Características de los transistores 

El transistor produce resultados que pueden ser comparables a los de un tubo de vacío, pero
hay una diferencia básica entre los dos dispositivos.
El tubo de vacío es un dispositivo controlado por tensión mientras que el transistor es un
dispositivo controlado por corriente. Un tubo de vacío funciona normalmente con su rejilla
polarizada en el sentido negativo, o de alta resistencia, y su placa está polarizada en sentido
positivo, o de baja resistencia. El tubo conduce sólo por medio de electrones, y su
contrapartida en cuanto a conducción es el transistor NPN, cuyos portadores mayoritarios
son siempre electrones. No hay equivalente de tubo de vacío para los transistores PNP,
cuyos portadores mayoritarios son los huecos.
El transistor se puede conmutar en corte y conducción variando la polarización en el
electrodo de base con respecto al potencial de emisor. Ajustando la polarización a un punto
situado aproximadamente a mitad de camino entre el corte y la saturación se situará el
punto de trabajo del transistor en la región activa de funcionamiento. Cuando funciona en
esta región el transistor es capaz de amplificar. Las características de un transistor
polarizado en la región activa se pueden expresar en términos de tensiones de electrodo y
de corrientes lo mismo que en los tubos de vacío.
El comportamiento del transistor se puede analizar en términos matemáticos por medio de
ecuaciones que expresan las relaciones entre sus corrientes, tensiones, resistencias y
reactancias. Estas relaciones se denominan parámetros híbridos y definen los valores
instantáneos de tensión y de corriente que existen en el circuito sometido a examen. Los
parámetros permiten predecir el comportamiento del circuito en particular sin construirlo
realmente.
A continuación se enumeran algunos de los parámetros más útiles en las aplicaciones del
transistor:
1. Ganancia de tensión: Se expresa como razón de la resistencia de salida a la
resistencia de entrada. La resistencia de entrada de un transistor típico es baja,
aproximadamente 500 ohmnios, mientras que la resistencia de salida es relativamente
alta, ordinariamente más de 20.000 ohmnios. Para un transistor de unión la ganancia de
resistencia suele ser mayor de 50.
2. Ganancia de tensión: Es el producto de alfa y la ganancia de resistencia. Aunque
un transistor de unión tenga un valor de alfa menor que la unidad, si por el contrario
posee una ganancia de resistencia del orden de 2.000 a causa de que su resistencia de
salida es extremadamente alta, la ganancia de tensión será aproximadamente 1.800
3. Ganancia de potencia: Es el producto de alfa elevado al cuadrado y la ganancia de
resistencia. Es del orden de 400 o 500.
Hay tres configuraciones básicas: conexión de base a masa, conexión de emisor a masa y
conexión de colector a masa. Las tres corresponden, aproximadamente, a los circuitos de
rejilla a masa, cátodo a masa y placa a masa en la terminoogía del tubo de vacío.
El circuito de base a masa tiene baja impedancia de entrada y alta impedancia de salida, y
desde el circuito de entrada hasta el de salida no se produce inversión de fase de la señal. El
circuito de emisor a masa tiene una impedancia de entrada más alta y una impedancia de
salida más baja que el circuito de base a masa, y se produce una inversión de fase entre la
señal de entrada y la de salida. Esto proporciona ordinariamente la máxima ganancia de
tensión en un transistor. El circuito de colector a masa tiene impedancia de entrada
relativamente alta, impedancia de salida baja y no produce inversión de fase de la señal
desde el circuito de entrada hasta el de salida. La ganancia de potencia y la ganancia de
tensión son ambas bajas.
 Parámetros característicos del transistor
En este capítulo, se exponen los principales parámetros que se utilizarán para el trabajo con
transistores.
Parámetro α

El parámetro α de un transistor indica la relación de semejanza que se produce en la

corriente de colector y las variaciones de las corrientes del emisor.

Así por ejejmplo, en el caso de que en un transistor se haya medido una variación de la
corriente de colector de 7.92 mA, entre dos puntos de funcionamiento, y una variacioón de
8 mA en la corriente de emisor, tendremos que:

Dado que la corriente de base, suele ser muy pequeña, en la mayor parte de los transistores
el valor del parámetro α se acerca a la unidad.
Ganancia de corriente o parámetro β de un transistor

La circunstancia de que una pequeña corriente de base controle las corrientes de emisor y
colector mucho más elevadas, indica la capacidad que posee un transistor para conseguir
una ganancia de corriente. Así, la ganancia de corriente de un transistor es la relación que
existe entre la variación o incremento de la corriente de colector y la variación de la
corriente base.

Así, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una variación de corriente
de colector de 8 mA y de 0.08 mA en la corriente de base, la ganancia será:

La ganancia de corriente de los transistores comerciales varía bastante de unos a otros. Así,
nos podemos encontrar transistores de potencia que poseen una β de tan sólo 20. Por otro
lado, los transistores de pequeña señal pueden llegar a tener una β de 400. Por todo ello, se
pueden considerar qe los valores normales de este parámetro se encuentran entre 50 y 300.
En las tablas de especificaciones técnicas, que facilitan los fabricantes de transistores, en
vez de utilizarse la β para identificar la ganancia de corriente, se suele utilizar hFE. Así por
ejemplo, para el transistor de referencia BC108 se lee en sus hojas de características, una
hFE entre 150 y 290; lo que nos indica que la ganancia de corriente de este transistor, puede
encontrarse entre estos valores.
¿Cómo es posible que en las hojas de características del transistor BC 108 nos indiquen que posee
una ganancia comprendida entre 150 y 290?

La respuesta está en que la ganancia de corriente de un transistor varía de una forma

sustanciosa con la corriente de colector. Además, la temperatura ambiente influye
positivamente en el aumento de dicha corriente. Hay que pensar que al aumentar la
temperatura de la unión del diodo colector aumenta el número de portadores minoritarios y,
por tanto, se produce un aumento de la corriente de colector.
Para poder cuantificar este fenómeno, los fabricantes de transistores proporcionan, en las
hojas de especificaciones técnicas, curvas de ganancia de corriente, donde se relacionan las
variaciones que sufre β con respecto a la corriente de colector y a la temperatura ambiente.
En estas curvas, se puede apreciar cómo la ganancia de corriente aumenta hasta un valor
máximo mientras la corriente de colector aumenta; sobrepasado ese límite, para mayores
valores de dicha corriente, la ganancia decrece. También, se hace observar la existencia de
tres curvas distintas, que indican diferentes condiciones de trabajo para diferentes
temperaturas ambiente.
Cuando se diseña un circuito con transistores hay que tener en cuenta estas variaciones de
la ganancia de corriente, de lo contrario se podrían cometer errores sustanciales, que
invalidarían las condiciones de trabajo requeridas por el diseño inicial.
Relación entre los parámetros α y β
Combinando las expresiones de los parámetros anteriores: α = IC/IE y β = IC/IB y teniendo en
cuenta la relación existente entre las diferentes corrientes que se dan en el transistor IE =
IC+IB, se pueden encontrar las expresiones matemáticas que relacionen ambos parámetros,
tal como se indica a continuación.

Así, por ejemplo, para determinar el parámetro α de un transistor que tuviese una ganancia
de corriente de 150, operaríamos así:

Tensiones de ruptura

Al igual que ocurría con los diodos, cuando se polariza inversamente cualquiera de las
uniones de un transistor aparecen pequeñas corrientes inversas, que no provocarán la
ruptura de dichas uniones si la tensión que se aplica no supera los valores máximos fijados
en las hojas de especificaciones técnicas.
1. Tensión inversa colector-base (VCBO) con el emisor abierto

En este caso, la unión formada por la base y el colector están polarizadas

inversamente con la tensión VCB. Como ocurría con los diodos, esto provoca la
circulación de una pequeña corriente de fuga (ICBO) que no será peligrosa hasta
que no se alcance la tensión de ruptura de la unión. Normalmente esta tensión
suele ser elevada (del orden de 20 a 300 V).
 Nunca deberá trabajarse, por supuesto, con una tensión superior a la indicada
por el fabricante en sus hojas técnicas. Este dato suele aparecer indicado con
las siglas VCBO.
2. Tensión inversa colector-emisor con la base abierta

En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se aplica una tensión entre el
colector y el emisor que es igual a la suma de las tensiones de las fuentes de
emisor a colector. Esta fuerte diferencua de potencial provoca un pequeño
flujo de electrones que emite el emisor y que se sienten fuertemente atraídos
por el potencial positivo de la fuente. El resultado es una pequeña corriente de
fuga de emisor a colector ICEO. Al igual que ocurría anteriormente, el valor de
esta corriente está determinado por la tensión colector-base (VCEO) aplicada.
En las hojas técnicas también aparece la tensión máxima de funcionamiento
(VCEO) que en ningún caso debe ser superada, para evitar el peligro de
destrucción del semiconductor.
Así, por ejemplo, para el transistor BC 108, en las hojas de especificaciones
técnicas aparecen los siguientes valores para las tensiones de ruptura: V CBO =
30V y VCEO = 20V, lo que significa que este transistor nunca deberá operar con
tensiones superiores a estos valores especificados.
Resistencia de entrada

Se podría decir que la resistencia de entrada de un transistor es la que presenta éste, visto
desde los bornes de entrada.
Al observar la característica de transferencia del transistor, representada en la figura de
abajo, se puede ver que la intensidad de base aumenta con la tensión base-emisor.
 Pues bien, a la relación existente entre las variaciones de tensión base-emisor y las de la
corriente de base, que se corresponden con la tensión y la corriente de entrada, se la
denomina resistencia de entrada, es decir:

Para realizar el cálculo de la resistencia de entrada nos valdremos de la curva característica

de transferencia.

Regiones de trabajo

Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del sentido o del signo
de los voltajes de polarización en cada una de las uniones del transitor, éste se puede
encontrar en alguna de las cuatro regiones que se pueden observar en el gráfico de la
derecha. Estas regiones son; Región activa directa, Región de saturación, Región de corte y
Región activa inversa. A continuación podemos observar el comportamiento de cada una
de estas regiones.
La región activa directa corresponde a una polarización directa de la unión emisor-base.
Esta es la región de operación normal del transistor para amplificación.
La corriente de colector es proporcional a la corriente de base
Centrando la atención en la recombinación de los electrones en la base procedentes del
emisor podemos observar que allí donde había un hueco pasa a haber, tras la
recombinación, un ión negativo inmóvil. Si desaparecen los huecos de la base y se llena de
iones negativos, se carga negativamente, y se repelen los electrones procedentes del emisor.
En este caso se impediría la circulación de la corriente, es decir, es necesario que la
corriente de base reponga huecos para que haya corriente de colector.

Por tanto, por cada electrón recombiando hay que introducir un hueco nuevo que neutralice
la carga negativa. Si la reposición de huecos es lenta (corriente IB pequeña) la capacidad de
inyectar electrones será baja, debido a la repulsión eléctrica. Este fenómeno tiene la
propiedad de ser aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:

en donde es un coeficiente adimensional, denominadaganancia directa de corriente, o

bien ganacia estática de corriente.
Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atraídos por el potencial
positivo aplicado al colector, pueden atravesar la unión BC, y dar origen a la corriente de
colector IC
Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta drásticamente el número de
portadores minoritarios del diodo base-colector, con lo que su corriente inversa aumenta
también

Región activa inversa

Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor-base y a una polarización

directa de la unión colector-base. Esta región es usada raramente.

Región de corte

Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. La operación en ésta región

corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo aplicaciones de conmutación en el
modo apagado, pues el transistor actúa como un interruptor abierto (IC 0).

En este caso las dos uniones están polarizadas en inversa, por lo que existen zonas de
deplección en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay portadores de carga
móviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los
portadores minoritarios sí pueden atravesar las uniones plarizadas en inversa, pero dan
lugar a corrientes muy débiles. Por lo tanto, un transistor en corte equivale a efectos
prácticos, a un circuito abierto.

Región de saturación

Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. La operación den esta región
corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo encendido, pues el transistor actúa
como un interruptor cerrado (VCE 0).
Avalancha secundaria. Curvas SOA.
Si se sobrepasa la mácima tensión permitida entre colector y base con el emisor abierto
(VCBO), o la tensión máxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (V CEO), la
unión colector - base polarizada en inverso entre en un proceso de ruptura similar al de
cualquier diodo, denominado avalancha primaria.
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones
por debajo de los límites anteriores debido a la aparición de puntos calientes (focalización
de la intensidad de base), que se produce cuando tenemos polarizada la unión base - emisor
en directo. En efecto, con dicha polarización se crea un campo magnético transversal en la
zona de base que reduce el paso de dicha polarización se crea un campo magnético
trransversal en la zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequeña
zona del dispositivo (anillo circular). La densidad de potencia que se concentra en dicha
zona es proporcional al grado de polarización de la base, a la corriente de colector y a la
VCE, y alcanzando cierto valor, se produce en los puntos calientes un fenómeno
degenerativo con el consiguiente aumento de las pérdidas y de la temperatura. A este
fenómeno, con efectos catastróficos en la mayor parte de los casos, se le conoce con el
nombre de avalancha secundaria (o también segunda ruptura).

El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es
producir unos codos bruscos que desvían la curva de la situación prevista (ver gráfica
inferior derecha).
El transistor puede funcionar por encima de la zona límite de la avalancha secundaria
durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra
unas curvas límite en la zona activa con los tiempos límites de trabajo, conocidas como
curvas FBSOA.
Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de cruvas para
corriente pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo concreto.

Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con la
polarización inversa de la unión base-emisor se produce la focalización de la corriente en el
centro de la pastilla de Si, en un área más pequeña que en polarización directa, por lo que la
avalancha puede producirse con niveles más bajos de energía. Los límites de IC y
VCE durante el toff vienen reflejados en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.
Curvas características
Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parámetros para
determinar el estado eléctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las
leyes básicas de resolución de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parámetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y

bajo la acción de unas excitaciones concretas, existirán unos valores de estos cuatro
parámetros que caracterizan por completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se
denomina punto de operación(Q).
Las curvas características más empleadas en la práctica son las que relacionan V BE con IB y
VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.
Características VBE-IB
Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de la
tensión de polarización VBE sobre la corriente de base IB. Estas gráficas reciben el nombre
de curvas características de transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a
la de un diodo cuando se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prácticamente constantes, por lo que serán de gran ayuda para
localizar averías en circuitos con transistores.

La función que liga VBE con IB es la característica de un diodo, y puede aplicarse dado que
la unión base - emisor, es una pn normal, igual que la de diodo, y al polarizarla, seguirá el
mismo comportamiento que aquel.
La curva representada en la figura sigue la expresión:

Características VCE-IC

Estas características también son conocidas como familia de colector, ya que son las
correspondientes a la tensión e intensidad del colector. En la siguiente figura, se muestran
una familia de curvas de colector para diferentes valores constantes de la corriente base.
Idealmente, en la Región Activa, la corriente de colector depende exclusivamente de la de
base, a través de la relación IC=β+IB. Por lo tanto, en el plano VCE-IC la representación
estará formada por rectas horizontales (independientes de VCE) para los diversos valores de
IB (en este caso se ha representado el ejemplo para β=100).
Evidentemente, no se dibujan más que unos valores de IB para no emborronar el gráfico.
Para IB=0, la corriente de colector también debe ser nula. La región de corte está
representada por el eje de abscisas. Por contra, para VCE=0 el transistor entra en saturación,
luego esta región queda representada por el eje de ordenadas.
Hasta aquí se presenta la característica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un
poco más compleja, y las curvas quedarán como representa la siguiente figura:
Las diferencias son claras:

 En la Región Activa la corriente del colector no es totalmente independiente de la

tensióncolector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la
resistencia interna del transistor.
 La región de saturación no aparece bruscamente para V CE=0, sino que hay una
transición gradual. Típicamente se suele considerar una tensión de saturación
comprendida entre 0.1V y 0.3V.
Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento del transistor. Se
puede comprobar que, para una tensión constante de colector-emisor, si se producen
pequeñas variaciones de la corriente de base (del orden de µA) esto origina unas
variaciones en la corriente de colector mucho más elevadas (del orden de mA), de lo cual
se deduce la capacidad del transistor para amplificar corrientes.
Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensión VCE afecta muy poco a la corriente
de colector IC. Si se aumenta VCE demasiado (por encima de VCEO), la unión del colector
entra en la región de ruptura y éste puede llegar a destruirse. Sin embargo, si la tensión
VCE es muy pequeña (por debajo de los 0.7V), la corriente de colector será muy débil,
obteniéndose una ganancia de corriente muy baja. En conclusión, para conseguir que el
transistor trabaje como amplificador de corriente, la tensión de polarización inversa
VCE debe mantenerse por encima de 0.7V y por debajo de la tensión de ruptura.
Recta de carga del transistor

Hemos de conocer el comportamiento del transistor trabajando con una determinada

resistencia de carga y averiguar el punto de funcionamiento del mismo. Para ello, trazamos
la recta de carga del transistor en las curvas de colector para poder determinar los puntos de
funcionamiento.
Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor común), podemos aplicar la
ley de Ohm entre los extremos de la resistencia de carga R L. La tensión aplicada a esta
resistencia se corresponderá con la tensión total aplicada por la fuente VCC menos la caída
de tensión que se produce entre el colector y el emisor V CE. De esta forma obtendremos la
siguiente expresión, que se corresponderá con la ecuación de la recta de carga:

Para dibujar esta recta sobre la cruva característica, lo primero que hay que hacer es
encontrar sus extremos (IC=0 y VCE=0).
Para VCE=0

Para IC=0

Llevando estos valores a la curva característica de colector, obtendremos la recta de carga

para una determinada resistencia de carga RL y una fuente VCC.
A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales: puntos de corte,
punto de saturación, punto de trabajo.

El punto de corte es donde la línea de carga corta a la curva correspon-

diente a la corriente de base igual a cero (I B=0). Dada la escasa polarización directa a que
queda sometido el diodo de emisor-base, la corriente que aparece por el colector es prácti-
camente nula (sólo circula una pequeñísima corriente de fuga ICEO). Haciendo una
aproximación, se puede decir, sin equivocarse mucho, que el punto de corte se da en la
intersección de la recta de carga con el eje horizontal, es decir cuando VCecorte=VCC.
El punto de saturación aparece donde la línea de carga corta a la intensidad de base de
saturación. En este punto, la corriente de colector es la máxima que se puede dar para la
operación de transistor, dentro de los límites de la recta de carga. Haciendo una
aproximación, se puede decir que el punto de saturación aparece en la intersección de la
recta de carga con el eje vertical, es decir, cuando:

Para corrientes de base superiores a la de saturación se produce también el efecto de

saturación en el transistor.

El punto de trabajo es aquél donde el transistor trabaja de una forma normal y que,
normalmente, se encuentra entre la zona de corte de saturación. Para determinar el punto de
trabajo (Q) de transistor para una determinada corriente de base (IB), se busca el punto de
intersección de la recta de carga con la curva correspondiente a dicha corriente de base.
Por último, hay que indicar que, cuando se diseña un circuito para un transistor, se tiene
que procurar que el transistor nunca opere por encima de la curva de potencia máxima.
Esto se consigue eligiendo valores adecuados de la tensión de fuente VCC y de la resistencia
de carga RL, de tal forma que la recta de carga trazada con dichos valores, esté siempre por
debajo de la curva de potencia máxima. En la figura siguiente, es esquematiza esta
situación:
Obtención de la Ganancia a partir de las curvas características

La ganancia en corriente de un transistor se definía como la relación que se da entre la

variación de la corriente del colector y la variación de corriente de base. Para determinar
dicha ganancia se puede recurrir a las características del colector.
Como ejemplo, supongamos que las curvas características del transistor ensayado es la que
se muestra en la figura de la izquierda.
Para un punto de funcionamiento situado en VCE=20V, según las curvas de la figura de la
izquierda, la intensidad de colector variará entre IC=28mA e IC=43mA, mientras que la
intensidad de base lo hará entre IB=0.10mA e IB=0.15mA. La ganancia se calcula así:

Hemos de tener en cuenta que punto de funcionamiento se encuentra trabajando el

transistor, es decir, la tensión que se le está aplicando al mismo, y con ello, la ganancia
calculada, será para esa tensión de trabajo, siendo para otra, otra ganancia diferente de la
calculada en otro punto.
Curva de máxima potencia del transistor

Una de las aplicaciones de las curvas características de un transistor, es que, a partir de

éstas se pueden determinar los límites de funcionamiento del mismo. Estos límites están
determinados por una potencia máxima que puede desarrollar un transistor sin provocar su
destrucción.
Veamos en qué consiste éste fenómeno:
El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor, que varía en función dela
intensidad que se le aplique a su base IB. Por esta resistencia variable circula una corriente
IC, relativamente grande, que provoca en la misma una potencia calorífica o calentamiento,
debido al efecto Joule. Esta potencia se calcula realizando el producto de la tensión VCE,
aplicada entre el colector y el emisor, por la instensidad de colector IC. (P = VCE·IC).
Como esta potencia se transforma íntegramente en calor, provoca un aumento de la
temperatura en el transistor que, en el caso de salirse de los límites admisibles, provocará la
destrucción del mismo.
La potencia máxima trabajo de un transistor es un dato que proporciona los fabricantes en
las hojas de especificaciones técnicas.
Así, por ejemplo, para el transistor BC107 se indica una potencia máxima de 300mW.
Con este dato se puede trazar una curva de potencia máxima sobre la familia de curvas de
colector, para así poder determinar para qué tensiones de colector-emisor y corrientes de
colector es posible trabajar con el transistor sin que se deteriore.
Por ejemplo, para no superar los valores límite, en el caso del transistor BC107 se deberá
cumplir en todo momento la expresión:

Luego la curva de potencia máxima para este transistor será tal que el producto
VCE·IC=0.3W.
En la figura de la derecha, se muestran las curvas correspondientes a la familia de colector
del transistor BC107, y en las que se ha añadido la curva de potencia máxima.
La hipérbola divide a la característica en dos zonas diferenciadas: la zona prohibida de
funcionami-
ento, que queda por encima de la misma (sombreado con naranja), en la cual la potencia es
mayor de 300mW y, por lo tanto, es donde el transistor corre peligro de destrucción por la
acción del calor; y la zona de trabajo, que queda por debajo de la hipérbola, y en la cual la
potencia es inferior a 300mW.
Influencia de la temperatura ambiente en la potencia máxima de un transistor
La potencia máxima que puede disipar un transistor, en forma de calor, depende de la
temperatura máxima permitida en la unión colector Tj(max). Esta temperatura nunca debe
ser superada, ya que a partir de ella se puede destruir el transistor. Este dato aparece en las
hojas de características del componente. Así, por ejemplo, el transistor BC107 posee una
Tj (max) de 175ºC.
La potencia máxima a que puede trabajar un transistor también depende de la temperatura
ambiente. Hay que tener en cuenta que el calor producido en las uniones se conduce a
través del encapsulado del transistor y se disipa al aire que le rodea. Cuanto mayor sea la
temperatura de este aire (temperatura ambiente), peor será la ventilación del transistor, y
por lo tanto, menor la potencia máxima que se le puede exigir al mismo.
Por lo general, en las hojas de características técnicas se indica la potencia máxima para
una temperatura ambiente de 25ºC.

En el caso de que la temperatura ambiente fuese superior habría que encontrar la potencia
máxima de funcionamiento para que el transistor trabaje dentro de sus límites de
temperatura admisibles. En algunas hojas de especificaciones técnicas aparece la curva de
reducción, como la que se encuentra en la figura de la derecha.
Esta curva, nos indica que para una temperatura ambiente de 25ºC, la potencia máxima es
de 125mW. Sin embargo, para 55ºC, la potencia máxima disminuye a 50mW.
En el caso de que se desee aumentar la potencia de un transistor, se puede acoplar un
disipador de calor, o aleta de refrigeración en la superficie de la cápsula del mismo, de esta
forma, se consigue que el calor se evacúe con mayor facilidad hacia el aire exterior.
El transistor como amplificador
Introducción
La necesidad de amplificar las señales es casi una necesidad constante en la mayoría de los
sistemas electrónicos. En este proceso, los transistores desarrollan un papel fundamental,
pues bajo ciertas condiciones, pueden entregar a una determinada carga una potencia de
señal mayor de la que absorben.
El análisis de un amplificador mediante su asimilación a un cuadrípolo (red de dos puertas),
resulta interesante ya que permite caracterizarlo mediante una serie de parámetros
relativamente simples que nos proporcionan información sobre su comportamiento.

En los amplificadores, gracias a los transistores se consigue la intensidad de los sonidos y

de las señales en general. El amplificador posee una entrada por donde se introduce la señal
débil y otra por donde se alimenta con C.C. La señal de salida se ve aumentada gracias a la
aportación de esta alimentación, siguiendo las mismas variaciones de onda que la de
entrada.
La señal de entrada, de bajo nivel, del orden de unos pocos milivotios, la aportan
dispositivos como el micrófono (transforman ondas sonoras en señales eléctricas que
siguen las mismas variaciones que las primeras), sensores térmicos, luminosos, etc.

Cuando un amplificador realiza la función de elevar la señal que ha sido aplicada a su

entrada, se dice que ha producido una determinada ganancia. Se puede decir que la
ganancia de un amplificador es la relación que existe entre el valor de la señal obtenida a
la salida y el de la entrada. Dependiendo de la magnitud eléctrica que estemos tratando, se
pueden observar tres tipos de ganancia:ganancia en tensión, ganancia en corriente y
ganancia en potencia.
De esta forma podemos definir los siguienteas parámetros:
1. Ganancia de tensión (normalmente en decibelios): Av = Vo / Vi
2. Impedancia de entrada (ohmnios): Zi = Vi / Ii
3. Impedancia de salida (ohmnios): Zo = Vo / Io (para Vg = 0)
4. Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): Ai = Io / Ii
5. Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): Ap = Po / Pi
Un amplificador será tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y menor sea su
impedancia de entrada y salida.
En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma que lo que es
válido para un margen de frecuencias no tiene porqué serlo necesariamente para otro. De
todas formas, en todo amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia
permanece prácticamente constante (banda de paso del amplificador). El margen dinámico
de un amplificador es la mayor variación simétrica de la señal que es capaz de presentar sin
distorsión a la salida; normalmente expresado en voltios de pico (V p) o Voltios pico-pico
(Vpp).
Ampliación

Para comprender el funcionamiento del transistor como amplificador, se partirá del circuito
de la figura, en el que el transistor se conecta en la configuración denominada de emisor
común.

El generador Veb asegura que la unión base-emisor esté polarizada en sentido directo. Una
batería Vc (Vc >> Vbe) proporciona la tensión de polarización inversa a la unión del emisor.
El circuito de entrada, en el que se aplicará la señal que se desea amplificar, es el que
contiene a la base y el emisor. El circuito de salida está conectado a las terminales del
colector y del emisor. Rc es la resistencia de carga del circuito de salida.
Supondremos que, cuando la tensión de entrada es nula (terminales de entrada
cortocircuitadas), las corrientes que circulan por cada terminal son I e, Ib e I0, con los
sentidos indicados en la figura.
A continuación, se calcularán cuales son los incrementos que se producen en dichas
intensidades si se modifica ligeramente la tensión Web, aplicando una ddp adicional a la
entrada.
En este desarrollo, se admitirá que el incremento de tensión aplicado, es lo suficientemente
pequeño para que las variaciones de intensidad que provoca estén relacionadas linealmente
con él.
Asimismo, se despreciarán los efectos dinámicos producidos por la aplicación de una
diferencia de potencial, aplicada muy lentamente.
a. Variación de la intensidad de salida (-I0).
Como se muestra en la figura siguiente, la corriente de salida es -I 0. Dicha
intensidad tiene, tres componentes: Ipb, Ibb e Inc. Ahora bien, en un transistor
polarizado en el modo activo, la corriente Ipb es muy superior a las otras dos
(unas mil veces superior en el ejemplo anterior) por lo que, a efectos de
cálculo de las variaciones en la intensidad del colector, es admisible suponer
que:

Suponiendo que la variación de Veb, incremento de V, es pequeño, la variación

de la corriente de salida es:

... y llamando transconductancia, gm, al factor I0/VT, resulta que:

La transconductancia tiene las dimensiones de una conductancia y su valor

depende de la temperatura y del punto de funcionamiento. A la temperatura
ambiente, gm vale unos 0.04 mOhmnios por mA de intensidad en el colector.
b. Variación de la intensidad de entrada (-Ib)
La corriente de base, tiene, según hemos expuesto, tres componentes: I ne, Ibb e
Inc. De ellas, tan sólo las dos primeras dependen directamente de la tensión Veb.
Nos limitaremos, por tanto a calcular sus variaciones.
De las ecuaciones anteriores se deduce que:

Por otra parte, el término exponencial puede expresarse en función de la

intentsidad del colector:

El incremento de la corriente de base es:

Denominando a todo el término entre corchetes, tendremos que:

El parámetro o cuantifica el efecto que, sobre la corriente de base, produce un

incremento de la tensión Veb. Así al disminuir la barrera de potencial en la
unión emisor-base, se produce un aumento de huecos inyectados desde el
emisor, aumentando la concetración de portadores minoritarios en la base, lo
que conduce a un incremento de la tasa de recombinación. Debido a ello,
Ibb crece.
Por otra parte, la disminución de la barrera de potencial antes citada, supone
un incremento del número de electrones inyectados en el emisor desde la base,
con lo que se produce un aumento de la corriente Ine.
c. Variación de la tensión colector-emisor (Vce).
La tensión colector-emisor es:

Por tanto, si Veb se incrementa, Vce variará como:

La expresión anterior implica que el incremento de la tensión colector-emisor

puede aumentar sin límite, sin más que incrementar suficientemente la
resistencia de carga R0. Tal suposición no es cierta cierta ya que hay que tener
presente que, en el modelo simplificado que se ha desarrollado, no se ha tenido
en cuenta el efecto de la tensión de polarización inversa V cb sobre la anchura
de la base, W. Valores muy elevados de gmRm suponen una importante
variación de Vcb, lo que modificaría notablemente la anchura W, no siendo
válidas entonces las premisas del modelo utilizado.
d. Ganancias de corriente y de tensión:
Supongamos que, a la entrada del circuito de la siguiente figura, se aplica una
señal alterna de pequeña amplitud, y frecuencia lo suficientemente pequeña
para que puedan ser despreciados los efectos dinámicos que no han sido
tenidos en cuenta en el modelo anterior.
En estas condiciones, por el circuito de entrada circulará una corriente alterna
-Ib-AIb. Es decir, sobre la corriente -Ib que existía para un incremento de
tensión 0, se superpone una corriente alterna de amplitud incremento de la
intensidad de base.
De forma análoga, en el circuito de salida aparecerá una corriente alterna de
amplitud igual al incremento de la intensidad de colector, superpuesta a
-Ic (corriente de colector para un incremento de tensión 0).
Se define ganancia en intensidad como:

Obsérvese que, al ser no mucho menor que 1, la ganancia de intensidad puede

tomar valores muy elevados.
De forma análoga, se defina la ganancia de tensión como:

En definitiva, la señal de entrada, se ve amplificada tanto en intensidad como

en tensión.
Otros datos - Limitaciones en los transistores
El transistor es un componente real y como tal tienen unos límites electrónicos que
condicionan su utilización. Teniendo en cuenta que el transistor se compone de diodos, es
de suponer que los límites serán parecidos a los del diodo; los más importantes son la
tensión inversa máxima, la potencia máxima y la corriente máxima.
 Tensión máxima inversa: Si aumentamos en exceso la tensión colector-emisor
podemos llegar a la tensión de ruptura del diodo base-colector y destruir el diodo.
 Corriente máxima: Es análogo al introducido para los diodos: una corriente excesiva
destruiría al dispositivo.
 Potencia máxima: Dependiendo de cómo este fabricado el transistor, será capaz de
disipar un máximo de potencia.
Algunas aplicaciones de los transistores

El concepto de transistor bipolar permite una amplia variedad de aplicaciones relacionadas

con la electrónica de señal y la electrónica de potencia. La electrónica de señal, o más bien
conocido como pequeña señal, es aquél entorno electrónico que trata señales de baja
potencia, relacionado tanto con el espectro de baja frecuencia como con el de frecuencias
medias y altas. Estamos hablando de circuitos de rececpción de audio, de recepción de
radio, de adaptadores de líneas de transmisión, etc. Todas ellas poseen un denominador
común: los níveles de potencia empleados.
Los transistores se utilizan especialmente en tres campos:
 En amplificación, ya sea de tensión o corriente. En estos casos el transistor opera en la
zona lineal de trabajo. El concepto de amplificación viene impuesto por las
condiciones eléctricas de numerosos dispositivos electrónicos.
 En el tratamiento de la señal. Para este tipo de aplicaciones el transistor puede operar
tanto en la zona lineal como en la zona no lineal, todo depende del tipo de aplicación
que se desee implementar. Estamos hablando de dispositivos como los generadores
de corriente, los multiplicadores de dos señales, etc.
 Como elementos adaptadores y aisladores entre etapas distintas de un circuito
eléctrico. Se puede emplear el transistor para aislar dos etapas de un determinado
dispositivo y eliminar problemas que pudieran aparecer.
 Por último, podemos generalizar que los transistores sin pequeños dispositivos
empleados en todo tipo de circuitos, ya sea relacionados con la electrónica digital o
analógica, ya que forman el alma mater de los actuales microprocesadores y demás
elementos digitales.
Las tres configuraciones: base común, emisor común, colector común
Análisis de un transistor en corriente continua

En la zona de corte el transistor no deja pasar corriente ni a la entrada ni a la salida. En

saturación, con pequeñas variaciones de tensión se producen grandes variaciones de
corriente, mientras que en activa la corriente de colector de mantiene proporcional a la
corriente de base. Podemos pensar que en activa la corriente de colector se mantiene
proporcional a la corriente de base. Podemos pensar que en la zona activa, si la corriente de
base sufre pequeñas variaciones, éstas serán transmitidas a las corrientes de colector. Esas
variaciones en la corriente de colector producirán a su vez variaciones en la tensión
colector-emisor.

Al realizar el análisis en corriente continua, se eliminan todas las fuentes de señal alterna y
sustituiremos los componentes por su equivalente para continua.
En corriente continua, el circuito de entrada ejerce un control sobre el circuito de salida. La
aplicación por excelencia, posiblemente se encuentra en el concepto de amplificación: bajo
determinadas condiciones podemos conseguir que la corriente de colector sea proporcional
a la corriente de base.
Análisis de un transistor en corriente alterna

Los transistores tienen un modelo equivalente que permite aplicar los métodos tradicionales
de análisis de circuitos (mallas, nodos). Estos modelos se obtienen del estudio de las
ecuaciones que rigen el comportamiento de los transistores.
Existen varios modelos para simular el comportamiento del transistor en alterna, el más
popular es del modelo en parámetros h.

A la entrada, la señal se encuentra con una resistencia hie y un generador de tensión

pendiente de la tensión colector-emisor, hre*Vce. A la salida, un generador de corriente
refleja la dependencia entre la corriente de colector y la corriente de base, hfe*ib y la
resistencia 1/hoe representa la resistencia de salida.

Trabajar con los parámetros h constituye una gran ventaja ya que podemos sustituir el
transsitor por este sencillo circuito que nos permitirá hallar la expresión de la señal de
salida en función de la señal de entrada y de los parámetros de transistor.
Condensadores de acoplo y desacoplo

La resistencia de un condensador al paso de una corriente eléctrica depende de la

frecuencia. De ahí que se hable de diferentes comportamientos en continua y en alterna:

 Condensadores de acoplo: Se utilizan para transmitir o conectar señales alternas de

un punto de un circuito a otro sin que afecte el comportamiento en continua. En
continua el condensador se abre y por lo tanto impide que la señal alterna llegue al
nodo. Sin embargo, en alterna es un corto y l señal pasa sin problemas.
 Condesadores de desacoplo:Tienen como misión proporcionar un camino directo a
masa para las señales alternas sin alterar el comportamiento del circuito en continua.