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MAPA CONCEPTUAL

MAPA CONCEPTUAL GENERAL PARA EL BLOQUE 1

 Texto base : CONCEPTOS RESALTADOS EN CLASE
TIRISTOR ASIMÉTRICO (ASCR)
Alumno: Guillermo Pazos
El hecho de que en numerosos circuitos de
potencia el tiristor disponga de un diodo en
antiparalelo ha dado lugar el desarrollo hacia
finales de los setenta de un nuevo tiristor en el
que se ha dejado de lado la capacidad de bloqueo
para obtener una conducción inversa libre con
característica similar a la de un diodo de silicio. La
estructura cristalina de la figura inferior tiene la
capa NI de espesor inferior a la del tiristor
convencional y su vecindad con la capa P1 está
fuertemente dopada. Así se impide la formación
de la zona de carga espacial y el estado de bloqueo
en la unión P1N1 con tensión inversa aplicada a
los terminales ánodo y cátodo.
Texto base : CONCEPTOS RESALTADOS EN CLASE
TIRISTOR BLOQUEADO POR PUERTA
Alumno: Guillermo Pazos
(GTO) (Bloqueado mediante un impulso de
corriente negativa en la puerta)
Estructura interna
La posibilidad antedicha del GTO se basa en una
geometría de la zona de puerta tal que la
influencia de esta sobre el resto de la pastilla es
mayor que en el tiristor convencional.
Para ello se ramifica el cátodo por gran parte de la
zona de puerta mediante una técnica de
interdigitación como se puede observar en la
ilustración inferior, de manera que la polarización
negativa de la puerta extrae más fácilmente los
portadores que saturan la unión de control cesando
el proceso regenerativo
que mantiene el estado de conducción.
El espesor reducido de la capa NI y su dopado más
Alumno: Guillermo Pazos
elevado libera parcialmente al tiristor
asimétrico del compromiso (tensión de bloqueo
elevada-tiempo de bloqueo dinámico bajo),
de manera que puede mejorarse una u otro, respecto
de los valores obtenidos en un tiristor convencional.
También es posible reducir las pérdidas en
conducción directa. En la figura inferior se
representan sus características eléctricas. Estos
tiristores son muy adecuados para la construcción de
troceadores e inversores con elevada frecuencia de
conmutación La intensidad media máxima de
circulación por el diodo antiparalelo puede ser menor
que por el tiristor y es especificada por el fabricante.
Los tiristores asimétricos se fabrican en una gama de
intensidades y tensiones algo inferior
a la de los tiristores unidireccionales ordinarios
explicada en el anteriormente
El GTO se inició en la década de los sesenta, pero no
Alumno: Guillermo Pazos
se han conseguido componentes útiles
comercialmente hasta la de los setenta. Su estructura
básica, símbolo y característica uAC — aparecen en
la Figura siguiente
. En conducción tiene más caída de tensión que el
tiristor convencional (unos 2,7 V frente a 1,7 V,
debido al mayor espesor exigido en la pastilla para
optimizar el apagado por puerta) y el mecanismo de
disparo es muy parecido. No obstante, el fabricante
suele recomendar mantener cierto nivel de corriente
positiva en la puerta durante el período de
conducción para asegurar que toda el área de la
pastilla se halle en conducción.
 Texto base : CONCEPTOS PROPUESTOS para trabajo fuera de clase
El tiempo de disparo es de 4 a 8 µs y el de
Alumno: Guillermo Pazos
bloqueo de 8 a 25 µs, y se necesita extraer por
puerta una intensidad de hasta un tercio de la que
circula por ánodo. Estos valores dependen del
modelo y de la propia intensidad de ánodo. Como
es necesario prever que esta sobrepase el valor
nominal del componente, teniendo que asegurarse
que puede efectuarse el bloqueo durante tal
sobrecarga, el circuito desexcitador de puerta no
resulta pequeño Sin embargo, el hecho de no
necesitar componentes de potencia auxiliares para
el bloqueo ha hecho del GTO un componente
apreciado en convertidores de gran potencia
cuando se busca, seguridad de funcionamiento y
robustez ante sobrecargas como
es el caso de las locomotoras eléctricas.
Texto base : CONCEPTOS PROPUESTOS para trabajo fuera de clase
En circuitos de gran potencia como los que se
Alumno: Guillermo Pazos
construyen con GTO, solo la tercera red suele
usarse, pues permite controlar la tensión máxima y
la derivada de tensión en el semiconductor (du/dt
= IA/C). Cuando la carga es muy inductiva, el
límite de la frecuencia de conmutación puede estar
marcado por la potencia que es razonable disipar
en la red protectora, más que por los tiempos de
disparo y bloqueo del GTO. Esta observación es
válida para cualquier semiconductor de potencia
empleado en un circuito y, por tanto, es necesario
tener en cuenta que la frecuencia máxima de
conmutación de un circuito electrónico de potencia
está condicionada por la rapidez del
semiconductor disponible, por
una parte, y por la propia topología y
funcionamiento del circuito de potencia, por otra.
Así,
los FET disponibles hoy, enormemente rápidos,
han obligado a investigar sobre circuitos
resonantes (que conmutan con intensidad baja,
disminuyendo las pérdidas de conmutación) para
poder elevar la frecuencia de las fuentes
conmutadas por encima de los 100 kHz y
aprovechar la rapidez de dichos interruptores.
Lo mismo que el tiristor convencional, el GTO
Alumno: Guillermo Pazos
puede realizarse en variante asimétrica con
conducción libre en sentido inverso. La anulación del
diodo P1N1 se efectúa de forma similar que en este,
es decir, introduciendo una zona de alto dopado N 1+
, que además puede ser distribuida en pequeñas islas
como se ve en la figura anterior.
Excitación y bloqueo GTO
El GTO se excita de forma análoga a un tiristor
convencional y se bloquea aplicando un impulso de
corriente negativo entre la puerta y el catodo, este
propicia el vaciado de portadores en la zona de
control y extingue el estado de regeneración de pares
electrón- hueco que mantiene encendido a todo
tiristor. Si la potencia del impulso de disparo es
pequeña y similar
a la del tiristor ordinario, la del impulso negativo de
bloqueo debe ser, por el contrarío, muy elevada. El
fabricante la especifica en intensidad, tensión y
duración, y puede llegar a necesitarse intensidades
del orden de hasta un tercio de la intensidad de
ánodo. Conviene considerar que, aunque el GTO no
exige componentes auxiliares para provocar el
bloqueo, sí suele necesitar una red acicaladora que
permita derivar la corriente de ánodo sin provocar
sobretensiones en el
circuito anejo que destruyan el componente.
Dicho de otro modo, el corte ultrarrápido de la
Alumno: Guillermo Pazos
intensidad de una rama de un circuito de potencia
(supuesto un semiconductor que lo realice y dada la
inevitable inductancia serie en dicha rama, al menos
la parásita del cableado) debe ir acompañado de un
diseño apropiado del resto del circuito para permitir
dicho corte sin provocar excesivas tensiones,
intensidades, derivadas de tensión ni derivadas de
intensidad en el semiconductor agente y en otros
componentes.
En la Figura inferior se representan las variaciones
de las intensidades y tensiones de ánodo y de puerta
durante el proceso de bloqueo de un GTO
 Texto base : CONCEPTOS PROPUESTOS para trabajo fuera de clase
Durante el intervalo t1 la región de puerta se vacía El GTO es un componente que comercialmente se ha

Alumno: Guillermo Pazos

Alumno: Guillermo Pazos

de portadores, comenzando a disminuir la destinado a intensidades y tensiones elevadas. Se

intensidad de ánodo al final de este. Se llama dispone de componentes de hasta 250 A medios y
tiempo de almacenamiento. La intensidad negativa 1.300 V de pico repetitivo con capacidad de bloqueo
de puerta crece lentamente debido a la inductancia directo e inverso, y de hasta 3.000 A y 4.500 V con
parásita en el control. El intervalo t2 o tiempo de capacidad
caída es el que transcurre desde que la intensidad de bloqueo directo exclusivamente, o GTO
de ánodo disminuye al 90% de su valor inicial asimétrico. Las cápsulas son ordinariamente de disco
hasta la entrada en funcionamiento efectivo de la con doble cara de refrigeración, como las ya vistas
red protectora o acicalador. Este retraso, que se en los diodos de potencia y en los tiristores
debe a la inductancia parásita LP asociada a ordinarios, y modulares paralelepipédicas. Dada la
los conductores y componentes de complejidad del circuito de control impuesto por
dicha red y al tiempo de recuperación directa del la extracción de corriente
diodo, debe minimizarse porque la disipación significativa
instantánea durante él es alta debido a la en el
coexistencia de intensidad de ánodo y tensión bloqueo, en
ánodo-cátodo elevadas. algunos
El intervalo t3 está determinado por los valores de casos se
la intensidad de ánodo a bloquear y del fabrican los
condensador C. No debe ser inferior a cierto valor GTO
para que la disipación instantánea en la pastilla no integrando
alcance un valor destructivo en estas
cápsulas
buena parte
del circuito de
excitación,
como se
puede a
continuació
n.

Texto base : CONCEPTOS RESALTADOS EN CLASE

TIRISTOR BIDIRECCIONAL: TRIAC Y Modos de conducción y de disparo del triac y

Alumno: Alba García Usón

Alumno: Alba García Usón

ALTERNISTOR.
El TRIAC (Triode AC semiconductor) es un
semiconductor capaz de bloquear tensión y
conducir corriente en ambos sentidos entre los
terminales T1 y T2.
Es un componente simétrico en cuanto a
conducción y estado de bloqueo. Tiene unas fugas
en bloqueo y una caída de tensión en conducción
prácticamente igual a las de un tiristor y el hecho
de que entre en conducción, si supera la tensión de
ruptura en cualquier sentido, lo hace casi inmune a
destrucción por sobretensión si la carga limita
corriente.
La estructura contiene seis capas, aunque funciona
siempre como un tiristor de cuatro. En sentido
T2T1 conduce a través de P1N1P2N2 y en sentido
T1T2 conduce a través de P2N1P1N4. La capa N3
facilita el disparo con intensidad de puerta
alternistor.
El triac y el alternistor pueden ser disparados en
cualquiera de los cuadrantes mediante la aplicación
entre los terminales puerta y T1 de un impulso
positivo o negativo. Esto le da una facilidad de
empleo grande y simplifica mucho el circuito de
disparo.
- Modo I
Terminal T2 positivo respecto a T1. Intensidad
de puerta entrante.
Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor
con emisor en cortocircuito, ya que la
metalización del terminal del cátodo
cortocircuita parcialmente la capa emisora N2
con la P2.
La corriente circula internamente hasta T1, en
parte por la unión P2N2 y en parte a través de la
zona P2.
negativa. Parte de los electrones inyectados alcanzan por
difusión la unión P2N1, que bloquea el potencial
exterior, y son acelerados por ella iniciándose la
conducción.

Observaciones :
 Texto base : CONCEPTOS RESALTADOS EN CLASE
- Modo II
Alumno: Alba García Usón
Terminal T2 positivo respecto a T1.
Intensidad de puerta saliente.
El disparo es similar al de los tiristores de
puerta de unión. Inicialmente conduce la
estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la
principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como en
un tiristor normal actuando T1 de puerta y P
de cátodo. Toda la estructura auxiliar se pone
a la tensión positiva de T2 y polariza
fuertemente la unión P2N2 que inyecta
electrones hacia el área de potencial positivo.
La unión P2N1 de la estructura principal que
soporta la tensión exterior, es invadida por
electrones en la vecindad de la estructura
auxiliar, entrando en conducción.
Texto base : CONCEPTOS RESALTADOS EN CLASE
- Modo IV
Alumno: Alba García Usón
Terminal T2 negativo respecto a T1.
Intensidad de puerta saliente.
También se dispara por el procedimiento de
puerta remota, conduciendo las capas
P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que
hacen más conductora la unión P2N1. La
tensión positiva de TI polariza el área
próxima de la unión P2N1 más positivamente
que la próxima a la puerta. Esta polarización
inyecta huecos de P2 a NI que alcanzan en
parte la unión N1P1 y la hacen pasar a
conducción.
Observaciones :
- Modo III
Alumno: Alba García Usón
Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad
de puerta entrante.
El disparo tiene lugar por puerta remota. Entra
en conducción la estructura P2N1P1N4.
La inyección de electrones de N2 a P2 es igual
al modo I. Los que alcanzan por difusión la
unión P2N1 son absorbidos por su potencial de
unión, haciéndose más conductora. El potencial
positivo de la puerta polariza más positivamente
el área de la unión P2N1, por lo que se provoca
una inyección de huecos de P2 a N1 que alcanza
en parte la unión N1P1 encargada de bloquear la
tensión exterior y se produce la entrada en
conducción.
Pastilla semiconductora, gama de características
Alumno: Alba García Usón
y cápsulas de triacs y alternistores.
La pastilla se fabrica a partir de un sustrato tipo N
mediante un proceso de dopados sucesivos similar al
empleado en los tiristores. Se utilizan máscaras para
el dopado selectivo de las áreas que darán lugar a las
zonas N2, N3 y N4.
 Texto base : CONCEPTOS PROPUESTOS para trabajo fuera de clase
TIRISTOR BIDIRECCIONAL: DIAC. La conducción ocurre cuando se alcanza el voltaje de

Alumno: Alba García Usón

Alumno: Alba García Usón

El DIAC es un componente electrónico preparado
para conducir en los dos sentidos de sus terminales
siempre que se llegue a su tensión de disparo.
ruptura, con cualquier polaridad, a través de los dos
terminales.
Una vez que tiene lugar la ruptura, la corriente fluye
en una dirección que depende de la polaridad del
voltaje en los terminales. El dispositivo se apaga
cuando la corriente cae abajo del valor de retención.

La curva característica del DIAC es igualmente

simétrica respecto del origen, pero sólo cuenta con
una curva, ya que no dispone de terminal de
puerta.

Texto base : CONCEPTOS PROPUESTOS para trabajo fuera de clase

Alumno: Javier Henriques-Gil

Alumno: Javier Henriques-Gil

TIRISTOR FOTOSENSIBLE:
Podemos dividir entre tiristores fotosensibles
pequeños y de gran potencia:
Pequeños: La acción combinada de la tensión
ánodo- cátodo, la temperatura y la radiación
electromagnética de longitud de onda apropiada
puede provocar, en un tiristor con una capsula
preparada para la penetración de esta, la elevación
de la corriente de fugas de la pastilla por encima
del valor crítico. El poder energético de la
radiación electromagnética disminuye al aumentar
la longitud de onda, pero el grado de penetración
en el cristal semiconductor sobre el que incide
aumenta.

Observaciones :
 Texto base : CONCEPTOS PROPUESTOS para trabajo fuera de clase
TIRISTORES FOTOSENSIBLES DE

Alumno: Javier Henriques-Gil

Alumno: Javier Henriques-Gil

POTENCIA.
Uno de los problemas a resolver en gran parte de
los circuitos de disparos de los tiristores es su
aislamiento galvánico respecto de la fuente de
energía general para que puedan seguir en tensión
las evoluciones del cátodo del dispositivo al que
sirve. Bien es cierto que en aparatos donde se
busca la máxima simplificación y solo hay un
tiristor, o varios con el cátodo unido, suele
acoplarse el circito de disparo directamente,
dejando al transformador de alimentación del
mismo la misión de aislarlo galvánicamente de su
fuente. En general, el problema del aislamiento
suele resolverse para pequeñas potencias con
transformadores de impulso, y para grandes
potencias, mediante fuentes flotantes
individualmente aisladas, circuitería generadora
del impulso adecuado y un dispositivo
desencadenante del disparo. Suele ser un diodo o
transistor fotosensible.

Texto base : CONCEPTOS PROPUESTOS para trabajo fuera de clase

Alumno: Javier Henriques-Gil

Alumno: Javier Henriques-Gil

SCS.
El SCS (silicon controlled switch):
Su estructura es como la de un tiristor pero tiene,
además la terminal PC (Puerta catódica)
conectando a la capa P2, otro terminal PA(puerta
anódica) conectando a la capa N!. El
funcionamiento es similar al del tiristor
convencional con la salvedad de que también
puede dispararse mediante un circuito conectado
entre A y PA que produzca un impulso de
intensidad saliente por este terminal. Puede
asimismo bloquearse con un impulso entrante en
PA
El bloqueo por impulso en Pa se basa en la
polarización inversa a qe queda sometida la unión
P1N1, que deja automáticamente de conducir.
Taambién es posible el bloqueo mediante impulso
negativo entre PC y C, pero se necesita una
resistencia exterior que limite la corriente de
ánodo a un valor adecuado.

Observaciones :