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Tarea 4 – ELC 2-2- Electrónica industrial- Andrès Carpio A. – Guayaquil

Tipos de Transistores

NPN Canal N ( JFET N)

Uniòn ( Baja
Potencia)
PNP Canal P ( JFET P)

Bipolares BJT Efecto de Campo

IGBT Canal N ( MOSFET N)

Metal-Òxido-
Semiconductor
FOTOTRANSISTORES Canal P ( MOSFET-P)

TRANSISTOR NPN

El transistor NPN es un dispositivo electrónico que está compuesto por tres regiones semi-

conductoras inter-conectadas N-P-N. Este elemento tiene por lo tanto tres pines de conexión.

El transistor es bipolar. Las uniones PN o NP están compuestas por materiales semi-

conductor.

Un material semi-conductor puede funcionar como conductor y como aislante de acuerdo a

la polarización eléctrica que se conecte. El transistor NPN tiene dos funciones básicas, ser un

interruptor electrónico o un amplificador. Este tipo de transistor también se puede clasificar

como BJT.c

El transitor NPN esta compuesto por tres capas de materiales semi-conductores, este

arreglo es como un pastel de tres capas, Capa N-P-N. Estos materiales son cristales de silicio

que se encuentran dopados de forma distinta.

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Cuando un cristal de material semi-conductor, (Silicio ó Germanio), se » dopa » con Boro,

produce un cristal semiconductor con sólo 3 electrones disponibles de 4, por lo tanto se

genera un » hueco » eléctrico. En cambio, cuando el cristal es dopado con impurezas como

arsénico, ( el arsénico tiene 5 electrones en su última capa

), el cristal se queda con un electrón de más. En resumen:

El material o capa N – tiene un electrón de más.

El material o capa P – le falta un electrón ( hueco ).

APLICACIONES

Un transistor NPN, que también se llama BJT, puede ser usado para dos cosas. El transistor

puede funcionar como un interruptor controlado electrónicamente o como un amplificador

con ganancia variable. El transistor es también la base para el desarrollo de sistemas digitales

como compuertas lógicas. Las compuertas lógicas son la base de los sistemas embebidos.

Entonces podemos plantear que el transistor es la base de la tecnología digital actual.

Regresando a las aplicaciones comunes, la más usada es el uso del transistor NPN como

interruptor electrónico, para este funcionamiento, el transistor debe de operar en las zonas

llamadas corte y saturación.

TRANSISTOR PNP

El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a

las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores

usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la

mayoría de las circunstancias.

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Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos

capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a

masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de

alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña

corriente circulando desde la base permite que una corriente

mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la

que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

(Instituto Tecnológico de La Laguna, 2014)

APLICACIONES

 Los transistores PNP se utilizan para la fuente de corriente, es decir, la corriente

fluye fuera del colector.
 Los transistores PNP se utilizan como conmutadores.
 Estos se usan en los circuitos de amplificación.
 Los transistores PNP se usan cuando necesitamos apagar algo presionando un
botón. es decir, apagado de emergencia.
 Se usa en circuitos de pares Darlington.
 Se usa en circuitos de pares combinados para producir potencia continua.
 Se usa en motores pesados para controlar el flujo de corriente.
 Utilizado en aplicaciones robóticas.

TRANSISTOR IGBT

La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor

bipolar de puerta de salida.

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del

TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta

impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El símbolo más

comúnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT

no exhibe el fenómeno de ruptura secundario como el TBJ.

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El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrónico que

generalmente se aplica a circuitos de potencia.

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de

control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia

aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.

El IGBT de la figura es una conexión integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de

excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción

son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20

KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones

APLICACIONES

El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia.

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. Se usan en los

Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas y convertidores

de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente
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conscientes de eso: Automóvil, Tren, Metro, Autobús, Avión, Barco, Ascensor,

Electrodoméstico, Televisión, Domótica, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en

Inglés UPS), etc.(Universidad de Cataluña, 2014)

FOTOTRANSISTOR

Se trata de un tipo de transistor con la característica especial de que su terminal de Base (el

que controla el paso de corriente) es sensible a la luz. Para ser más precisos deberíamos decir

que su unión Base-Colector es sensible a la luz.

Un fototransistor tiene la capacidad de convertir los fotones que recibe en un tensión

eléctrica de baja potencia, pero capaz de permitir la conducción de corriente entre sus

terminales de Colector y Emisor proporcionando la ganancia de corriente típica de cualquier

transistor.
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APLICACIONES

Su uso se restringe generalmente a aplicaciones ON-OFF, en que su ganancia propia puede

eliminar la necesidad de amplificación posterior. De hecho, el mayor mercado para el

fototransistor es para las aplicaciones de mayor velocidad donde es mejor fotoconductores de

una pieza y más ganancia que un fotodiodo, con lo cual se elimina la necesidad de una

amplificación posterior.(Bernstein, 2016)

TRANSISTOR JFET

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una

familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de

un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias

controladas por diferencia de potencial.

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La

puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se

comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta

permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.

Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o

FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una
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tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción,

respectivamente.

APLICACIONES

 Aislador o separador ( Buffer)

 Amplificador de RF

 Mezclador

 Amplificador con CAG

 Amplificador cascodo

 Troceador

 Resistor variable por voltaje

 Amplificador de baja frecuencia

 Oscilador

 Circuito MOS Digital

TRANSISTOR MOSFET

El JFET de canal N está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de

tipo N con dos regiones (islas) de material tipo P situadas a ambos lados. Es un elemento tri-

terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).

La polarización de un JFET exige que las uniones P-N estén inversamente polarizadas. En

un JFET de canal N, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la de la fuente para
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que exista un flujo de corriente a través de canal. Además, la puerta debe tener una tensión

más negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre polarizado inversamente.

Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los

transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensión a

diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.

Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o drenador a source

o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión drain o drenador a

source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte, lineal, saturación y

ruptura. A continuación se realiza una descripción breve de cada una de estas regiones para el

caso de un NJFET.

APLICACIONES

Estos dispositivos se utilizan en la conmutación de cargas de alta velocidad, dado su

tiempo de respuesta mínimo. Se utilizan para el control digital de cargas de mayor corriente y

mayor voltaje que los valores nominales que puede soportar un microcontrolador. Son muy

buenos en la amplificación de señales analógicas, especialmente en aplicaciones de audio. Al

igual que los BJT, poseen múltiples funciones en diferentes tipos de aplicaciones en el mundo
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de la electrónica, de las cuales solo hemos estudiado la conmutación y apenas mencionado la

amplificación de señales. (Tatiana & Rosero, 2017)

BIBLIOGRAFÍA

Bernstein, H. (2016). 5. Transistoren. Elektronik. https://doi.org/10.1515/9783110463156-007

Instituto Tecnológico de La Laguna. (2014). Fototransistores. 500, 1–13. Retrieved from

http://www.itlalaguna.edu.mx/academico/carreras/electronica/opteca/optopdf2_archivos/

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Tatiana, L., & Rosero, H. (2017). Informe 6- Transistor Mosfet : Caracterizaci ´ on y

aplicaciones b ´ asicas. 1–6.

Universidad de Cataluña. (2014). El Transistor Bipolar. 21. https://doi.org/10.1515/revneuro-

2012-0038