solar incide en la célula se liberarán electrones que
podrían ser atrapados por el campo eléctrico, formando una
corriente eléctrica.
• Esta capa semiconductora actúan como aislantes a bajas
temperaturas y como conductores cuando se aumenta la energía
incidente sobre ellos.
• Las células, conectadas unas con otras, encapsuladas y montadas
sobre una estructura conforma un módulo fotovoltaico, suministra
electricidad en corriente continua a u voltaje (12 ó 24V)
• Los módulos fotovoltaicos producen corriente continua y
pueden ser conectados en serie o paralelo, para producir la
combinación de corriente o tensión.
V Eficiencia de conversión de energía luminosa en electricidad
• De la energía radiante total que incide sobre las células
fotovoltaicas, solo una fracción es convertida en corriente
eléctrica y se le denomina Eficiencia de conversión.
• Los fotones que cumplen con la condición hv<Eg. Energía
luminosa es menor que la energía prohibido ó energía para
romper el enlace, entonces su energía se convierte en calor y
no en electricidad.
• Si hv>Eg. Dan lugar a una promoción de electrones desde la
banda de valencia hasta niveles superiores de la banda de
conducción.
• Cuando se cumple la condición hv=Eg, se los fotones se
convierten en electricidad.
• Para definir la eficiencia de conversión de un célula
fotovoltaica se tiene como condiciones de medida;
Temperatura de 25°, y una distribución espectral de potencia
AM 1,5 que equivale a 1000 Wm-2.
VI Característica eléctricas de células y módulos
Fotovoltaicos.
• La característica eléctrica de la célula queda definida por:

Figura 05; Circuito equivalente de una célula fotovoltaica. El circuito de la derecha


corresponde al de una carga externa, con el Control de Carga Máxima Potencia(CCMP)
y la conexión a una batería para almacenamiento de energía eléctrica.
Para alcanzar eficiencias elevadas en la transformación de energía
luminosa en energía eléctrica, IL debe alcanzar un valor máximo,
para lo cual tiene que haber pérdidas de fotones mínima, absorción
de la luz, baja reflectancia superficial, área de contacto entre la
superficie del semiconductor y el contacto óhmico pequeña, una
concentración elevada de dopante y pocos centros de
recombinación.

• ID debe tener un valor mínimo(por medio de una concentración elevada de


dopante).
• La resistencia en paralelo Rp, tiene que ser elevada.
• La resistencia en serie Rs, tiene que ser pequeña.
• Tiene que haber un acoplamiento óptimo entre la resistencia que opone a la
corriente , la carga externa y la resistencia interna de la célula es decir,
(Rcarga=Rinterna=V/I).
• Una célula fotovoltaica de Si puede tener una forma cuadrada de 10cm x
10cm y producir un voltaje de 0,5 V y generar una corriente proporcional a
la intensidad de la luz solar, de hasta un máximo de 2,5 a 3 amperios.
* Un módulo está formado por un conjunto de células
conectados en serie.

Figura 06; Conexiones típicas de células fotovoltaicas de silicio. a) Conexión en paralelo


en una célula individual. b) Conexión de 33 células en serie para formar un módulo que
produzca una diferencia de potencial de 12 y 15 V y que cargue una batería de Pb de
12V. c) Conexión en paralelo de varios módulos para incrementar la intensidad de
corriente alrededor de unos 1,5 amperios .
VII Característica I-V de un dispositivo Fotovoltaico.
• Considerando una lámpara que
produce un espectro solar a AM
1,5 y con G= 1000Wm-2 y
temperatura de trabajo 25°C,
mostrar la variación de I, a
medida que se va variando la
resistencia intercalada en el
circuito. Figura 07; Circuito para obtener la
característica I-V de la célula fotovoltaica.
• La corriente en corto circuito
Icc, se genera cunado la
resistencia externa es cero y es
directamente proporcional a la
intensidad de la radiación solar
incidente sobre la célula.

Figura 08; Característica I-V


de la célula fotovoltaica de Si.
*La resistencia a máxima potencia
Rmp=Vmp/Imp.
• Eficiencia en el punto de máxima
potencia.
ղmp=Imax x Vmax/G x área del módulo.

• Potencia pico; Pmax=Imax x Vmax.


G=intensidad luminosa en Wm-2

Figura 09; Característica I-V para


diferentes intensidades de iluminación.

Tabla 01; Valores de Icc, Vca, Resistencia, rendimiento…


• En gran cantidad de aplicaciones, las células fotovoltaicas se
emplean para cargar baterías de plomo, cuyo volataje nominal
es 12V, por ello, las células se montan en módulos de 36
células conectadas en serie, de tal modo que el voltaje esté
sobre los 13V.
Taller:
Un módulo fotovoltaico formado por
30 células montadas en serie tiene las
características I-V que se representan
en al figura, para tres intensidades de
iluminación diferentes.

Determinar:
a) La potencia máxima y la eficiencia de conversión para las tres iluminaciones, los
valores que tendrá la resistencia externa para que el módulo funcionara a potencia
pico para cada una de las intensidades de radiación y los valores de los coeficientes
de llenado ff, para cada curva.
b) Si la superficie del módulo es 0,42 m2, calcule la eficiencia de conversión de energía
solar en energía eléctrica del módulo en los puntos de máxima potencia.
c) Los valores de la potencia y de la eficiencia del módulo en los punto D y E.
d) Suponiendo que el módulo está funcionando a máxima potencia a G=800Wm-2 en
condiciones reales y que, en dos periodos de tiempo consecutivos la intensidad de
radiación solar cambia a 1000Wm-2 y 600 Wm-2 sin que varíe la resistencia externa.
¿Qué valores tomarán el voltaje, la corriente, la potencia eléctrica y la eficiencia de
conversión del módulo en ambos casos?
Solución:
Datos:
• Del gráfico, obtenemos los valores de Imax y Vmax.
• Punto A; IA=3,3A; VA=12V por tanto,
Pmax=IAVA=3,3x12=39,6 W.
Rmax=VA/IA=12/3.3=3.6Ω.
• Punto B; IB=2,6A; VB=11,5 V por tanto:
Pmax=IBVB=2,6x11,5=29,9 W.
Rmax=VB/IB=11.5/2.6= 4.4 Ω.
• Punto C; IC=1,85A; VC=10 V por tanto:
Pmax=ICVC=1.85x10=18.5 W.
Rmax=VC/IC=10/1,85= 5.4 Ω.
Cálculo de los coeficientes de llenado ff, para la curva I-V y la
intensidades luminosas.
Aquí vemos que la eficiencia
decrece al disminuir la
iluminación, aún trabajando con
un dispositivo automático de
b) Cálculo de la eficiencia en cambio de resistencia externa
cada punto. que vaya adaptando los valores
de la resistencia conforme
cambia la iluminación.
c) Cálculo de la potencia y eficiencia del
módulo en los puntos D y E

d) Si se está trabajando en el
punto B, bajo la intensidad
de radiación de 800 Wm-2, y
se producen cambios
sucesivos en al nubosidad,
de tal forma que G pasa
primero por 1000 Wm-2, y
después a 600 Wm-2, sin que
se produzca cambio en la
resistencia externa; entonces
se trabaja en los puntos que
atraviesa la línea diagonal.
En consecuencia las
coordenadas serían:
I1000=3.12A, V1000=13V
I600=2.1A, V600=9V
Por lo tanto, se pasa de una
potencia PB=29.9W a
P1000=3.12x13=40.5W
Luego hacia la potencia de:
P600=2.1x9=18.9W

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