ELECTRÓNICA ANÁLOGA

TALLER QUIZ TEÓRICO

1. Defina:
a. Conductor.
Un conductor eléctrico es un material que ofrece poca resistencia al movimiento de la carga eléctrica. Sus
átomos se caracterizan por tener pocos electrones en su capa de valencia, por lo que no se necesita mucha
energía para que estos salten de un átomo a otro.
El cobre es un buen conductor. La razón es evidente si se tiene en cuenta su estructura atómica. El núcleo del
átomo contiene 29 protones (cargas positivas). Cuando un átomo de cobre tiene una carga neutra, quiere decir
que hay 29 electrones (cargas negativas) dispuestos alrededor del núcleo de forma similar a como están
dispuestos los planetas alrededor de Sol. Los electrones se mueven en distintos orbitales (también denominados
capas). En el primer orbital hay 2 electrones, en el segundo hay 8 electrones, en el tercero hay 18 electrones y
1 en el orbital más externo.

b. Electrón libre y Hueco.

Un electrón libre es un electrón de valencia que al estar atraído muy débilmente por la parte interna
del átomo, una fuerza externa puede fácilmente arrancar a este electrón.

Cuando esto sucede el electrón liberado gana la energía suficiente para situarse en un orbital de
mayor nivel energético, en dicho orbital el electrón es un electrón libre. La salida del electrón deja
un vacío que se denomina hueco, en el orbital de valencia y que se comporta como una carga
positiva.

c. Semiconductor Intrínseco o Cristal puro.

Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro. Un cristal de silicio es un semiconductor intrínseco
si cada átomo del cristal es un átomo de silicio. A temperatura ambiente, un cristal de silicio actúa como un
aislante porque sólo tiene unos pocos electrones libres y huecos producidos por el efecto de la energía
térmica.
d. Semiconductor Extrínseco.
Una forma de incrementar la conductividad de un semiconductor es mediante el dopaje. El dopaje consiste en
añadir átomos de impurezas a un cristal intrínseco con el fin de alterar su conductividad eléctrica. Un
semiconductor dopado se denomina semiconductor extrínseco.

e. Semiconductor tipo n.
El silicio que ha sido dopado con una impureza pentavalente se denomina semiconductor tipo n, donde n hace
referencia a negativo. Dado que la cantidad de electrones libres supera al de huecos en un semiconductor de
tipo n, los electrones libres son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios.

f. Semiconductor tipo p.
El silicio que ha sido dopado con un átomo trivalente se denomina semiconductor de tipo p, donde p hace
referencia a positivo. Puesto que la cantidad de huecos supera a la de electrones libres, los huecos serán los
portadores mayoritarios y los electrones libres serán, en este caso, los portadores minoritarios.

g. Recombinación y Tiempo de Vida.

En un cristal de silicio puro, la energía térmica (calor) crea el mismo número de electrones libres y huecos.
Los electrones libres se mueven aleatoriamente a través del cristal. Ocasionalmente, un electrón libre se
aproximará a un hueco, será atraído por éste y caerá en él. La recombinación es la unión de un electrón libre y
un hueco.
El intervalo de tiempo entre la creación y la desaparición de un electrón libre se denomina tiempo de vida. Varía
desde unos pocos nanosegundos hasta varios microsegundos, dependiendo de la perfección del cristal y de otros
factores.

h. Donador y Aceptor.
i. Enlace Covalente.
Cada átomo vecino comparte un electrón con el átomo central. De esta forma, el átomo central tiene 4
electrones adicionales, lo que da como resultado un total de ocho electrones en el orbital de valencia. Los
electrones dejan de pertenecer a un único átomo. Cada átomo central y sus vecinos comparten los electrones.
Esta misma idea también es válida para los demás átomos de silicio. En otras palabras, cada átomo de un
cristal de silicio tiene cuatro vecinos.
j. Zona de deplexión.
Cada par de iones positivo y negativo contenido en la unión se denomina dipolo. La creación de un dipolo
hace que desaparezcan un electrón libre y un hueco. A medida que el número de dipolos aumenta, la región
próxima a la unión se vacía de portadores. Esta región vacía de carga se conoce como zona de deplexión.
k. Barrera de potencial.
Cada dipolo posee un campo eléctrico entre los iones positivo y negativo. Por tanto, si entran electrones libres
adicionales en la zona de deplexión, el campo eléctrico intenta empujar a estos electrones hacia la región n.
La intensidad del campo eléctrico aumenta con cada electrón que cruza hasta que se alcanza el equilibrio. En
una primera aproximación, esto significa que el campo eléctrico detendrá la difusión de electrones a través de
la unión.
El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada barrera de potencial.
A 25ºC, la barrera de potencial es aproximadamente igual a 0,3 V en los diodos de germanio y a 0,7 V en los
diodos de silicio.

2. ¿Cuántos electrones tiene un átomo de silicio y un átomo de germanio?, ¿Cuántos

Electrones de valencia?
Un átomo de silicio aislado tiene 14 protones y 14 electrones. El primer orbital contiene 2 electr lo tuones y el
segundo 8 electrones. Los 4 electrones restantes se encuentran en el orbital de valencia. La parte interna tiene
una carga resultante de +4, porque contiene 14 protones en el núcleo y 10 electrones en los dos primeros
orbitales.
El átomo de germanio estado de equilibrio pose 32 protones y 32 electrones. El primer orbital contiene 2
electrones, el segundo 8 electrones y el tercero 18 electrones. Los 4 electrones restantes se encuentran en el
orbital de valencia. La parte interna tiene una carga de +4 porque la parte interna contiene 32 protones y 28
electrones en los tres primeros orbitales.

3. Explique cómo se forman los electrones libres y los huecos en un semiconductor intrínseco.

En un semiconductor intrínseco como el silicio es la misma energía térmica la que se encarga de

liberar a un electrón de valencia, de este modo se genera un electrón libre y un hueco, el electron
liberado acumula la suficiente energía para situar en un orbital de mayor nivel energético.

4. Explique cómo se forman los electrones libres y los huecos en un semiconductor extrínseco.
Un semiconductor intrínseco. Tiene el mismo número de electrones libres que de huecos.
Esto se debe a que la energía térmica crea los electrones libres y los huecos por pares. La tensión aplicada
forzará a los electrones libres a moverse hacia la izquierda y a los huecos hacia la derecha. Cuando los electrones
libres llegan al extremo izquierdo del cristal, entran en el cable externo y fluyen hacia el terminal positivo de la
batería. Por otro lado, los electrones libres que se encuentren en el terminal negativo de la batería se desplazarán
hacia el extremo derecho del cristal. En este punto, entran en el cristal y se recombinan con los huecos que
llegan al extremo derecho del cristal. De esta forma, se produce un flujo constante de electrones libres y huecos
dentro del semiconductor.
Observe que no existe un flujo de huecos fuera del semiconductor.
Los electrones libres y los huecos se mueven en direcciones opuestas. A partir de ahora, concebiremos la
corriente en un semiconductor como el efecto combinado de los dos tipos de flujos: el flujo de electrones libres
en una dirección y el flujo de huecos en la dirección opuesta. A menudo tanto los electrones huecos como los
huecos se denominan portadores, ya que transportan la carga de un lugar a otro.

5. Explique cómo es el flujo de electrones libres (corriente de electrones).

Supongamos que la energía térmica ha dado lugar a la creación de un electrón libre y de un hueco. El electrón
libre se encuentra en un orbital de mayor energía en el extremo derecho del cristal. Puesto que la placa está
cargada negativamente, los electrones libres son repelidos hacia la izquierda. Estos electrones libres pueden
pasar de un orbital al siguiente de mayor nivel hasta llegar a la placa positiva.
6. Explique cómo es el flujo de huecos (corriente de huecos).
Este hueco atrae al electrón de valencia en el punto A, lo que provoca que el electrón de valencia caiga en el
hueco. Cuando el electrón de valencia situado en el punto A se desplaza hacia la izquierda, crea un hueco en
dicho punto A. El efecto es el mismo que cuando se mueve el hueco original hacia la derecha. El nuevo hueco
situado en el punto A puede entonces atraer y capturar a otro electrón de valencia. De esta forma, los electrones
de valencia pueden seguir el camino indicado por las flechas. Esto significa que el hueco puede desplazarse en
el sentido opuesto, siguiendo el camino A-B-C-D-E-F, actuando de la misma manera que una carga positiva.

7. Mencione que elementos químicos se usan para combinarlos con cristales puros y formar
Semiconductores tipo N.
El primer paso consiste en fundir el cristal de silicio puro. De este modo se rompen los enlaces covalentes y el
estado del silicio pasa de sólido a líquido. Para incrementar el número de electrones libres, se añaden los
átomos pentavalentes al silicio fundido. Los átomos pentavalentes tienen cinco electrones en el orbital de
valencia. Algunos ejemplos de átomos pentavalentes son el arsénico, el antimonio y el fósforo. Puesto que
estos materiales donarán un electrón adicional al cristal de silicio, a menudo se les denomina impurezas
donadoras.
8. Mencione que elementos químicos se usan para combinarlos con cristales puros y formar
Semiconductores tipo P.
¿Cómo se puede dopar un cristal de silicio puro para obtener un exceso de huecos? Utilizando una impureza
trivalente, es decir, una impureza cuyos átomos tengan sólo tres electrones de valencia. Algunos ejemplos son
el aluminio, el boro y el galio.
9. ¿Qué sucede en la unión PN de un diodo no polarizado?
La unión es la frontera donde se encuentran las regiones tipo p y tipo n, y el término diodo de unión también
se emplea para designar un cristal pn. La palabra diodo es una contracción de la expresión “dos electrodos”,
donde di significa “dos”. Cada vez que un electrón se difunde a través de una unión, crea un par de iones.
Cuando un electrón deja la región n, deja tras de sí un átomo pentavalente al que le hace falta una carga negativa;
este átomo pentavalente se convierte en un ión positivo. Una vez que el electrón cae en un hueco en la región
p, el átomo trivalente que lo ha capturado se convierte en un ión negativo.
La Figura 2.13a muestra estos iones en cada uno de los lados de la unión. Los signos más encerrados en un
círculo son los iones positivos y los signos menos encerrados en un círculo son los iones negativos. Los iones
están fijos en la estructura del cristal gracias a los enlaces covalentes y no pueden moverse como lo hacen los
electrones libres y los huecos.
Cada par de iones positivo y negativo contenido en la unión se denomina dipolo. La creación de un dipolo hace
que desaparezcan un electrón libre y un hueco. A medida que el número de dipolos aumenta, la región próxima
a la unión se vacía de portadores. Esta región vacía de carga se conoce como zona de deplexión.
10. Explique el proceso de avalancha.
Se producen por el efecto de avalancha, el cual tiene lugar para tensiones inversas muy altas. Lo que ocurre es
lo siguiente: como siempre, existe una pequeña corriente inversa de portadores minoritarios. Cuando la tensión
inversa aumenta, fuerza a los portadores minoritarios a moverse más rápidamente. De esta forma, los portadores
minoritarios colisionan con los átomos del cristal.
Si estos portadores adquieren la suficiente energía, pueden golpear a los electrones de valencia y liberarlos,
produciendo electrones libres. Estos nuevos portadores minoritarios se unen entonces a los portadores
minoritarios existentes para colisionar con otros átomos. Este proceso es geométrico, porque un electrón libre
libera un electrón de valencia para dar lugar a dos electrones libres. Estos dos electrones libres liberan otros dos
electrones más dando lugar a cuatro electrones libres. El proceso continúa hasta que la corriente inversa se hace
demasiado grande.
11. Defina banda de energía.
Cuando un átomo de silicio está aislado, el orbital de un electrón sólo está influenciado por las cargas del átomo
aislado. Esto da lugar a niveles de energía como las líneas mostradas en la Figura 2.20b. Sin embargo, cuando
los átomos de silicio se encuentran en un cristal, el orbital de cada electrón también está influenciado por las
cargas de los otros átomos de silicio. Puesto que cada electrón tiene una posición única dentro del cristal, es
decir, no hay dos electrones que vean exactamente el mismo patrón de cargas circundantes. Debido a esto, el
orbital de cada electrón es diferente; dicho de otro modo, el nivel de energía de cada electrón es distinto.
Dado que hay miles de millones de electrones en el primer orbital, los distintos niveles de energía ligeramente
diferentes forman un grupo o banda de energía. De forma similar, hay miles de millones de electrones en el
segundo orbital, todos ellos con niveles de energía ligeramente distintos, que forman la segunda banda de
energía, y así sucesivamente.
12. Dibuje las bandas de energía de un semiconductor intrínseco a cero grados kelvin y a altas
Temperaturas.
13. Dibuje las bandas de energía de un semiconductor tipo N a cero grados kelvin y a altas
Temperaturas.
La Figura 2.22 muestra las bandas de energía de un semiconductor tipo n. Como era de esperar, los portadores
mayoritarios son los electrones libres de la banda de conducción y los portadores minoritarios son los huecos
de la banda de valencia. Cuando en el esquema de la Figura 2.22 se cierra el interruptor, los portadores
mayoritarios fluyen hacia la izquierda y los portadores minoritarios hacia la derecha.

14. Dibuje las bandas de energía de un semiconductor tipo P a cero grados kelvin y a altas
Temperaturas.
La Figura 2.23 muestra las bandas de energía de un semiconductor tipo p, donde podemos ver una inversión en
los papeles que juegan los portadores. Ahora, los portadores mayoritarios son los huecos de la banda de valencia
y los portadores minoritarios son los electrones libres de la banda de conducción. Cuando en el esquema de la
Figura 2.23 se cierra el interruptor, los portadores mayoritarios fluyen hacia la derecha y los portadores
mayoritarios fluyen hacia la izquierda.