El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar

una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»).
Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso
diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares,
aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.
Índice

1 Historia
2 Funcionamiento
3 Tipos de transistor
3.1 Transistor de contacto puntual
3.2 Transistor de unión bipolar
3.3 Transistor de efecto de campo
3.4 Fototransistor
4 Transistores y electrónica de potencia
5 Construcción
5.1 Material semiconductor
6 El transistor bipolar como amplificador
6.1 Emisor común
7 Diseño de una etapa en configuración emisor común
7.1 Base común
7.2 Colector común
8 El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica
9 Véase también
10 Referencias
11 Bibliografía
12 Enlaces externos

Historia
Artículo principal: Historia del transistor
Réplica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent
Technologies

El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19251

una patente para lo que él denominó "un método y un aparato para controlar
corrientes eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores
de efecto campo, ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado sólido del
triodo. Lilienfeld también solicitó patentes en los Estados Unidos en los años
19262 y 1928.34 Sin embargo, Lilienfeld no publicó ningún artículo de investigación
sobre sus dispositivos ni sus patentes citan algún ejemplo específico de un
prototipo de trabajo. Debido a que la producción de materiales semiconductores de
alta calidad no estaba disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre
amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico en los años 1920 y
1930, aunque acabara de construir un dispositivo de este tipo.5

En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña6 un

dispositivo similar. Cuatro años después, los también alemanes Robert Pohl y Rudolf
Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de Göttingen, con cristales de
bromuro de potasio, usando tres electrodos, con los cuales lograron la
amplificación de señales de 1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos
prácticos.7Mientras tanto, la experimentación en los Laboratorios Bell con
rectificadores a base de óxido de cobre y las explicaciones sobre rectificadores a
base de semiconductores por parte del alemán Walter Schottky y del inglés Nevill
Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era posible lograr la
construcción de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de
vacío.7
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell8
llevaron a cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos
puntuales de oro eran aplicados a un cristal de germanio, se produjo una señal con
una potencia de salida mayor que la de entrada.9 El líder del Grupo de Física del
Estado Sólido William Shockley vio el potencial de este hecho y, en los siguientes
meses, trabajó para ampliar en gran medida el conocimiento de los semiconductores.
El término "transistor" fue sugerido por el ingeniero estadounidense John R.
Pierce, basándose en dispositivos semiconductores ya conocidos entonces, como el
termistor y el varistor y basándose en la propiedad de transrresistencia que
mostraba el dispositivo.10 Según una biografía de John Bardeen, Shockley había
propuesto que la primera patente para un transistor de los Laboratorios Bell debía
estar basado en el efecto de campo y que él fuera nombrado como el inventor.
Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido años
atrás, los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta de
Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su
lugar, lo que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1943 fue el primer
transistor de contacto de punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros
nombrados, el 17 de junio de 1946,11a la cual siguieron otras patentes acerca de
aplicaciones de este dispositivo.121314 En reconocimiento a éste logro, Shockley,
Bardeen y Brattain fueron galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Física
de 1956 "por sus investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del
efecto transistor".15

En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los físicos

alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des
Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse.
Mataré tenía experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de
silicio y de germanio mientras trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar
alemán durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a
investigar el fenómeno de la "interferencia" que había observado en los
rectificadores de germanio durante la guerra. En junio de 1948, Mataré produjo
resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras de germanio producidas
por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain habían logrado anteriormente en
diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los científicos de Laboratorios Bell ya
habían inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresuró a poner en
producción su dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telefónica de
Francia.16El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicitó la patente del
transistor bipolar de unión17 y el 24 de agosto de 1951 solicitó la primera patente
de un transistor de efecto de campo,18 tal como se declaró en ese documento, en el
que se mencionó la estructura que ahora posee. Al año siguiente, George Clement
Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este
dispositivo,19cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952.20 Meses
antes, el 9 de mayo de ese año, el ingeniero Sidney Darlington solicitó la patente
del arreglo de dos transistores conocido actualmente como transistor Darlington.21

El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie

de germanio desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de
Philco Corporation en 1953,22capaz de operar con señales de hasta 60 MHz.23 Para
fabricarlo, se usó un procedimiento creado por los ya mencionados inventores
mediante el cual eran grabadas depresiones en una base de germanio tipo N de ambos
lados con chorros de sulfato de indio hasta que tuviera unas diez milésimas de
pulgada de espesor. El Indio electroplateado en las depresiones formó el colector y
el emisor.24El primer receptor de radio para automóviles que fue producido en 1955
por Chrysler y Philco; usó estos transistores en sus circuitos y también fueron los
primeros adecuados para las computadoras de alta velocidad de esa época.2526

El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell

en enero 1954 por el químico Morris Tanenbaum.27El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y
Calvin Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos
para producir dispositivos semiconductores.28 El primer transistor de silicio
comercial fue producido por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del
experto Gordon Teal quien había trabajado previamente en los Laboratorios Bell en
el crecimiento de cristales de alta pureza.29 El primer transistor MOSFET fue
construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla,
ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.