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Korotcenkov - Sensores de Gas
Korotcenkov - Sensores de Gas
reversible del gas con la superficie del material semiconductor. Varios materiales,
sintetizados como cerámicos porosos y depositados en forma de películas delgadas son
usados como capas activas en estos dispositivos detectores de gas. De acuerdo a uno de
los panoramas que se tienen acerca del diseño de sensores de gas (Moseley, 1991), casi
cualquier óxido metálico puede ser la base para sensores de gas de estado sólido. Por esto
es que se necesita desarrollar un material suficientemente poroso con propiedades
controladas por su morfología y estados superficiales.
De acuerdo a Kanazawa, 2001; Yamazoe, 2005 y Wilson, 2001, para que un sensor de gas
pueda ser usado en la práctica, debe de cubrir múltiples requisitos, los cuales dependen
del propósito, localización y condiciones de operación del sensor. Dentro de estos
requisitos, destacan principalmente los relacionados al rendimiento: sensibilidad,
selectividad y velocidad de respuesta; y los relacionados con la fiabilidad (estabilidad y
reactividad con gases interferentes).
Existen tres tipos de sensores de gas de estado sólido fabricados a gran escala (Moseley,
1997):
Químico-resistivos
Tipo pellistor
Electroquímicos
Semiconductor Combustión
Electroquímico
(Químico-resistivo) catalítica
Adaptable a
instrumentos Excelente Bueno Bueno
portables
Los sensores de gas tipo semiconductor (SGS) ofrecen un bajo costo de fabricación, una
alta sensibilidad y un funcionamiento bastante simple. Además, la posibilidad de combinar
en un mismo dispositivo las funciones del elemento sensible, del convertidor de señal y
del control electrónico simplifica notablemente el diseño de un sensor y constituye la
principal ventaja de los sensores tipo químico-resistivo sobre los bioquímicos, ópticos,
acústicos, etc. [Capone, 2003].
Un elemento sensible de este tipo de sensores se está compuesto por una película de un
material semiconductor con una relación área superficial/volumen alta depositada sobre
un sustrato aislante calentado en un área que está entre dos electrodos metálicos. Las
reacciones con las moléculas de gas se dan en la superficie del semiconductor para
cambiar su densidad de portadores de carga.