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SUPERIOR DE COMALCALCO
ASIGNATURA: CIENCIA E INGENERIA DE MATERIALES.
PROFESOR: SILVAN HERNANDE CESAR BARTOLO
CARRERA: MECATRONICA
GRADO: 2DO GRUPO: “A”
TEMA: CAPITULO 4: IMPERFECCIONES EN LOS
ARREGLOS ATOMICOS E IONICOS.
INTEGRANTES:
BAUTISTA ISIDRO LUIS GUSTAVO.
CHABLE PÉREZ JOSE ANTONIO.
FONSECA HERNANDEZ LUIS GERARDO
MAGAÑA SUAREZ MANRIQUE
RODRÍGUEZ SANCHEZ JONATHAN ERIK
ROSIQUE DE LA CRUZ YULISSA YOSELIN
Bibliografía ______________________________________________________________________ 20
INTRODUCCION
Al analizar el término "imperfección de un material'', se presupone de un error en la
organización de dicho material, y muchas veces, también se enjuicia con alevosía y asumimos
que dicha imperfección, relacionada con algún tipo de imagen de deformación que es
visualmente perceptible, le atribuyen al material el valor de obsoleto y no siempre es así.
El arreglo de los átomos o iones en los materiales diseñados tiene imperfecciones o defectos.
Frecuentemente éstos defecto tiene un efecto profundo sobre las propiedades de los
materiales, y no necesariamente suceden a niveles macros, y muchas otras veces, tales
errores suelen ser aprovechados en la aplicación de un material a una necesidad determinada.
Un grano es una porción del material que contiene átomos con una disposición atómica
idéntica. Sin embargo cada grano tiene una orientación cristalográfica distinta. Los límites de
granos son regiones entre distintos granos de un material policristalino.
Estos defectos distorsionan la read a lo largo de cientos de átomos. Una dislocación que se
propaga por el material ordenado encontrará cerca del defecto puntual una región estructural
desordenada. Para continuar su movimiento y vencer al defecto, la dislocación necesita un
esfuerzo mayor. Se incrementa por tanto la resistencia mecánica del material.
Éstas interrupciones localizadas en arreglos atómicos o iónicos no permiten que dichos átomos
tengan una estructura cristalina perfecta. Así las impurezas son elementos o compuestos
presentes en las materias primas o en el procesamiento.
Los defectos puntuales se pueden introducir por el movimiento de los átomos o iones al
aumentar la energía por calentamiento, durante el procesamiento del material, por introducción
de impurezas o por dopado. Los dopantes son elementos o compuestos que se agregan en
forma deliberada y en cantidades conocidas en lugares específicos de una microestructura,
buscando un efecto benéfico en las propiedades de dicho material.
Se subdividen en:
4.1.1 Vacancia: se produce cuando falta un átomo o ión en su sitio normal en la
red cristalina. Esta se origina durante la solidificación a alta temperatura o como
consecuencia de los daños provocados por la radiación (intencional). En la ausencia de
un átomo aumenta el desorden normal o entropía del material, lo cual aumenta la
estabilidad termodinámica de un material cristalino. Todos los materiales cristalinos
tienen defectos de vacancia.
El sintetizado es un proceso mediante el cual se forma una masa densa calentando materiales
pulverizados compactados. Con este proceso se fabrican los capacitores, y se asume como
un tratamiento térmico. Existe una relación entre la temperatura y la concentración de
vacancia, este comportamiento de Arrhenius, obedece a que la concentración de vacancias a
temperatura ambiente es pequeña. Al aumentar la temperatura, aumenta en forma exponencial
dicha cantidad, con la siguiente relación.
Para determinar la cantidad de vacancias por centímetros cúbicos, usamos los datos del
material, y su parámetro de red. Dado un material, por ejemplo cobre FCC, donde el parámetro
es 0.36151nm, la cantidad de átomos de cobre, o puntos de red por cm³, está dado por el
residuo de dividir la cantidad de átomos por celda, siendo ésta FCC serían 4, sobre el
parámetro de red, en centímetros, y el resultado es (n) la cantidad de átomos por centímetros
cúbicos.
4.1.2 Defecto Intersticial: Se forma cuando se inserta un átomo o ión adicional
en la estructura cristalina en una posición normalmente desocupada. Los átomos
intersticiales son mayores que los huecos intersticiales que ocupan y menores que los
átomos reticulares que los rodean, es decir, aquellos que definirán su número de
coordinación. Si hay dislocaciones en los cristales al tratar de mover estos tipoos de
defectos, se encuentran con resistencia a su movimiento, con lo que se vuelve difícil
crear deformación permanente en metales y aleaciones. La cantidad de átomos se
mantiene prácticamente constante a pesar del aumento térmico.
4.1.3 Defecto sustitucional: Cuando un átomo es sustituido con un tipo
distinto de átomo o ión, los átomos sustitucionales ocupan el sitio normal en la red. Puden
ser mayores que los átomos o iones normales en la estructura cristalina, en cuyo caso
se reducen los espacios interatómicos vecinos, o pueden ser menores, lo cual causará
que los átomos vecinos tengan distancias interatómicas mayores. Si el defecto
sustitucional es mayor que los átomos normales la red se comprime, si es menor la red
se expande (tensión). El número de defectos sustitucionales no depende de la
temperatura.
4.1.4 Otros defectos puntuales: Frenkel - es un par de defectos (intersticial
+ vacancia) . En un cristal iónico, un ión salta su sitio normal a un sitio intersticial, dejando
una vacancia. Y Schottky, es un par de defectos (vacancia+vacancia). En un cristal
iónico, falta simultáneamente un anión y un catión.
4-3 DISLOCACIONES
Contienen Componentes de borde y de tornillo Con una región de transición entre ellas.
El vector Burgués' queda igual para todas las posiciones de la dislocación mixta.
4.3.5 APLICACIÓN DE UNA FUERZA CORTANTE EN DIRECCIÓN
DEL VECTOR BURGUÉS A UN CRISTAL CON DISLOCACIÓN
Proceso por el que Se mueve una dislocación hace que Se deforme un material metálico.
Dirección en la que se mueve la dislocación vector de Burger para las de borde Plano de
deslizamiento Recorre un plano Formado por el vector de Burger y por la dislocación Sistema
de deslizamiento Combinación de dirección y el plano.
Se le llama así al esfuerzo para que una dislocación Se mueva desde un conjunte de entornos
hasta otro Conjunto idéntico desde un lugar de equilibrio, C exp -k d/b) esfuerzo cortante
necesario de distancia Inter planar e entra los planes de deslizamiento adyacentes -b Magnitud
del vector k Constantes del material.
(Las dislocaciones no se mueve fácilmente en materiales como el Silicio, los polímeros que
tienen enlaces Covalentes en polímeros de formación Sin fractura) y en materiales con
deslizamiento lonco. Incluyendo cerámicos. Son resistentes al deslizamiento el vector de
burgués es mayor en metales y en aleaciones.
El mundo que nos rodea es analizado por la Ciencia desde distintas ramas dependiendo del
Objeto de Estudio que hayamos elegido, y en el caso de la Química, se encarga de brindar un
análisis respecto a la Composición de la Materia que conforma nuestro mundo, como también
las distintas cualidades y propiedades que estas adoptan acorde a sus diferentes
combinaciones con otros Elementos.
Solución, también conocido como Disolución, donde tenemos una mezcla entre Dos o Mas
Sustancias que no presentan una interfase ni se pueden diferenciar fácilmente unas de otras,
teniendo para ello que respetar una Proporción de Solución o bien el establecimiento de un
Punto de Solubilidad en el cual se puede realizar esta mezcla.
Si el nivel de Soluto está en exceso se produce lo que es denominado como Solución Saturada,
mientras que por el contrario si este se encuentra en una cantidad muy baja, estamos hablando
entonces de una Solución Diluida, dependiendo esto además de las condiciones de
Temperatura y Presión.
4.5 ley de schmid
Se puede entender las diferencias en el comportamiento de los metales que tienen diferentes
estructuras, examinando la fuerza requerida para iniciar el proceso de deslizamiento.
Suponga que se aplica una fuerza unidireccional F a un cilindro de metal que es un cristal
simple o mono-cristal. Es posible ubicar el plano de deslizamiento y la dirección de
desplazamiento al aplicar la fuerza, defieniendo los ángulos.
Para que la dislocación se mueva en el sistema de deslizamiento, se necesita que actúe una
fuerza cizalladura en dirección del desplazamiento, producida por la fuerza aplicada.
Si la superficie del material se pule y se ataca con un agente químico adecuado, los átomos
de la superficie de los granos (los cuales son
reactivos a causa de su enlace incompleto)
reaccionan con el químico formando
compuestos que se observan de color
diferente al del resto del material al utilizar un
microscopio. Las fronteras de los granos, y los
granos en sí, pueden entonces estudiarse. Las
fronteras de los granos se consideran un
defecto de la estructura cristalina porque
causan la pérdida de simetría en el
ordenamiento de los átomos.
4.7.2 La foto muestra un disco de aluminio cuya superficie fue pulida y tratada químicamente
para revelar sus granos. Los granos son suficientemente grandes para poder ser observados
a simple vista.
La foto muestra la superficie de un acero 1080
observada con un microscopio a una
magnificación 100X. La superficie del acero fue
pulida y atacada con un reactivo químico para
revelar su microestructura (el conjunto de granos
que forman al material). Se observan granos de
color claro y de color oscuro. La diferencia en el
color se debe a que poseen estructura cristalina diferente. Además, es posible observar las
fronteras de los granos.
Los defectos que presenta la estructura cristalina de un material tienen un efecto directo en
algunas propiedades del mismo. Los defectos puntuales (átomos sustitucionales, átomos
intersticiales, vacancias) producen deformación o distorsión de la estructura cristalina en sus
alrededores.