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co
Identificación y caracterización de un material mediante diferentes técnicas experimentales
Kevin A. González, Jorge A. Quintero, Angie M. Sánchez
Facultad de Ciencias, Escuela de Fı́sica, Universidad Industrial de Santander, Bucaramanga, Santander, Colombia
Resumen
El principal propósito de este proyecto es identificar el elemento
constituyente un material desconocido brindado a comienzos
del curso de estado sólido, el cuál mediante las técnicas experi-
mentales tales como Rayos x, espectroscopia Raman, Absorción
óptica UV, SEM, EDS, XPS y LIBS se pretende caracterizar este
material, con base en las propiedades fı́sicas que cada técnica
implementa. Se realizaron los experimentos y se obtuvieron los
espectros, siguiendo la metodologı́a asociada a cada técnica. Se
logró determinar que la composición quı́mica del material co-
rresponde a Silicio sin dopaje alguno, adicionalmente se observó
la morfologı́a y deducir la estructura cristalina asociada a dicha
muestra.
Introducción
La caracterización de materiales suele comprender el estudio
de propiedades fı́sicas, quı́micas y estructurales bajo unas de-
terminadas condiciones. Generalmente, este estudio consiste
en la obtención de información acerca de las propiedades del
material al ser perturbado por una señal como se representa en
la figura 1 (eléctrica, luminosa, térmica, etc.). El estudio de la
respuesta del material a dicha perturbación nos permite conocer
las propiedades del mismo.
Figura 1: Diagrama de Propst
En este diagrama, el punto central representa la muestra,
las flechas que se dirigen hacia ella son las senales estimulo y
las flechas que salen de la muestra son las senales analiticas.
En las tecnicas de analisis espectroscopico, que comprenden la
mayor parte de las tecnicas instrumentales, las senales pueden
ser de 7 tipos diferentes: Fotones, Electrones, Iones, Particulas
Neutras, Calor y Campo (electrico y magnetico). Y estas senales
pueden actuar tanto como senales estı́mulo como analı́ticas. Por
ejemplo, una determinada técnica puede usar fotones como señal
estı́mulo, irradiando la muestra con un haz electromagnetico, y
electrones como señal analı́tica, detectando los electrones que
se generan en ella (efecto fotoelectrico). En otra técnica dife-
rente, los fotones pueden ser al mismo tiempo señal estı́mulo
y analı́tica. Todo esto nos proporciona 36 posibles combinacio-
nes y, por lo tanto, 36 diferentes técnicas instrumentales. Sin
embargo, el número de técnicas instrumentales es muy supe-
rior. Esto es debido a que tanto la señal estı́mulo como la señal
analı́tica pueden ser restringidas de una manera adicional, y
cada restricción genera un nuevo tipo de técnica. Por ejemplo,
seleccionando un determinado rango de energı́a de los fotones
incidentes, estimularemos la muestra de manera diversa, dando
lugar a técnicas diferentes. O midiendo una propiedad deter-
minada de las particulas que proceden de la muestra (energı́a,
ángulo de salida respecto a la radiation incidente, etc.) tendre-
mos también técnicas diferentes. Igualmente, para una misma
naturaleza de ambas señales, la relación que existe entre la señal
estı́mulo y la señal analı́tica proporciona tambien información
diferente: por ejemplo, la radiación electromagnética puede ser
absorbida, dispersada, difractada, etc. Y en todos los casos los
fotones actuan como estı́mulo y senal analı́tica, dando lugar a
tecnicas muy diferentes.
A continuación se realizará una clasificación de las diferen-
tes técnicas instrumentales tratadas en este proyecto usando los
diferentes criterios de clasificación mencionados.
Señal Estı́mulo
Una primera clasificación es según la naturaleza de la señal
estı́mulo. En está clasificación, las técnicas que pertenecen al
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mismo grupo suelen utilizar dispositivos comunes tanto en las
fuentes como en el acondicionamiento de la senal estı́mulo, y
los fundamentos teóricos de la interacción de la señal estı́mulo
con la muestra suelen ser tambien los mismos. En este sentido,
es posible realizar la siguiente clasificación de la señal estı́mulo:
Radiacion electromagnética (fotones). Las técnicas se
agrupan a su vez, dentro de este apartado, en función de la
energı́a de la radiación incidente. En las técnicas tratadas
se usan los siguientes rangos de energia:
◦ Espectroscopia de plasma inducido por láser
(LIBS).Es un tipo de espectroscopia de emisión
atómica que emplea como fuente de excitación
láseres de alta energı́a. Una de las grandes ven-
tajas de la técnica LIBS es la posibilidad de
analizar cualquier sustancia independientemen-
te del estado de agregación
Metodologı́a

• Radiofrecuencia: Resonancia Magnética Nuclear Difracción de Rayos X

(NMR) y Resonancia de Espı́n Electrónico (EPR). Para la realización de esta técnica se implementó el eqipo
• Infrarrojo:Espectroscopia Infrarroja con Transfor- como Difractómetro de Rayos-X de muestras policristalinas
mada de Fourier (FTIR) y Espectroscopia Raman. marca Bruker modelo D8 Advance con Geometrı́a DaVinci.
• Ultravioleta - Visible: Espectroscopia Raman, Es- Tomado bajo las siguiente condición:
pectroscopia de Absorción Atómica (AAS), Lumi-
niscencia (Fluorescencia y Fosforescencia) y Espec- los rayos X corresponden a una longitud de onda Kalpha1 ,
troscopia Ultravioleta-Visible (UV-VIS). con un ánodo de cobre (Cu), la cual corresponde a 0.1541
• Rayos X: Estructura Fina de Absorcion de Rayos nm.
X (EXAFS), Estructura del Borde de Absorcion de
Rayos X (XANES), Difracción de Rayos X (XRD) y En el difractómetro la muestra se mantiene en posición ho-
Espectroscopia Fotoelectrónica de Rayos X (XPS). rizontal y se rota para minimizar los efectos de orientación
preferente y favorecer la orientación de los cristales al azar.
Radiacion electronica (electrones). Solo se incluyen las
microscopias electrónicas para esta señal estı́mulo:
• Microscopia Electrónica de Barrido (SEM)
• Microscopia Electrónica de Transmisión (TEM)
• Espectroscopias relacionadas (XEDS, EELS)

Señal Analı́tica

En este caso, las técnicas agrupadas dentro de la misma ca-

tegorı́a comparten caracterı́sticas respecto al acondicionamiento
de la señal emitida y los tipos de detectores usados. De la mis-
ma manera que con la señal estı́mulo, podemos clasificar las
técnicas en los siguientes grupos:

Radiación electromagnética (fotones). Aquı́ debemos

distinguir las técnicas en función de la relación entre la
señal analı́tica y la señal estimulo. De esta forma distin- Figura 2: Portamuestra
guimos:
El desplazamiento de la muestra respecto al eje del difractóme-
• EMISIÓN DE RADIACIÓN: la muestra emite ra-
tro es habitualmente la principal fuente de error en la posición de
diación electromagnética, pero esta es de diferente
los picos de difracción. El efecto habitual es un desplazamiento
energı́a de la radiación de la señal estimulo o la señal
de los picos a menor ángulo para valores de 2θ bajos.
estimulo es de naturaleza diferente. En este grupo
están:
Ahora el equipo es el siguiente:
◦ Luminiscencia (Fluorescencia y Fosforescen-
cia). La muestra emite radiacion ultravioleta-
visible despues de una combinacion de excita-
cion con fotones e intercambio energetico entre
moleculas excitadas.
◦ Espectroscopia de Emision Atomica (ICP-AES).
La muestra emite radiacion ultravioleta-visible
especifica despues de una excitation termica
inespecifica de la muestra con un plasma.
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Figura 3: Difractómetro de Rayos-X de muestras policristalinas marca

Bruker modelo D8 Advance con Geometrı́a DaVinci

donde:
Ventana de divergencia: se coloca en el camino del haz
incidente, antes de la muestra. Limitan la divergencia del
haz incidente y por tanto el área “iluminada” en la muestra.
Su principal función es disminuir el background aunque a
costa de disminuir la intensidad de los haces difractados.
Ventana de dispersión: se coloca inmediatamente des-
pués de la muestra.
Ventana del detector: se coloca antes del detector. Cuan-
to menor es su abertura mayor es la resolución obtenida
pero menor la intensidad obtenida.
Ventanas Soller: consisten en un conjunto de finas pla-
cas metálicas paralelas al cı́rculo del difractómetro. Estas
placas eliminan una gran proporción de rayos inclinados
respecto al plano del cı́rculo del difractómetro.
Figura 4: Esquema de Difracción de rayos X
Raman
Para obtener el espectro implementando la técnica Raman,
se usó el microspio confocal Raman LabRAM HR Evolution. Se
compone de un sistema fotomecánico encargado de colimar y
controlar la luz proveniente de un láser que va a incidir sobre la
muestra, de un microscopio óptico, donde se pone la muestra e
incide el haz, y el monocromador, encargado de descomponer la
luz en las diferentes longitudes se onda. En la figura 6 se muestra
el esquema óptico básico de este tipo de microscopios, y en el
instrumento utilizado se muestra en la figura 5.

Monocromador secundario: el más utilizado es de gra-

fito. Consisten en un cristal orientado de manera que la
difracción se produce únicamente para una λ determinada.
Debe ser mecánicamente resistente, la intensidad difracta-
da debe ser elevada para reducir la pérdida en lo posible,
el carácter de mosaico debe ser pequeño para reducir la
divergencia. La superficie se curva para enfocar el haz
difractado en un área pequeña. El efecto sobre el difracto-
grama es disminuir el background, elimina la señal debida
a la Kβ y disminuye la anchura de los picos.
El fundamento de esta técnica reside en el fenómeno cono-
cido como dispersión “scattering” de una radiación X cuando
incide sobre la materia. Este fenómeno consiste en que parte
de la radiación X incidente se desvı́a de su dirección original Figura 5: Microscopio confocal Raman
por interacción con el material irradiado, el esquema serı́a el
siguiente:
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Figura 7: Espectómetro UV-2600

Figura 6: Funcionamiento del microscópio confocal raman

Cuando se dio inicio al experimento el equipo estaba en-

cendido y calibrado. Para su manejo de da uso del programa
LabSpec 6. Desde este programa se pueden tomar fotografı́as
de la muestra y realizar el mapeo, manejando el tiempo y la
resolución de muestreo. Entonces, el primer paso es poner la
muestra en una lámina transparente y esta se introduce entre
la platina y las pinzas de microscopio. Desde el programa se
puede visualizar la muestra vista desde el microscopio, con un Figura 8: Esfera integradora
determinado aumento. Se asegura la muestra en una posición
fija con controles externos mecánicos y posteriormente se ubi- Cuando la luz es dirigida a la muestra con un ángulo de cero
ca el objetivo del microscopio. Se cuentan con tres, de 10, 50 grados, se presenta una reflexión especular que no es detectada.
y 100 aumentos. El segundo paso es ingresar al programa los Como consecuencia, solo se mide la reflexión difusa. El equipo
parámetros del muestreo. Para los datos recolectados, el tiempo se controla por software y desde ahı́ también se toman los datos.
total de muestreo para cada curva fue de diez segundos, con un Los parámetros de entrada son el rango en el que se quieren
tiempo de acumulación de un segundo. Para una descripción más tomar las medidas, la longitud de onda de la luz incidente y su
detallada de la interfase del programa, revisar la referencia [2]. intensidad. El software permite visualizar los datos una vez se
Los datos recolectados se visualizaron mientras se tomaban y tomaron. El procedimiento es sencillo, los datos se exportan
luego se exportaba el txt. La interfaz permite realizar un análisis para su posterior análisis.
rápido ya que muestra el espectro en pantalla. Se tomaron tres
espectros cada uno con diferentes longitudes de onda de 473,
532 y 785 nm.

Absorción UV
El equipo utilizado en este experimento fue el espectrómetro
UV-2600 (ver figura 7), de la empresa SHIMADZU, el cual
trabaja en el rango del ultravioleta y del visible. Para hacer que
funcione como un espectrofotómetro de reflectancia, lo primero
que hay que hacer es instalar la esfera integradora, como se
muestra en la figura 8. Es importante instalarla antes de prender
el equipo y ası́ evitar daños permanentes. Luego se prende el
equipo y se introduce la muestra. Las medidas son llevadas a
cabo colocando la muestra frente a un ventana de donde incide
luz, para luego concentrar la luz reflejada por la muestra en
un detector por medio de la esfera. La reflectancia obtenida es
medida respecto a la reflectancia de una lámina blanca estándar.
Figura 9: Esquema principal del espectrómetro
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EDS Y SEM
Para la realización de esta técnica se implementó el equipo
conocido como Microscopio Electrónico de Barrido FEG (Field
Emission Gun) QUANTA FEG 650. Tomado bajo las siguientes
condiciones:
Voltaje de aceleración 15 Kv
Detector EDAX APOLO X resolución de 126.1 eV (en.
Mn Kα) para realizar análisis EDS (Energy-Dispersive
Spectroscopy)
Software EDX Genesis. información semi-cuantitativa de
los elementos quı́micos.
Lo primero que se hizo fue poner la muestra en el portamues-
tras para su posterior análisis. En la figura 10 se puede apreciar
el equipo exteramente.
Figura 10: Microscópio Electrónico de Barrido visto desde su exterior.
La muestra se inserta al interior del equipo como se muestra en
la figura 11.
Figura 11: Microscópio Electrónico de Barrido visto desde su interior.
5
Una vez introducida la muestra, tal como en la figura 12, se
hace incidir cierta cantidad modulada de electrones en dirección
a la muestra de tal forma que habrán electrones dispersados,
electrones Auger y electrones secundariosque se verán reflejados
por la muestra, de igual forma que también habrán electrones
absorbidos y otros transmitidos, sin embargo, el porpósito de esta
técnica es detectar los rayos x caracterı́sticos de cada muestra y
ası́ poder determinar su composición.
Figura 12: Proceso fı́sico para la carecterización por me-
dio de la técnica EDS. imégen tomada de:
https://ssyf.ua.es/es/formacion/documentos/cursos-
programados/2012/especifica/tecnicas-instrumentales-
en-el-analisis-de-superficie/26-noviembre-tecnicas-de-
analisis-quimico-superficies.pdf
Posteriormente el respectivo espectro se puede observar el el
ordenador disponible, evidenciando ası́ los elementos quı́micos
que dicha muestra
Figura 13: Microscópio Electrónico de Barrido junto al ordenador que
presenta los respectivos espectros obtenido por la técnica
EDS.
En resumidas cuentas el equipo está conformado como se
muestra acontinuación en 14:
El detector genera un pulso de carga proporcional a la
energı́a del rayo X.
Este pulso se convierte en voltaje.
La señal se amplifica a través de un transistor (FET), se
aı́sla de otros pulsos, se vuelve a amplificar y se identifica
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electrónicamente como proveniente de un rayo X con una

energı́a especı́fica.
- La señal digitalizada se almacena en un canal asignado
a esa energı́a en el analizador multicanal.

Figura 15: Espectrometro fotoelectrónica de rayos X

La técnica XPS permite evaluar una profundidad máxima de

10 nm en una superficie sólida (de allı́ que se clasifique como
una técnica de análisis de superficie) y la información obtenida
mediante ella comprende:

Figura 14: Microscópio Electrónico de Barrido junto al ordenador que
presenta los respectivos espectros obtenido por la técnica
EDS.
Por otro lado, para la obtención de las imágenes de alta
resolución técnica SEM con el mismo equipo, se tomaron bajo
las siguientes condiciones:
Alto vacı́o.
voltaje de aceleración 15 kV para los electrones.
Para la caracterización de la morfologı́a se implementaron:
Electrones secundarios, con el detector Everhart Thornley
detector ETD.
Para la caracterización de la composición, se implemen-
taron: Electrones retrodispersados con el detector Back
scattered electrón detector (BSED) tipo SSD.
Identificación de todos los elementos presentes (excepto
H y He) en concentraciones mayores al 0.1 %.
Determinación semicuantitativa de la composición ele-
mental de la superficie (error ¡ 10 %).
Información del entorno molecular: estado electrónico o
de oxidación, átomos enlazantes, orbitales moleculares,
etc.
Información de grupos quı́micos orgánicos e inorgánicos.
Perfiles de profundidad de 10 nm no destructivos.
Variaciones laterales en la composición de la superficie.
El fundamento de la técnica se representa en el siguiente
esquema:

XPS
Para la realización de esta técnica se implementó el equipo
conocido como Espectrometro fotoelectrónica de rayos X, los
experimentos XPS se grabaron usando la plataforma de caracte-
rización de superficies XPS / ISS / UPS construida por SPECS
(Alemania). La plataforma está provista de un analizador de
energia PHOIBOS 150 2D-DLD. Durante el análisis la presión
en la cámara de análisis fue aproximadamente 1 × 10−9 Pa . Para
las mediciones se utilizó una fuente de rayos-X Al Kα1 monocro-
matizada (FOCUS 500) operada a 100W. La energia de paso
del analizador hemisférico se fijó en 100 eV para los espectros
generales y en 30 eV para los espectros de alta resolución. La
compensación de carga superficial se controló usando un Flood
Gun (FG 15/40 -PS FG 500 ) el cual fue operado a 58µA−2,5eV: Figura 16: Esquema del funcionamiento del XPS

Al final de cada análisis se grabó de nuevo la región C 1 s LIBS

para verificar la evolución de la carga superficial de las muestras Para la realización de esta técnica se implemento el siguiente
durante el análisis. montaje:

Ahora el equipo es el siguiente:

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En la siguiente tabla se sintetizan los datos del difractograma

donde (hlk) coresponden a ı́ndices de Miller de una estructura
cristalina diamante la cual su celda unitaria es FCC.

pico Intensidad (u.a) 2θ (◦ ) θ (◦ ) (hlk)

1 40203 22,638 11,319 111
2 154023 28,459 14,2295 200
3 3934 34,239 17,1195 220

Tabla 1: Datos del Difractograma

en es tabla se obtiene la distacia interplanar de cada plano

Figura 17: Esquema del funcionamiento del LIBS de difracción:

a la muestra se le dio solo un disparo con un tiempo de

θ (◦ ) dhlk (nm)
retardo de 1000 ns para que es plasma generado en la superficie
11,319 0,392
de la muestra disminuya su temperatura, también con un ancho
14,2295 0,313
de banda de 500 micras y con una energı́a de pulso de 80 us. Los
17,1195 0,261
datos fueron tomada en la rejilla 1200 lı́neas/mm.
Tabla 2: Distancia interplanar de los planos de Difracción
Tratamiento de datos
Difracción de Rayos X con la distancia interpanar se calculará la red longitud de la
celda unitaria:
Entonces el difractograma obtenido de la muestra con rayos
X correspondientes con la longitud de onda Kα1 , con un ánodo
de cobre (Cu) es: √
a = dhlk h2 + l2 + k2

reemplazando por d111 se obtiene:

√
a = 0, 392 3 = 0, 687nm

Raman
Principio fı́sico
El espectro raman consiste en la comparación entre la in-
tensidad de la luz emitida y la recibida por un material que la
recibe con una banda muy pequeña de longitudes de onda. Por
lo tanto, con este espectro se puede analizar la respuesta del
material al interactuar con la luz. Como los átomos o las molécu-
las se encuentran en un cristal, las respuestas generalmente son
vibracionales. La vibraciones pueden ser longitudinales o trans-
versales y por flexión o estiramiento. La luz interactúa con la
molécula del cristal, y distorsiona la nube electrónica de tal ma-
Figura 18: Difractograma de la muestra nera que se forma un estado excitado inestable(de corto tiempo)
o estado virtual. Como no es estable, este emite un fotón cuando
se hará uso de la ley de bragg para hallar la distancia entre vuelve a su estado original, con la misma frecuencia de la luz
los planos de difracción con n = 1: incidente. Este proceso es llamado dispersión elástica o disper-
sión de Rayleigh. Si durante el proceso se produce movimiento
nλKα1 = 2dhkl sen(θ) nuclear, la energı́a puede ser transferida del fotón incidente a la
molécula, o de la molécula al fotón dispersado, produciendo una
λ K α1 0,1541 dispersión inelástica y puede variar, respecto a la energı́a del
dhkl = = fotón incidente, en una unidad vibracional [3]. Ahora, si después
2sen(θ) 2sen(θ)
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de presentarse la dispersión de un estado inicial se pasa a un
estado final diferente, se dice que el espectro Stokes, o si pasa
a un estado base de menor energı́a que el inicial, se dice que el
espectro es Anti Stokes.
Figura 19: Espectros Stokes, Anti Stokes y Rayleigh. Imagen tomada
de [3]
El tipo de enlaces y la cantidad de átomos en una molécula
define la forma del espectro. El número de moléculas define la
cantidad de grados le libertad que puede tener al ser excitada,
los cuales pueden ser tanto rotacionales(flexión) como espa-
ciales(estiramiento). Ası́, para un número N de átomos de una
molécula, 3N − 6 son el número de vibraciones posibles para to-
da clase de moléculas, excepto las lineales, con 3N − 5. Con esto,
para una molécula diatómica solo hay una vibración posible y pa-
ra una triatómica, tres modos de vibración posibles(estiramiento
simétrico, flexiones simétricas y flexiones antisimétricas).
Datos recolectados e interpretación
Fotografı́as tomadas de la muestra a estudiar se muestran
en la figura 20. Implementando la metodologı́a descrita en la
secciones previas, se obtuvieron cuatro espectros: uno con λ =
473 nm, λ = 532 nm y dos con λ = 785 nm.
Figura 20: Fotografı́as de la muestra tomadas con tres diferentes au-
mentos(10, 50 y 10 respectivamente)
Los espectros obtenidos se muestran en la figura 6. Una
8
Figura 21: Espectros recolectados por medio de la técnica Raman
manera de hacer la lectura de estos datos es por medio de tablas,
por lo tanto, se recurre a la referencia [3], página 16, donde
se muestran diferentes grupos de moléculas que pueden ser
identificadas dependiendo de la frecuencia en la que se encuentra
el pico de intensidad. Nosotros encontramos cuatro picos, tres
de ellos con intensidades menores a 24 y uno con intendidades
entre 1500 y 7000. Se habla de varios picos para una misma
frecuencia, debido a que se tomaron cuatro mediciones, tres de
ellas con diferentes longitudes de onda, las cuales solo afectan
en la intensidad, más no en la ubicación del pico. El pico de
mayor intensidad se ubica en un corriemiento de ∼ 519cm−1 , el
cual, siguiendo la referencia [3] es caracterı́stico de materiales
de azufre molecular S 2 o siguendo las referencias [3], la [4] y
la [5], dióxido de silicio S iO2 . Estos grupos se caracterizan por
tener modos de estiramiento que producen un importante cambio
en la polarización de la molécula y son muy buenos dispersores
de luz. El espectro tomado es del tipo Stokes y los demás picos
pueden atribuirse a impurezas por cadenas alifáticas C − C.
Absorción Óptica
En este experimento se obtuvo datos de reflectancia en fun-
ción de la longitud de onda. Los datos recolectados se muestran
en la figura 22. Con estos datos es posible calcular la brecha de
energı́a por medio de la función de Kubelka-Munk [7][8]. Esta
se define como:
(1 − R)2
F(R) = (1)
2R
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Figura 22: Reflectancia de la muestra
Donde R es la reflectáncia. Como conocemos la energı́a
con la que la luz se reflejó, por medio de la longitud de onda,
podemos dar uso de la relación de Tau (ver ecuación 2), donde
relacionan la absorbancia α, la energı́a hν, proporcionales la
brecha energética por una constante de proporcionalidad A. La
función de Kubelka-Munk serı́a en este caso la absorbancia. Por
lo tanto, el lado izquierdo de la ecuación queda definido, y se
puede realizas una regresión lineal donde la pendiente es Egap .
Es importante decir que para este caso n = 1/2, indicando que la
energı́a de la brecha es indirecta, es decir, que el mı́nimo valor
de la energı́a de la banda de conducción y el máximo valor de la
energı́a en la banda de valencia no se encuentran en el mismo
valor de k.

(αhν)1/n = A hν − Egap

(2)
Ası́, se obtiene la curva mostrada en la figura 23. Los puntos
azules son los valores de (αhν)2 para los valores de energı́a hν.
Para averiguar la brecha, el punto de corte con el eje horizon-
tal de la regresión en la zona de la curva que presente mayor
linealidad, y que sea creciente. En la figura 23 se hace un zoom
de la zona escogida y cuatro diferentes regresiones lineales que
fueron aplicadas. Los cortes obtenidos fueron 1,3147 ± 0,0032,
1,3884 ± 0,0011, 1,4194 ± 0,0171 y 1,1649 ± 0,0029 eV. Es no
dice que la muestra contiene silicio cuya brecha de energı́a es de
1,14eV a 213K [10], por lo tanto, el porcentaje de error es del
1,428 ± 0,254 %.
9
Figura 23: Relación de Tau para el cálculo de la brecha energética.
EDS Y SEM
EDS: Energy Dispersive Spectroscopy
La información que esta técnica nos muestra es la composición
quı́mica de la muestra y dado que los rayos X son una radiación
electromagnética de modo que se pueden considerar como ondas
con una determinada longitud de onda λ o como fotones con
una determinada energı́a E. Los rayos X, como toda radiación
electromagnética, viajan en el vacı́o a la velocidad de la luz c y
su energı́a cuantizada es hν:
c
E = hv = h (3)
λ
Con esto, y teniendo en cuenta el procedimiento a seguir, se
selecciona una región de la muestra a la cual se le hará incidir el
haz de electrones mostrado con una cruz roja. Para la prueba 1
en la figura 24, como se observa a la izquierda, (la muestra sin
aumentos en el microscópio), el punto objetivo, adicionalmente,
al lado derecho se tiene que tiene un porcentaje de silicio en un
porcentaje del 100 %:
Figura 24: Muestra del material vista desde el microscópio en donde
se observa la composición del material sin aumento.
Lo anterior se evidencia en este el siguiente espectro de energı́a,
ya que no se detecta ningún otro elemento aparte del Silicio.
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Para la tercera muestra, se decidió disponer el haz en una parte

de la muestra que presentaba irregularidades en comparación con
el resto de la misma, sin embargo la composición se mantuvo
similar a las anteriores pruebas; es decir, se encontró una alta
concentración de Silicio (Si) y Carbono (C).

Figura 25: Espectro EDS de conteos por segundo en el eje de las

ordenadas y energı́a en KeV en las abcisas de la muestra
en la figura 24.

Figura 28: Muestra vista desde el microscópio en donde se observa

En la segunda prueba en una región diferente no sólo se detectó
material con aumentos en parte con rigurosidad.
Silicio, si no también Carbono (C), oxigeno (O), sodio (Na),
Silicio (Si) y calcio (Ca), en diferentes concentraciones ver
figura 26. En el espectro EDS de la figura 28, donde muestra la energı́a que
predomina más en cuento a conteos por segundo correspondiente
al Silicio, seguido del Carbono (C), ver figura 29

Figura 26: Muestra vista desde el microscópio en donde se observa

una parte con rigurosidades y desuniformidades en compa-
ración con el resto del material.

En el espectro de la figura 27, es fácil notar las diferencias de

concentraciones entre un elemento y otro, mostrando que el Figura 29: Espectro EDS de conteos por segundo en el eje de las
elemento de mayor concentración sisgue siendo el Silicio. ordenadas y energı́a en KeV en las abcisas de la muestra
en la figura 28.

SEM: Scanning Electron Microscopy

Para la realización de esta técnica la cual tiene como propósito el
estudio de la morfologı́a del material, tomaron algunas algunas
imágenes de alta resolución bajo las mismas condiciones de
voltaje de aceleración, variando los aumentos. Adicionalmente,
se implementaron dos tipo de modos para obtener las imágenes.
A la derecha de cada par de imágenes se aprecia la formada por
el modo electrones secundarios (SE) y a la izquierda el modo
electrones retrodispersados (z cont).

En la figura 34, a 100x de aumento, no se logra diferenciar

Figura 27: Espectro EDS de conteos por segundo en el eje de las profundidad, sólo variación en la tonalidad, indicando que las
ordenadas y energı́a en KeV en las abcisas de la muestra concentraciones de los elementos no son homogéneas.
en la figura 26.
 K.Gonzalez, J. Quintero, A. Sánchez / 01 (2020) 1–17 11

Conforme crecen los aumentos se pueden apreciar más las irre-

gularidades y la profundidad de las hendiduras presentes de la
muestra.

(a) Modo SE (b) Modo Z cont

Figura 33: imagen de la muestra con aumento de 200x, distancia de

referencia 50 µm respectivamente (de izquierda a derecha).
(a) Modo SE (b) Modo Z cont

Figura 30: imagen de la muestra con aumento de 100x, distancia de

referencia 1 mm y 500 µm (de izquierda a derecha).

(a) Modo SE (b) Modo Z cont

Figura 34: imagen de la muestra con aumento de 1600x, distancia de

referencia 50 µm respectivamente (de izquierda a derecha).
(a) Modo SE (b) Modo Z cont

Figura 31: imagen de la muestra con aumento de 1600x, distancia de

XPS: Espectroscopı́a fotoelectrónica de rayos X
referencia 50 µm respectivamente (de izquierda a derecha). Los espectros en general de la muestra en función de la
energı́a cinética de los electrones excitados y la energı́a de enla-
ce entre los átomos repectivamente son:

(a) Modo SE (b) Modo Z cont

Figura 32: imagen de la muestra con aumento de 6000x, distancia de

referencia 10 µm respectivamente (de izquierda a derecha).

Figura 35: Espectro General de la muestra en función de la energı́a

cinética de los electrones excitados
 K.Gonzalez, J. Quintero, A. Sánchez / 01 (2020) 1–17
Figura 36: Espectro General de la muestra en función de la energı́a
de enlace entre los átomos
A continuación en los siguientes espectros se analiza por
secciones del espectro general para identificar con el software
CasaXPS los elementos que tiene la muestra y de que orbital
es la medición tanto en función de la energı́a cinética de los
electrones excitados y la energı́a de enlace entre los átomos
repectivamente:
C (1s): En los espectros se ve que los conteos por segundo
(CPS) va de 150 - 450 esto puede llevar que el carbono en
la muestra este en bajas concentraciones.
Figura 37: Espectro del C de la muestra en función de la energı́a
cinética de los electrones excitados
12
Figura 38: Espectro del C de la muestra en función de la energı́a de
enlace entre los átomos
O (1s): En los espectros se ve que los conteos por segundo
(CPS) va de 200 - 1200 esto puede llevar que el oxı́geno
en la muestra este en altas concentraciones y puede ser
que el oxı́geno esta enlazado con otros dos elementos para
que el tenga intensidades altas.
Figura 39: Espectro del O de la muestra en función de la energı́a
cinética de los electrones excitados
Figura 40: Espectro del O de la muestra en función de la energı́a de
enlace entre los átomos
 K.Gonzalez, J. Quintero, A. Sánchez / 01 (2020) 1–17
S (2s) Y Si (2p):En los espectros se ve que los conteos
por segundo (CPS) va de 50 - 700 esto puede llevar que el
azufre y Silicio en la muestra este en altas concentraciones
debido a que estos elementos pueden estar enlazados con
el oxı́geno.
Figura 41: Espectro del S Y Si de la muestra en función de la energı́a
cinética de los electrones excitados
Figura 42: Espectro del S y Si de la muestra en función de la energı́a
de enlace entre los átomos
Ge (2p): En los espectros se ve que los conteos por se-
gundo (CPS) va de 250 - 450 esto puede llevar que el
germanio en la muestra este en bajas concentraciones pe-
ro también se nota que no se forma un pico de intensidad
bien definido esto puede ser debido a la interferencia de
los electrones que ya han sido arrancados de los otros
elementos de la muestra.
13
Figura 43: Espectro del Ge de la muestra en función de la energı́a
cinética de los electrones excitados
Figura 44: Espectro del Ge de la muestra en función de la energı́a de
enlace entre los átomos
La relación que une los dos espectro para cada elemento es:
E B = hν − Ek
donde:
E B es la energı́a de enlace.
hν corresponde a la energı́a de los rayos X que es igual a
1486,6 eV.
Ek es la energı́a de cinética de los electrones excitados.
LIBS: Espectroscopia de plasma inducido por láser
Los espectros obtenidos en esta muestra fueron tomadas en
diferentes ventanas (rango de longitudes de ondas), abarca desde
el cercano ultravioleta hasta infrarrojo cercano. Mostrados a
continuación:
V200.
 K.Gonzalez, J. Quintero, A. Sánchez / 01 (2020) 1–17 14

Figura 45: Espectro V200

Figura 47: Espectro V260

V240.
V280.

Figura 46: Espectro V240

Figura 48: Espectro V280
V260.
V408.
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Figura 49: Espectro V408 Figura 51: Espectro V584

V496. V627.

Figura 50: Espectro V496 Figura 52: Espectro V280

V584. V714.
 K.Gonzalez, J. Quintero, A. Sánchez / 01 (2020) 1–17
Figura 53: Espectro V280
analizando los espectros en la base de datos de NITS, se
obtiene a que elementos corresponde cada pico en los
espectros obtenidos:
Figura 54: Elementos átomicos de cada Ventana (los elementos con II
corresponden a elemnetos ionizados)
Análisis y Discusión de Resultados
Inicialmente con la técnica de Difracción de Rayos X, el
difractograma obtenido corresponde a una muestra de vidrio
la cual corresponde a Silicio, por ende se puede decir que su
estructura cristalina es de diamante y su celda unitaria es FCC de
lo cual se puede calculas las distacias interplanares de los planos
16
de difracción aplicando la ley de bragg y la longitud de la celda
unitaria. Cabe resaltar que en el segundo pico de la muestra e
el difractograma presenta la interferencia de otro pico lo cual
puede significar impurezas de otro elemento.(Ver gráfico 55)
Figura 55: Difractograma de la muestra cn zoom en el segundo pico
Con la técnica Raman se determinó que la muestra es de
dióxido de silicio por medio de la implementación de tablas para
la interpretación del espectro. Un pico de intensidad predomina-
da noblemente respeto a los demás del espectro, ubicado apro-
ximadamente a una diferencia de 519 cm−1 . Los demás picos,
de 58, 301 y 953 son atribuidos a enlaces simples con carbonos.
Se evidencia la gran energı́a de excitación de la muestra a 519,
indicando que a con la correspondiente frecuencia las moléculas
entran en resonancia con la luz incidente, en uno modo de vibra-
ción. Con la técnica de espetrofotometrı́a de reflectancia(llamada
absorción en este informe) se obtuvo el espectro de reflectancia
que la muestra, con el cual se calculó la energı́a de la brecha del
material por medio de la función de Kubelka-Munk y la función
Tau. Se obtuvo una energı́a del gap, no del dióxido de silicio,
sino del silicio solo, con un porcentaje de error menor al 2 %.
Además, no es posible decir que con el espectro se puede tener
una noción de la presencia de dióxido de silicio, porque no hay
regresión que se pueda hacer que genere un punto de corte de
aproximadamente 8.9 eV, energı́a de la brecha del S iO2 . Esto
pone en duda la confiabilidad de la técnica. Sin embargo, se
podrı́a explicar el resultado diciendo que en Raman la zona de
la muestra a estudiar era muy pequeña comparada con la zona
usada en el espectrómetro UV, y como este último trabaja con
la luz reflejada, es probable que el silicio haya reflejado más
que el oxı́geno, por una mayor proporción de silicio respecto al
oxı́geno. Esto indicarı́a que el silicio estarı́a esta enlaado con
oxı́geno.
Por otro lado, con los análisis de los espectros EDS se logró dete-
minar la alta concentración de silicio presente en el maeterial en
comparación con otros materiales tales como Oxigeno, Carbono
 K.Gonzalez, J. Quintero, A. Sánchez / 01 (2020) 1–17
y sodio, los cuales pueden corresponder a posibles impurezas de
fabrica y de manipulación durante el prodeso de poner la mues-
tra en el portamuestras desde su envase inicial. Adicionalmente,
con las imagenes de SEM fue posible determinar la morfologı́a
del material y con esto realizar una correlación con el resultado
arrojado por parte de los espectros EDS, de esto se puede decir,
que el material no es una mezcla totalmente homogénea, esto se
evidención debido a los cambios de tonalidad sobre la superficie,
hendiduras y no uniformidades (protuberancias), presentes en
dicha muestra.
Por último con la técnica XPS se logró de determinar los
elementos que posee la muestra en función de la energı́a de
enlace y la energı́a cinética, de la cual se identifica que los ele-
mentos que predominan el azufre, silicio y oxı́geno esto puede
ser que halla enlaces entre el azufre con el oxı́geno igual pa-
ra el Silicio en la mayorı́a de la muestra, en cambio el carbono
y el germanio puede ser impurezas en la fabricación del material.
Adicionalmente, se hizo una técnica de más llamada LIBS
la cual me dice los espectros de la composición elemental de
la muestra y como se observa que la muestra es un pedazo de
vidrio o Silicio.
Conclusiones
Se logró determinar la composición quı́mica del material
mediante las 7 técnicas de caracterización haciendo uso
de diferentes principios fı́sicos y equipos.
Con el difractograma se puede obtener caracterı́sticas de
la red cristalina de la muestra, la cual es FCC.
Con el espectro Raman se identificó el material del que
está compuesto la muestra, dióxido de silicio, con impure-
zas de carbono.
Con el espectro de reflectancia se obtuvo el valor experi-
mental de la brecha energética del silicio con un porcenta-
17
je de error menor al 2 porciento.
Con el espectro EDS se logró indentificar a la muestra
como Silicio, además con las imagenes de alta resolición
SEM, se pudo asociar el aspecto morfológico que pre-
senta una muestra de Silicio, a pesar que tenı́a algunas
impurezas sobre su superficie.
Con el espectros del XPS se logro obtener la energı́a de
los enlaces entre los elementos de la muestra, la cual es
su mayorı́a es de Silicio.
Con los espectros de LIBS se logra identificas que la
muestra es vidrio o Silicio.
Referencias
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[8] Escobedo-Morales, A., Ruiz-López, I. I., Ruiz-Peralta, M. D., Tepech-
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[11] Zaidel, A. (2013). Tables of spectral lines. Springer Science Business
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