2.

4 SEMICONDUCTORES Y DIODOS: ASPECTOS BÁSICOS

Organización:
• Introducción: semiconductores intrínsecos; semiconductores dopados.
• Mecanismos de arrastre y difusión.
• La unión p-n en equilibrio.
• Efecto de la polarización.

Introducción: semiconductores intrínsecos y dopados.

Conductores, aislantes y semiconductores

Para entender mejor las propiedades de los materiales semiconductores

puede ser útil recordar útil cómo se comportan los conductores. Podemos
adoptar dos puntos de vista:

- Estudiar el comportamiento del dispositivo en términos de propiedades

globales como la tensión, la resistencia,… Este es el procedimiento que
se sigue al analizar los circuitos electrónicos, cuando estamos interesados
en saber cómo responden los dispositivos dentro de los circuitos.

- Analizar las propiedades de los materiales a nivel microscópico, en

términos del campo eléctrico, la densidad de corriente,... En este
apartado vamos a revisar algunas de estas propiedades.

Sabemos que la ley de Ohm relaciona la caída de tensión con la corriente que
atraviesa un conductor. La resistencia que ofrece el conductor al paso de la
corriente se calcula como se indica en la figura 1.

L
R=ρ L
S
Figura 1.
Resistencia,
S resistividad y
conductividad de
S: sección; L: longitud un material
R: resistencia; ρ : resistividad (Ω·cm) conductor.

1
σ = σ: conductividad
ρ
Unidades: mho/cm, siemens (S)
1 S = 1 mho/m 1 mho = 1 Ω-1

1
 La resistencia del conductor depende de sus dimensiones, pero también del
material empleado a través de su resistividad (o de su conductividad, que es la
inversa de la resistividad). Aunque la ley de Ohm es una propiedad aplicable a
todo el dispositivo, se puede aplicar también en todos los puntos del mismo
haciendo los cambios:

Voltaje V (V)
campo eléctrico E (V/m, V/cm)

Corriente I (A)
densidad de corriente J (A/m2, A/cm2)

Resistencia R (Ω)
resistividad ρ (Ω·m, Ω·cm )

Es decir: E = ρJ, [1]

o también: J = σE. [2]

En la gráfica de la figura 2 se aprecia que la

conductividad eléctrica de conductores como plata o
cobre puede ser hasta 20 órdenes de magnitud plata
superior a la de los aislantes (teflón). 107 cobre
Concretamente, las conductividades tienen estos
valores:
grafito
7 103
Plata: 6.30×10 S/m
Cobre: 5.96×107 S/m
Teflón: < 10-13 S/m 100 germanio

La conductividad del agua depende del grado de

pureza: 10-3 silicio

Agua pura: 5.5 × 10-6 S/m

Agua potable: 0.005-0.05 S/m
10-7
Agua del mar: 5 S/m
10-9 caucho
Por otra parte, en los semiconductores (silicio,
germanio) la conductividad toma valores
comprendidos entre los que presenta en aislantes y 10-12 vidrio
metales. La conductividad de los semiconductores
10-14 teflón
varía en el rango 10-3 - 103 S/m. Por ejemplo, el
silicio puro, la materia prima de la industria
microelectrónica, es un conductor bastante pobre. Figura 2. Conductividades
La mayor o menor capacidad de conducir la de algunos materiales en
S/m (escala logarítmica)
corriente está relacionada con la estructura
electrónica del material. Sabemos que los electrones
de los átomos aislados ocupan unos determinados
niveles energéticos. En el caso de los materiales
sólidos, la energía de los electrones más externos
puede tomar valores dentro de un cierto rango. Este
rango de valores se conoce con el nombre de banda
de valencia (porque los electrones más externos se
conocen como electrones de valencia).

2
 Si a un electrón se le comunica una energía suficiente, puede abandonar el
enlace al que pertenecía y circular libremente por el material. Se dice entonces
que ha pasado a la banda de conducción (figura 3). El intervalo que separa la
banda de valencia de la banda de conducción se denomina banda prohibida o
gap.

Banda de conducción

Banda prohibida (gap)

Figura 3. Bandas de valencia
Banda de valencia y conducción
Metal
Semiconductor

Aislante

La estructura electrónica varía de unos materiales a otros:

- En los aislantes prácticamente todos los electrones están confinados en la

banda de valencia.

- En los conductores se solapan las dos bandas. Los electrones pueden circular
con facilidad en un conductor metálico como el cobre.

- En los semiconductores el gap es más estrecho que en los aislantes y por eso
conducen con menor aportación de energía. La energía que en promedio tienen
los electrones, y por tanto la conductividad de estos materiales, aumenta con la
temperatura.

Los primeros dispositivos semiconductores se empezaron fabricando con

germanio. Pero hoy en día se emplea principalmente el silicio:
- Además de ser un material abundante, se han ideado técnicas para el
crecimiento de lingotes de silicio con un alto grado de pureza.
- Es un material que se oxida con facilidad. Las capas de óxido de silicio
tienen muy baja conductividad, actuando como aislantes muy eficaces (por
ejemplo, para aislar los dispositivos dentro de un mismo chip).
- El silicio puro tiene muy baja conductividad. Pero puede doparse para
añadir electrones o huecos y así aumentar la conductividad.

Semiconductores intrínsecos
El silicio tiene la misma estructura cristalina que el carbono puro (diamante).
La celda básica consiste en un tetraedro con un átomo enlazado a otros cuatro
mediante enlaces covalentes. Cada átomo aporta cuatro electrones: estos son
los electrones de la capa de valencia. Aunque la red cristalina se extiende en las
tres direcciones del espacio, podemos imaginarnos que los átomos ocupan un
plano y están enlazados como se indica en la figura 4.

3
 Figura 4. Estructura del silicio cristalino.

A temperaturas bajas los electrones están ligados a los átomos y no pueden

desplazarse, incluso si se aplica un campo eléctrico externo. Por tanto se
comportan como aislantes.
Pero a temperatura ambiente algunos electrones tienen suficiente energía
para abandonar el enlace covalente. Estos electrones pasan a niveles
energéticos superiores (banda de conducción) y ya no están ligados. Ahora
estos electrones pueden desplazarse si se aplica un campo eléctrico exterior. El
material, por tanto, se comporta como un conductor (aunque peor que un
metal). Cuanto más aumente la la temperatura, más electrones se separarán
de los enlaces y mayor será su contribución a la corriente eléctrica.
Cuando un electrón abandona el enlace covalente, deja una vacante, o hueco
(que puede ser ocupada por otro electrón) a la que se le asigna carga positiva
(figura 5). Parte de los electrones liberados pueden ocupar los huecos que
dejan otros electrones. Como resultado, se llega a una situación de equilibrio
dinámico entre los electrones liberados por energía térmica y los electrones que
vuelven ocupar los huecos. Por tanto, el número de electrones libres (igual que
el número de huecos) es constante a una temperatura dada. Estos
semiconductores reciben el nombre de intrínsecos.

Electrón térmico

Si Si
Hueco térmico

Si Si Si Si Si Si

Si Si

Semiconductor a muy baja temperatura Semiconductor a temperatura ambiente

Figura 5. Semiconductores intrínsecos.

4
 Supongamos que se conecta un generador a un semiconductor intrínseco.
Entonces los electrones libres se dirigen hacia el polo positivo del generador.
Los electrones del polo negativo del generador pasan a ocupar los huecos del
semiconductor y se dirigen al polo positivo pasando de un hueco a otro. En
realidad, ocurre como si los huecos fueran hacia el polo negativo. Resumiendo,
los electrones se desplazan en un sentido para llenar un hueco, con lo que el
hueco se desplaza en sentido contrario (figura 6).

Por eso se dice que la corriente en un semiconductor se debe a dos

contribuciones: el movimiento de electrones (con carga negativa) hacia el polo
positivo y el de huecos (con carga positiva) hacia el polo negativo. La carga
positiva del hueco es en realidad la carga positiva del núcleo del átomo
abandonado por el electrón.

Hueco Electrones en
(estado vacío) enlaces covalentes

Incremento en - - - - - -
el tiempo
- - - - - -
- - - - - -
- - - - - -

Figura 6. Los electrones se desplazan a la izquierda para llenar un hueco, con lo que el
hueco se desplaza a la derecha. Fuente: A. R. Hambley, Electrónica, Prentice Hall, 2001.

Aplicando tensión al silicio intrínseco puede circular una corriente. Pero esta
corriente será bastante débil, ya que el número de electrones libres es pequeño
comparado con el que existirían en un conductor.
Para hacernos una idea: el silicio contiene unos 5×1022 átomos/cm3, lo que
equivale a 4×5×1022 = 2×1023electrones de valencia por cm3.
A temperatura ambiente, hay ni ≈ 1010 electrones libres por cm3 (concentración
intrínseca). Dividiendo, vemos que a temperatura ambiente solo hay un
electrón libre por cada 2×1013 electrones de valencia.

Equilibrio térmico (ref. [5])

La cantidad de carga en un semiconductor se suele expresar en términos de
las concentraciones n de electrones y p de huecos. Como la concentración
representa la cantidad de carga por unidad de volumen, n y p se expresan
como número de portadores por cm3, o simplemente en cm-3.
La cantidad de pares electrón-hueco que se generan por unidad de volumen y
tiempo se denomina velocidad de generación. Normalmente se denota como G
y se expresa en cm-3s-1. Los electrones y huecos se generan por agitación
térmica, pero también debido a procesos ópticos. Cuando se ilumina un

5
semiconductor, los fotones con energía suficiente pueden romper enlaces y
crearse pares electrón-hueco.
Hemos dicho antes que las vacantes de los enlaces pueden ser ocupadas por
otros electrones: cuando esto ocurre se habla de recombinación. Es decir, la
recombinación consiste en la eliminación de un electrón y un hueco del cristal
cuando se completa un enlace roto. La velocidad de recombinación se denota
como R. También se expresa en cm-3s-1.
Para que exista recombinación, son necesarios tanto un electrón como un
hueco. Cuantos más electrones y huecos haya en juego, mayor será la
probabilidad de que se recombinen. De ahí que la velocidad de recombinación R
sea proporcional al producto np.
Si no se modifican las condiciones de operación en el cristal (radiación óptica,
intensidad de campo eléctrico, temperatura), entonces las concentraciones de
electrones y huecos alcanzarán un valor estable. Los valores estarán
determinados por el balance entre recombinación y generación. Esta situación
se conoce como estado estacionario.
Como caso particular de la condición de estado estacionario tenemos el
equilibrio térmico, que consiste en la ausencia prolongada de fuentes de energía
externas. Esto sólo se consigue aislando al semiconductor de fuentes ópticas o
eléctricas. En estas condiciones las concentraciones de electrones y huecos
están relacionadas según la ley acción de masas:

no po = ni2 , [3]

siendo ni la concentración intrínseca. Como los electrones y huecos se crean

simultáneamente en el semiconductor intrínseco,

no = po = ni . [4]

La concentración intrínseca del silicio a 300 K es ni = 1010 cm-3. Su valor

aumenta fuertemente con la temperatura (aproximadamente, se duplica por
cada incremento en 10 oC).
En el cuadro 1 se resume lo que hemos comentado sobre el equilibrio térmico.

6
 EQUILIBRIO TÉRMICO

• Velocidad de generación: G unidades: cm-3s-1 (procesos ópticos y térmicos)

• Velocidad de recombinación: R unidades: cm-3s-1 R α np

n: concentración de electrones (cm-3)

p: concentración de huecos (cm-3)

• En ausencia de estímulos externos, Go = Ro

(subíndice ‘o’
hace referencia a equilibrio térmico)

• Ley de acción de masas: nopo = ni2 ; ni = 1010 cm-3 a temperatura ambiente (aprox.)

• Al crearse electrones y huecos simultáneamente en el silicio intrínseco:

no = po = 1010 cm-3

Cuadro 1 (ref. [5])

Semiconductores extrínsecos
La conductividad del los semiconductores intrínsecos puede aumentar si se
les añade impurezas: en este caso se habla de semiconductores extrínsecos o
dopados. Un semiconductor de tipo n se obtiene introduciendo una pequeña
cantidad de átomos pentavalentes. Estos átomos tienen cinco electrones en la
capa de valencia (pueden ser de fósforo, arsénico o antimonio). Si la adición se
hace de forma controlada se obtiene una aleación sin que se altere la estructura
cristalina (la celda básica sigue teniendo forma tetraédrica).
En este caso, cuatro electrones formarán enlaces covalentes con los átomos
del silicio intrínseco. A baja temperatura el quinto electrón quedará desligado. A
temperatura ambiente los electrones libres de un semiconductor n son los
electrones desligados de las impurezas y los electrones generados por agitación
térmica (figura 7a). Un semiconductor de tipo n tiene más electrones libres que
el semiconductor intrínseco: su conductividad será mayor. Como el número de
electrones predomina sobre el de huecos, la corriente eléctrica se debe
principalmente a los electrones. Por eso se dice que los electrones son
portadores mayoritarios y los huecos son portadores minoritarios, como se
esquematiza en la figura 7b.
En la figura 7b también se indica el sentido del movimiento de los electrones
por el conductor (contrario al de la corriente convencional). La corriente por el
conductor solo se debe a electrones: en los metales los electrones están en
conducción sin necesidad de que haya ruptura de enlaces.
El número de electrones será mayor que el de huecos, pero esto no significa
que la carga neta sea negativa. La carga neta tiene que ser cero porque al
romperse un enlace y crearse un electrón de conducción, el átomo
correspondiente queda ionizado positivamente y la carga neta siempre es cero.
Los átomos ionizados no contribuyen a la corriente por estar fijos en la red.

7
 Electrón extra

Si Electrón extra Si Electrón térmico

Hueco térmico

Si P Si Si P Si

Si Si

Semiconductor n a muy baja temperatura Semiconductor n a temperatura ambiente

(a)

Sentido convencional Sentido de desplazamiento

de la corriente de los electrones

Por el conductor solo

circulan electrones
(b)

Figura 7. (a) Semiconductores de tipo n a muy baja emperatura y a temperatura ambiente.

(b) Conducción en un semiconductor de tipo n.

Si se añaden impurezas trivalentes (aluminio o boro) obtenemos un

semiconductor extrínseco de tipo p. Como solo se pueden formar tres enlaces
covalentes queda una vacante en el cuarto enlace covalente sin ocupar, es
decir, por cada impureza añadida se genera un hueco. Por tanto, en un
semiconductor p existen huecos debidos a los enlaces incompletos, electrones
libres térmicos y sus correspondientes huecos (figura 8). El número de huecos
será por lo tanto mayor en un semiconductor p que en el semiconductor
intrínseco. Ahora los huecos serán los portadores mayoritarios y los electrones
térmicos los minoritarios. Y también la carga neta será cero.

Electrón térmico

Si Si
Hueco térmico
Hueco extra Hueco extra

Si B Si Si B Si

Si Si

Semiconductor p a muy baja temperatura Semiconductor p a temperatura ambiente

Figura 8. Semiconductores de tipo p.

8
Mecanismos de arrastre y difusión.

(Fuente: D. A. Neamen, Semiconductor Physics and Devices, R.C. Irwin Inc., 1992).

En este apartado vamos a analizar brevemente cómo se produce el flujo de

electrones y huecos en un semiconductor. El proceso por el cual los portadores
de carga se desplazan en el semiconductor se suele denominar transporte. Los
dos mecanismos básicos de transporte son el arrastre (drift) y la difusión. El
arrastre consiste en el desplazamiento de carga debido a campos eléctricos. La
difusión es el flujo de carga originado por gradientes en la densidad de
portadores. También los gradientes de temperatura dan lugar a flujo de carga,
pero este efecto no lo vamos a considerar.

Arrastre de portadores
Al aplicar un campo eléctrico a un semiconductor se está ejerciendo una
fuerza sobre electrones y huecos. Los portadores experimentan una aceleración
y un desplazamiento netos siempre que haya estados disponibles en las bandas
de valencia y conducción. El desplazamiento neto de los portadores debido a un
campo eléctrico se conoce como arrastre, el cual da origen a una corriente de
arrastre.
Supongamos que un elemento de volumen con carga positiva se mueve a una
velocidad de arrastre media vd. Llamando ρ a la densidad de carga, la densidad
de corriente se expresa como:

J dr = ρv d (A/m2, A/cm2), [5]

Si el volumen de carga está compuesto por huecos tendríamos ρ = +qp. Por

tanto:

Jp dr
= qpv dp [6]

Podemos pensar que la velocidad de las cargas aumenta en el tiempo, ya

que el campo eléctrico las acelera. Pero esto no es así porque al colisionar con
átomos del cristal pierden energía. Las cargas vuelven a acelerarse y ganar
energía hasta que vuelven a chocar, y así sucesivamente. Si la intensidad del
campo eléctrico es baja, a lo largo de todo este proceso las cargas adquieren
una velocidad de arrastre media proporcional al campo eléctrico:

v dp = µpE , [7]

donde µp se conoce como movilidad y se expresa normalmente en cm2/V·s. Por

tanto, tendremos:

Jp dr
= qpv dp = qµ p pE . [8]

Aplicando el mismo razonamiento a los electrones:

Jn dr
= ρv dn = −qnv dn [9]

9
También ahora la velocidad de arrastre neta es proporcional al campo eléctrico.
Pero como el electrón está cargado negativamente, el movimiento neto es en
sentido contrario al del campo eléctrico:

v dn = − µ n E ,

siendo ahora µn la movilidad de electrones. Por tanto:

Jn dr
= ρv dn = −qn(− µ n E ) = qµ n nE . [10]

El sentido de la corriente convencional de electrones es el del campo eléctrico

aplicado, aun cuando se desplazan en sentido contrario.
as movilidades dependen de las concentraciones de impurezas y la
temperatura. En la tabla 1 se indican valores típicos.

µn (cm2/V·s) µp (cm2/V·s)
Silicio 1350 480
Arseniuro de Galio (AsGa) 8500 400
Germanio 3900 1900
Tabla 1. Valores típicos de movilidad a 300 K para bajas concentraciones de dopado
(D.A. Neamen: Semiconductor Physics and Devices, R.C. Irwin Inc., 1992).

Al contribuir tanto los electrones como los huecos a la corriente de arrastre,

la densidad de corriente de arrastre total será:

J dr = q (µ n n + µ p p)E [11]

La expresión anterior puede escribirse también así:

J dr = q (µ n n + µ p p )E = σE , [12]

siendo σ = µnn+ µpp la conductividad del semiconductor. La resistividad será por

tanto:

1 1
ρ= =
q (µ n n + µ p p)
[13]
σ

Esta última expresión es útil, por ejemplo, a la hora de evaluar los valores de
las resistencias de circuito integrado.

Difusión de portadores
El transporte de portadores por difusión se origina cuando existen gradientes
de concentración. Las partículas, que siguen un movimiento aleatorio y sufren
numerosas colisiones, se difunden hacia las zonas de menos concentración.
Esto es lo que ocurre también si dejamos caer una gota de tinta en un vaso de
agua: las moléculas de tinta se difunden desde la superficie y tienden a ocupar
todo el volumen. De hecho, en los procesos de difusión lo que se observa es
una tendencia a la igualación de las concentraciones en todo el volumen.

10
 Sin entrar en detalle, podemos decir que la densidad de corriente de difusión
es proporcional al gradiente de concentración. En el caso de los huecos esta
densidad de corriente viene dada por:

dp
Jp dif
= −qD p (A/m2, A/cm2) [14]
dx

donde Dp es la constante de difusión de huecos, y se expresa en m2/s o cm2/s.

Si p decrece para las x crecientes, la derivada es negativa (figura 9). Entonces
hay que introducir el signo negativo en la expresión para que la corriente de
difusión de huecos sea positiva en el sentido indicado en la figura 9. La
densidad de corriente de difusión de electrones se obtiene reemplazando en la
ecuación anterior p por n y quitando el signo negativo.

p(0) p(x)
Densidad p
de corriente dp
Jp|dif = -qDp
de difusión dx

Jp|dif Jp|dif

x
x=0 x
Figura 9. La densidad de corriente de difusión como función del gradiente de
concentraciones.

Corrientes totales

En el semiconductor pueden existir simultáneamente gradientes de

concentración y un gradiente de potencial (campo). Las corrientes de electrones
y huecos se expresan entonces del siguiente modo:

dp
J p = qµ p pE − qDp [15]
dx
dn
Jn = qµnnE + qDn [16]
dx

Los coeficientes de difusión y las movilidades están relacionados:

Dp Dn
= = VT (relación de Einstein) [17]
µp µn
(este resultado se demuestra en los cursos de física de semiconductores).

11
En la relación anterior VT es el llamado voltaje térmico, definido por:

kT
VT = , [18]
q

donde k es la constante de Boltzmann, T la temperatura absoluta y q la carga

del electrón. Como k = 1.38×10-23 J/K y q = 1.6×10-19 C, a temperatura
ambiente (entre 17 oC y 28 oC) el voltaje térmico oscila entre 25 mV y 26 mV.

3. La unión p-n en equilibrio.

Supongamos se ponen en contacto dos semiconductores dopados de tipo p y

n. Los electrones libres de la región n tienden a ocupar todo el volumen del
conjunto p-n. Lo mismo sucede con los huecos. Cerca de la unión una gran
cantidad de electrones y huecos tienden a aniquilarse mutuamente, es decir, a
recombinarse. Como resultado, se crea una zona en la que prácticamente no
existen electrones o huecos debido a este proceso constante de recombinación
(figura 10). En realidad, en esta parte del dispositivo las cargas predominantes
son las de los iones positivos (región n) y negativos (región p). Dicho de otro
modo, se puede decir que esta zona está prácticamente vacía de portadores
libres, y por eso se habla de región de vaciamiento (también región de carga
espacial, región de deplexión).

Aunque en realidad la unión PN no es un condensador, esta distribución de carga

espacial es la responsable de que en el diodo se produzcan efectos capacitivos en
corriente alterna.

P N P - + N
E0
-+
-+
-+
-+
-+
-+
-+
(a) (b)

Figura 10. (a) Semiconductores p y n; (b) Semiconductores p y n una vez creada la unión.

Las cargas de la región de vaciamiento generan un campo eléctrico

dirigido de n a p. Conviene recalcar que este campo no se ha aplicado
externamente, sino que se origina en el propio dispositivo. Una vez creada la
zona de vaciamiento, el campo se opone a que pasen más electrones de n a p o
huecos en sentido contrario.

12
 Supongamos que las concentraciones de impurezas son constantes en las dos
regiones. Por ejemplo:

- en la región n: Nd = 1016 cm-3 (donadores)

- en la región p: Na = 1016 cm-3 (aceptores)

Vamos a designar como –xp0 y xn0 los límites de la región de carga espacial.
Podemos estimar las concentraciones n0 y p0 de equilibrio haciendo algunas
aproximaciones. Lejos de la región de transición (x > xn0), en la región n se tiene
un electrón libre por cada impureza donadora. Realmente, la mayor parte de
electrones libres se deben a estas impurezas, ya que la cantidad de electrones
libres debidos a generación térmica será varios órdenes de magnitud inferior. Es
decir:

n0 ≅ N d , x > xn0

Razonando de la misma forma con la concentración de huecos en la región p:

p0 ≅ N a , -xp0 < x

Teniendo en cuenta la ley acción de masas

no po = ni2 ,

las concentraciones de minoritarios se expresan:

p0 ≅ ni2 N d , x > xn0 ; n0 ≅ ni2 N a , -xp0 < x.

Si, por ejemplo, comparamos las concentraciones de huecos en las regiones

n y p, deducimos que en la región de transición la concentración p debe
reducirse drásticamente hasta alcanzar el valor p0 ≅ ni2 Nd para (x > xn0). Se
razona igual con la concentración de electrones. En principio, no podemos decir
nada sobre la forma de las curvas en la zona de transición, por lo que en las
gráficas mostradas en la figura 11 las curvas se representan con líneas a trazos
en dicha región.

13
 Figura 11. Unión pn: Concentraciones de portadores en equilibrio.
Fuente: S. Howe, C. Sodini, Microelectronics: an Integrated Approach, Prentice Hall, 1996.

¿Y si queremos conocer el comportamiento del campo eléctrico y del

potencial? Recordando las leyes de la Electrostática:

- Se puede determinar el campo eléctrico integrando la densidad de carga.

Ambos están relacionados mediante la ecuación de Poisson:

dE ρ
= , [19]
dx ε s
donde εs representa la permitividad del semiconductor.
Para el silicio, εs = 11.7 ε0 (ε0 = 8.854×10-12 F/m).

14
 - Y el potencial se puede obtener integrando el campo eléctrico:

dφ
E=− [20]
dx

Empezamos con la densidad de carga. Teniendo en cuenta las contribuciones

de los portadores libres y de los iones donadores y aceptores:

ρ 0 = +qNd + qp0 − qn0 − qNa

Se puede suponer en primera aproximación que fuera de la región de carga

espacial la densidad de carga neta será aproximadamente cero. Por ejemplo, en
la región n no existen impurezas aceptoras, los huecos son minoritarios y la
carga de los iones donadores prácticamente se cancela con la de los electrones
libres:

ρ 0 = +qNd + qp0 − qn0 ≅ +qNd − qn0 ≅ 0

El mismo razonamiento se puede aplicar en la región p fuera de la región de

transición. ¿Y en esta región? En la gráfica de las concentraciones de equilibrio
(figura 11) se observa que, si bien n0 y p0 no son nulas en la región de
transición, deben reducirse hasta igualarse a los niveles ni2/Na y ni2/Nd. Por
tanto la cantidad de portadores libres es siempre menor que la de los iones de
impureza. Además, la diferencia puede ser de varios órdenes de magnitud en
algunas zonas. Parece razonable suponer, en primera aproximación, la carga
neta en la zona de vaciamiento se debe principalmente a las impurezas. Es
como si esta zona estuviera vacía de portadores libres, que es lo que se decía al
principio de este apartado. De ahí que a veces la aproximación que estamos
haciendo se conozca como aproximación de vaciamiento o de deplexión.
De esta forma, la densidad de carga, el campo eléctrico y el potencial se
pueden determinar de la siguiente manera: fuera de la región de carga espacial
el campo es nulo, puesto que sólo se puede crear un campo eléctrico en
aquellas zonas del espacio donde esté presente una distribución de carga. En la
región de carga espacial, siendo la densidad de carga una constante positiva o
negativa, el campo varía linealmente con x (hay dos tramos distintos debido al
cambio de signo en ρ). Por último, el potencial toma valores constantes fuera
de la región de carga espacial (en las zonas neutras) y varía de forma
cuadrática con x en dicha región (figura 12).
Se observa por tanto que el hecho de poner en contacto dos materiales de
diferente naturaleza (como son los semiconductores n y p) hace que se cree un
campo interno en la región de carga espacial, como habíamos dicho antes.
También se origina la correspondiente barrera de potencial (cuya altura se
conoce como potencial de contacto). Esta barrera se opone al flujo de
mayoritarios a través de la unión.
En condiciones de equilibrio, además de generarse la barrera, los flujos
por arrastre y por difusión se neutralizan mutuamente: si las densidades de
corriente no fueran nulas, las concentraciones de electrones y huecos nunca
alcanzarían valores estables. El campo eléctrico creado debido a la difusión
inicial de portadores tiende a neutralizar esta difusión. Si prevalece la difusión,

15
aumenta la anchura de la región de transición y aumenta el campo eléctrico, qe
arrastra a los portadores a la región de origen. El resultado es que se alcanza
un equilibrio dinámico entre ambas corrientes: en todos los puntos la corriente
de difusión es neutralizada por la de arrastre.

El hecho de que las densidades de corriente netas deben anularse en el

equilibrio nos permite calcular el valor del potencial en las regiones neutras,
como veremos a continuación. Igualando a cero la densidad de corriente de
electrones:

µ dφ
= − n n0E0 = − 0  − 0 
dn0 dn0 n
Jn = qµnn0E0 + qDn =0 ⇔
dx dx Dn VT  dx 

Se han tenido en cuenta las relaciones [16]-[18] y [20].

Podemos entonces determinar el potencial. Para ello integramos la relación

anterior entre un punto de referencia x0 y un punto arbitrario x:

 n (x ) 
→ φ0 (x ) − φ0 (x0 ) = VT ln 0 
dn0 x dn0
x
dφ0 = VT → ∫ dφ0 = VT ∫
n0 x0 x0 n
0  n0 (x0 )

Elegimos por convenio la referencia de potencial en el punto en el que la

concentración es igual a la intrínseca: φ0 (x0 ) = 0 para n0 (x0 ) = ni

Entonces:
 n0 (x )
φ0 (x ) = VT ln  [21]
 ni 
Y para x > xn0, fuera de la región de vaciamiento:

 Nd 
φ0 (x ) = φn = VT ln  [22]
 ni 
De la misma forma, para x < -xp0:

 Nd 
φ0 (x ) = φp = −VT ln  [23]
 ni 

La diferencia φB = φn - φp recibe el nombre de potencial de contacto.

Sustituyendo los valores Na = Nd = 1016 cm-3, ni = 1010 cm-3 y VT = 26 mV en

[22] y[23] se obtiene φn = 360 mV = - φP y φB = 720 mV = 0.72 V

16
 ρ0 (C/cm3)

+q Nd = 1.6 × 10-3

región p región n
-xp0 xn0 x

-q Na = -1.6 × 10-3

E0

-xp0 xn0
x

El campo se deduce
integrando la densidad de carga

E0(0)

φ(x)

φn = 360 mV

φB = 720 mV

-xp0 xn0 x

φp = -360 mV

Figura 12. Densidad de carga, campo eléctrico y potencial en equilibrio térmico en la

aproximación de vaciamiento.
Fuente: S. Howe, C. Sodini, Microelectronics: an Integrated Approach, Prentice Hall, 1996

Efecto de la polarización

Los portadores mayoritarios deben “subir la pendiente” de la barrera de

potencial en la zona de vaciamiento, lo que de alguna forma frena su
movimiento, disminuyendo su energía cinética. Para los minoritarios, en
cambio, esa barrera es un “precipicio” por el que “caen” (ref. [14]).
Si conseguimos reducir la altura de la barrera de potencial aplicando a la
unión una tensión positiva entre dos contactos, uno en p y otro en n, el flujo de
mayoritarios por difusión se verá favorecido. Como se indica en la figura, puede
circular una corriente apreciable por el circuito (el sentido de la corriente
convencional y el sentido del flujo de electrones son contrarios). Se observa
también que el campo aplicado (Eg) se opone al campo interno: esto tiene como

17
resultado una disminución de la anchura de la región de vaciamiento y, como se
ha dicho, una reducción de la barrera de potencial (figura 13).
En cambio, si la tensión aplicada es negativa, el campo generado refuerza al
campo interno, aumenta la altura de la barrera de potencial y la oposición al
flujo de mayoritarios es mayor, con lo que la corriente tendrá un valor tan
pequeño que prácticamente el diodo actúa como un circuito abierto.

P N P N
E0 E0
d d
Eg E EEg

electrones

Vg Vg

Figura 13. Efecto sobre el campo eléctrico al aplicar una tensión directa o inversa.

Con polarización directa, como se indica en la figura 14, los portadores que se
difunden son mayoritarios. Los portadores que se desplazan por arrastre son
minoritarios, con una contribución pequeña a la corriente.

Componentes de la corriente:
-difusión de huecos de P a N, donde son minoritarios (en N tenemos inyección de minoritarios)
-difusión de electrones de N a P, donde son minoritarios (en P también se inyectan minoritarios)
-arrastre de electrones y huecos minoritarios en sentido contrario

P N

h+ I
I

e-

Figura 14. Efecto sobre el campo eléctrico al aplicar una tensión directa o inversa.

Con polarización inversa, la corriente es pequeña porque se debe al arrastre de

minoritarios (no se favorece la difusión).

18
 Resumiendo: la unión p-n permite el paso de la corriente si se polariza en
directa y la bloquea si se polariza en inversa. El funcionamiento de los diodos de
unión se basa en esta misma propiedad. Un diodo es un dispositivo de dos
terminales conectados a las regiones P (ánodo,A) y N (cátodo, K). El símbolo se
muestra en la figura 15.
Cuando la tensión aplicada vD es positiva el diodo está polarizado en directa,
la corriente iD también es positiva, circulando en el sentido ánodo-cátodo. En
caso contrario el diodo está inversamente polarizado y la corriente circula en
sentido contrario, aunque tiene un valor muy pequeño.

A K
P N
Figura 15. Estructura y símbolo del diodo.

vD
A + - K
iD

En un diodo de unión la corriente depende de la tensión de la siguiente

forma:
 ηvVD 
iD = IS e − 1 
 T

  [24]
 
A 20 oC, VT = 25.2 mV y a 25 oC, VT = 25.8 mV. Pero cuando se hacen
cálculos aproximados se supone muchas veces que su valor es 25 mV a
temperatura ambiente.
IS es la corriente inversa de saturación del diodo. El parámetro η,
comprendido entre 1 y 2, recibe el nombre de factor de idealidad. Conociendo
los parámetros IS, η y VT de la ecuación [24] podemos representar la curva
corriente-tensión del diodo, o curva característica (figura 16a).
iD iD

IS

vD
vD (b)
(a)

Figura 16. (a) Curva característica del diodo de unión; (b) La misma representación que en (a),
pero ampliando la escala de corrientes negativas.

19
 La ecuación [24] reproduce el comportamiento del diodo en las regiones
directa e inversa. Podemos discutir la expresión para ver cómo se comporta la
corriente iD:

• si vD es positiva y del orden de unas decenas de mV la corriente circula

en sentido directo y aumenta exponencialmente con la tensión.

• si vD es negativa, del orden de unas decenas de mV, la corriente iD será

aproximadamente igual a –IS, lo que se aprecia mejor ampliando la escala de
corrientes negativas (figura b). Ahora la corriente circula en sentido inverso
(desde la región n a la p). Pero la corriente inversa de saturación IS tiene en la
práctica un valor muy pequeño, del orden de 10-14 A en diodos de silicio de baja
potencia (diodos de señal), por lo que se suele considerar que en inversa el
diodo se comporta como un circuito abierto. Sin embargo la corriente inversa de
saturación de una unión p-n aumenta con la temperatura: este efecto no puede pasarse por alto
en los dispositivos de potencia.

Región de ruptura (ref. [7])

Si el diodo se polariza en inversa y entra en la región de ruptura (o
disrupción), la corriente aumenta rápidamente con la tensión (figura 17). Las
tensiones de ruptura oscilan entre unos pocos voltios y los centenares de
voltios.
Los diodos que pueden operar en la zona de ruptura reciben el nombre de
diodos zener. Estos diodos se emplean en los reguladores de tensión porque,
dentro de ciertos márgenes, la tensión se mantiene casi constante en la región
de ruptura. El símbolo del zener se indica en la figura 18.
En cambio, en los circuitos rectificadores se emplean diodos que solo operan
en las regiones de polarización directa y polarización inversa, sin entrar en la
región de ruptura. Deben tener una tensión de ruptura superior que la mayor
tensión inversa que vayan a soportar en el circuito.

iD

vD Figura 17. Las tres regiones de operación del

diodo. En la región de ruptura la corriente
aumenta rápidamente con la tensión.

Región de Polariz. Polarización

ruptura inversa directa

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 La ruptura puede ocasionarse por dos mecanismos:

- ruptura por avalancha (tensiones de ruptura por encima de 6 V): este es un

mecanismo por el cual los electrones de conducción se aceleran al aplicar
un campo eléctrico. Estos electrones colisionan con electrones de valencia, que
pasan a ser electrones de conducción, que colisionan con otros electrones de
valencia, y así sucesivamente. Este efecto multiplicativo se traduce en un
aumento considerable de la corriente con pequeños incrementos de tensión
(ref. [9]).
- efecto túnel (tensión de ruptura inferior a 6 V) en el caso de los diodos zener.

Los llamados diodos de avalancha presentan tensiones de disrupción más

altas y los zener presentan tensiones de disrupción en el margen inferior. Pero
en la práctica ambos términos se emplean para referirse a todos los diodos de
ruptura.

Otros tipos de diodos

• Diodos varicap (varactores): estos diodos aprovechan el hecho de que

una unión p-n en inversa se comporta como una capacidad dependiente
de la tensión (refs. [5[,[7],[10]). El símbolo se indica en la figura 18. Se
emplea en diferentes aplicaciones, pero una de las más populares es en
los circuitos de sintonía (ref. [11]).

• Diodos LED (light emitting diodes): son diodos que emiten luz cuando se
polarizan directamente. Aplicando una tensión por encima del valor
umbral los electrones se recombinan con los huecos, liberando energía en
forma de fotones (ref. [12]). La energía que pierde cada electrón al pasar
de la banda de conducción a la de valencia se corresponde con la del
fotón emitido. El símbolo del LED se muestra en la figura 18.

• Fotodiodos: convierten luz visible o infrarroja en corriente eléctrica. Estos

dispositivos operan con polarización inversa: se polarizan en el tercer
cuadrante del plano I-V. Encuentran diferentes aplicaciones: por ejemplo,
en los lectores de CD para procesar los datos grabados (pueden captar la
luz del haz láser reflejada en los surcos del CD, proporcionando impulsos
eléctricos) (ref. [13]). El símbolo se indica en la figura 18. Las células
solares (o células fotovoltaicas) también convierten la luz en electricidad,
pero tienen que operar en el cuarto cuadrante.

Zener Varicap

LED Fotodiodo

18. Símbolos de diferentes tipos de diodos.

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Bibliografía

1. D. A. Neamen, Semiconductor Physics and Devices, R.C. Irwin Inc., 2003.

2. A. Sedra. K.C. Smith, Microelectronic Circuits, Oxford University Press, 2005

3. J. Millman, A. Grabel, Microelectrónica, Ed. Hispano-Euriopea, 1995.

4. R. Boylestad, L. Nashelsky, Electrónica. Teoría de circuitos, Prentice Hall, 1992.

5. S. Howe, C. Sodini, Microelectronics: an Integrated Approach, Prentice Hall, 1996.

6. Ll. Prat, J. Calderer, Dispositivos electrónicos y fotónicos. Fundamentos, Ed. UPC, 2006.

7. A. R. Hambley, Electrónica, Prentice Hall, 2001.

8. J. Espí, Componentes y circuitos electrónicos analógicos, Ed. Moliner-40, Valencia, 2001

9. https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_avalancha

10. https://en.wikipedia.org/wiki/Varicap

11. http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/Electronic/varactor.html

12. https://es.wikipedia.org/wiki/Led

13. https://es.wikipedia.org/wiki/Fotodiodo

14. La Unión PN. ¿Cómo funcionan los diodos? (Versión en castellano), Universidad de
Granada, 2013.
Enlace: https://www.youtube.com/watch?v=hsJGw_c-Nn4

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