INFORME DE ELECTRONICA DE POTENCIA

OBJETIVO

ESTABLECER EXPERIMENTALMENTE EL VALOR DE LA CONSTANTE EMPÍRICA DE KN DE UN

TRANSISTOR MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO CANAL N DEBIDO A QUE ESTE PARÁMETRO NO
APARECE EN LA HOJA CARACTERÍSTICA DE ESTOS DISPOSITIVOS.

ONJETIVOS ESPECÍFICOS

 DETERMINAR EL VALOR DEL VOLTAJE DE VTH

 HALLAR EL VALOR DE LA RESISTENCIA RDON MEDIANTE LOS VALORES TEÓRICOS DE VDS E
ID

MOSFET IRF 510

TABLA Nº1 MEDICIÓN DEL VOLTAJE VTH

ESTIMACIÓN VTH PARA MOSFET IRF 510 DE

ENRIQUECIMIENTO CANAL N

VTH = 3,088 [V]

TABLA Nº2 MEDICION DE VOLTAJE PARA LA ESTIMACION DE LA CONSTANTE KN

VOLTAJE EN LA
VGG(V) VGS[V] VDS[V] RESISTENCIA DE
POTENCIA VD[V]
0 3,088 25 0,009
0,15 3,238 24,97 0,042
0,3 3,388 24,85 0,152
0,45 3,538 24,54 0,438
0,6 3,688 24,05 0,889
0,75 3,838 23,43 1,476
0,9 3,988 19,63 4,99
1,05 4,14 16,51 8,03
1,2 4,29 12,85 11,35
1,35 4,44 10 13,95
1,5 4,58 3,486 20,06
1,65 4,74 1,315 22,16
1,8 4,88 0,935 22,45
1,95 5,038 0,814 22,55
2,1 5,18 0,767 22,63
 2,25 5,33 0,75 22,67
2,4 5,488 0,724 22,67
2,55 5,63 0,716 22,8
2,7 5,788 0,702 22,84
2,85 5,936 0,694 22,86
3 6,08 0,691 22,86
3,15 6,236 0,685 22,86
3,3 6,388 0,686 22,88
3,45 6,534 0,673 22,88
3,6 6,687 0,679 22,88
3,75 6,835 0,679 22,88
3,9 6,988 0,669 22,91
4,05 7,136 0,672 22,91
4,2 7,284 0,662 22,91
4,35 7,438 0,661 22,91
4,5 7,588 0,664 22,92
4,65 7,73 0,645 22,92
4,8 7,88 0,642 22,91
4,95 8,03 0,641 22,92
5,1 8,185 0,635 22,92
5,25 8,335 0,633 22,92
5,4 8,48 0,629 22,92
5,55 8,637 0,629 22,92
5,7 8,78 0,628 22,92
5,85 8,932 0,627 22,93
6 9,088 0,627 22,93

GRÁFICA Nº1 ESTIMACIÓN DE LA CONSTANTE KN

 CORRIENTEID[mA] VS VOLTAJE VGS[V]
800

700 f(x) = 503.28 x² − 3385.68 x + 5677.78

R² = 0.99
600
CORRIENTE ID[mA]

500

400

300

200

100

0
3 3.2 3.4 3.6 3.8 4 4.2 4.4 4.6 4.8
VOLTAJE VGS[V]

ECUACION DE REGRESION LINEAL DE LA GRAFICA

Y =503,28 x 2−3385,7 x +5677,8

LA CONSTANTE KN PARA EL MOSFET IRF 510 DE ENRIQUECIMIENTO CANAL N ES DE

2
0.5032[ A /V ] YA QUE ESTA SE INSTAURA A PARTIR DEL COEFICIENTE QUE ACOMPAÑA AL x 2
DE LA ECUACION DE REGRESION LINEAL.

CALCULO DE RDON

VDS [V ]
RDON=
ID [ A ]

ID[A] VDS[V]
0,83308271 1,315
0,8439849
6 0,935
0,84774436 0,814
0,85075188 0,767
0,85225564 0,75
0,85225564 0,724
0,85714286 0,716
0,85864662 0,702
0,8593985 0,694
0,8593985 0,691
0,8593985 0,685
0,86015038 0,686
0,86015038 0,673
0,86015038 0,679
0,86015038 0,679
0,8612782 0,669
0,8612782 0,672
0,8612782 0,662
0,8612782 0,661
0,86165414 0,664
0,86165414 0,645
0,8612782 0,642
0,86165414 0,641
0,86165414 0,635
0,86165414 0,633
0,86165414 0,629
0,86165414 0,629
0,86165414 0,628
0,86203008 0,627
0,86203008 0,627

ESTIMACIÓN
DE RDON
1,578474729
1,107839644
0,960195122
0,901555457
0,880017644
0,849510366
0,835333333
0,817565674
0,807541557
0,804050744
0,797069116
0,797534965
0,782421329
0,789396853
0,789396853
0,77675251
0,780235705
0,768625055
0,76746399
0,77061082
 0,748560209
0,745403754
0,743917976
0,736954625
0,734633508
0,729991274
0,729991274
0,728830716
0,727352813
0,727352813

EL VALOR DE RDON SE ESTABLECE A PARTIR DEL PROMEDIO DE LA ESTIMACION DEL RDON

RDON 0,823819348

SEGUNDA PARTE

OBJETIVO

DETERMINAR EL RANGO DE VGS POR EL CUAL EL MOSFET ES FORZADO A ENTRAR EN ZONA

OHMICA.

OBJETIVO ESPECIFICOS

 DETERMINAR LA CORRIENTE CRÍTICA DE LA BOBINA DEL RELÉ

 DETERMINAR EL VOLTAJE DE SALIDA DE LA COMPUERTA CUANDO ESTA SE ENCUENTRA EN
“1” LÓGICO
 DETERMINAR EL VOLTAJE CUANDO EL RELÉ SE ACCIONA

MEDICION DE LA CORRIENTE CRITICA DEL RELÉ

CORRIENTE CRÍTICA DEL RELÉ

ILC 0,03 [A]

VOLTAJE DE LA SALIDA DE LA COMPUERTA

 VOLTAJE DE LA COMPUERTA "1"
LÓGICO
VCOMP 5 [V]

VOLTAJE CUANDO EL RELÉ SE ACCIONA

VOLTAJE CUANDO EL RELÉ SE ACCIONA

VR 3,6 [V]

RANGO DE VGS PARA DETERMINAR EN QUE VOLTAJE EL MOSFET ENTRA EN ZONA OHMICA

VGS[V] VDS [V]

3,6 3,4
3,62 2,628
3,64 1,76
3,66 1,495
3,68 1,125
3,69 1,1
3,7 0,48
3,8 0,098
3,9 0,051
4 0,032
4,1 0,024
4,2 0,019
4,3 0,016
4,4 0,014
4,5 0,013

PARA QUE EL TRANSISTOR MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N ENTRE EN ZONA OHMICA

SE DEB CUMPLIR LA SIGUIENTE CONDICION VDS ≤ VGS−VTH CONOCIENDO QUE EL VTH ES DE
3,088[V ]

EL MOSFET ENTRA EN ZONA OHMICA A PARTIR DE 3,7 [V ] YA QUE CUMPLE CON LA CONDICION
ESTO HACE QUE EL RANGO PARA FORZAR A ZONA OHMICA SE EL SIGUIENTE: VGS ≥ 3,7 [V ]

CÁLCULO DE VGS

ID ID∗RDON
VGS= + + VTH
2∗KN ∗ID∗RDON 2
 0,03[ A ] 0,03 [ A ]∗0,8238 [ Ω]
VGS= + +3,088[V ]
A 2
2∗0,5032
[ ]
V2
∗0,03 [ A ]∗0,8238 [Ω]

VGS=4,306[V ]

PORCENTAJE DE ERROR

VALOR TEÓRICO−VALOR EXPERIMENTAL

%E= ∗100
VALOR TEÓRICO

4,306 [ V ] −3,7[V ]
%E= ∗100
4,306[V ]

%E=14,073 %

CÁLCULO PARA DETERMINAR SI EL RELÉ CONMUTA ESTANDO LA COMPUERTA EN “1” LÓGICO

PARA CONOCER SI EL RELÉ CONMUTA ESTANDO LA COMPUERTA EN “1” LÓGICO SE DEBE TENER
EN CUENTA LAS SIGUIENTES CONDICIONES

ID ≥ ILC VIN >VTH V +¿ VL

CONCLUSIONES

 DURANTE LA PRÁCTICA SE PUDO OBSERVAR QUE CUANDO EL MOSFET SE ENCONTRABA

OPERANDO EN ZONA DE SATURACIÓN SU TEMPERTATURA AUMENTABA PERO AL PASAR
A ZONA OHMICA SU TEMPERATURA EMPEZO A DISMINUIR Y LA RESISTENCIA DE
POTENCIA PASO A AGUANTAR SU POTENCIA PROVOCANDO QUE AHORA FUERA LA
RESISTENCIA LA QUE SE CALENTARA.
 SE DETERMINÓ LA CONSTANTE KN GRACIAS AL PROGRAMA MICROSOFT EXCEL TOMANDO
LOS DATOS CUANDO EL DISPOSITIVO SE ENCONTRABA EN SATURACION A TRAVES DE LA
ECUACIÓN POLINOMICA DE SEGUNDO ORDEN.
 DE ACUERDO A LAS MEDIDAS TOMADAS EN EL LABORATORIO SE DETERMINO QUE EL
PORCENTAJE DE ERROR FUE MUY ALTO, ESTO SE DEBE A ERRORES HUMANOS Y POCA
PRECISION EN LOS APARATOS DE MEDICION.
MOSFET IRF 620

TABLA Nº3 MEDICION DEL VOLTAJE VTH

 ESTIMACIÓN VTH PARA MOSFET IRF 510 DE
ENRIQUECIMIENTO CANAL N

VTH = 3,35 [V]

TABLA Nº4 MEDICION DE VOLTAJE PARA LA ESTIMACIÓN DE LA CONSTANTE KN

VOLTAJE EN LA
VGG(V) VGS[V] VDS[V] RESISTENCIA DE
POTENCIA VD[V]
0 3,35 19,92 0,006
0,15 3,507 19,94 0,02
0,3 3,652 19,9 0,059
0,45 3,8 19,79 0,162
0,6 3,95 19,56 0,376
0,75 4,12 19,05 0,845
0,9 4,25 18,19 1,666
1,05 4,38 17,1 2,71
1,2 4,55 15,28 4,24
1,35 4,73 13,1 6,44
1,5 4,87 10,22 9,21
1,65 5 6,72 12,45
1,8 5,15 3,023 16,01
1,95 5,3 1,42 17,54
2,1 5,43 1,161 17,68
2,25 5,59 1,021 17,7
2,4 5,76 0,875 17,82
2,55 5,9 0,772 17,9
2,7 6,04 0,734 18,1
2,85 6,2 0,714 18,4
3 6,37 0,694 18,82
3,15 6,5 0,678 19,04
3,3 6,66 0,679 19,35
3,45 6,8 0,651 19,64
3,6 6,94 0,643 20,023
3,75 7,12 0,636 20,145
3,9 7,25 0,632 20,401
4,05 7,41 0,63 20,689
4,2 7,56 0,625 20,92
4,35 7,72 0,617 21,056
 4,5 7,83 0,63 21,34
4,65 8 0,615 21,687
4,8 8,16 0,6 21,975
4,95 8,3 0,601 22,2
5,1 8,46 0,583 22,521
5,25 8,61 0,577 22,78
5,4 8,75 0,573 22,78
5,55 8,9 0,568 22,78
5,7 9,05 0,567 22,78
5,85 9,2 0,567 22,78
6 9,35 0,562 22,78

GRÁFICA Nº2 ESTIMACIÓN DE LA CONSTANTE KN

Corriente ID[mA] VS Voltaje VGS[V]

700

600
f(x) = 299.15 x² − 2239.33 x + 4174.17
500 R² = 0.99
CORRIENTE ID[mA]

400

300

200

100

0
3 3.5 4 4.5 5 5.5
VOLTAJE VGS[V]

ECUACION DE REGRESION LINEAL DE LA GRAFICA

Y =299,15 x 2−2239,3 x +4174,2

LA CONSTANTE KN PARA EL MOSFET IRF 620 DE ENRIQUECIMIENTO CANAL N ES DE 0.29915

2
[ A /V ] YA QUE ESTA SE INSTAURA A PARTIR DEL COEFICIENTE QUE ACOMPAÑA AL x 2 DE LA
ECUACION DE REGRESION LINEAL.

CALCULO DE RDON
 VDS [V ]
RDON=
ID [ A ]

ID[A] VDS[V]
0,6593985 1,42
0,66466165 1,161
0,66541353 1,021
0,66992481 0,875
0,67293233 0,772
0,68045113 0,734
0,69172932 0,714
0,7075188 0,694
0,71578947 0,678
0,72744361 0,679
0,73834586 0,651
0,75274436 0,643
0,75733083 0,636
0,76695489 0,632
0,77778195 0,63
0,78646617 0,625
0,79157895 0,617
0,80225564 0,63
0,81530075 0,615
0,82612782 0,6
0,83458647 0,601
0,84665414 0,583
0,85639098 0,577
0,85639098 0,573
0,85639098 0,568
0,85639098 0,567
0,85639098 0,567
0,85639098 0,562

ESTIMACIÓN
DEL RDON
2,153477765
1,746753394
1,534384181
1,306116723
1,147217877
 1,078696133
1,032195652
0,980892667
0,947205882
0,933405685
0,881700611
0,854207661
0,839791512
0,824038037
0,80999565
0,794694073
0,779454787
0,785285848
0,754322866
0,726279863
0,720117117
0,688592869
0,673757682
0,669086918
0,663248464
0,662080773
0,662080773
0,656242318

EL VALOR DE RDON SE ESTABLECE A PARTIR DEL PROMEDIO DE LA ESTIMACION DEL RDON

RDON 0,939475849

SEGUNDA PARTE

OBJETIVO
DETERMINAR EL RANGO DE VGS POR EL CUAL EL MOSFET ES FORZADO A ENTRAR EN ZONA
OHMICA.

OBJETIVO ESPECIFICOS

 DETERMINAR LA CORRIENTE CRÍTICA DE LA BOBINA DEL RELÉ

 DETERMINAR EL VOLTAJE DE SALIDA DE LA COMPUERTA CUANDO ESTA SE ENCUENTRA EN
“1” LÓGICO
 DETERMINAR EL VOLTAJE CUANDO EL RELÉ SE ACCIONA

MEDICION DE LA CORRIENTE CRÍTICA DEL RELÉ

CORRIENTE CRÍTICA DEL RELÉ

ILC 0,03 [A]

VOLTAJE DE LA SALIDA DE LA COMPUERTA

VOLTAJE DE LA COMPUERTA "1"

LÓGICO
VCOMP 5 [V]

VOLTAJE CUANDO EL RELÉ SE ACCIONA

VOLTAJE CUANDO EL RELÉ SE ACCIONA

VR 4 [V]

RANGO DE VGS PARA DETERMINAR EN QUE VOLTAJE EL MOSFET ENTRA EN ZONA OHMICA

VGS[V] VDS[V]
4 3,82
4,01 3,31
4,03 2,605
4,04 2,12
4,05 1,52
4,06 1,035
4,07 0,67
4,09 0,51
4,15 0,15
4,3 0,075
PARA QUE EL TRANSISTOR MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N ENTRE EN ZONA OHMICA
SE DEB CUMPLIR LA SIGUIENTE CONDICION VDS ≤ VGS−VTH CONOCIENDO QUE EL VTH ES DE
3,35[V ]

EL MOSFET ENTRA EN ZONA OHMICA A PARTIR DE 4,07 [V ] YA QUE CUMPLE CON LA CONDICION
ESTO HACE QUE EL RANGO PARA FORZAR A ZONA OHMICA SE EL SIGUIENTE: VGS ≥ 4,07[V ]

CÁLCULO DE VGS

ID ID∗RDON
VGS= + + VTH
2∗KN ∗ID∗RDON 2

0,03[ A ] 0,03 [ A ]∗0,93947[Ω]

VGS= + + 3,35[V ]
A 2
2∗0,29915
[ ]
V2
∗0,03 [ A ]∗0,93947[Ω]

VGS=5,1431[ V ]

PORCENTAJE DE ERROR

VALOR TEÓRICO−VALOR EXPERIMENTAL

%E= ∗100
VALOR TEÓRICO

5,1431 [ V ] −4,07[V ]
%E= ∗100
5,1431[V ]

%E=20,8648 %