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V E ε
Condensador con dieléctrico: C = k ·C 0 ; V = 0 ; E = 0 ; ε r = =k
k k ε0
1 1 Q2 1
Energía almacenada en un condensador: U = Q·V = = C·V 2
2 2 C 2
1 2
Densidad de energía y energía total del campo eléctrico: u E = ·ε 0 ·E ; U = u E ·dV
2 ∫V
1
Fundamentos Físicos de la Ingeniería Robótica FORMULARIO
dQ I = n q S va
Intensidad de corriente: I=
dt
! dI ! ! ! I
Densidad de corriente: j = u ⇒ I = ∫ j ⋅ dS j uniforme: j= = n q va
dS N S SN
L 1
Ley de Ohm: V = R⋅I ; Resistencia: R=ρ⋅ ; Conductividad: σ=
S ρ
Asociación de resistencias en serie: Re = ∑ Ri ; y en paralelo: 1 = ∑ 1
i Re i Ri
! !
Ley de Ohm vectorial: j = σ ⋅ E ;
V2
Potencia disipada en resistencia: P = I 2R = ;
R
Potencia aportada a un tramo de circuito recorrido por I: P = I ⋅V
TEMA 3: INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA
" VV0 %
Ecuación de Shockley: I(V ) = I 0 $ e −1 '
# &
v q
1
Movimiento circular uniforme de radio:
r=
m⋅v
w= = ⋅B w = 2πf f =
q⋅B r m T
! ! !
Fuerza sobre un tramo recto de corriente: F = I ⋅l × B
! ! !
Fuerza sobre un tramo cualquiera de corriente: F = I ⋅ ∫L dl × B
! !
Momento dipolar magnético: m = I ⋅S ;
! ! ! !
Momento sobre una espira de momento dipolar m inmersa en un campo magnético: τ = m × B
! ! !
Energía potencial de una espira de momento dipolar m inmersa en un campo magnético: U = − m ⋅ B ;
!
" µ 0 I d l × u!r
Ley de Biot-Savart: B= ∫
4π r2
Campo magnético sobre el eje de una espira circular:
µ0 2 ⋅ π ⋅ R 2 ⋅ I
B= ⋅
4 ⋅ π (x 2 + R 2 )3 / 2
! ! ! !
Flujo de campo magnético : φB = ∫ B ⋅ dS ; Ley de Gauss para campo magnético: φB = ∫ B ⋅ dS = 0
S
SC
! !
Ley de Ampère: ∫ B ⋅ dl = µ 0 ⋅ I e
L
2
Fundamentos Físicos de la Ingeniería Robótica FORMULARIO
µ0 ⋅ I
Campo magnético corriente rectilínea: B= y en el interior de solenoide: B = µ0 ⋅ n ⋅ I
2π r
Autoinducción en un solenoide:
φB N 2S
L= = µ0 = µ0 n 2 S l
I l
Asociación de autoinducciones:
1 1
en serie: Le = ∑ Li y en paralelo: =∑
i Le i Li
3
Fundamentos Físicos de la Ingeniería Robótica FORMULARIO
1 B2
Densidad de energía electromagnética: u = uE + uB = ε 0 E 2 + = ε 0 E 2 = B 2 / µ0
2 2µ 0
c
Índice de refracción: n= ε r µr =
v
Intensidad para una sola malla: ∑ ε ; Más de una malla: métodos de resolución de circuitos
i
I= i
R T
Diferencia de potencial: V −V = ∑ I ⋅ R − ∑ε
A B i i j
i j
I0 ε0
Valores eficaces: Ie = εe =
2 2
V Ve ϕ
Resistencia: R = = = R 0º =R
I Ie ϕ
V Ve ϕ
Reactancia inductiva: XL = = = X L 90 º = j X L siendo: XL=Lw
I I e ϕ − 90 º
V Ve ϕ
Reactancia capacitiva: X C = = = X L − 90 º = − j X C siendo: XC=1/Cw
I I e ϕ + 90 º
V V θ
Impedancia: Z = = =Z ϕ
I I α
XL − XC
Siendo: Z = R 2 + ( X L − X C ) 2 = R 2 + ( Lw − 1 / Cw) 2 y ϕ = arctg
R
1 1
Asociación de impedancias: Serie: ZT = ∑ Z i ; Paralelo: =∑
i ZT i Zi
Potencia compleja: S = S ϕ = V ⋅ I * = Ve I e ϕ = P + jQ