Universidad Nacional Abierta y a Distancia

Vicerrectoría Académica y de Investigación

Guía para el desarrollo del componente práctico
Fase 4 - Desarrollar el componente práctico (Virtual)

1. Descripción general del curso

Escuela o Unidad Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Académica
Nivel de formación Profesional

Campo de Formación Formación disciplinar

Nombre del curso Electrónica de potencia

Código del curso 203039
Tipo de curso Metodológico Habilitable S N x
i o
Número de créditos 3

2. Descripción de la actividad

Laboratorio Laboratorio remoto Simulador X

físico
Tipo de Experiencias
Trabajos de Software
práctica profesionales
campo especializado
dirigidas
Otro Cuál
Número de
Tipo de actividad: Individual x Colaborativa 12
semanas
Intermedia,
Momento de la
Inicial unidad: 1,2 y x Final
evaluación:
3
Peso evaluativo de la actividad: 150 Entorno donde se realiza: Aprendizaje
puntos Practico – Simulación
Fecha de inicio de la actividad: Fecha de cierre de la actividad:
sábado, 15 de febrero de 2020 jueves, 7 de mayo de 2020

Temáticas que aborda componente práctico:

Unidad 1: Semiconductores de potencia.

 Introducción a los sistemas electrónicos de potencia.

  Dispositivos de potencia.

 Circuitos de disparo.

Unidad 2: Circuitos convertidores

 Rectificadores

 Convertidores DC-DC

 Convertidores DC-AC

Unidad 3: Accionamiento de motores

 Accionamiento de motores por DC

 Accionamiento de motores por inducción

 Accionamiento de motores síncronos

Actividades a desarrollar

1. El desarrollo del componente práctico virtual del curso Electrónica de potencia es

obligatorio, para ello el estudiante debe inscribirse a las prácticas a través del
aplicativo de oferta integrada de laboratorios en campus virtual.

2. El intervalo de tiempo para desarrollar la práctica es informado en el momento

que el estudiante se inscribe por el Aplicativo Oferta Integrada de Laboratorios -
OIL.

3. Es necesario que el estudiante verifique de forma previa a los encuentros

sincrónicos con el tutor del componente práctico, los circuitos que deben construir
en cada práctica en el simulador, y de ser necesario realizar de forma previa un
reconocimiento de dichos dispositivos.
4. El producto esperado es la asistencia a las asesorías síncronas las cuales serán
registradas por el respectivo tutor del componente práctico, su participación
activa en el desarrollo de dichos encuentros, la entrega de evidencias de avances
en dichas sesiones, y la entrega de un informe final en formato IEEE que el
estudiante debe enviar a su tutor de prácticas vía correo electrónico institucional.

5. El tutor de prácticas de laboratorio asignado en el centro orientará y evaluará el

desempeño del estudiante. El tutor deberá reportar la calificación final en el
aplicativo de oferta integrada de laboratorios.

6. Se sugiere usar el software Proteus para realizar la simulación de circuitos

electrónico, el cual se puede descargar e instalar la versión de prueba usando el
link que encuentra en el entorno de aprendizaje práctico del curso. Es preciso
aclarar, que se puede emplear cualquier otro simulador.

Práctica No.1 Características del SCR

RV3
2k
R2
37%
100

RV1
2k
R1
48%
100
U1 V2
S8010R 25V

V1
15V

Figura No.1 El SCR

Procedimiento:

1. Realice el montaje del circuito de la figura, anexando los voltímetros y

amperímetros que sean necesarios a fin de monitorear estos parámetros en el
 análisis del circuito.

2. Ajuste el voltaje en V2 de modo tal que el VAK sea aproximadamente 15 voltios.

3. Con el potenciómetro RV1 de 2K, vaya aumentando lentamente la corriente que

ingresa por el pin de disparo del SCR, justo hasta que el SCR conduzca. Responda
a las siguientes preguntas: ¿Cuánto fue el valor de la corriente de puerta que hizo
conducir al SCR? ¿Qué sucede con el valor del V AK y por qué?, ¿Cuál era el voltaje
VAK y la corriente IAK justo antes del cierre del SCR y justo después del cierre del
SCR?

4. Una vez haya analizado el SCR en estado de conducción, ahora reduzca

lentamente la corriente de disparo, observando en cada momento tanto el voltaje
VAK como la corriente IAK. Explique: ¿por qué no se vuelve a abrir el SCR (es decir
pasar a estado OFF), si la corriente de excitación de la puerta se volvió a reducir?
– Ahora realice una reconfiguración en el circuito de disparo (circuito del lado
izquierdo) de forma tal que el SCR pase a estado OFF, y explique la forma en que
se debe proceder.

Práctica No.2: Características del MOSFET

RV1
4k
R2 R4
RV2 46%

10k 75 500
R3 R1
43%

1k 75 RV4
RV3 Q1
V1
IRF740
52%

V2
25V
15V
50%

1k
1k
 Figura No.2 El MOSFET

Procedimiento:

Características de transferencia

1. Realice el montaje del circuito de la figura, anexando los voltímetros y

amperímetros que sean necesarios a fin de monitorear estos parámetros en el
análisis del circuito.

2. Ajuste el divisor de voltaje de la fuente V1 de forma tal que V DS1 = 10 V, y

teniendo el potenciómetro RV1 aproximadamente al 50% de su escala.

3. Ajuste el divisor de voltaje de la fuente de V2 de forma que V GS inicie en cero

voltios. Posteriormente, con el ajuste del potenciómetro RV3, vaya observando
como disminuye el valor de VDS y aumenta el valor de IDS en la medida que se va
aumentando el valor de alimentación de la puerta VGS, hasta llegar a 5 voltios.

4. Repita los pasos 2 y 3 anteriores para diferentes valores con

VDS2 = 12V
VDS1 = 15V
Diligencie las siguientes tablas con los datos tomados en su análisis

VDS inicial = 10 V VDS inicial= 12 V VDS inicial = 15 V

VGS IDS (mA) VDS (V) IDS (mA) VDS (V) IDS (mA) VDS (V)
(V)
0

Seleccione un incremento gradual del voltaje VGS de forma tal que pueda ir
observando los cambios en IDS.

A partir del análisis de la anterior tabla concluya entonces ¿cuál es la mínima tensión
de disparo de puerta? que asegura la correcta conmutación del Mosfet.

Consulte en las hojas de características de los fabricantes, ¿cuál es el valor típico del
voltaje VGS que asegura un correcto funcionamiento del Mosfet sin riesgo de
apertura?

Características de drenaje:

5. Ajustar el divisor de voltaje de V1 de forma tal que se tenga un V DS = 10 V. Luego

incrementar el VGS desde cero variando el divisor de voltaje de V2 hasta encontrar
el valor de corte a VTH - threshold voltaje (Voltaje umbral). Registre este valor
como
VTH = ________

6. Con voltaje VTH entre puerta y surtidor (VGS1), varíe desde cero el voltaje VDS y en
cada paso registre el valor de la corriente I DS, hasta encontrar que la IDS se
mantiene constante, diligenciando estos valores en la tabla dada.

7. Repetir el paso anterior (6.) en variaciones de (V GS2 = VTH +0.5 V), (VGS3 = VTH
+1 V), (VGS4 = VTH +1,5 V)
Diligenciar la siguiente tabla

VGS1 VGS2 VGS3 VGS4

VDS (V) IDS VDS (V) IDS VDS IDS VDS (V) IDS (mA)
(mA) (mA) (V) (mA)

Pregunta: ¿Por qué los MOSFET no son implementados en aplicaciones de elevadas

potencias?

Práctica No.3: Características V-I del IGBT

RV1
4k
R2 R5
RV2 50%

10k 75 500
R3 R1
50%

1k 75 RV5
RV3 Q1
IRG4BC20F V3
100%

V2
60V
15V
0%

1k
1k

Figura No.3
Procedimiento:

Características de transferencia

1. Realice el montaje del circuito de la figura.

2. Inicialmente mantenga los divisores de voltaje de V1 y V2 en el cero y los valores

de R1 y R2 a un 50% de su valor resistivo total.

3. Haga ajustes en el circuito de potencia para que inicialmente VCE=10V.

4. Lentamente varié RV3 (aumentando VGE) y anote VCE e IC en cada 0.5V de cambio
tenga en cuenta que el VGE máximo debe ser 10 voltios.

5. El mínimo voltaje de compuerta V GE, el cual es requerido para que el IGBT

conduzca es llamado VTH. Registre este valor VTH=_______

6. Repita los pasos anteriores 2 – 3 - 4 con diferentes valores de VCE y dibuje la

gráfica de VGE vs IC.

7. Responda a la pregunta: a partir de los resultados de los numerales anteriores

explique ¿cómo se debe proceder para activar y desactivar el Mosfet?

Características de Colector

1. Inicialmente ajuste el valor de V2 hasta que el VGE sea 6V o mayor (en cualquier
caso debe ser mayor a VTH), adicionalmente ajuste el circuito para que VCE = 10V.

2. Lentamente varié el divisor de voltaje de V1 y anote los valores de V CE e IC para

un voltaje constante de compuerta (VGE).

3. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de V GE y anote los valores de I C
vs VGE. Identifique la relación que existe entre estos parámetros.
Entorno para su desarrollo: Aprendizaje Práctico – simulado
Productos a
El producto esperado es un informe final en formato IEEE que el
entregar por el
estudiante debe entregar a su tutor de prácticas.
estudiante:
Tipo de No se entrega ningún
Individual x Colaborativo
producto: producto
Individual:
Documento escrito: informe de construcción individual que incluya:

Nombre e identificación del estudiante

Introducción
Contenido: desarrollo de cada actividad paso a paso, dibujo de los circuitos
implementados y respuestas a las preguntas.
Conclusiones
Referencias
Formato: PDF

Para conocer la forma como se referencian los documentos consulte el siguiente

documento: Centro de Escritura Javeriano ( ) Normas APA. Sexta edición.
Uso de
Recuperado de http://centrodeescritura.javerianacali.edu.co/index.php?
referencias
option=com_content&view=article&id=138:normas-apa&catid=45:referencias-
bibliograficas&Itemid=
Políticas de En el acuerdo 029 del 13 de diciembre de 2013, artículo 99, se
plagio considera como faltas que atentan contra el orden académico, entre
otras, las siguientes: literal e) “El plagiar, es decir, presentar como
de su propia autoría la totalidad o parte de una obra, trabajo,
documento o invención realizado por otra persona. Implica también
el uso de citas o referencias faltas, o proponer citad donde no haya
coincidencia entre ella y la referencia” y literal f) “El reproducir, o
copiar con fines de lucro, materiales educativos o resultados de
productos de investigación, que cuentan con derechos intelectuales
reservados para la Universidad.

Las sanciones académicas a las que se enfrentará el estudiante son

las siguientes:
 a) En los casos de fraude académico demostrado en el trabajo
académico o evaluación respectiva, la calificación que se impondrá
será de cero punto cero (0.0) sin perjuicio de la sanción
disciplinaria correspondiente.
b) En los casos relacionados con plagio demostrado en el trabajo
académico cualquiera sea su naturaleza, la calificación que se
impondrá será de cero punto cero (0.0), sin perjuicio de la sanción
disciplinaria correspondiente.

3. Formato de Rúbrica de evaluación

Fase 4 - Desarrollar el componente práctico
Tipo de Actividad Actividad
x
actividad: individual colaborativa
Momento de la Intermedia,
Inicial x Final
evaluación unidad 1 2 y 3
Aspectos Niveles de desempeño de la actividad individual
Puntaje
evaluados Valoración alta Valoración media Valoración baja
  El estudiante   El estudiante
Asistencia y
asiste a las asistió a las   El estudiante no
desempeño
asesoría síncronas asesorías síncronas asistió y no
individual
y desarrolla de pero no participó participo en las
del
manera correcta los activamente en el prácticas de 80 
estudiante
experimentos desarrollo de los laboratorio.
en las
planteados experimentos.
asesorías
(Hasta 80 (Hasta 40 (Hasta 0
síncronas
puntos) puntos) puntos)
El estudiante El estudiante El estudiante no
presenta el informe presenta el informe presenta informe
de laboratorio, con de laboratorio, pero final de las
Informe de todos los no incluye todos los prácticas de
experimentos experimentos laboratorio a su 50 
la práctica.
solicitados solicitados tutor de centro.
(Hasta 50 (Hasta 25 (Hasta 0
puntos) puntos) puntos)
Estructura El documento Aunque el El estudiante no  20
del informe presenta excelente documento tuvo en cuenta las
y estructura presenta una normas básicas
referencias estructura base la para la realización
 misma carece de
algunos elementos de informes
del cuerpo.
(Hasta 20 (Hasta 10 (Hasta 0
puntos) puntos) puntos)
Calificación final  150