Electrónica de Estado Sólido (EIE-351)

Parte 2. Junturas

Miguel López González

Escuela de Ingeniería Eléctrica
Universidad Católica de Valparaíso
 Junturas o uniones p-n
z Casi todos los dispositivos semiconductores tienen al menos
una unión entre materiales tipo p y tipo n

z Son fundamentales para el desempeño de funciones como

– Rectificación
– Amplificación
– Conmutación,…

z Métodos de fabricación de las junturas : Tarea

z Junturas
– Abruptas
– Graduales

2 Miguel López González

 Condiciones de Equilibrio
z Equilibrio de la juntura
– Sin excitación externa
– No hay corrientes netas a través del dispositivo

z Los dopajes diferentes en cada lado de la juntura crean una

diferencia de potencial

– Transferencia de cargas por difusión

z Exceso de h+ (material tipo p) frente a exceso de e- (tipo n)

– 4 componentes de corriente a través de la juntura por difusión y

por desplazamiento de h+ y e- que combinadas suman cero
(corriente neta nula en equilibrio)

3 Miguel López González

 Potencial de
Contacto

z Fenómenos en la juntura
– Difusión de portadores por el
gradiente de concentración en
la juntura
z h+ desde p a n
z e- desde n a p

– El transporte de portadores
crea una descompensación
en la juntura: carga espacial
z Positiva en lado n
z Negativa en lado p
– Se crea un campo eléctrico
opuesto a la corriente de
difusión Î se crean corriente
de drift opuestas

4 Miguel López González

 Potencial de Contacto
z No hay corriente neta en la juntura en equilibrio: las corrientes
de drift y de difusión se cancelan para cada tipo de portador
Jp (drift) + Jp (diff.) = 0 Jn (drift) + Jn (diff.) = 0

z El campo E creado aparece en una región de ancho W a través

de la juntura, por lo que hay una diferencia de potencial V0 a
través de W : Potencial de Contacto o Barrera de Potencial.
– Fuera de W, no existe campo: se mantiene la neutralidad
– Vn material tipo n y Vp material tipo p: V0 = Vn - Vp
z La región de ancho W se denomina
– Región de transición (transition region),
– Región de carga espacial (space charge region),
– Región de agotamiento (depletion region)

5 Miguel López González

 Condiciones de equilibrio

z Bandas de Energía en la juntura

– Ec (banda de conducción) del lado p es qV0 mayor a la del
lado n.
– EF es constante en el dispositivo en equilibrio
– Si se conocen las bandas de energía de cada material, la
separación entre las bandas se puede conocer alineando
los niveles de Fermi

6 Miguel López González

 Condiciones de equilibrio

z Relación cuantitativa entre V0 y las concentraciones

de cada lado de la unión
⎡ dp ( x) ⎤
J p ( x) = q ⎢ µ p p( x) E ( x) − D p ⎥ =0
⎣ dx ⎦
µp 1 dp ( x ) q dV ( x ) 1 dp ( x )
E ( x) = ⇒− =
Dp p ( x ) dx kT dx p ( x ) dx
Vn pn
q 1 q pn
⇒−
kT ∫ dV = ∫
Vp pp
p( x)
dp ⇒ −
kT
(Vn − V p ) = ln p n − ln p p = ln
pp
kT pp
⇒ V0 = ln
7 q pn Miguel López González
 Condiciones de Equilibrio

z Considerando los dopajes Na (material p) y Nd

(material n)
kT N a N d
V0 = ln
q ni2
z Con las concentraciones a cada lado de la juntura
pp nn
= = e qV0 / kT
pn n p

8 Miguel López González

 Condiciones de Equilibrio
− ( E F p − Ev p ) / kT
z Variación de las pp Nve
Bandas de Energía =e qV0 / kT
= − ( E F n − Ev n ) / kT
pn Nve
− ( E F p − Ev p ) / kT ( E F n − Ev n ) / kT
e =e
qV0 / kT
e
EFp = EFn qV0 = Ev p − Ev n
z Al polarizar la unión, el potencial de contacto es
elevado o rebajado y los niveles de Fermi son
desplazados en proporción al voltaje aplicado

9 Miguel López González

 Carga espacial
en la juntura

z Las cargas se igualan a cada

lado de la juntura
z Para una muestra de área A:
qAx p 0 N a = qAxn 0 N d
z Ecuación de Poisson
dE ( x) q
dx
(
= p − n + N d+ − N a−
ε
)
– Solución (despreciando p - n)
dE q
= Nd 0 < x < xn 0
dx ε
dE q
= Na − x p0 < x < 0
10 dx ε Miguel López González
 Carga espacial en la juntura

z Valor máximo del campo

q q
E0 ( x ) = − N d x n 0 = − N a x p 0
ε ε
z Se llega a la expresión para el potencial V0
xn 0
1 q
V0 = − ∫ E ( x)dx = − E0W = − N d xn 0W
−xp0
2 ε
z W = xn0 + xp0 1 q Na Nd
V0 = W2
2 ε Na + Nd

11 Miguel López González

 Carga espacial en la juntura

z Expresión para W
1/ 2
⎡ 2ε V0 ⎛ 1 1 ⎞⎤
1/ 2
⎡ 2ε V0 N a + N d ⎤
W =⎢ ⎥ =⎢ ⎜⎜ + ⎟⎟⎥
⎣ q N a d ⎦
N ⎣ q ⎝ N a N d ⎠⎦
1/ 2
z También ⎡ 2ε k T ⎛ Na Nd ⎞⎛ 1 1 ⎞⎤
W =⎢ 2 ⎜⎜ ln 2
⎟⎟⎜⎜ + ⎟⎟⎥
⎣ q ⎝ ni ⎠⎝ N a N d ⎠⎦
z El ancho de la región de transición W varía con la raíz
cuadrada del potencial a través de la región
– Un voltaje aplicado incrementa o reduce el ancho de W
12 Miguel López González
 Carga espacial en la juntura

z Expresiones para xp0 y xn0

1/ 2
WN d ⎧ 2ε V0 ⎡ Nd ⎤⎫
x p0 = =⎨ ⎢ ⎥⎬
( )
Na + Nd ⎩ q ⎣ Na Na + Nd ⎦⎭
1/ 2
WN a ⎧ 2ε V0 ⎡ Na ⎤⎫
xn 0 = =⎨ ⎢ ⎥⎬
N a + N d ⎩ q ⎣ N d (N a + N d )⎦ ⎭
z La región de transición se extiende más en la región de menor
dopaje.
– Una penetración más profunda en el material de menor dopaje es
necesaria para igualar las cargas en ambos lados de la juntura

13 Miguel López González

 Junturas polarizadas
Estado estacionario

z Juntura polarizada (bias): Rectificador (Rectifier)

– La corriente fluye con facilidad al aplicar una tensión
positiva al material p: polarización directa, corriente directa
(forward)
– Casi nula corriente al aplicar tensión negativa: polarización
inversa, corriente inversa (reverse)

– Numerosas otras aplicaciones

z Condensadores variables por tensión
z Celdas Fotovoltaicas
z Emisores de luz…

14 Miguel López González

 Junturas polarizadas
Estado estacionario

z Tensión aplicada a la juntura. Cambios en :

– Barrera de potencial
– Campo en la región de transición
– Corrientes en la juntura
– Separación de las bandas de energía
– Ancho de la región de transición

z Barrera de potencial electrostático

– Se reduce al aplicar un voltaje directo Vf: de V0 a V0 – Vf:
Elevación del potencial Vp respecto a Vn
– Al aplicar una tensión inversa (– Vr), Vp se hace menor respecto a
Vn, por lo que la barrera de potencial aumenta (V0 + Vr)

15 Miguel López González

 Junturas polarizadas
Estado estacionario

z Campo en la región de transición

– Decrece con la polarización directa, pues el campo eléctrico se
opone al campo en equilibrio
– Aumenta con la polarización inversa, pues el campo eléctrico se
suma al campo en equilibrio

– Esta modificación implica un cambio en el ancho de la región de

transición W

z Separación de las Bandas de Energía

– Función de la barrera de potencial: q(V0 – Vf) o q(V0 + Vr)
– Los niveles de Fermi

16 Miguel López González

 Junturas polarizadas
Estado estacionario

z Corriente de difusión
– Forward: la barrera de potencial es menor, por lo que tanto e-
como h+ pueden cruzar más fácilmente hacia las regiones de
menor concentración: la corriente de difusión puede ser bastante
importante
– Reverse: tanto los e- como los h+ no tienen suficiente energía para
superar el aumento de la barrera de potencial: corriente de
difusión despreciable

z Corriente de desplazamiento (drift)

– Independiente del potencial aplicado. (Tarea)
– Se le denomina corriente de generación pues es proporcional a la
tasa de generación de EHP.

17 Miguel López González

 Junturas polarizadas
Estado estacionario

z Corriente total
– Difusión (de p a n)
– Drift de (n a p)
– Equilibrio: corriente neta nula
(cancelación de componentes)
(
I = I 0 e qV / kT − 1 )
– Reverse:
z Difusión despreciable
z Pequeña corriente de drift (I0 o IS)
corriente de saturación inversa

– Forward:
z Corriente de difusión proporcional
a eqV/kT

18 Miguel López González

 Inyección de portadores

z Ecuación de las concentraciones de h+ en la juntura en

equilibrio y con polarización
pp p(− x p 0 )
=e qV0 / kT
= e q (V0 −V )/ kT
pn p ( xn 0 )
z Haciendo la relación entre ambas, tomando p(− x p 0 ) = p p
p ( xn 0 )
= e qV / kT
pn
z Esto sugiere que, respecto al equilibrio
– al polarizar en directo, la concentración de portadores minoritarios
(h+ en el material n) se incrementa y
– El bias inverso reduce la concentración
19 Miguel López González
 Inyección de portadores minoritarios

z Los excesos de portadores minoritarios pueden calcularse

fácilmente
∆pn = p( xn 0 ) − pn = pn e (
qV / kT
−1 )
∆n p = n( x p 0 ) − n p = n p (e qV / kT
− 1)
z El exceso de portadores produce una distribución a cada lado
de la zona de transición, los que se recombinan.
z Suponiendo que el largo de los materiales es mayor al largo
de difusión, de las ecuaciones de difusión
∂ 2δn
∂x 2
=
δn δn
= 2
Dnτ n Ln
δn( x p ) = ∆n p e
− x p / Ln
(
= np e qV / kT
)
−1 e
− x p / Ln

= p (e − 1)e
− xn / L p − xn / L p
∂ δp
2
δp δp δp( xn ) = ∆pn e qV / kT
= = n
20 ∂x 2 D pτ p L2p Miguel López González
 Concentraciones de portadores
minoritarios. Polarización directa

21 Miguel López González

 Corrientes en la juntura
z De la definición de las corrientes de difusión

dδp ( xn ) Dp − xn / L p Dp
I p ( xn ) = −qAD p = qA ∆pn e = qA δp( xn )
dxn Lp Lp
z La corriente total de h+ inyectada en el material n

I p ( xn = 0) = qA
Dp
Lp
∆pn = qA
Dp
Lp
(
pn e qV / kT − 1)
z De la misma manera

I n ( x p = 0) = −qA
Dn
Ln
∆n p = −qA
Dn
Ln
(
n p e qV / kT − 1 )
22 Miguel López González
 Corrientes en la juntura
z Por lo tanto, despreciando la recombinación en la región de
transición (aproximación de Schockley)
Dp Dn
I = I p ( xn = 0) − I n ( x p = 0) = qA ∆pn + qA ∆n p
Lp Ln
z Se llega a la ecuación del diodo

⎛ Dp ⎞ qV / kT
I = qA⎜
⎜L
pn +
D
L
n
np ⎟ e
⎟
( ) (
− 1 = I 0 e qV / kT − 1 )
⎝ p n ⎠

23 Miguel López González

 Corrientes en la juntura
Polarización directa

z Componentes de la
corriente forward

– I = Ip + In

– Ejemplo: material p
más dopado que el
material n

24 Miguel López González

 Polarización inversa

z Extracción de portadores minoritarios

– Para Vr >> kT/q

( )
∆pn = pn e qV / kT − 1 ≈ − pn
– Figura 5-18

25 Miguel López González

 Ruptura por polarización inversa

z Al llegar a una cierta tensión

inversa Vbr, la corriente aumenta
abruptamente: Ruptura inversa
(reverse breakdown)
– Vbr: tensión de ruptura inversa

z Mecanismos de ruptura
– Ruptura Zener (efecto Túnel)
– Ruptura por Avalancha
(Multiplicación de portadores)

26 Miguel López González

 Ruptura Zener

z Juntura muy fuertemente dopada, Polarización

inversa
– Gran número de estados disponibles (material n) se alinean
con un gran número de estados llenos (material p)

– Si la banda es estrecha (d pequeño), e- pueden saltar hacia

el material n: efecto túnel desde el material p al n
z Corriente de n a p (inversa)
z Efecto Zener (efecto túnel por polarización inversa)

– Juntura abrupta, materiales fuertemente dopados

z Zona W estrecha

27 Miguel López González

 Ruptura por Avalancha

z Junturas ligeramente dopadas

– Efecto túnel despreciable (W es ancha, d grande)
– Mecanismo de ruptura implica ionización por impacto de
portadores con alta energía
z Generación de e- por colisiones
z Multiplicación de portadores dentro de W : Efecto Avalancha

28 Miguel López González

 Rectificadores
z Naturaleza unilateral de la juntura
(conducción de corriente en un solo sentido)

z Diodo ideal
– Característica I-V
– Símbolo

z Aproximaciones al diodo real

– Tensión de offset E0
– Resistencia serie Rf

z En un circuito con fuente ac, el diodo permite

la Rectificación de la señal

29 Miguel López González

 Características de un diodo para
rectificación

z De las características ideales

– Corriente inversa despreciable
– Resistencia en directo despreciable
– Tensión de ruptura inverso grande
– Tensión de offset pequeña

z El conjunto de características no se puede lograr a

la vez, debe hacerse un compromiso en las
características según la aplicación

30 Miguel López González

 Características de un diodo para
rectificación

z Banda prohibida (Eg)

– ni pequeño para materiales con Eg grande
z + Permite la operación a alta T°, las altas corrientes generan
calor, lo que disminuye con ni menor
z + Menores corrientes de fuga (inversa)
z + Mayor tensión de ruptura
z - E0 se incrementa a mayor Eg

– Para rectificadores de potencia se obtienen más ventajas

que desventajas a mayor Eg, por lo que se prefiere el Si
frente al Ge

31 Miguel López González

 Características de un diodo para
rectificación

z Dopaje
– Influye en Vbr, E0 y Rf
– En diodos p+-n o p-n+, el lado de menor dopaje determina
las propiedades de la juntura
z Alta resistividad permite mayor Vbr, pero aumenta Rf, lo que
implica problemas por calor
z Para menor R: mayor A y menor L Î Geometría del diodo es
otro factor importante
– Mayor A: dificulta la uniformidad en el material
– Menor L: puede ocurrir punch-through (atravesar)
z Al polarizar inversamente, W abarca todo el largo del
material: Se reduce Vbr

32 Miguel López González

 Diodo de Ruptura
(Breakdown diode)

z Tensión de ruptura puede variar con las concentraciones de dopaje en la juntura

z Ruptura más común: avalancha

– Efecto Zener (Túnel): junturas abruptas, muy
fuertemente dopadas

z Se puede fabricar con dopajes para tener un Vbr

en un rango específico (desde menos de 1 V a
varios cientos de V)
– Buen diseño: ruptura empinada,
corriente independiente de Vbr

z Se le denomina también (erróneamente)

diodo Zener, aunque la ruptura sea por
avalancha, debido a las 1as observaciones

z Aplicación: Reguladores de voltaje dc,

diodo de referencia

33 Miguel López González

 Condiciones transitorias y corriente
alterna

z Variación temporal de la carga almacenada

– Tensión en la juntura no puede tener discontinuidades
(Tarea)

z Transitorio de recuperación inversa

(reverse recovery transient)

– Figuras 5.28 y 5.29

– Método para calcular el tiempo de vida de los portadores

⎛ If ⎞
t sd = τ p ln⎜⎜1 + ⎟⎟
34 ⎝ Ir ⎠ Miguel López González
 Diodo de conmutación
(Switching diode)

z Característica del diodo rectificador (corriente inversa minima,

Pérdidas en directo mínimas…)
– Tiempo de respuesta

z Control de la carga almacenada. Métodos

– Tener tiempos de vida de portadores muy cortas: Agregar centros
de recombinación: dopaje de Au en Si.
z Aumento de la corriente inversa
z Puede afectar la concentración de portadores en la zona de menor
dopaje

– Almacenar muy poca carga: Hacer la región de más corta que el

largo de difusión de los portadores minoritarios (narrow base
diode)
z Mayor posibilidad de punch-through

35 Miguel López González

 Capacitancias junturas pn

z Tipos de capacitancia
– Capacitancia de juntura Cj (depletion capacitance)
z Dominante en condiciones de polarización inversa

– Capacitancia de carga almacenada o de difusión Cd o Cs

z Dominante en polarización directa

z Factor limitante en muchas aplicaciones, aunque es

útil en otras aplicaciones y puede aportar
información sobre la estructura del diodo

36 Miguel López González

 Capacitancia de juntura

z Recopilando ecuaciones, polarización inversa

1/ 2
⎡ 2ε (V0 − V ) ⎛ 1 1 ⎞⎤
1/ 2
⎡ 2ε V0 N a + N d ⎤
W0 = ⎢ ⎥ ⇒ Wbias =⎢ ⎜⎜ + ⎟⎟⎥
⎣ q Na Nd ⎦ ⎣ q ⎝ N a N d ⎠⎦
Nd Na
Q = qAx p 0 N a = qAxn 0 N d = qA W
Nd + Na
1/ 2
⎡ Nd Na ⎤
⇒ Q = A⎢2qε (V0 − V ) ⎥
⎣ Nd + Na ⎦
37 Miguel López González
 Capacitancia de juntura

z Aplicando la definición de capacitancia

dQ
C=
dV
1/ 2
dQ A ⎡ 2qε Nd Na ⎤
Cj = = ⎢ ⎥
d (V0 − V ) 2 ⎣ (V0 − V ) N d + N a ⎦

z Para una juntura dopada asimétricamente (p+-n)

1/ 2
A ⎡ 2qε ⎤
Cj = ⎢ Nd ⎥
2 ⎣ (V0 −V ) ⎦
38 Miguel López González
 Capacitancia de carga almacenada

z Para diodos largos (largo mayor al largo de difusión),

no existe este fenómeno
z Para diodos cortos (junturas de Si), largo c
dQ p1 q2
Cs = = A ⋅ c ⋅ pn e qV / kT
dV 3 kT
z Tarea: diodo varactor

39 Miguel López González

 Modelo de pequeña señal

z Capacitancias (Cj, Cs) y conductancia Gs

– Diodo polarizado, excitación sinusoidal a bajo voltaje
I I

V V G Cj Cs

Gs =
dI qAL p pn d qV / kT
dV
=
τ p dV
e = (
qI
kT
)
40 Miguel López González
 Variaciones a la teoría

z Efecto del potencial de contacto en la Inyección de

portadores qAD qAD
I= pn e qV / kT = N v e qV −( EFn − Evn ) / kT
p p

Lp Lp
z Recombinación y Generación en la región de transición

( )
– n: (1,2) Factor de idealidad
I = I 0' e qV / nkT − 1
z Pérdidas óhmicas
– Caída de tensión en el material, más evidente a altas corrientes

[
V = Va − I R p ( I ) − Rn ( I ) ]
41 Miguel López González
 Juntura Metal-Semiconductor

z Barrera Schottky
– Contacto Rectificador
z Inyección de portadores mayoritarios hacia el metal
z Ausencia de portadores minoritarios, y de carga
almacenada: mejor adaptados a operaciones de alta
frecuencia y de conmutación rápida

– Contacto Ohmico
z Comportamiento resistivo, sin rectificación
z Fuerte dopaje en el contacto

42 Miguel López González