UNIVERSIDAD DE LA COSTA

PROGRAMA: INGENIERIA ELECTRICA

ÁREA DE LABORATORIO DE ELECTRONICA I

FACULTAD DE INGENIERÍA

Transistor efecto de campo JFET.

Deiver de hoyos cueto.
ddehoyos1@cuc.edu.co
Jhoiner Camargo meza.
jcamargo28@cuc.edu.co
Mónica guerrero villegas.
mguerrer18@cuc.edu.co

source), this same circuit was made with two sources of

RESUMEN: En el presente informe se presenta
el montaje de diferentes circuitos con un transistor JFET,
esto se realiza gracias a los conocimientos y estudios
previos sobre transistores.
Se procede a realizar el montaje el cual está
conformado por un transistor JFET de 2SK168,
resistencias de 1k, 50k,un potenciómetro de 1M, una
fuente de voltaje de12V y una fuente variable, luego de
realizar los montajes de los circuitos se procede a medir
la corriente de drenaje del transistor, el voltaje de drenaje,
voltaje de compuerta y voltaje de fuente, de igual forma
se proceden a medir los voltajes entre (compuerta-
fuente),voltaje de (drenaje-fuente) y (compuerta-drenaje)
estas medidas se tomaron variando el potenciómetro, se
realizó un segundo circuito con el mismo transistor, este
solo tenía una sola resistencia y una fuente que se
variaba de este se midió la corriente de drenaje y voltaje
(drenaje-fuente), este mismo circuito se realizó con dos
fuentes de voltajes una al drenaje que se mantuvo estable
en 12V y otra a la compuerta del transistor la cual se
variaba el voltaje de este circuito se tomaron medidas de
corriente del drenaje y los voltaje entre (compuerta-
fuente) y voltaje entre (drenaje-fuente), generando así
diferentes tablas de valores donde se muestran los datos
tomados en cada uno de los circuitos montados.
PALABRAS CLAVE: transistor, drenaje, fuente,
compuerta.
ABSTRACT: In the present report we present the
assembly of different circuits with a JFET transistor, this is
done thanks to the knowledge and previous studies on
transistors. It proceeds to make the assembly which
is made up of a transistor JFET of 2SK168, resistors of
1k, 50k, a potentiometer of 1M, a voltage source of 12V
and a variable source, after making the assemblies of the
circuits is measured the drain current of the transistor, the
drain voltage, gate voltage and source voltage, likewise
proceed to measure the voltages between (gate-source),
voltage (drain-source) and (gate-drain) these
measurements were taken by varying the potentiometer,
a second circuit was made with the same transistor, this
only had a single resistance and a source that varied from
this was measured the drain current and voltage (drain-
voltages one to the drain that remained stable in 12V and
another one to the gate of the transistor which the voltage
of this circuit was varied, measurements of drainage
current and voltage between (com gate-source) and
voltage between (drain-source), thus generating different
tables of values where the data taken in each of the
assembled circuits are shown.
KEY WORDS: transistor, drain, source, gate.
1. INTRODUCCIÓN
Los transistores son unos elementos que han
facilitado, en gran medida, el diseño de circuitos
electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y
facilidad de control. Estos transistores vienen a sustituir a
las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas
décadas.
Gracias a ellos fue posible la construcción de
receptores de radio portátiles llamados comúnmente
"transistores", televisores que se encendían en un par de
segundos, televisores en color. Antes de aparecer los
transistores, los aparatos a válvulas tenían que trabajar
con tensiones bastante altas, tardaban más de 30
segundos en empezar a funcionar, y en ningún caso
podían funcionar a pilas, debido al gran consumo que
tenían. Este tema tiene como objetivo conocer y analizar
los voltajes de cada terminal del transistor JFET y la
corriente del drenaje en cada uno de los circuitos
electrónicos propuestos.
2. MARCO TEÓRICO
I. TRANSISTOR JFET.
El transistor JFET es un dispositivo unipolar, ya que
en su funcionamiento sólo intervienen los portadores
mayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de
canal P, como se ilustra en la figura 1. Ver [1].

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II. LA ESTRUCTURA FÍSICA DE UN 3. DESARROLLO EXPERIMENTAL

JFET
El desarrollo de la práctica sobre transistores y sus
características tiene como objetivo analizar y comprender
La estructura de un JFET consiste en un canal de los diferentes valores que toma la corriente drenaje, y los
semiconductor tipo N o P dependiendo del tipo de JFET, voltajes entre la compuerta-fuente y drenaje-fuente, para
con contactos óhmicos (no rectificadores) en cada realizar esta experiencia se emplean los siguientes
extremo, llamados fuente y drenador. A los lados del instrumentos y materiales electrónicos.
canal existen dos regiones de material semiconductor de
diferente tipo al canal, conectados entre sí, formando el 1. Resistencias de 1k, 50k.
terminal de puerta. Ver [2]. 2. Transistor JFET 2SK168.
3. Potenciómetro.
• En el caso del JFET de canal N, la unión puerta 4. Multímetro.
canal, se encuentra polarizada en inversa, por lo que 5. Dos fuentes de tensión.
prácticamente no entra ninguna corriente a través del 6. Protoboard.
terminal de la puerta. 7. Caimanes.
8. Alambres.
El JFET de canal p, tiene una estructura inversa a la 9.
de canal n; siendo por tanto necesaria su polarización de
puerta también inversa respecto al de canal n. MONTAJE 1.
• Los JFET se utilizan preferiblemente a los El circuito practico está compuesto principalmente
MOSFET en circuitos discretos. por un transistor 2SK168, dos resistencias, un
potenciómetro y una fuente de voltaje como lo ilustra la
• En el símbolo del dispositivo, la flecha indica el figura 2, luego de haber montado el circuito se procede a
sentido de polarización directa de la unión pn. Ver [2]. medir con el multímetro la corriente en el drenaje del
transistor, voltajes de drenaje, voltaje de fuente y voltaje
de compuerta, también se midió el voltaje entre (drenaje-
III. PRINCIPIO DE OPERACIÓN compuerta), voltaje de (compuerta-fuente) y voltaje de
(fuente-drenaje), los datos tomados en este circuito se
DEL JFET (DE CANAL N). muestran en la tabla 1. ya obtenido los valores del voltaje
compuerta fuente (VGS) y la corriente drenaje (ID) se
En la unión pn, al polarizar en inversa la puerta y el procede a obtener la gráfica VGS vs ID, como se muestra
canal, una capa del canal adyacente a la puerta se en la grafica 1.
convierte en no conductora. A esta capa se le llama zona
de carga espacial o deplexión.

 Cuanto mayor es la polarización inversa, más

gruesa se hace la zona de deplexión; cuando la
zona no conductora ocupa toda la anchura del
canal, se llega al corte del canal. A la tensión
necesaria para que la zona de deplexión ocupe
todo el canal se le llama tensión puerta-fuente
de corte (VGS). Esta tensión es negativa en los
JFET de canal n. Ver [4].

ZONA LINEAL
Si en la estructura del transistor de canal n se aplica
una tensión VDS mayor que cero, aparecerá una
corriente circulando en el sentido del drenaje al surtidor,
Figura 1. Simbología de los tipos de transistores JFET.
corriente que llamaremos ID. El valor de dicha corriente
estará limitado por la resistencia del canal N de Ver [3]
conducción. En este caso pueden distinguirse dos
situaciones, según sea VDS grande o pequeña en
comparación con VDS. Ver [5].

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Figura 2. Circuito 1 formado por un potenciómetro y Figura 3. Circuito 2 formado por una fuente variable.
fuente fija. Fuente: guía de laboratorio.
Fuente: guia de laboratorio.

MONTAJE 2. 4. CALCULOS DE VDS, VGS, ID.

El circuito está compuesto por un transistor de
A continuación, se presentan las tablas anteriormente
2SK168, una resistencia, una fuente de voltaje, la cual
mencionadas en este trabajo experimental, además se
varia el voltaje desde 0V a 11.5V como se muestra en la
muestra la gráfica obtenida tomando de referencia el
figura 3, al terminar de montar el circuito se procedió a
voltaje VGS con respecto a la corriente drenaje ID.
tomar medidas de corriente de drenaje del transistor, De
igual forma el voltaje de drenaje-fuente, los datos se
pueden observar en la tabla 2.

MONTAJE 3. VGS vs ID
1,415
El circuito está compuesto por un transistor de
2SK168, una resistencia y dos fuentes de voltaje una
1,414
variable desde 0V hasta 6V y otra que se mantuvo estable
en 12V como se muestra en la figura 4, al montar el
circuito se llevó a cabo las medidas de corriente de 1,414
drenaje y los voltajes entre (compuerta-fuente) y (drenaje-
Voltajes VGS

fuente), los datos obtenidos se muestran en la tabla 3. 1,413

1,413

1,412

1,412

1,411

1,411
0 2 4 6 8 10
Corriente ID(µA)

Grafica 1. Voltaje compuerta – fuente con respecto a la

corriente drenador.
Fuente: elaboración propia.
Figura 4. Circuito 3 formada por dos fuentes, una variable
y una fija.
Fuente: guía de laboratorio.

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Tabla 1. Valores de voltaje y corriente medidos en el circuito del montaje 1.

Medición VD(V) VS(mV) VG(V) VGS(V) VDS(V) VGD(V) ID (µA)

1 MΩ 12.04 517.5 1.413 1.41 11.01 10.64 27.2
0.9 KΩ 12.06 412.5 1.414 1.411 11.0 10.64 27.3
0.7 KΩ 12.1 399.8 1.415 1.412 11.03 10.67 27.2
0.4 KΩ 12.07 367.2 1.414 1.411 11.01 10.64 27.3
219 KΩ 12.03 503.4 1.416 1.412 11.01 10.64 27.3
103.4 KΩ 12.06 509.9 1.417 1.412 11.01 10.64 27.3
63 KΩ 12.06 506.8 1.416 1.413 11.03 10.63 27.3
47.4 KΩ 12.06 504.6 1.417 1.414 10.98 10.63 27.3
13.6 KΩ 12.06 490.7 1.416 1.413 10.99 10.63 27.3
10 KΩ 12.06 485.8 1.416 1.413 10.98 10.63 27.3

Tabla 2. Valores de voltajes y corrientes medidos en el circuito del montaje 2.

Volt 0.0V 0.5V 1V 1.5V 2V 2.5V 3V 3.5V 4V 4.5V 5V 5.5V
Vds.(V) 0 0.038 0.075 0.11 0.16 0.19 0.24 0.29 0.34 0.38 0.44 0.49
Id(mA) 0 0.4 0.9 1.4 1.9 2.3 2.8 3.2 3.7 4.2 4.5 5.1
Volt 6V 6.5V 7V 7.5V 8V 8.5V 9V 9.5V 10V 10.5V 11V 11.5V
Vds.(V) 0.56 0.62 0.70 0.78 0.88 0.99 1.12 1.27 1.50 1.84 2.23 2.58
Id(mA) 5.6 6.0 6.5 6.9 7.3 7.8 8.2 8.5 8.8 9.0 9.1 9.1

Tabla 3. Valores de voltajes y corrientes medidos en el circuito del montaje 3.

Voltajes 0.0V 0.5V 1V 1.5V 2.0V 2.5V 3.5V 4V 4.5V 5V 5.5V 6V
(V)
Vgs. (V) 1.81 0.5 1 1.54 2.06 2.49 2.57 4.04 4.5 4.96 5.47 5.95

Vds. (V) 1.9 175mV 1 1.02 1.5 1.99 2.97 3.47 3.96 4.46 4.95 5.45

Id(mA) 0 11.8 11.4 10.9 10.4 10 9.02 8.5 8.03 7.5 7.04 6.5

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5. CONCLUSIONES.

Podemos observar que al momento de medir los

voltajes en cada terminal del transistor se concluye que
estos son muy similares en cada valor que se obtuvo el
potenciómetro en cada prueba.

También se puede observar que el voltaje en el

drenaje-fuente en el segundo circuito es
aproximadamente igual al de la fuente variable.

Otra cosa que se puede observar en el tercer circuito

es que el voltaje de compuerta-fuente es casi el mismo de
la fuente de la fuente variable.

Al realizar estas experiencias se presentaron varias

dificultades como fue la toma de las medidas de los
voltajes en el primer montaje y algunos de los caimanes
empleados dieron problemas, para solucionar estas
dificultades los caimanes se les procedió a medir la
continuidad a cada uno y si marcaron continuidad y para
solucionar el primer montaje se procedió a verificar el
circuito y se encontró algunos problemas de continuidad
en una parte del circuito, para la solución se procedió a
conectar de nuevo cada componente para la solución del
problema.

6. Referencias
[1] J. M. Albella Martín, Fundamentos de microelectrónica,
nanoelectrónica y fotónica, madrid: Pearson Educación,, 2005.
[2] J. Duchitanga, «monografia.com,» [En línea]. Available:
http://www.monografias.com/trabajos90/transistor-
fet/transistor-fet.shtml#marcoteora#ixzz4xyKm50jx. [Último
acceso: 05 11 2017].
[3] «Mr Elberni,» [En línea]. Available:
http://mrelbernitutoriales.com/transistor-jfet/conociendo-el-
jfet/. [Último acceso: 05 11 2017].
[4] «transistores de efecto de campo,» [En línea]. Available:
http://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/clases/Clase%204%20-
%20FET.pdf. [Último acceso: 08 11 2017].
[5] R. L. Boylestad, teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos /, mexico: Prentice-Hall,, 2008.