En presencia de una fuerza eléctrica constante en mov. rectilíneo.

𝑎
𝑊𝑏→𝑎 = − න 𝐹𝐸 𝑐𝑜𝑠𝜙 𝑑𝑙 = ∆𝑈
𝑏
𝑬
𝐹𝐸 = 𝐹𝐸 𝑗Ƹ
q

𝑊𝑏→𝑎 = −𝐹𝐸 𝑦𝑎 − 𝑦𝑏 = −𝑞0 𝐸 𝑦𝑎 − 𝑦𝑏 = 𝑈𝑏 − 𝑈𝑎 = ∆𝑈

Donde: 𝑈𝑎 > 𝑈𝑏 Por tanto: 𝑊𝑏→𝑎 < 0

negativo

Con 𝑊𝑏→𝑎 el trabajo que debe efectuar una fuerza externa para desplazar la
carga q del punto a al punto b en contra de la fuerza eléctrica.
Esto implica almacenamiento de energía
𝑊𝑏→𝑎 = ∆𝑈
potencial eléctrica por parte de la carga

Cuando desaparece ese trabajo negativo realizado sobre el sistema aparece

un trabajo positivo realizado por el sistema que libera energía potencial
eléctrica retornando a su estado de mínima energía.
Se concluye a partir de lo que sucede con la
fuerza gravitacional, la fuerza elástica y la
fuerza eléctrica, que el desplazamiento de
masa y carga, respectivamente, de un
potencial menor a uno mayor genera
almacenamiento de energía potencial.
a
conductor
Inicialmente son eléctricamente
Aislante o vacío neutros
conductor
b

¿Qué debo hacer para almacenar

a
conductor energía potencial eléctrica en esta
configuración de conductores?
Aislante o vacío
e-
conductor Debo desplazar cargas del punto a
b
al punto b o viceversa

a Para desplazar cargas se debe

+++++++++++++++ + realizar trabajo efectuado por una
Aislante o vacío fuerza externa contraria a la fuerza
e eléctrica que se inducirá producto
b - - - -- - - - - - - - - - - - de la diferencia de carga entre las
placas.

𝑊𝑎→𝑏 = − 𝑈𝑏 − 𝑈𝑎 = −∆𝑈
 Para realizar este trabajo, es necesario
suministrar una energía potencial eléctrica
a por unidad de carga (𝑈Τ𝑞0 ) a cada placa, es
+++++++++++++++ + decir, generar una diferencia de energía
Aislante o vacío potencial eléctrica por unidad de carga
𝑉𝑎𝑏 e ( 𝑈𝑎 − 𝑈𝑏 Τ𝑞0 ), lo que también se conoce
- - - -- - - - - - - - - - - - como diferencia de potencial eléctrico (𝑉𝑎𝑏 )
b

Como se genera una diferencia de

𝑊𝑎→𝑏 1 𝑏 𝑏 potencial entre los puntos a y b
𝑉𝑎𝑏 = = න 𝐹Ԧ𝑒𝑥𝑡 ∙ 𝑑 𝑙Ԧ = න 𝐸𝑒𝑥𝑡 ∙ 𝑑𝑙Ԧ (𝑉𝑎𝑏 ), emana una fuerza externa
𝑞0 𝑞0 𝑎 𝑎 por unidad de carga (𝐹𝑒𝑥𝑡 Τ𝑞0 ) que
desplaza la carga de a a b

Cuando se genera 𝑉𝑎𝑏 aparece un

campo eléctrico (𝐸𝑒𝑥𝑡 ) en el que se
desplazará la carga liberada de a a b
 Una vez se libera el primer electrón, la
a placa que lo pierde queda con carga positiva
+++++++++++++++ + y por inducción, la placa opuesta adquiere
Aislante o vacío e 𝑬𝒊𝒏𝒕 carga negativa.
𝑉𝑎𝑏
- - - -- - - - - - - - - - - - Esta diferencia de carga entre las placas
b
induce un campo eléctrico interno (𝐸𝑖𝑛𝑡 ) que
va de la carga positiva a la negativa.

a A su vez se genera una fuerza eléctrica interna

+ ++ + + + + + + + + + + + + +
𝑭𝒊𝒏𝒕 (𝐹Ԧ𝑖𝑛𝑡 ) sobre el electrón en movimiento con
𝑉𝑎𝑏 Aislante o vacío e dirección contraria a 𝐸𝑖𝑛𝑡 , esto es, una fuerza
𝑬𝒊𝒏𝒕 eléctrica que desea restaurar la neutralidad
- - - -- - - - - - - - - - - - eléctrica de las placas
b

Justamente la diferencia de potencial (𝑉𝑎𝑏 ) que

generemos entre las placas induce una fuerza
externa por unidad de carga, contraria a la
fuerza eléctrica interna, que desplaza al electrón
del punto a al b.
 a Para saber que 𝑉𝑎𝑏 debe ser suministrada
+++++++++++++++ + mínimamente para llevar carga de a a b,
𝑭𝒊𝒏𝒕
debemos conocer el campo eléctrico interno
𝑉𝑎𝑏 Aislante o vacío e con el que interactuará, o la fuerza
𝑭𝒆𝒙𝒕
- - - -- - - - - - - - - - - - eléctrica interna que debe ser superada por
b la fuerza externa.

El trabajo externo que se debe efectuar para 𝑊𝑎→𝑏(𝑒𝑥𝑡) = − 𝑈𝑏 − 𝑈𝑎

desplazar el electrón de a a b es positivo ya
que la fuerza externa va en la dirección del
desplazamiento. Esto implica que el 𝑊𝑎→𝑏(𝑒𝑥𝑡) > 0
conductor con mayor potencial tiene carga
positiva +Q, mientras el conductor de 𝑈𝑎 > 𝑈𝑏
menor potencial tiene carga –Q.

El trabajo interno es negativo debido a que

induce ir de un potencial menor a uno 𝑊(𝑖𝑛𝑡) > 0
mayor
 +Q Todos los electrones que se liberan de
a
+++++++++++++++ + una placa son incorporados en la
banda de conducción de la placa
𝑉𝑎𝑏 Aislante o vacío
opuesta, de manera que ambas
- - - -- - - - - - - - - - - - placas tienen igual magnitud de
b -Q carga, pero signos opuestos.

La energía potencial eléctrica total La cantidad de carga (Q) que

almacenada depende de la energía almacena el capacitor
eléctrica por unidad de carga dependerá proporcionalmente
suministrada (𝑉𝑎𝑏 ) y el número de de la diferencia de potencial
cargas que se desplazan aplicada (𝑉𝑎𝑏 ).
El capacitor tiene o 𝐸𝑖𝑛𝑡 ∝ 𝑄 𝑉𝑎𝑏 ∝ 𝑄
almacena una
carga Q Si Q aumenta 𝐸𝑖𝑛𝑡 aumenta 𝑉𝑎𝑏 aumenta
𝐹𝑖𝑛𝑡 aumenta 𝐹𝑒𝑥𝑡 aumenta

𝑉𝑎𝑏 ∝ 𝑄
A la constante de proporcionalidad entre
estas dos parámetros se le llama
capacitancia 𝐶
𝑄 C C2
𝑉𝑎𝑏 = 𝐶𝑄 𝐶= 𝐶 =
J
=
J
= [F]
𝑉𝑎𝑏 C Faradios

Da razón de la cantidad de carga que se

Energía potencial
eléctrica que se
almacena pero
considerando la suma
debido a todas las
cargas desplazadas
almacena en el capacitor respecto al
trabajo que se debe realizar o
energía que se debe suministrar por
unidad de carga para desplazarla de un
conductor al otro

La capacitancia 𝐶 es una medida de la aptitud (capacidad)

de un capacitor para almacenar energía
Capacitor

Un capacitor es un dispositivo que almacena energía potencial eléctrica (U)

y carga eléctrica (Q). Un capacitor consta de dos materiales conductores
aislado el uno del otro mediante un material aislante o vacío.

Para almacenar energía en este dispositivo hay que transferir carga

de un conductor al otro, de manera que uno tenga carga negativa y en
el otro haya una cantidad igual de carga positiva.

Debe realizarse trabajo (𝑊𝑎→𝑏 ) para

trasladar las cargas a través de la
diferencia de potencial (𝑉𝑎𝑏 ) generado
entre los conductores, y el trabajo
efectuado se almacena como energía
potencial eléctrica (∆𝑈).
CAPACITOR SISTEMA DE PLACAS PARALELAS

La forma más sencilla de un capacitor consiste en dos placas conductoras

paralelas, cada una con área A, separadas por una distancia d que es
pequeña en comparación con sus dimensiones.
Campo eléctrico al interior del sistema de placas paralelas

Hallaremos primero para una placa y luego por superposición de campos

eléctricos, encontraremos el campo eléctrico resultante:
Usando la ley de Gauss:
σ
𝑞𝑖𝑛𝑡
𝜙𝑒𝑁 = ර𝐸 ∙ 𝑛𝑑𝑎
ො =
𝜖0
𝑞𝑖𝑛𝑡
ර𝐸 ∙ 𝑛𝑑𝑎
ො =
𝜖0
𝑛ො
𝐸 ∙ 𝑛ො = 𝐸 𝑗Ƹ ∙ 𝑗Ƹ = 𝐸
𝑞𝑖𝑛𝑡
𝐸 ර𝑑𝑎 =
𝜖0

𝑞𝑖𝑛𝑡 = σ𝐴 𝑞𝑖𝑛𝑡
2𝐸𝐴 =
σ𝐴 σ 𝜖0
2𝐸𝐴 = 𝐸= 𝑗Ƹ
2𝜖0
𝜖0

Para dos placas con carga contraria evaluados en direcciones contrarias

tenemos: σ −σ σ 𝑄
𝐸𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝑗Ƹ + (−𝑗)Ƹ = 𝑗Ƹ = 𝑗Ƹ
2𝜖0 2𝜖0 𝜖0 𝜖0 𝐴
Conociendo el campo eléctrico, ¿cómo puedo conocer el potencial eléctrico?

𝑊𝑎→𝑏 1 𝑏 1 𝑏 𝑏
𝑉𝑎𝑏 = 𝑉𝑎 − 𝑉𝑏 = =− ‫׬‬ 𝐹Ԧ ∙ 𝑑 𝑙Ԧ = − ‫𝐸 𝑞 ׬‬ ∙ 𝑑 𝑙Ԧ = − ‫𝑙 𝑑 ∙ 𝐸 𝑎׬‬Ԧ
𝑞0 𝑞0 𝑎 𝑞0 𝑎 0

𝑏
𝑉𝑎𝑏 = 𝑉𝑎 − 𝑉𝑏 = − ‫𝑙 𝑑 ∙ 𝐸 𝑎׬‬Ԧ

Evaluando:
𝐸 ∙ 𝑑𝑙Ԧ = 𝐸 𝑗Ƹ ∙ 𝑑𝑙𝑗Ƹ = 𝐸𝑑𝑙 (𝑗Ƹ ∙ 𝑗)Ƹ

𝑏
𝑄
𝑦𝑎 𝑉𝑎𝑏 = 𝑉𝑎 − 𝑉𝑏 = − න 𝑑𝑙
𝑑 𝑎 𝜖0 𝐴
𝑦𝑏
𝑄 𝑏
𝑉𝑎𝑏 = 𝑉𝑎 − 𝑉𝑏 = − න 𝑑𝑙
𝜖0 𝐴 𝑎
𝑄
𝑉𝑎𝑏 = 𝑉𝑎 − 𝑉𝑏 = − (𝑦 − 𝑦𝑎 )
𝜖0 𝐴 𝑏

𝑄
𝑉𝑎𝑏 = 𝑉𝑎 − 𝑉𝑏 = (𝑦 − 𝑦𝑏 )
𝜖0 𝐴 𝑎

𝑄
𝑉𝑎𝑏 = 𝑑
𝜖0 𝐴
Capacitancia de este capacitor de placas paralelas

𝑄 𝑄 𝜖0 𝐴
𝐶= = =
𝑉𝑎𝑏 𝑄 𝑑
𝑑
𝜖0 𝐴

𝜖0 : permitividad en el vacío: 8.85 × 10-12 F/m= 8.85 pF/m= 8.85 × 10-6 μF/m

La capacitancia sólo depende de la geometría del capacitor; es

directamente proporcional al área A de cada placa e inversamente
proporcional a su separación d.

Las cantidades A y d son constantes para un capacitor dado, y 𝜖0

es una constante universal. Así, con vacío la capacitancia C es una
constante independiente de la carga en el capacitor o de la
diferencia de potencial entre las placas.
CAPACITOR ESFERICO

El capacitor esférico consiste en dos esferas conductoras concéntricas de

radios 𝑟𝑎 y 𝑟𝑏 . Los cascarones son sometidos a una diferencia de potencial
𝑉𝑎𝑏 que genera una distribución de carga tal que adquieren carga +Q y –Q.
Campo eléctrico al interior del sistema de esferas concéntricas

Usando la ley de Gauss:

𝑞𝑖𝑛𝑡
𝜙𝑒𝑁 = ර𝐸 ∙ 𝑛𝑑𝑎
ො =
𝜖0
𝑞𝑖𝑛𝑡
ර𝐸 ∙ 𝑛𝑑𝑎
ො =
𝜖0

𝐸 ∙ 𝑛ො = 𝐸 𝑟Ƹ ∙ 𝑟Ƹ = 𝐸
𝑞𝑖𝑛𝑡
𝐸 ර𝑑𝑎 =
𝜖0
𝑄
4𝜋𝑟 2 𝐸=
𝜖0
𝑄
𝐸=
4𝜋𝜖0 𝑟 2
Conociendo el campo eléctrico, ¿cómo puedo conocer el potencial eléctrico?

𝑊𝑎→𝑏 1 𝑏 1 𝑏 𝑏
𝑉𝑎𝑏 = 𝑉𝑎 − 𝑉𝑏 = =− ‫׬‬ 𝐹Ԧ ∙ 𝑑 𝑙Ԧ = − ‫𝐸 𝑞 ׬‬ ∙ 𝑑 𝑙Ԧ = − ‫𝑙 𝑑 ∙ 𝐸 𝑎׬‬Ԧ
𝑞0 𝑞0 𝑎 𝑞0 𝑎 0

𝑏
𝑉𝑎𝑏 = 𝑉𝑎 − 𝑉𝑏 = − ‫𝑙 𝑑 ∙ 𝐸 𝑎׬‬Ԧ

Evaluando:
𝐸 ∙ 𝑑𝑙Ԧ = 𝐸 𝑟Ƹ ∙ 𝑑𝑙𝑟Ƹ = 𝐸𝑑𝑙 (𝑟Ƹ ∙ 𝑟)Ƹ

𝑏
𝑄 𝑑𝑟
𝑉𝑎𝑏 = 𝑉𝑎 − 𝑉𝑏 = − න 2
4𝜋𝜖0 𝑎 𝑟

𝑄 1 1
𝑉𝑎𝑏 = 𝑉𝑎 − 𝑉𝑏 = −
4𝜋𝜖0 𝑟𝑎 𝑟𝑏
Capacitancia de este capacitor esférico

𝑄 𝑄 𝑟𝑎 𝑟𝑏
𝐶= = = 4𝜋𝜖0
𝑉𝑎𝑏 𝑄 1 1 𝑟𝑏 − 𝑟𝑎
−
4𝜋𝜖0 𝑟𝑎 𝑟𝑏

𝜖0 : permitividad en el vacío: 8.85 × 10-12 F/m= 8.85 pF/m= 8.85 × 10-6 μF/m