DESARROLLO DEL COMPONENTE PRACTICO

Tutor: Ing. James Hernan Betancourt

Estudiante: Yaneth Andrea Argoty Garcia

Código: 36861082

Grupo:203039_20

Universidad Nacional Abierta y a Distancia UNAD

Escuela de ciencias de la Educación

Ingenieria Electrónica

Curso: Electrónica de potencia

Ipiales 18 de Noviembre, 2018

 INTRODUCCION

Se realiza el siguiente laboratorio con el fin de afianzar los conocimientos

adquiridos en el curso de electrónica de potencia, en este laboratorio se
realizó una serie de practicas el cual se identificó el comportamiento del
SCR, MOSFET y el IGBT, la cual se puede identificar que son circuitos que
se activan por voltaje o corriente, en esta práctica se logró identificar el
accionar de los componentes y su respectivo comportamiento.
PRACTICA No 1 CARACTERÍSTICAS DEL SCR

Procedimiento:
1. Realice el montaje del circuito de la figura.
2. Ajuste V1 de modo tal que el VAK sea aproximadamente 15 Voltios.
3. Lentamente varié el valor de V2 hasta que el SCR conduzca. ¿Qué
sucede con el valor del VAK y porque?
El Voltaje VAK cae a cero porque el SCR entra en conducción, (se
comporta como un switch cerrado)
4. Asegúrese que el SCR está en estado de conducción.
5. Desconecte temporáneamente el pin puerta (GATE) y poco a poco
reducir la tensión V1 hasta que la corriente del SCR repentinamente cae a
cero. Tenga en cuenta el valor de la corriente anterior a cero “este es el
valor de la corriente de mantenimiento IH.
Pregunta: ¿Qué crees que va a pasar en el circuito de la figura 1 si se
dispara el SCR, y luego se reduce la corriente de puerta a cero de nuevo?
El SCR continuara en conducción, pues ya la corriente de disparo no es
necesaria, para seguir en conducción solo se necesita que la corriente de
AK sea igual o mayor a la corriente de mantenimiento I_h
Pregunta: ¿Qué observas ahora que repentinamente usted aumenta y
reduce la corriente de puerta?
Después que el SCR esta en conducción los cambios en la corriente de
puerta no afectan para nada la conducción AK
PRACTICA No 2: CARACTERÍSTICAS DEL MOSFET

Procedimiento:
Características de transferencia.
1. Realice el montaje del circuito de la anterior figura.
2. Ajuste VDS=10V variando V1, mantenga R1 ligeramente mayor a ¼ del
valor total.
3. V2 debe estar en cero voltios ahora cambie el valor de VGS variando el
valor de V2. (mantenga R2 en el valor mínimo) y observe como cae el valor
de VDS cada 0.5V de variación del voltaje VGS, llevando VGS a 5V.
4. Repita los pasos anteriores para diferentes valores con
VDS2 = 12V.
VDS3 = 15V
Características de drenaje.
5. Ajustar el VG variando el valor de V2 a VTH - threshold voltaje
6. Variar VGS cambiando el valor de V2 en variaciones de 0.5V y anote el
valor de IDS. (hasta que IDS sea constante)
7. Repetir los pasos anteriores para diferentes valores de VGS2 = VTH ±
0.1V.
8. Llenar la tabla.
V1=VDS2 = 15V o 12V
VGS V
IDS (mA)
VGS

Pregunta: ¿Por qué los MOSFET no son implementados en aplicaciones de

elevadas potencias?
Su poco uso se debe a que para manejar altas potencias hay que realizar
un control más preciso en la compuerta pero esto no es muy fácil en al
mosfet porque sabemos que su control es por voltaje y no por corriente
como sucede en los transistores bipolares, además al alcanzar el Vth ya no
hay control sobre le canal DS lo cual deja fuera de control al dispositivo
limitando su manejo.

PRACTICA No.3: CARACTERÍSTICAS V-I DEL IGBT

Procedimiento:
Características de transferencia
1. Realice el montaje del circuito de la figura.
2. Inicialmente mantenga V1 y V2 al valor mínimo.
3. Seleccione el valor de V1=VCE1=10V.
4. Lentamente varié V2 (VGE) y anote VCE e IC en cada 0.5V de cambio
tenga en cuenta que el VGE máximo debe ser 8 voltios.
5. El mínimo voltaje de compuerta VGE, el cual es requerido para que el
IGBT conduzca es llamado VTH.
6. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y dibuje la
gráfica de VGE vs IC.

Características de Colector
1. Inicialmente ajuste el valor de V2 hasta que el VGE1 sea 5V mayor o
igual al VTH.
2. Lentamente varié V1 y anote los valores de VCE e IC para un particular
voltaje de compuerta (VG) existe un valor de voltaje de apagado VP (voltaje
Pinch-off) entre colector y emisor.
3. Si VGE es menor que VP el dispositivo trabaja en la región de ganancia
constante e IC es directamente proporcional a VGE.
4. Si VGE es mayor que VP, una corriente constante fluye por el dispositivo
y esta región es llamada región de corriente constante.
5. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y anote los
valores de IC vs VGE.
CONCLUSIONES

Como conclusión de esta práctica tenemos que el SCR solo entra en

conducción cuando la I_g alcanza el valor de disparo, en ese momento el
SCR pasa de estar abierto (VAK= máximo) a comportarse como un switch
cerrado y por ende su voltaje AK cae a más o menos 0 voltios, ya después
de disparado el SCR la I_g no tiene influencia sobre la conducción el SCR,
solo la tiene la I_h que debe tener un valor que permita al SCR seguir en
conducción, si esta corriente cae por debajo de este valor entonces el SCR
se abre y se comporta como switch abierto y el voltaje VAK será el máximo
o el VCC de la fuente.
Respecto a la practica con el Mosfet encontramos que el mosfet al aplicar
un voltaje en el gate empieza a comportarse como una resistencia de alto
valor entre D y S pero que hay un voltaje Vgs en el cual el mosfet empieza
a conducir y se comporta casi como un switch cerrado (Vds + - =0),
después que se alcanza este voltaje ya el cambio de voltaje de Vgs afecta
muy poco la corriente DS por lo que casi se pierde el control del dispositivo
en esta región.
En cuanto al IGBT notamos que VGE es menor que VP el dispositivo
trabaja en la región de ganancia constante e IC es directamente
proporcional a VGE, por lo cual es fácil controlar la corriente de CE
4. Si VGE es mayor que VP, una corriente constante fluye por el dispositivo
y esta región es llamada región de corriente constante, en esta zona ya no
se puede controlar la corriente CE