Universidad Nacional Autónoma de

México

Facultad de Ingeniería

Laboratorio de Dispositivos electrónicos.

Practica 1 “Conceptos Básicos y manejo de equipo”.

Profesor: ING. JAVIER LOPEZ VELAZQUEZ.

Alumnos: Aguirre Vergara Christopher Wilding
Lozada Barrón Erick Daniel

Fecha de entrega: 26 de febrero de 2020.

Objetivos:
 Obtener y analizar las curvas características del diodo semiconductor.

Introducción:
Los diodos son un elemento fundamental dentro de la electrónica, sin embargo, antes de hacer un
análisis sobre su comportamiento es necesario un breviario sobre el concepto base; ¿Qué es un
diodo? Un diodo es un dispositivo semiconductor que actúa esencialmente como un interruptor
unidireccional para la corriente. Permite que la corriente fluya en una dirección, pero no permite a la
corriente fluir en la dirección opuesta. Los diodos también se conocen como rectificadores porque
cambian corriente alterna (CA) a corriente continua (CC) pulsante. Los diodos se clasifican según su
tipo, voltaje y capacidad de corriente.
Los diodos están construidos de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en él para
crear una región que contenga portadores de carga negativa (electrones), llamada semiconductor de
tipo n, y una región en el otro lado que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada
semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de
estas dos regiones, llamado una unión PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. Al igual
que otros elementos dentro de un circuito tienen un símbolo. Se muestra a continuación:

Fig. 1. Símbolo esquemático de un diodo.

Como podemos observar en el símbolo esquemático existen algunos elementos del diodo que no
hemos descrito. Los diodos tienen una polaridad determinada por un ánodo (terminal positivo) y un
cátodo (terminal negativo). La mayoría de los diodos permiten que la corriente fluya solo cuando se
aplica tensión al ánodo positivo. Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar
el polo positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. Para la polarización
negativa, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que
hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor
de la tensión de la batería. En un diodo puede resultar confuso identificar sus terminales, por este
motivo el dispositivo físicamente presenta una banda de color, que distingue al catado como la
terminal más cercana a la banda.

Fig. 2 Terminales de un diodo

Hemos descrito de forma breve la constitución de un diodo semiconductor y como identificar las
terminales en el elemento físico. Para nuestra práctica será necesario hacer un breve análisis de un
diodo en particular. Nos referimos al diodo Zener. Un diodo Zener es un diodo de silicio fuertemente
dopado que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas.
Si a un diodo Zener se le aplica una tensión eléctrica positiva del ánodo respecto a la negativa en el
cátodo (polarización directa) toma las características de un diodo rectificador básico (la mayoría de
casos), pero si se le suministra tensión eléctrica positiva de cátodo a negativa en el ánodo
(polarización inversa), el diodo mantendrá una tensión constante. No actúa como rectificador sino
como un estabilizador de tensión. En conclusión: el diodo Zener debe ser polarizado inversamente
para que adopte su característica de regulador de tensión. Variando la tensión V a valores mayores
que la tensión de ruptura del Zener, Vz se mantiene constante. Al igual que cualquier elemento de un
circuito este diodo posee su propio símbolo esquemático.

Fig. 3 Símbolo esquemático de un diodo Zener

Es importante resaltar que cualquier diodo presenta una curva característica que describe su
funcionamiento. Nosotros presentaremos a continuación las curvas características para tres tipos de
diodo en las siguientes circunstancias: Diodo ideal, diodo real y la curva del diodo Zener. La
siguiente curva representa el comportamiento de un diodo ideal.

Fig. 4 Curva característica de un diodo ideal

Las características de un diodo ideal son las de un interruptor que puede conducir corriente en una
sola dirección.
Sabemos perfectamente que existen muchas condiciones que interfieren con que un diodo pueda
comportarse de forma ideal. Es por ello que existe una curva definida para lo que realmente sucede
con un diodo de forma real.

Fig. 4 Curva característica de un diodo real.

Como puede apreciarse este modelo no da cuenta de la tensión de ruptura en inversa. El modelo
puede completarse mediante la adición de nuevos parámetro que incluyan efectos no contemplados
en la teoría básica. Algunos modelos empleados en los programas de simulación por ordenador
constan de hasta quince parámetros, sin embargo, a la hora de realizar cálculos sobre el papel
resulta poco práctico utilizar un modelo complejo, por lo cual se utilizan modelos básicos para
obtener soluciones de modo más simple.
Por ultimo presentamos el grafico correspondiente al diodo Zener:

Fig. 5 Curva característica de un diodo Zener

Analizando la curva V-I del diodo se ve que conforme se va aumentando negativamente el voltaje
aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy poco. Pero una vez que se llega a un
determinado voltaje, llamada voltaje o tensión de Zener (Vz), el aumento del voltaje (siempre
negativamente) es muy pequeño, pudiendo considerarse constante.

Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo, puede variar en un gran rango de valores. A
esta región se le llama la zona operativa y es la característica del diodo zener que se aprovecha
para que funcione como regulador de voltaje, pues el voltaje se mantiene prácticamente constante
para una gran variación de corriente.
Un último concepto, y no por ello menos importante es el de voltaje inverso de pico en un diodo
semiconductor. El Voltaje Pico Inverso (PIV) de un diodo es el voltaje que tiene que soportar entre
sus terminales cuando no está conduciendo. Tiene que ser inferior al voltaje de ruptura (Break Down)
especificado por el fabricante, ya que en caso contrario el diodo se puede dañar. El voltaje de ruptura
especificado por el fabricante debe ser por lo menos 20% mayor que el PIV.

El diodo tiene un modelo matemático que nos permite analizar todos los aspectos de la ecuación de
shockley que es la que describe de mejor forma su comportamiento. El modelo matemático más
empleado en el estudio del diodo es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que
permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las aplicaciones. La ecuación que
liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde:
 En I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo.
 IS es la corriente de saturación
 q es la carga del electrón
 T es la temperatura absoluta de la unión
 k es la constante de Boltzmann
 n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que suele
adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
 El término VD es la diferencia de tensión entre sus dos extremos.

Material y equipo:
 4 diodos 1N4007
 Multímetro
 2 diodos zener de 5.1 V @ ½ W (Se les sugiere estos números de parte:1N751 o 1N5231 o
1N3826; este último es a 1W)
 2 resistencias de 220 Ω @ ½ W
 2 resistencias de 100 Ω @ ½ W
 1 potenciómetro de 1KΩ con cables soldados en sus terminales.
 Tableta para proyectos
 6 cables banana-caimán
 6 cables caimán-caimán
 3 cables BNC-caimán (Obligatorios)
 Pinzas de corte y de punta
 Alambre calibre 22
Desarrollo y resultados:
Experimento 1
La primer parte de nuestra practica consiste en medir el voltaje de nuestro diodo (semiconductor y
Zener) en polarización directa. Para ello será necesario armar el circuito con el diodo semiconductor
como se muestra a continuación.

Fig. 6. Circuito con diodo semiconductor.

Nota: Es importante mencionar que en nuestro laboratorio no cuenta con fuentes de

corriente, apoyados con la fuente de voltaje y un circuito diseñado para suplir la fuente de
corriente es como podremos improvisar este elemento del circuito. Se anexa imagen del
circuito para la fuente de corriente.

Fig. 7. Circuito para implementar fuente de I.

Procedemos a realizar las medidas experimentales de voltaje en nuestro diodo semiconductor donde
se obtienen los siguientes resultados. De inmediato se anexan los datos obtenidos mediante
simulación.

A) ID [A] Valor nominal VD [V] B) ID [A] Valor nominal VD [V]

10 µ 391 mV 10 µ 297.345 mV
50 µ 450 mV 50 µ 380.47 mV
100 µ 480 mV 100 µ 416.311 mV
200 µ 510 mV 200 µ 452.162 mV
300 µ 528 mV 300 µ 473.138 mV
400 µ 542 mV 400 µ 488.022 mV
500 µ 554 mV 500 µ 499.568 mV
600 µ 562 mV 600 µ 509.003 mV
700 µ 570 mV 700 µ 516.981 mV
800 µ 577 mV 800 µ 523.893 mV
900 µ 582 mV 900 µ 529.989 mV
1 mA 590 mV 1 mA 535.444 mV
2 mA 621 mV 2 mA 571.341 mV
3 mA 640 mV 3 mA 592.358 mV
4 mA 655 mV 4 mA 607.282 mV
5 mA 664 mV 5 mA 618.867 mV
Se 6 mA 673 mV 6 mA 628.341 mV
anexa 7 mA 680 mV 7 mA 636.358 mV
imagen 8 mA 687 mV de 8 mA 643.308 mV
9 mA 690mV 9 mA 649.444 mV
10 mA 697mV 10 mA 654.937 mV
15 mA 715 mV 15 mA 676.125 mV
20 mA 728 mV 20 mA 691.221 mV
nuestro circuito simulado.

Tablas 1. A) Valores experimentales y B) con los valores de la simulación

Conclusión: Lo primero que podemos observar en los cálculos de los voltajes de la parte
experimental es que son bastante distintos a los valores de los simulados pero no debemos olvidar
que los voltajes se encuentran en mili volts por lo cual no debería suponer un gran problema al ser
voltaje pequeño. Para poder justificar estos errores tenemos que al momento de modificar la
corriente con el potenciómetro los valores no eran exactos a los de la tabla y también consideramos
que un factor pudo ser las resistencias internas que tienen los cables para poder medir el voltaje.

Procedemos a realizar el mismo armado del circuito ahora con un diodo Zener. Se muestra a
continuación el esquema.

FIG. 9. Circuito en corriente directa con Diodo Zener

De nueva cuenta realizamos mediciones experimentales con ayuda de nuestro multímetro,
correspondientes al voltaje de nuestro diodo en corriente directa. De igual forma procedemos a
simular en software nuestro circuito obteniendo los siguientes resultados.
 A) ID [A] Valor B)
VD [V]
ID [A] Valor nominal VD [V] nominal
10 µ 418.855 mV
10 µ 602 mV 50 µ 460.869 mV
50 µ 641 mV 100 µ 478.913 mV
100 µ 649 mV 200 µ 496.947 mV
200 µ 684 mV 300 µ 507.467 mV
300 µ 697 mV 400 µ 514.949 mV
400 µ 707 mV 500 µ 520.752 mV
500 µ 711 mV 600 µ 525.493 mV
600 µ 722 mV
700 µ 529.501 mV
700 µ 727 mV
800 µ 532.974 mV
800 µ 731 mV
900 µ 536.036 mV
900 µ 734 mV
1 mA 736 mV 1 mA 540.036 mV
2 mA 764 mV 2 mA 556.799 mV
3 mA 786 mV 3 mA 567.342 mV
4 mA 809 mV 4 mA 574.822 mV
5 mA 825 mV 5 mA 580.624 mV
6 mA 842 mV 6 mA 585.364 mV
7 mA 856 mV 7 mA 589.372 mV
8 mA 874 mV 8 mA 592.844 mV
9 mA 889 mV 9 mA 595.906 mV
10 mA 906 mV
10 mA 598.646 mV
15 mA 1021 mV
15 mA 609.188 mV
20 mA 1130 mV
20 mA 616.668 mV

Tablas 2. A) Tabla experimental y B) Tabla de valores simulados.

Se anexan el diagrama del

circuito simulado:
 FIG. 10. Circuito en corriente directa con Diodo Zener

Conclusión: En este segundo circuito difieren aún más los valores calculados en la parte
experimental con la parte simulada. En este caso al igual que el primer circuito creemos que la
consecuencia de estos resultados tan variados es por la precisión de los aparatos y las resistencia
interna de los cables algo que en la simulación no sucede ya que esta es el circuito ideal sin ningún
error.
Experimento 2:
El desarrollo de este experimento nos permitirá observar el comportamiento de nuestros diodos en
corriente inversa, y podremos realizar una comparación mas acertada del aspecto teórico y el
experimental. De nueva cuenta iniciaremos con el diodo 1N4007, polarizándolo en corriente
inversa, Utilizaremos una fuente de voltaje y una resistencia. Tomaremos mediciones del corriente y
voltaje.

FIG. 11. Circuito en corriente Inversa con Diodo 1N4007

A) B)
Vcc [V] ID [A] VD [V] Vcc [V] ID [A] VD [V]
1 0 954 mv 1 32.996 nA 999.989 mV
2 0 1.972 V 2 34.039 nA 2V
3 0 3V 3 35.039 nA 3V
4 0 3.95 V 4 36.06 nA 4V
4.5 0 4.48 V 4.5 36.504 nA 4.5 V
5 0 4.99 V 5 37.037 nA 5V
5.5 0 5.46 V 5.5 37.57 nA 5.5 V
6 0 5.96 V 6 38.103 nA 6V
6.5 0 6.43 V 6.5 38.547 nA 6.5 V
7 0 6.97 V 7 39.08 nA 7V
7.5 0 7.53 V 7.5 39.613 nA 7.5 V
8 0 7.96 V 8 40.057 nA 8V
9 0 9.02 V 9 41.034 nA 9V
10 0 10.02 10 42.1 nA 10 V

Tablas 3. A) Tabla experimental y B) Tabla de valores simulados.

Se anexan imágenes del armado de nuestro circuito en la simulación:

FIG. 12. Circuito en corriente inversa con diodo 1N4007

Conclusiones: En este tercer circuito lo destacable son las corrientes ya que en la parte si nos
aparecen valores pero al momento de calcularlos en el laboratorio nos marcaba un valor de cero.
Esto es debido a la colocación del diodo en sentido inverso; en la teoría nos enseñaron que cuando
está colocado de esta manera los diodos funcionan como un interruptor y no permiten el paso de la
corriente pero la verdad es que si pasa un corriente pero es mínima (nano Amperes) por eso se
desprecia. Y la razón por la cual no nos marcaba ninguna lectura en el multímetro era que este solo
media hasta mili Amperes.

Realizamos de nueva cuenta las mediciones de voltaje y corriente, para nuestro diodo zener en
corriente inversa.

FIG. 10. Circuito en corriente inversa con diodo Zener

Con ayuda de nuestro multímetro realizamos las mediciones de corriente y voltaje. Los datos se
anexan en la siguiente tabla, además se simulo el circuito en software y de igual forma se recaban
los datos en una tabla, ambas están a continuación.
A) B)

Vcc [V] ID [A] VD [V] Vcc [V] ID [A] VD [V]

1 0 870 mV 1 197.065 nA 999.935 mV
2 0 1.895 V 2 394.129 nA 2V
3 0.005 mA 2.94 V 3 591.172 nA 3V
4 0.093 mA 3.93 V 4 788.58 nA 4V
4.5 0.291 mA 4.35 V 4.5 886.757 nA 4.5 V
5 0.733 mA 4.67 V 5 55.191 µa 4.982 V
5.5 1.430 mA 4.84 V 5.5 1.374 mA 5.046 V
6 2.355 mA 4.95 V 6 2.845 mA 5.061 V
6.5 3.418 mA 5.02 V 6.5 4.335 mA 6..069 V
7 5.50 mA 5.10 V 7 5.832 mA 5.075 V
7.5 6.71 mA 5.13 V 7.5 7.334 mA 5.08 V
8 8.32 mA 5.15 V 8 8.837 mA 5.084 V
9 10.85 mA 5.18 V 9 11.85 mA 5.09 V
10 13.92 mA 5.21 10 14.866 mA 5.094 V
Conclusiones: En este último circuito pudimos observar que los únicos valores que difieren son los
dos primeros y la razón es la misma que la explicada en el circuito anterior y en el caso de la
diminuta variación en los valores de los voltajes la explicación que tenemos es la misma que en los
Tablas 4. A) Tabla experimental y B) Tabla de valores simulados.
primeros circuitos. Lo que podemos resaltar de este circuito es que en este caso aunque el diodo
estuviera en sentido inverso este si permitía un paso de corriente, esto debido a que es un diodo
Zener.

Grafica diodo semiconductor en directa experimental

0.03

0.02

0.02

0.01

0.01

0
350 400 450 500 550 600 650 700 750

Grafica diodo semiconductor en directa simulada

ID [A] Valor nominal

0.03

0.02

0.02

0.01

0.01

0
250 300 350 400 450 500 550 600 650 700 750
Comparación: Como podemos observar en estas graficas las dos tienen el mismo comportamiento,
pero estos tienen una pequeña variación en su comienzo, en la parte simulada empieza antes que
los valores experimentales y al igual terminan antes los valores simulados a comparación del
experimental.

Grafica del diodo Zener en directa valor experimentales

ID [A] Valor nominal

0.03

0.02

0.02

0.01

0.01

0
500 600 700 800 900 1000 1100 1200

Grafica del diodo Zener en directa valores simulados

ID [A] Valor nominal

0.03

0.02

0.02

0.01

0.01

0
400 450 500 550 600 650
Comparaciones: En este caso es donde más errores se encuentran ya que el comportamiento en el
caso de la simulación tiene una forma congruente (exponencial), mientras que en el caso de la
gráfica experimental este se empieza a ver más como una forma lineal pero los errores asociados a
esto se explicaron anteriormente en los cálculos del diodo Zener

Grafica diodo semiconductor en inversa valores experimentales

Grafica Zener Exp

14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0 200 400 600 800 1000 1200

Grafica diodo semiconductor en inversa valores simulados

12

10

0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
Comparación: En estas graficas parece que hay mucha diferencia, pero es todo lo contrario, lo que
hace que se vea así son las corrientes. En la gráfica de cálculos experimentales los valores son cero,
pero esto es porque al momento de poner el diodo de forma inversa este se comporta como un
circuito abierto y en teoría no pasa corriente. Por otro lado en la gráfica simulada si se tomaron los
valores aunque fueran muy pequeños.

Grafica diodo Zener en inversa valores experimentales

ID [A]
0.02

0.01

0.01

0.01

0.01

0.01

0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5

Grafica diodo Zener en inversa valores simulados

 ID [A]
0.02

0.01

0.01

0.01

0.01

0.01

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16

Comparación: En esta grafica ocurre exactamente lo contrario a la gráfica del diodo Zener en
polarización directa. Aunque los datos son muy parecidos entre los dos el comportamiento si se ve
muy distinto. Por parte de los datos experimentales se muestra una forma exponencial con una
tensión más contante mientras que en la gráfica de los valores simulados a los 10 volts deja de
comportarse como exponencial y se comporta como una recta y si cambia mucho el voltaje
Ahora con la ecuación para poder calcular la corriente en el diodo:

VD
ID=IS( e nVT −1)

Determinaremos los valores de n VT e IS con los valores experimentales obtenidos anteriormente del
circuito con el diodo semiconductor en directa

VD 2−VD 1 697 x 10−3−590 x 10−3

n VT exp= =
ID 2 10 x 10−3
ln ln
ID 1 1 x 10−3

n VT exp=0.04647[V ]

ID 2 10 x 10−3
Is exp= VD 2
= 697 x 10
−3

nVT exp 0.04647

e e
 −9
Is exp=3.0623 x 10 [ A ]

Ahora para el diodo Zener en directa hacemos los mismos cálculos de n VT e IS

VD 2−VD 1 906 x 10−3−736 x 10−3

n VT exp= =
ID 2 10 x 10−3
ln ln
ID 1 1 x 10−3

n VT exp=0.07383[V ]

ID 2 10 x 10−3
Is exp= VD 2
= −3
906 x 10
nVT exp 0.07383
e e

−8
Is exp=4.6836 x 10 [ A]

Nota: Al revisar los cálculos entregados en la clase notamos que el valor de la corriente es distinta (
4.6836) esto debido a un error al momento de escribir el resultado, olvidamos colocar la multiplicación
de x 10−8

Graficando las tablas:

Grafica diodo semiconductor en directa

ID [A] Valor VD [V]

experimenta
l
1.38E-05 0.391
4.92E-05 0.45
9.37E-05 0.48
0.000179 0.51
0.000263 0.528
0.000356 0.542
0.000461 0.554
0.000547 0.562
0.00065 0.57
0.000756 0.577
 0.000842 0.582
0.001 0.59
0.001949 0.621
0.002933 0.64
0.00405 0.655
0.004916 0.664
0.005966 0.673
0.006936 0.68
0.008064 0.687
0.008602 0.69
0.01 0.697
0.014731 0.715
0.019486 0.728

ID [A] Valor experimental

2.50E-02

2.00E-02

1.50E-02

1.00E-02

5.00E-03

0.00E+00
0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75

Grafica del diodo Zener en directa

ID [A]
VD [V] Valor
nominal
0.602 0.000163
0.641 0.000276
0.649 0.000308
0.684 0.000494
0.697 0.00059
0.707 0.000675
0.711 0.000713
0.722 0.000827
0.727 0.000885
0.731 0.000934
 0.734 0.000973
0.736 0.001
0.764 0.001461
0.786 0.001968
0.809 0.002688
0.825 0.003338
0.842 0.004203
0.856 0.00508
0.874 0.006483
0.889 0.007943
0.906 0.01
1.021 0.047475
1.13 0.207799

ID [A] Valor nominal

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2

Conclusiones:
Aguirre Vergara Christopher Wilding: En muchas ocasiones el aprendizaje y conocimiento
impartidos en teoría no va en orden con los conocimientos experimentales que se refuerzan en el
laboratorio. En esta práctica quedo completamente demostrados los conceptos teóricos para el
comportamiento de los diodos. En particular el funcionamiento bajo las dos polarizaciones de un
diodo semiconductor y un diodo Zener. En el caso del diodo semiconductor es de resaltar como tiene
un comportamiento de circuito abierto cuando está sometido a polarización inversa, lo cual provoca
un paso de corriente casi nulo, aproximándose al modelo ideal, si bien existe una corriente, esta
ronda su valor en el orden de los nano Amperes, por lo cual podría despreciarse. Otro aspecto para
resaltar fue el comportamiento de nuestro diodo Zener como un elemento de gran ayuda en la
regulación de voltaje. Ya que en corriente directa y dado los valores nominales del fabricante,
mantuvo una tensión constante.
Lozada Barrón Erick Daniel: En esta segunda practica se vio los diodos semiconductores y los
diodos Zener como es su voltaje y corriente cuando se colocan en forma directa, en forma inversa y
también su curva característica de los diodos. En el caso del diodo semiconductor se pudo
comprobar que cuando se coloca de forma directa como dice en la teoría se comporta como circuito
abierto mientras que cuando se coloca en forma inversa esta se comporta como un circuito abierto y
no nos marca corriente. Mientras que en el diodo Zener pudimos observar que este si llega a regular
el voltaje de nuestro circuito. También se calculó la ecuación de Shockley para encontrar la corriente
experimental de los diodos conectados en directa para ver su comportamiento de nuestros cálculos
experimentalmente y se puede observar que nuestros cálculos son correctos ya que la curva que
tienen se parecen a los que se pueden ver en la teoría.

Bibliografía
 SEDRA, SMITH Circuitos Microelectrónicos 4a. edición México Oxford University Press, 1999