Láseres de heteroestructura

Morocho Jumbo Franklin Osmar,

†
Pontificia Universidad Católica del Ecuador, Quito, Ecuador.
‡
Facultad de Ingeniería, Maestría en Tecnologías de la Información con mención en Redes.
fomorocho@puce.edu.ec,
TABLA I: EJEMPLOS DE DIFERENTES ESTRUCTURAS LÁSER
Una heteroestructura semiconductora consiste en dos o más PARA EL CONFINAMIENTO DE LA LUZ LÁSER A UNA REGIÓN
capas con diferente gap. Los semiconductores de una ESPECÍFICA
heteroestructura son compuestos como el Arseniuro de Galio
(GaAs) de los grupos III y V de la tabla periódica o
semiconductores como el Germanio (Ge) ó el Silicio (Si),
dependiendo de cada aplicación estos materiales son dopados
con impurezas que reemplazan algunos átomos de la estructura
cristalina (In o Al en reemplazo de Ga; P, Sb ó N en reemplazo
de As). Las heteroestructuras son el fundamento de los
dispositivos optoelectrónicos [1].

En láseres de hetero unión, la capa activa se halla situada entre

dos capas de diferente composición química usualmente GaAs
y GaAlAs, que tienen diferentes bandas prohibidas. Los láseres
de heterouniones simples tienen mejores propiedades que los
de homo uniones y se usan en modo pulsante para producir
altas potencias de pico, estos láseres son relativamente
ineficientes y tienen altas corrientes de umbral Ith, lo cual los
hace inadecuados para funcionamiento continuo.
Los láseres de heterounión doble tienen una capa activa
limitada por dos capas de materiales diferentes, por ejemplo
GaAs entre dos capas de GaAlAs. Estos láseres son los más
adecuados para funcionamiento continuo y se usan en sistemas
con fibras ópticas. No pueden producir pulsos de altas
potencias de pico pero pueden operar de modo continuo a
potencias del orden de 10-2W a temperatura ambiente. Sus
capas activas son mucho más delgadas que en las heterouniones
simples (0,1µm – 0,3 µm), de forma que sus corrientes de
umbral Ith son lo suficientemente bajas (~107 A/m2). En uno de
estos láseres con hetero unión doble y estructura plana, la luz
en la dirección perpendicular a la unión se concentra cerca de la
capa activa, pero la luz en la dirección transversal se dispersa
mucho y la distribución de intensidades es variable incluso con
pequeños cambios en la corriente. La anchura del electrodo
superior se reduce con el objeto de concentrar la acción láser en
el centro de forma que nos queda una estructura de banda. Esto
no consigue impedir la dispersión horizontal, pero mejora la
calidad del haz, en cuanto que limita el número de modos
espaciales y, además, disminuye más la intensidad de corriente
de umbral Ith. [2]
Las comunicaciones por fibras ópticas siguen siendo el uso
dominante de los láseres de InGaAsP [2] [3], y parece ser que Fig. 1. Potencia de salida de un láser de diodo en función de la corriente de
esto va a continuar así sin embargo, a esta aplicación sólo se entrada.
indica una pequeñísima parte de los láseres de GaAlAs, pues
esto tiene otras aplicaciones en tratamiento de información REFERENCES
incluyendo la lectura de información previamente grabada y su
grabación en impresoras o sistemas de almacenamiento de [1] Arroyo E. Adrián, Teresa Romero, “Heteroestructuras y sus
datos. aplicaciones en la industria semiconductora",
Las aplicaciones militares, incluidas la simulación de guerras y http://www.cienciacierta.uadec.mx/2018/09/09/heteroestructuras-y-sus-
el rastreo de objetivos, emplean láseres de heteroestructuras aplicaciones-en-la-industria-semiconductora/, 2018.
simples y baterías de láseres, en modo pulsante. Los misiles
aire-aire incluyen diodos láser de búsqueda de objetivo que [2] Universidad Autónoma Metropolitana,Unidad Iztapalapa, “Láser de
detectan las distancias a los blancos militares y sincronizan la Semiconductor",
detonación de la cabeza nuclear cuando el misil está los http://sgpwe.izt.uam.mx/pages/cbi/mfg/laseres1/material_adicional/sem
suficientemente cerca del blanco como para destruirlo. iconductor/DANIEL.html.
[3] Hugo Aya Baquero, "Aspectos del desarrollo de heteroestructuras
semioconductoras usadas en electrónica de alta frecuencia y
optoelectrónica", págs 108-113, 2000.